电子部件用基板和电子部件的制作方法

专利名称：电子部件用基板和电子部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用聚酯胶片和基板的电子部件及集成电路，特别是极适合于在高频区域(100MHz以上)使用的使用介电常数优异的聚酯胶片和基板的电子部件。
近年来，通信用、民用、产业用等电子仪器领域中的装配方法向小型化、高密度化方向的发展非常显著，相应地对材料就要求更优异的耐热性、尺寸稳定性、电气特性和成形性等。
作为高频用电子部件或高频用多层基板，通常是在基板上将烧结铁氧体或烧结陶瓷进行多层化成形而得到的。将这些材料形成多层基板，有可以实现小型化的优点，所以，以往经常使用。
但是，使用这些烧结铁氧体或烧结陶瓷时，烧结工序及厚膜印刷工序数多，另外，烧结时的裂纹及翘曲等烧结材料特有的问题很多，并且由于印刷电路基板的热膨胀系数的不同等而引起的裂纹发生等问题也很多，所以，对树脂系材料的要求在逐年提高。
但是，在树脂系的材料中，用其本身得到充分的介电常数是非常困难的，同时，提高导磁率也是非常困难的。因此，在仅利用树脂材料的电子部件中，不能得到充分的特性，形状也比较大，难于实现小型化和薄型化。
另外，虽然在例如特开平10-270255号公报、特开平11-192620号公报、特开平8-69712号公报中公开了将陶瓷粉末混合到树脂材料中的方法，但是，也不能得到充分的介电常数和导磁率。为了提高介电常数而提高陶瓷粉末的填充率时，强度将降低，在进行处理时或加工时便容易破损。
另外，在这些文献中所使用的材料都是破碎粉，所以，混合成形时模具的磨损更快。此外，使用破碎粉时，粒子的形状和大小参差不齐，所以，分散性和填充率不稳定，难于提高介电常数，从而介电常数和导磁率不稳定。此外，使用破碎粉时，由于粒子的形状等原因，耐压比较低。
作为将球形的磁性体粉分散到树脂中的尝试，在特公平7-56846号公报、特许第2830071号、特许第2876088号、特许第2893531号等中已有记载。但是，这些文献所公开的仅仅是铁氧体磁性粉，对其他材料或磁性粉与其他材料并未进行研究。
本发明的目的旨在提供介电常数比先有的材料高、强度不降低、小型而高性能、综合的电气特性优异的电子部件用基板和电子部件。
另外，本发明的目的在于提供特别是可以抑制介电常数在批次间的变化进而可以抑制材料形成时的模具的磨损的电子部件用基板和电子部件。
另外，本发明的目的在于提供耐压高的电子部件用基板和电子部件。
利用下述本发明的结构，可以达到上述目的。即，(1)具有至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的电介质分散在树脂中的复合电介质材料的电子部件用基板。
(2)上述投影形状为圆形的电介质是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的上述(1)的电子部件用基板。
(3)此外，上述复合电介质材料含有磁性粉的上述(1)或(2)的电子部件用基板。
(4)此外，上述复合电介质材料含有破碎粉的上述(1)～(3)的某一种电子部件用基板。
(5)此外，上述复合电介质材料埋设了玻璃纤维布的上述(1)～(4)的某一种电子部件用基板。
(6)具有2种以上的不同的上述复合电介质材料所上述(1)～(5)的某一种电子部件用基板。
(7)至少在1种复合电介质材料层中含有1种或2种以上的阻燃剂的上述(1)～(6)的某一种电子部件用基板。
(8)具有上述(1)～(7)的某一ê电子部件用基板的电子部件。


图1是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图2是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图3是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图4是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图5是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图6是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图7是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图8是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图9是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图10A和图10B是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的等效电路图。
图11是表示作为本发明的电子部件的构成例的电感器的图。
图12是表示作为本发明的电子部件的构成例的电容器的图。
图13是表示作为本发明的电子部件的构成例的电容器的图。
图14A和图14B是表示作为本发明的电子部件的构成例的电容器的等效电路图。
图15是表示作为本发明的电子部件的构成例的平衡-不平衡变压器的图。
图16是表示作为本发明的电子部件的构成例的平衡-不平衡变压器的图。
图17是表示作为本发明的电子部件的构成例的平衡-不平衡变压器的图。
图18是表示作为本发明的电子部件的构成例的平衡-不平衡变压器的等效电路图。
图19是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的图。
图20是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的图。
图21是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的等效电路图。
图22是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的传输特性的图。
图23是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的图。
图24是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的图。
图25是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的等效电路图。
图26是表示作为本发明的电子部件的构成例的多层滤波器的传输特性的图。
图27是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的图。
图28是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的图。
图29是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的图。
图30是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的图。
图31是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的等效电路图。
图32是表示作为本发明的电子部件的构成例的部件滤波器的模具的图。
图33是表示作为本发明的电子部件的构成例的耦合器的图。
图34是表示作为本发明的电子部件的构成例的耦合器的图。
图35是表示作为本发明的电子部件的构成例的耦合器的图。
图36是表示作为本发明的电子部件的构成例的耦合器的内部连线的图。
图37是表示作为本发明的电子部件的构成例的耦合器的等效电路图。
图38是表示作为本发明的电子部件的构成例的天线的图。
图39A～图39C是表示作为本发明的电子部件的构成例的天线的图。
图40是表示作为本发明的电子部件的构成例的天线的图。
图41是表示作为本发明的电子部件的构成例的天线的图。
图42是表示作为本发明的电子部件的构成例的天线的图。
图43是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图44是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图45是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图46是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图47是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图48是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图49是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图50是表示作为本发明的电子部件的构成例的拼片天线的图。
图51是表示作为本发明的电子部件的构成例的VCO的图。
图52是表示作为本发明的电子部件的构成例的VCO的图。
图53是表示作为本发明的电子部件的构成例的VCO的等效电路图。
图54是表示作为本发明的电子部件的构成例的功率放大器的图。
图55是表示作为本发明的电子部件的构成例的功率放大器的图。
图56是表示作为本发明的电子部件的构成例的功率放大器的等效电路图。
图57是表示作为本发明的电子部件的构成例的重叠模块的图。
图58是表示作为本发明的电子部件的构成例的重叠模块的图。
图59是表示作为本发明的电子部件的构成例的重叠模块的等效电路图。
图60是表示作为本发明的电子部件的构成例的RF模块的图。
图61是表示作为本发明的电子部件的构成例的RF模块的图。
图62是表示作为本发明的电子部件的构成例的RF模块的图。
图63是表示作为本发明的电子部件的构成例的RF模块的图。
图64是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图65是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图66是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图67是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图68是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图69是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的图。
图70是表示作为本发明的电子部件的构成例的谐振器的等效电路的图。
图71是表示作为本发明的电子部件的构成例的便携式机器的高频部的框图。
图72A～图72D是表示本发明使用的带铜箔的基板的形成例的工序图。
图73A～图73D是表示本发明使用的带铜箔的基板的形成例的其他工序图。
图74是表示带铜箔的基板的形成例的工序图。
图75是表示带铜箔的基板的形成例的其他工序图。
图76是表示多层基板的形成例的工序图。
图77是表示多层基板的形成例的工序图。
下面，详细说明本发明。
本发明的电子部件用基板和电子部件具有至少投影形状为圆、扁平圆、或椭圆形的电介质分散在树脂中的复合电介质材料。
这样，通过使分散在树脂中的电介质的投影形状成为圆、扁平圆、或椭圆，电介质粒子的表面成为光滑的，从而就提高了填充率，同时也提高了分散性。另外，树脂材料在电介质的周围均匀地存在，这就提高了混合材料的耐压，同时也提高了强度。另外，减少了成形时对模具的损伤，从而延长了模具的寿命。
电介质最好是上述投影形状为圆形的球状体。其平均粒径最好是0.1～50μm，特别是最好为0.5～20μm，球形度最好是0.9～1.0，特别是最好为0.95～1.0。
如果平均粒径小于0.1μm，粒子的表面积将增大，分散混合时的粘度和触变性上升，难于实现高填充率，从而难于进行与树脂的混合。相反，如果平均粒径大于50μm，就难于进行均匀的分散和混合，从而急剧地沉降而变得不均匀，在粉末的含有量多的组成进行成形时难于得到致密的成形体。
另外，如果球形度小于0.9，在例如压粉铁心等成形体的成形时粉末难于均匀的分散，从而将成为发生电介质特性弥散的原因等，难于得到所希望的特性，批次间、产品间的弥散将增大。任意测定多个样品，球形度的平均值就是上述值。
在本发明中，所谓“投影形状成为圆形”的“球状”，除了表面为平滑的球状外，也包含非常接近于正圆的多面体。即，球状具有由用Wulff模型表示的稳定的结晶面包围的各向同性的对象性，并且也包含球形度接近于1的多面体。另外，所谓本发明的“球形度”，就是Wadell的实用球形度，即用和粒子的投影面积相等的圆的直径与和粒子的投影像外接的最小圆的直径之比表示。
在本发明中，电介质的球形度小于0.9时，只要是表面光滑的投影形状为圆、扁平圆、或椭圆的粒子就是有效的。通过具有这样的光滑的表面，可以减少模具的磨损。这时，球形度大于0.9，比具有锐角的突起的形状有效。
在本发明中，除了上述形状的电介质外，进而也包含破碎粉。通过含有电介质破碎粉，可以进一步提高填充率。这时，模具的磨损抑制效果有所减弱，但是，由于提高了填充率，从而可以提高电介质特性等电气特性。因此，可以根据所要求的特性选择合适的形式。
使用破碎粉时，粒径最好是0.01～100μm，特别是最好为0.01～50μm，平均粒径最好是1～50μm。通过采用这样的粒径，破碎粉的分散性良好，从而可以提高本发明的效果。与此相反，如果破碎粉的粒径小于上述值，比表面积将增大，从而难于实现高填充率。另一方面，如果破碎粉的粒径大于上述值，调浆时任意沉降，从而难于均匀地分散。另外，形成厚度薄的基板和聚酯胶片时，难于得到表面的平滑性。要使粒径很小，实际上是困难的，限度约为0.01μm。
本发明使用的电介质材料粉最好是陶瓷粉末，只要是在高频区域具有比成为分散媒质的树脂大的相对介电常数和Q的陶瓷粉末就行，可以使用2种以上的材料粉。
特别是本发明使用的陶瓷粉末最好使用相对介电常数为10～20000、介质损耗小于0.05的粉末。
为了得到比较高的介电常数，最好使用以下的材料。即，钛-钡-钕系陶瓷、钛-钡-锡系陶瓷、铅-钙系陶瓷、二氧化钛系陶瓷、钛酸钡系陶瓷、钛酸铅系陶瓷、钛酸锶系陶瓷、钛酸钙系陶瓷、钛酸铋系陶瓷、钛酸镁系陶瓷、CaWO4xttci、Ba(Mg，Nb)O3系陶瓷、Ba(Mg，Ta)O3系陶瓷、Ba(Co，Mg，Nb)O3系陶瓷、Ba(Co，Mg，Ta)O3系陶瓷。所谓二氧化钛系陶瓷，就是除了含有二氧化钛的陶瓷外，也包含含有其他少量的添加物的陶瓷从而具有二氧化钛的结晶结构的陶瓷。另外，其他陶瓷也一样。特别是二氧化钛系陶瓷，最好具有金红石结构。
为了使介电常数不太高而得到高的Q，最好使用以下的材料。即，二氧化硅、氧化铝、氧化锆、钛酸钾纤维、钛酸钙纤维、钛酸钡纤维、氧化锌纤维、玻璃纤维、玻璃小球、碳纤维、氧化镁(滑石)。
这些材料，可以单独使用，也可以将2种以上混合使用。将2种以上混合使用时，其混合比是任意的。
具体而言，在不需要比较高的介电常数时，最好使用以下的材料。即，Mg2SiO4[ε＝7、Q＝20000]、Al2O3[ε＝9.8、Q＝40000]、MgTiO3[ε＝17、Q＝22000]、ZnTiO3[ε＝26、Q＝800]、Zn2TiO4[ε＝15、Q＝700]、TiO2[ε＝104、Q＝15000]、CaTiO3[ε＝170、Q＝1800]、SrTiO3[ε＝255、Q＝700]、SrZrO3[ε＝30、Q＝1200]、BaTi2O5[ε＝42、Q＝5700]、BaTi4O9[ε＝38、Q＝9000]、Ba2Ti9O20[ε＝39、Q＝9000]、Ba2(Ti，Sn)9O20[ε＝37、Q＝5000]、ZrTiO4[ε＝39、Q＝7000]、(Zr，Sn)TiO4[ε＝38、Q＝70O0]、BaNd2Ti5O14[ε＝83、Q＝2100]、BaSm2TiO14[ε＝74、Q＝2400]、Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε＝88、Q＝2000]、PbO-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε＝90、Q＝5200]、(Bi2O3、PbO)-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε＝105、Q＝2500]、La2Ti2O7[ε＝44、Q＝4000]、Nd2Ti2O7[ε＝37、Q＝1100]、(Li，Sm)TiO3[ε＝81、Q＝2050]、Ba(Mg1/3Ta2/3)O3[ε＝25、Q＝35000]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε＝30、Q＝14000]、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3[ε＝41、Q＝9200]、Sr(Zn1/3Nb2/3)O3[ε＝40、Q＝4000]等。
而更理想的是以以下的组成为主要成分的材料。即，TiO2、CaTiO3、SrTiO3、BaO-Nd2O3-TiO2系、Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2系、BaTi4O9、Ba2Ti9O20、Ba2(Ti，Sn)9O20系、MgO-TiO2系、ZnO-TiO2系、MgO-SiO2系、Al2O3等。
另一方面，在需要比较高的介电常数时，最好是以下的材料。即，BaTiO3[ε＝1500]、(Ba，Pb)TiO3系[ε＝6000]、Ba(Ti，Zr)O3系[ε＝9000](Ba，Sr)TiO3系[ε＝7000]。
而更理想的是从以以下的组成为主要成分的电介质的粉末中进行选择。即，BaTiO3、Ba(Ti，Zr)O3系。
陶瓷粉末，可以是单结晶或多结晶的粉末。
陶瓷的含有量在树脂和陶瓷粉末的合计量为100体积％时，陶瓷粉末的含有量为大于10体积％小于65体积％，最好是在大于20体积％小于60体积％的范围内。
陶瓷粉末大于65体积％时，就不能得到致密的组成物。另外，与不添加陶瓷粉末的情况相比，有时Q也大大降低。另一方面，如果陶瓷粉末小于10体积％，就看不到含有陶瓷粉末的效果了。
本发明的电子部件用基板和电子部件，通过在上述范围内适当地设定各成分，可以比从树脂单体得到的介电常数大，从而可以得到符合需要的相对介电常数和高的Q。
为了使上述陶瓷粉末形成球形等，利用众所周知的喷雾式干燥机造粒法等可以得到。具体而言，通过将形成用混合粉末分散混合到分散媒质中调制成指定浓度的粘接剂后，进行喷雾干燥形成球状的造粒物，然后通过烧结该造粒物便可得到。
本发明的电子部件用基板和电子部件使用的树脂不特别限定，可以从成形性、加工性、多层时的粘接性、电气特性优异的树脂材料中适当地选择使用。具体而言，最好是热硬化性树脂、热可塑性树脂等。
作为热硬化性树脂，有环氧树脂、酚醛树脂、不饱和聚酯树脂、乙烯酯树脂、聚酰亚铵树脂、聚苯醚树脂、氰酸盐树脂、富马酸脂树脂、聚丁二烯树脂、乙烯苯醚树脂等。作为热可塑性树脂，有芳香族聚酯树脂、聚苯硫化物树脂、聚苯脂树脂、聚丁烯脂树脂、聚乙烯硫化物树脂、聚醚酮树脂、聚四氟乙烯树脂、接枝树脂等。在这些树脂中，特别是酚醛树脂、环氧树脂、低介电常数环氧树脂、聚丁二烯树脂、BT树脂、乙烯苯醚树脂等最好作为基础树脂。
这些树脂，可以单独使用，也可以将2种以上混合使用。将2种以上混合使用时，其混合比是任意的。
在本发明中，可以由使用2种以上的不同的复合电介质材料的多层体构成电子部件用基板和电子部件。另外，也可以含有2种以上的不同的分散材料。这样，通过将2种以上的不同的复合电介质材料组合或者将2种以上的不同的粉体以及即使是同种粉体但组成、电气(介电常数等)特性、磁特性不同的粉体与树脂混合，介电常数及磁导率的调整就变得容易，从而可以调整为符合各种电子部件的特性。特别是通过使有波长缩短效果的介电常数及磁导率成为最佳的值，可以实现装置的小型化和薄型化。另外，通过将可以在频率比较低的区域得到良好的电气特性的材料与可以在频率比较高的区域得到良好的电气特性的材料组合，可以在宽的频带区域得到良好的电气特性。
另外，使用这样的混合层形成基板和电子部件时，不使用粘接剂等就可以实现与铜箔的粘接或形成图案，并且可以实现多层化。这样的图案形成或多层化处理，可以用与通常的基板制造工序相同的工序进行，所以，可以降低成本和改善作业性。另外，这样得到的基板上的电子部件，强度高并且提高了高频特性。
通过提高介电常数，可以得到波长缩短效果。即，基板上的波长λ可以表为λ＝λ0/(ε·μ)1/2其中，λ0是实际的波长，ε、μ是电子部件或基板的介电常数和磁导率。因此，例如在设计λ/4的电子部件和电路时，通过提高构成该电路的部件的ε、μ，可以将需要长度λ/4的部分减小为用ε、μ之积的平方根相除以后的值。因此，通过提高至少电子部件和基板的ε，可以减小电子部件和基板的大小。
另外，通过将可以在频率比较低的区域得到良好的电气特性的材料与可以在频率比较高的区域得到良好的电气特性的材料组合，可以在宽的频带区域，具体而言就是在1～2000MHz特别是在50～1000MHz的宽的频带区域得到良好的HPF等电气特性。
具体而言，考虑波长缩短效果时，通过将高介电常数材料与树脂材料混合，可以得到该目的。但是，这样的高介电常数材料的高频特性不太好，所以，必须进行修正。因此，通过与高介电常数材料例如BaTiO3、BaZrO3等一起同时 用高频特性优异的磁性材料例如碳基铁等，在高频区域也可以得到所希望的特性。
作为这样的波长缩短和高频特性所需要的电子部件，有多层滤波器、平衡-不平衡变压器、介质滤波器、耦合器、天线、VCO(电压控制振荡器)、RF(高频)单元、谐振器等。
此外，使用某种材料提高1个电气特性时，可以利用其他材料修正不足的电气特性。
本发明的电子部件用基板和电子部件，在上述电介质与树脂的复合电介质材料中进而可以含有1种或2种以上的磁性体。
作为磁性体材料的铁氧体，是Mn-Mg-Zn系、Ni-Zn系、Mn-Zn系等，特别是最好是它们的单结晶或Mn-Mg-Zn系、Ni-Zn系等。
作为磁性体材料的强磁性金属，最好是碳基铁、铁-硅系合金、铁-铝-硅系合金(商标名仙台铁硅铝磁性合金)、铁-镍系合金(商标名坡莫合金)、非晶形系(铁系、钴系)等。
使这些金属成为粉末的方法，可以利用粉碎、造粒等众所周知的方法。磁性体材料粉的粒径及形状与上述电介质材料一样，最好是和电介质一样表面光滑的材料，但是，也可以使用破碎粉。使用破碎粉的效果，和上述一样。
此外，也可以使用种类、粒度分布不同的2种以上的磁性体材料。其混合比是任意的，可以根据用途调整所使用的材料、粒度分布和混合比。
磁性体材料的磁导率μ最好是10～1000000。另外，最好提高体绝缘性高的磁性体材料在形成基板时的绝缘性。
作为树脂与磁性体材料粉的混合比，最好添加成使形成的结构层全体的磁导率为3～20。特别是在向玻璃纤维布等上涂布的胶状阶段，用树脂与磁性材料粉的比率表示时，磁性材料粉的含有量为10～65体积％，特别是最好为20～60体积％。通过采用这样的磁性材料粉的含有量，结构层全体的磁导率成为3～20，从而可以很容易的得到所希望的电气特性。与此相反，如果磁性材料的含有量增多，介电常数将降低，粘接剂将难于进行涂布，从而难于制作电子部件、基板和层压材料。另一方面，如果磁性材料粉的含有量减少，有时难于确保磁导率，从而难于提供磁特性。
作为本发明使用的阻燃剂，可以使用通常基板阻燃所使用的各种阻燃剂。具体而言，就是可以使用卤化磷酸酯、溴化环氧树脂等卤化物、以及磷酸酯酰胺系等有机化合物或三氧化锑、氢化铝等无机材料。
本发明使用的玻璃纤维布等的强化纤维，根据目的和用途，可以是各种各样的，可以直接使用市场上销售的产品。这时的强化纤维，可以根据电气特性分开使用E玻璃纤维布(ε＝7、tanδ＝0.003、1GHz)、D玻璃纤维布(ε＝4、tanδ＝0.0013、1GHz)、H玻璃纤维布(ε＝11、tanδ＝0.003、1GHz)等。另外，为了提高层间紧密粘接力，可以进行匹配处理等。其厚度小于100μm，特别是最好为20～60μm。其分布重量为120g/m2，特别是最好为20～70g/m2。
另外，树脂与玻璃纤维布的配合比，按重量比而言，最好树脂/玻璃纤维布为4/1～1/1。通过采用这样的配合比，可以提高本发明的效果。与此相反，如果该配合比减小、环氧树脂量减少，则与铜箔的粘接力将降低，基板的平滑性将发生问题。相反，如果该配合比增大、环氧树脂量增多，则可以使用的玻璃纤维布的选择就困难了，从而难于确保薄基板的强度。
作为所使用的金属箔，可以从金、银、铜、铝等电导率良好的金属中选择使用。在这些金属中，最好是使用铜。
作为制作金属箔的方法，可以使用电解、压延法等各种众所周知的方法，但是，想获得箔强度时，可以使用电解箔，想重视高频特性时，可以使用表面凹凸引起的趋肤效应的影响室外的压延箔。
作为金属箔的厚度，最好是8～70μ，特别是最好为12～35μm。
在本发明中，为了得到成为电子部件用基板和电子部件的基础的聚酯胶片，按照将包含采用指定的配合比的精度材料和树脂以及根据需要也包含磁性体材料和阻燃剂与溶剂混合而成的胶状物涂布和干燥(B阶段)的工序进行。重视所使用的溶剂最好是挥发性溶剂，特别是最好是上述极性中性溶剂，调整胶状物的粘度，以便容易进行涂布。混合处理，可以利用球磨、搅拌等众所周知的方法进行。通过将胶状物涂布到金属箔上或浸渍到玻璃纤维布上，便可形成。
聚酯胶片的干燥(B阶段)，可以根据需要利用磁性体材料粉、阻燃剂的含有量等适当地调整含有的电介质材料粉。干燥后的厚度最好约为50～300μm，可以根据其用途或所要求的特性(图案宽度和精度、直流电阻)等调整为最佳的膜厚。
聚酯胶片可以利用图72A～图72D或图73A～图73D损失的方法进行制造。重视，图72的方法比较适合于批量生产，图73的方法容易进行膜厚控制，比较容易进行特性的调整。在图72中，如图72A所示，卷绕成滚轮状的玻璃纤维布101a从滚轮90上抽出，通过导引滚轮91传送到涂布槽92中。在该涂布槽92中，分散在溶剂中的电介质材料粉以及根据需要还有磁性材料粉、阻燃剂还树脂调整为粘接剂状，玻璃纤维布通过该涂布槽92时，浸渍在上述粘接剂中，这就涂布到玻璃纤维布上了，同时，也侵入到其中的缝隙中。
通过了涂布槽92的玻璃纤维布，通过导引滚轮93a、93b而导入到干燥炉120内。导入干燥炉的浸渍了树脂的玻璃纤维布在指定的温度中干燥指定的时间后，由导引滚轮95转换方向而卷绕到卷取滚轮99上。
并且，按指定的大小切断时，如图72B所示，便可得到偏配置了在玻璃纤维布101的两面含有电介质材料粉以及根据需要含有磁性体材料粉还阻燃剂的树脂102的聚酯胶片。
此外，如图72C所示，将同箔等金属箔100配置到所得到的聚酯胶片的上下两面上并对其进行加热、加压处理时，便可得到图72D所示的两面带金属箔的基板。除了条件以外，成形可以分为多个阶段进行。不设置金属箔时，可以不配置金属箔而进行加热、加压处理。
下面，说明图73的制造方法。在图73中，如图73A所示，利用刮刀96等使间隙保持一定而把将电介质材料粉以及根据需要也将磁性材料粉、阻燃剂和树脂分散到溶剂中的粘接剂102a涂布到铜箔等金属箔上。
并且，按指定的大小切断时，如图73B所示，便可得到在金属箔100的上面配置了含有电介质材料粉以及根据需要也含有磁性体材料粉和阻燃剂的树脂102的聚酯胶片。
此外，如图73C所示，将所得到的聚酯胶片分别把树脂102侧作为内面配置到玻璃纤维布101的上下两面并对其进行加热、加压处理时，便可得到图73D所示的两面带金属箔的基板。加热加压条件可以和上述一样。
构成电子部件的基板和聚酯胶片，除了上述涂布法以外，通过将材料混合而成形为固体状的混合物也可以得到。这时，由于原料是固体状，容易控制厚度，适合于形成比较厚的基板和聚酯胶片的方法。
混合处理也可以利用球磨、搅拌、混合机等众所周知的方法进行。这时，根据需要也可以使用溶剂媒质。另外，根据需要也可以进行小球化或粉末化的处理。
这时得到的聚酯胶片的厚度约为0.05～5mm。聚酯胶片的厚度可以根据所希望的板厚、电介质材料粉、磁性体材料粉的含有率而适当地进行调整。
此外，和上述一样，将铜箔等金属箔配置到所得到的聚酯胶片的上下两面上并对其进行加热、加压处理时，便可得到图72D所示的两面带金属箔的基板。除了条件以外，成形可以分为多个阶段进行。不设置金属箔时，可以不配置金属箔而进行加热、加压处理。
作为这样得到的成形材料的基板(有机复合材料)，磁导率和电导率的高频特性优异。另外，作为绝缘材料所能耐的绝缘特性也很优异。此外，如后面所述，作为带铜箔的基板，与铜箔的粘接强度大。另外，对焊锡的耐热性等也很优异。
本发明的聚酯胶片通过与铜箔重叠并进行加热加压而成形，便可形成带铜箔的基板。这时，铜箔的厚度约为12～35μm。
这样的带铜箔的基板，有两面形成图案的基板和多层基板等。
图74和图75表示两面形成图案的基板的形成例的工序图。如图74和图75所示，将指定厚度的聚酯胶片216与指定厚度的铜(Cu)箔217重叠并进行加热加压而成形(工序A)。然后，利用钻孔钻头形成通孔218(工序B)。对形成的通孔218进行镀铜(Cu)，形成镀膜225(工序C)。此外，在两面的铜箔217上形成图案，从而形成导体图形226(工序D)。然后，如图74所示，进行外部端子等连接用的电镀(工序E)。这时的电镀，利用在镀Ni后进而进行镀Pd的方法、和在镀Ni后进而进行镀Au的方法(电镀为电解电镀或无电解电镀)以及使用焊锡调整器的方法进行。
图76和图77是多层基板形成例的工序图，图中示出的是多层4层的例子。如图76和图77所示，将指定厚度的聚酯胶片216与指定厚度的铜(Cu)箔217重叠并进行加热加压而成形(工序a)。然后，在两面的铜箔217上形成图案，从而形成导体图形224(工序b)。进而将指定厚度的聚酯胶片216和铜箔217重叠到这样得到的两面形成了图案的基板的两面，同时进行加热加压而成形(工序c)。然后，利用钻孔钻头形成通孔218(工序d)。对形成的通孔218进行镀铜(Cu)，形成镀膜219(工序e)。进而在两面的铜箔217上形成图案，从而形成导体图形224(工序f)。然后，如图76所示，进行与外部端子连接用的电镀(工序g)。这时的电镀，利用在镀Ni后进而进行镀Pd的方法、和在镀Ni后进而进行镀Au的方法(电镀为电解电镀或无电解电镀)以及使用焊锡调整器的方法进行。
在本发明中，不限于上述例，可以形成各种各样的基板。例如，使用作为成形材料的基板或带铜箔的基板和聚酯胶片，可以将聚酯胶片作为粘接层而实现多层化。
另外，在将聚酯胶片或作为成形材料的基板和铜箔进行粘接的形式中，可以通过把上述电介质材料粉、磁性材料粉、电介质被覆金属粉、绝缘体被覆磁性金属粉以及根据需要也把阻燃剂、树脂和丁基甲醇乙酸酯等混合而得到的混合材料胶状物在形成了图案的基板上用丝网印刷等形成，这样，便可提高特性。
通过将这样的聚酯胶片、带铜箔的基板、多层基板等与元件结构图形、结构材料组合，可以得到电子部件。
本发明的电子部件除了电容器、电感线圈、滤波器等之外，将它们或者除此以外的配线图形、放大元件、功能元件组合，可以得到天线、RF模块(RF放大级)、VCO(电压控制振荡电路)、功率放大器(功率放大级)等高频电子电路、光读取头等使用的重叠模块等高频用电子部件。
实施例.
下面，给出本发明的具体的实验例、实施例，进一步详细说明本发明。
实验例1.
作为树脂材料，准备表1-1、1-2所示的材料，分别测定按指定的比例将表1-1、1-2所示的电介质材料粉、磁性材料粉混合而得到的混合材料的介电常数ε。结果示于表1-1、1-2。另外，将含有磁性材料时的介电常数的降低与比较样品一起示于表中。在表1-1中，电介质材料粉的含有量为50体积％的表示先有的比较样品，电介质材料粉的含有量为60体积％的表示本发明样品。另外，在表1-1中，在(ε×μ)1/2的计算中，由于不包含磁性材料粉，所以，取μ＝1进行计算。表1-1树脂 树脂介电常数 电介质材料粉 含有量引起的介电常数之差 复合电介质材料材料介电常数 50体积(％)60体积(％)
苯酚 BaTiO3-BaZrO3系 9000 24.24 38.1 6.17252BaO-TiO2-Nd2O3系 95 16.90 23.6 4.85798环氧树脂 BaTiO3-BaZrO3系 9000 23.21 36.3 6.024954BaO-TiO2-Nd2O3系 95 16.43 23.0 4.79583BaTiO3-BaZrO3系 9000 20.62 32.6 5.70964低介电常数环氧树脂 3.5BaO-TiO2-Nd2O3系 95 15.19 21.5 4.63681BaTiO3-BaZrO3系 9000 18.04 28.1 5.300943BT树脂BaO-TiO2-Nd2O3系 95 13.84 19.5 4.41588BaTiO3-BaZrO3系 9000 15.44 24.0 4.898982.5聚丁二烯BaO-TiO2-Nd2O3系 95 12.37 17.8 4.2190表中电介质材料粉50体积％的介电常数ε是比较样品。另外，在(ε×μ)1/2计算中，取μ＝1。表1-2树脂介电 电介质材料粉 含有量 磁性材料粉含有量 复合电介质材料树脂 介电常数常数 材料 介电常数 (体积％) 材料 磁导率 (体积％) 磁导率(ε×μ)1/2苯酚BaTiO3-BaZrO3系 900040 Mn-Mg-Zn32020 26.562.4 7.9839844.2BaO-TiO2-Nd2O3系 95 40 Mn-Mg-Zn32020 18.652.4 6.690291BaTiO3-BaZrO3系 900040 Mn-Mg-Zn32020 25.042.2 7.422129环氧树脂4BaO-TiO2-Nd2O3系 95 40 Mn-Mg-Zn32020 17.872.2 6.270088低介电常数BaTiO3-BaZrO3系 900040 Mn-Mg-Zn32020 24.532.3 7.5112583.5环氧树脂BaO-TiO2-Nd2O3系 95 40 Mn-Mg-Zn32020 17.602.3 6.362389BaTiO3-BaZrO3系 900040 Mn-Mg-Zn32020 24.022.0 6.931089BT树脂3BaO-TiO2-Nd2O3系 95 40 Mn-Mg-Zn32020 17.332.0 5.887274BaTiO3-BaZrO3系 900040 Mn-Mg-Zn32020 23.002.1 6.94982聚丁二烯 2.5BaO-TiO2-Nd2O3系 95 40 Mn-Mg-Zn32020 16.792.1 5.937929
由表1-1、1-2可知，在所使用的树脂中含有的电介质材料粉、磁性体材料粉的最大含有量与先有的电介质材料粉相比，从50体积％增大到60体积％，介电常数也增加了。另外，混合了磁性材料粉时，就是增大了(ε×μ)1/2。
实施例1.
图1和图2是表示作为本发明的实施例1的电感器的图，图1表示透视斜视图，图2表示剖面图。
图中，电感器10包括具有本发明的树脂的结构层(聚酯胶片～基板)10a～10e、在工序结构层10b～10e上形成的内部导体(线圈图形)13和用于将该内部导体13电气连接的支柱通孔14。该支柱通孔14可以通过钻孔钻头、激光加工、腐蚀等而形成。另外，形成的线圈的终端布与分别在电感器10的端面形成的贯通支柱12和在其上下面方向形成的接线座图形11连接。贯通支柱12是通过切割或V切割等而切割为一半的结构。这是在集合基板上形成多个元件并在最后切割为各个片时从贯通支柱12的中心切断而形成的。
在该电感器10的结构层10a～10e中的至少某一个中，至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质使用分散在树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
考虑作为高频用的芯片电感器的用途时，该复合电介质材料必须尽可能减少分布电容，所以，最好使其相对介电常数为2.6～3.5。另外，在构成谐振电路的电感器中，有时积极地利用分布电容，在这样的用途中，最好使其相对介电常数为5～40。这样，便可实现元件的小型化和省略电容元件。另外，在该电感器中，白尽可能抑制材料的损失。因此，通过使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.0075，可以得到材料损失非常小、Q高的电感器。此外，考虑用于除去噪音的用途时，必须在想除去的噪音的频率尽可能增大阻抗。这时，最好将磁导率调整为3～20。这样，便可极大地提高高频噪音除去的效果。另外，各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构。
其等效电路示于图10A。如图10A所示，在等效电路中，成为具有线圈31的电子部件(电感器)。
实施例2.
图3和图4是表示作为本发明的实施例2的电感器的图，图3表示透视斜视图，图4表示剖面图。
在本实施例中，将实施例1中在上下方向卷绕的线圈图形表示为在横向卷绕的螺旋线圈的结构形式。其他结构要素与实施例1相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例3.
图5和图6是表示作为本发明的实施例3的电感器的图，图5表示透视斜视图，图6表示剖面图。
在本实施例中，将实施例1中在上下方向卷绕的线圈图形表示为将上下面上的螺旋线连结的结构形式。切结构要素与实施例1相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例4.
图7和图8是表示作为本发明的实施例4的电感器的图，图7表示透视斜视图，图8表示剖面图。
在本实施例中，将实施例1中在上下方向卷绕的线圈图形表示为在内部形成的弯曲形的图形结构。其他结构要素与实施例1相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例5.
图9是表示作为本发明的实施例5的电感器的透视斜视图。
在本实施例中，将实施例1中单独结构的线圈表示为4个线圈的形式。通过采用这样的结构，可以节省空间。其他结构要素与实施例1相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。其等效电路示于图10B。如图10B所示，在等效电路中，是装配4个线圈31a～31d的电子部件(电感器)。
实施例6.
图11和图12是表示作为本发明的实施例6的电容器的图，图11表示透视斜视图，图12表示剖面图。
图中，电容器20由具有本发明的树脂的结构层(聚酯胶片～基板)20a～20g、在该结构层20b～20g上形成的内部导体(内部电极图形)23、分别与该内部导体23交替地连接的在电容器的端面形成的贯通支柱22和在其上下面方向形成的接线座图形21构成。
在该电容器20的结构层20a～20g中的至少某一层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆、或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况也可以含有它们的破碎粉。
考虑得到的电容的多样性和精度时，该复合电介质材料最好是相对介电常数为2.6～40、电介质损耗角正切为0.0025～0.025的材料。这样，得到的电容的范围就宽，以低的电容值也可以高精度地形成。另外，必须尽可能抑制材料的损失。因此，通过使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.025，可以得到材料损失非常小的电容器。另外，各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构。
其等效电路示于图14A。如图14A所示，在等效电路中，成为具有电容器32的电子部件(电容器)。
实施例7.
图13是表示作为本发明的实施例7的电容器的透视斜视图。
在本实施例中，将实施例6中单独结构的电容器表示为以多个阵列状并列的4个电容器的形式。另外，以阵列状形成电容器时，有时可以以更高的精度形成各种各样的电容。因此，可以说上述介电常数、电介质损耗角正切的范围非常理想。其他结构要素与实施例6相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。其等效电路示于图14B。如图14B所示，在等效电路中，是并列装配了4个电容器32a～32d的电子部件(电容器)。
实施例8.
图15～图18表示本发明实施例8的平衡-不平衡变压器。这里，图15表示透视斜视图，图16表示剖面图，图17表示各结构层的分解平面图，图18表示等效电路图。
在图15～图17中，平衡-不平衡变压器40具有配置在结构层40a～40o多层的多层体的上下和中间的内部接地导体45和在该内部接地导体45间形成的内部导体43。该内部导体43通过支柱通孔44等将λg/4长的螺旋状导体43连接，用以构成图17的等效电路所示的耦合线53a～53d。
在该平衡-不平衡变压器40的结构层40a～40o的至少某一个结构层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆、或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况也可以含有它们的破碎粉。
该复合电介质材料最好是相对介电常数为2.6～40、电介质损耗角正切为0.0025～0.025的材料。另外，根据用途，最好使磁导率为3-20。各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构。
实施例9.
图19～图22表示本发明实施例9的多层滤波器。这里，图19是斜视图，图20是分解斜视图，图21是等效电路图，图22是传输特性图。该多层滤波器是2极结构。
在图19～图21中，多层滤波器60在结构层60a～60e多层的多层体的大致中央位置具有一对条形线路68和一对电容器导体67。电容器导体67在下部结构层群60d上形成，条形线路68在其上的结构层60c上形成。在结构层60a～60e的上下端部形成接地导体65。将上述条形线路68和电容器导体67夹在中间。条形线路68、电容器导体67和接地导体65分别与在端面形成的端部电极(外部电极)62和在其上下面方向形成的接线座图形61连接。另外，在其两侧面和其上下面方向形成的接地图形66与接地导体65连接。
条形线路68是具有图21的等效电路图所示的λg/4长或小于该长度的条形线路74a、74b，电容器导体67构成输入输出耦合电容Ci。另外，各条形线路74a、74b间通过耦合电容Cm和耦合系数M进行耦合。利用这样的等效电路，可以得到具有图22所示的2极型的传输特性的多层滤波器。
在该多层滤波器60的结构层60a～60e的至少某一个结构层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在垓复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
通过使该复合电介质材料的相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带中可以得到所希望的传输特性。另外，希望尽可能抑制条形线谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tan)为0.0025～0.0075。各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构层。
实施例10.
图23～图26表示本发明实施例10的多层滤波器。这里，图23是斜视图，图24是分解斜视图，图25是等效电路图，图26是传输特性图。该多层滤波器采用4极的结构。
在图23～图26中，多层滤波器60在结构层60a～60e多层的多层体的大致中央位置具有4个条形线路68和一对电容器导体67。其他结构要素与实施例9相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例11.
图27～图32表示本发明实施例11的部件滤波器。这里，图27是透视斜视图，图28是正面图，图29是侧面剖面图，图30是平面剖面图，图31是等效电路图，图32是表示模具的结构的透过侧面图。该部件滤波器采用2极的结构。
在图27～图32中，部件滤波器80具有在结构块80a中形成的一对同轴导体81和电容器同轴导体82。该同轴导体81和电容器同轴导体82由抽出了结构块80a而形成中空状的导电体构成。另外，在结构块80a的周围，形成表面接地导体87用以将其覆盖。并且，在与电容器同轴导体82对应的部分形成电容器导体83。另外，电容器导体83和表面接地导体87也可以作为输入输出端子和部件固定有端子使用。同轴导体81和电容器同轴导体82在抽出结构块80a而形成的中空状的孔的内部通过无电解电镀或蒸发等附着上导电材料，形成传输通路。
同轴导体81是具有图31的等效电路图所示的λg/4长或小于该长度的同轴线路94a、94b，包围该同轴线路81形成接地导体87。另外，电容器同轴导体82和电容器导体83构成输入输出耦合电容Ci。另外，各同轴导体81间通过耦合电容Cm和耦合系数M进行耦合。由这样的结构便可得到图31所示的等效电路，从而可以得到具有2极型的传输特性的部件滤波器。
图32是表示用于形成部件滤波器80的结构块80a的模具的一例的概略剖面图。图中，模具是在铁等金属基座103上形成树脂注入口104和注入孔106，并与其连结地形成部件形成布105a、105b。用于形成结构块80a的复合树脂材料以液体的状态从树脂注入口104注入，通过注入孔106到达部件形成布105a、105b。并且，在复合树脂充满该模具的内部的状态下，进行冷却或加热处理，使复合树脂固化，然后从模具中取出，切掉在注入口等硬化的不需要的部分。这样，就形成了图27～图30所示的结构块80a。
对这样形成的结构块80a进行电镀、腐蚀、印刷、溅射或蒸发等处理，便可得到由铜、金、钯、白金、铝等形成的表面接地导体87、同轴导体81和电容器同轴导体82等。
部件滤波器80的结构块80a使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μ、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而也可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
通过使相对介电常数为2.6～40，该部件滤波器80的结构块80a在数百MHz～数GHz的频带可以得到所希望的传输特性。另外，希望尽可能抑制同轴谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.0075。
实施例12.
图33～图37表示本发明实施例12的耦合器。这里，图33是透过斜视图，图34是剖面图，图35是各结构层的分解平面图，图36是内部接线图，图37是等效电路图。
在图33～图37中，耦合器110具有在结构层110a～110c多层的多层体的上下行车配置的内部接地导体115和在该内部接地导体115间形成的内部导体113。该内部导体113由支柱通孔114等连接成螺旋状，由2个线圈乖变压器。另外，如图36所示，形成的线圈的终端和内部接地导体115分别与在端面形成的贯通支柱112和在其上下面方向形成的接线座图形111连接。通过采用这样的结构，如图37的等效电路图所示，可以得到2个线圈125a、125b耦合的耦合器110。
在该耦合器110的结构层110a～110c的至少某一个结构层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
要实现宽带化时，该复合电介质材料的相对介电常数最好尽可能小。另外，考虑小型化时，相对介电常数最好尽可能高。因此，可以根据用途或所要求的性能、规格等而使用与其相应的介电常数的材料。通常，通过使相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带可以得到所希望的传输特性。另外，为了提高内部电感器的Q值，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.0075。这样，材料损失就非常小，可以形成Q值高的电感器，从而可以得到高性能的耦合器。各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构层。
实施例13.
图38～图40是表示作为本发明实施例13的天线的图，图38表示透视斜视图，图39A表示平面图，图39B表示侧面剖面图，图39C表示正面剖面图，图40表示各结构层的分解斜视图。
图中，天线130包括具有本发明的树脂的结构层(聚酯胶片～基板)130a～130c和在该结构层130b和130c上分别形成的内部导体(天线图形)133。另外，该内部导体133的终端布与在天线的端面形成的贯通支柱132和在其上下面方向形成的接线座图形131。在本实施例中，内部导体133对使用频率构成约λg/4长的电抗元件，形成为弯曲形状。
在该天线130的结构层130a～130c的至少某一各结构层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
要实现宽带化时，该复合电介质材料最好相对介电常数尽可能小。另外，考虑小型化时，相对介电常数要尽可能高。因此，可以根据用途或所要求的性能、规格等而使用与其相应的介电常数的材料。通常，最好相对介电常数为2.6～40、电介质损耗角正切为0.0025～0.025。这样，频率的范围就宽，可以高精度地形成。另外，必须尽可能抑制材料所损失。因此，通过使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.025，可以得到材料损失非常小的天线。另外，根据用途，最好使磁导率为3～20。另外，各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构层。
实施例14.
图41和图42表示本发明实施例14的天线。这里，图41是透过斜视图，图42是分解斜视图。本实施例的天线是具有螺旋形的内部电极的天线。
在图41和图42中，天线140包括具有本发明的树脂的结构层(聚酯胶片～基板)140a～140c和在该结构层140b和140c上分别形成的内部导体(天线图形)143a、143b。并且，上下的内部导体143a、143b通过支柱通孔144而连接，形成螺旋形的电感元件。其他结构要素与实施例13相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例15.
图43和图44是表示本发明实施例15的拼片天线的图，图43表示透视斜视图，图44表示剖面图。
图中，拼片天线150包括具有本发明的复合树脂的结构层(聚酯胶片～基板)150a、在该结构层150a上形成的拼片导体159(天线图形)和与该拼片导体159相对地在结构层150a的底面形成的接地导体155。另外，馈电用的贯穿导体154通过馈电部153与拼片导体159连接，该贯穿导体154在与接地导体155之间设置间隙156，使之与接地导体155不连接。因此，从接地导体155的下部通过贯穿导体154进行馈电。
在该拼片天线150的结构层150a中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况，也可以含有它们的破碎粉。
要实现宽带化时，该复合电介质材料的相对介电常数最好尽可能小。另外，考虑小型化时，相对介电常数最好尽可能高。因此，可以根据用途或所要求的性能、规格等而使用与其相应的介电常数的材料。通常，最好相对介电常数为2.6～40、电介质损耗角正切为0.0025～0.025。这样，频率的范围就宽，可以高精度地形成。另外，必须尽可能抑制材料所损失。因此，通过使电介质损耗角正切(tanδ)为0.0025～0.025，可以得到材料损失非常小的辐射效率高的天线。
另外，在数百MHz以下的频带中，磁性体也可以得到与电介质相同的波长缩短效果，从而可以进一步提高辐射元件的电感值。另外，通过使Q的频率峰值一致，在比较低的频率也可以得到高的Q。因此，根据用途，最好使磁导率为3～20。这样，在数百MHz以下的频带可以实现高特性化和小型化。另外，各结构层可以相同也可以不相同，可以选择最佳的组合结构层。
实施例16.
图45和图46是表示本发明实施例16的拼片天线的图，图45表示透视斜视图，图46表示剖面图。
图中，拼片天线160包括具有本发明的复合树脂的结构层(聚酯胶片～基板)160a、在该结构层160a上形成的拼片导体169(天线图形)和与该拼片导体169相对地在结构层160a的底面形成的接地导体165。另外，在拼片导体169的附近与其不接触地配置馈电用的馈电导体161，通过馈电端子162从该馈电导体161进行馈电。馈电端子162可以进行电镀、印刷、溅射或蒸发等处理，由铜、金、钯、白金、铝等形成。其他结构要素与实施例15相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例17.
图47和图48是表示本发明实施例17的多层型的拼片天线的图，图47表示透视斜视图，图48表示剖面图。
图中，拼片天线170包括具有本发明的复合树脂的结构层(聚酯胶片～基板)150a及150b、在该结构层150a及150b上形成的拼片导体159a及159e和与该拼片导体159a及159e相对地在结构层150b的底面形成的接地导体155。另外，馈电用的贯穿导体154通过馈电部153a与拼片导体159a连接，该贯穿导体154在与接地导体155和拼片导体159e之间设置间隙156，使之与接地导体155和拼片导体159e不连接。因此，从接地导体155的下部通过贯穿导体154向拼片导体159a进行馈电。这时，通过与拼片导体159a的电容耦合和由与贯穿导体154的间隙形成的电容向拼片导体159e馈电。其他结构要素与实施例15相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
实施例18.
图49和图50是表示本发明实施例18的多联型的拼片天线的图，图49表示透视斜视图，图50表示剖面图。
在本实施例中，将实施例17中单独结构的拼片天线表示为以多个阵列状并列的4联的形式。图中，包括具有本发明的复合树脂的结构层150a及150b、在该结构层150a上形成的拼片导体159a、159b、159c及159d、在结构层150b上形成的拼片导体159e、159f、159g及159h和与该拼片导体159a及159e相对地在结构层150b的底面形成的接地导体155。其他结构要素与实施例18相同，对于相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。
通过这样形成阵列状，可以实现装置的小型化和减少部件数。
实施例19.
图51～图53表示本发明实施例19的VCO(电压控制振荡器)。这里，图51是透过斜视图，图52是剖面图，图53是等效电路图。
在图51～图53中，VCO具有在结构层210a～210g多层的多层体上形成而配置的电容器、电感器、半导体、寄存器等电子部件261和在该结构层210a～210g中和其上下面形成的导体图形262、263及264。该VCO由图53所示的等效电路构成，所以，具有条形线263、电容器、信号线、半导体、电源线等。因此，用适合于各功能的材料形成结构层是有效的。
在本实施例中，在结构层210a～210g的至少某一个结构层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性，进而可以含有磁性粉，根据情况也可以含有它们的破碎粉。
在构成谐振器的结构层210f、210g中，最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.0075的电介质层。电容器结构层210c～210e最好使用电介质损耗角正切为0.0075～0.025、相对介电常数为5～40的复合电介质层。配线和电感结构层210a和210b最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.0075、相对介电常数为2.6～5.0的电介质层。
并且，在上述结构层210a～210g的表面，构成作为内部导体的条形线263、接地导体262、电容器导体264、配线电感导体265和端子导体266。另外，各个内部导体通过支柱通孔214上下连接，在其表面装配已封装的电子部件261，形成图53的等效电路所示的VCO。
通过采用这样的结构，可以得到与各个功能相适应的介电常数、Q和电介质损耗角正切，从而可以实现高性能化、小型化和薄型化。
实施例20.
图54～图56表示本发明实施例20的功率放大器(功率放大部)。这里，图54是各结构层的分解平面图，图55是剖面图，图56是等效电路图。
在图54～图56中，功率放大器具有在结构层300a～300e多层的多层体上形成而配置的电容器、电感器、半导体及寄存器等电子部件361和在该结构层300a～300e中和其上下面形成的导体图形313及315。该功率放大器由图56所示的等效电路构成，所以，具有通向条形线L11～L17、电容器C11～C20、信号线和半导体的电源线等。因此，用和各个功能相适应的材料形成结构层是有效的。
在本实施例中，在结构层的至少某一个层中，使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
这时，构成条形线的结构层300d和300e最好使用电介质损耗角正切为0.0075～0.025、相对介电常数为2.6～40的复合电介质材料。电容器结构层300a～300c最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.025、相对介电常数为4～40的复合电介质材料。
并且，在这些结构层300a～300e的表面形成内部导体313和接地导体315等。另外，各个内部导体通过支柱通孔314上下连接，在其表面装配已封装的电子部件351，形成图56的等效电路所示的功率放大器。
通过采用这样的结构，可以得到与各个功能相适应的介电常数、Q和电介质损耗角正切，从而可以实现高性能化、小型化和薄型化。
实施例21.
图57～图59表示本发明实施例21的光读取头等所使用的重叠模块。这里，图57是各结构层的分解平面图，图58是剖面图，图59是等效电路图。
在图57～图59中，重叠模块具有在结构层400a～400k多层的多层体上形成而配置的电容器、电感器、半导体及寄存器等电子部件461和在该结构层400a～400k中和其上下面形成的导体图形413及415。该重叠模块由图59所示的等效电路构成，所以，具有通向电感器L21及L23、电容器C21～C27、信号线和半导体的电源线等。因此，用与功能相适应的材料形成结构层是有效的。
在本实施例中，在结构层400a～400k的至少某一各结构层中使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
这时，电容器结构层400d～400h最好使用电介质损耗角正切为0.0075～0.0025、相对介电常数为10～40的复合电介质材料。构成电感器的结构层400a～400c、400j～400k最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.0075、相对介电常数为2.6～5.0的复合电介质材料。
并且，在这些结构层400a～400k的表面形成内部导体413和接地导体415。另外，各个内部导体通过支柱通孔414上下连接，在其表面装配已封装的电子部件461，形成图59的等效电路所示的重叠模块。
通过采用这样的结构，可以得到与各个功能相适应的介电常数、Q和电介质损耗角正切，从而可以实现高性能化、小型化和薄型化。
实施例22.
图60～图63表示本发明实施例22的RF模块。这里，图60是斜视图，图61是去掉了外包装材料的斜视图，图62是各结构层的分解斜视图，图63是剖面图。
在图60～图63中，RF模块具有在结构层500a～500i多层的多层体上形成而配置的电容器、电感器、半导体及寄存器等电子部件561、在该结构层500a～500i中和其上下面形成的导体图形513、515及572和天线图形573。该RF模块如上述那样具有通向电感器、电容器、信号线和半导体的电源线等。因此，用与各个功能相适应的材料乖结构层是有效的。
在本实施例中，在结构层500a～500i的至少某一个结构层中使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
这时，天线结构、条形线结构和配线结构500a～500d和500g最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.0075、相对介电常数为2.6～5.0的复合电介质层。电容器结构层500e～500f最好使用电介质损耗角正切为0.0025～0.0075、相对介电常数为10～40的复合电介质层。电源线层500h～500i最好使用磁导率为3～20的复合电介质层。
并且，在这些结构层500a～500i的表面形成内部导体513、接地导体515和天线导体573。另外，各个内部导体通过支柱通孔514上下连接，在其表面装配已封装的电子部件561，形成RF模块。
通过采用这样的结构，可以得到与各个功能相适应的介电常数、Q和电介质损耗角正切，从而可以实现高性能化、小型化和薄型化。
实施例23.
图64和图65表示本发明实施例23的谐振器。这里，图64是透过斜视图，图65是剖面图。
在图64和图65中，谐振器在基础材料610上形成贯通孔状的同轴型导电体641。其形成方法和实施例11的部件滤波器相同。即，在用模具成形的基础材料610是，进行电镀、腐蚀、印刷、溅射或蒸发等处理，形成由铜、金、钯、白金、铝等形成的表面接地导体647、用该表面接地导体647和端部电极682连接的同轴导体641和与同轴导体641连接的谐振器用HOT端子681等。并且，同轴导体641是具有某种特性阻抗的同轴型线路，并形成将其包围的表面接地导体647。
该谐振器的基础材料610使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
谐振器的基础材料610通过使相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带可以得到所希望的谐振特性。另外，希望好尽可能抑制谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.001～0.0075。
实施例24.
图66和图67表示本发明实施例24的条形谐振器。这里，图66是透过斜视图，图67是剖面图。
在图66和图67中，条形谐振器具有长方形的条形导体784和通过结构层710从上下面将其夹在中间而配置的矩形的接地导体783。另外，在条形导体784的两端形成与其连接的谐振器用HOT端子781和接地端子782。其他的形成方法与实施例1的电感器相同。
该寻找的结构层710的材料使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
该复合电介质材料通过使相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带中可以得到所希望的谐振特性。另外，希望好尽可能抑制谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.001～0.0075。
实施例25.
图68是表示本发明实施例25的谐振器的透过斜视图。
在图68中，谐振器和实施例23一样，在基础材料810上形成2个贯通孔状的同轴型导电体841和842。并且，形成表面接地导体847、用该表面接地导体847和端部电极882连接的同轴导体842、通过同轴导体842和连接用电极885而连接的同轴导体841和与该同轴导体841连接的谐振器用HOT端子881。并且，同轴导体841和842是具有某种特性阻抗的同轴型线路，并形成将其包围的表面接地导体847。
该谐振器的基础材料810使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
该复合电介质材料通过使相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带中可以得到所希望的谐振特性。另外，希望好尽可能抑制谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.001～0.0075。
实施例26.
图69是表示本发明实施例26的条形谐振器的透过斜视图。
在图69中，条形谐振器与实施例24一样，具有コ字形的条形导体884和通过结构层810从上下面将其夹在中间而配置的矩形的接地导体883。另外，在条形导体884的两端形成与其连接的谐振器用HOT端子881和接地端子882。其他的形成方法和实施例1的电感器相同。
该谐振器的结构层810的材料使用至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的特别是平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。在该复合电介质材料中，为了调整磁特性也含有磁性粉，根据情况也含有它们的破碎粉。
该复合电介质材料通过使相对介电常数为2.6～40，在数百MHz～数GHz的频带中可以得到所希望的谐振特性。另外，希望好尽可能抑制谐振器的材料损失，最好使电介质损耗角正切(tanδ)为0.001～0.0075。
图70表示上述实施例23～26的谐振器的等效电路图。图中，谐振器用HOT端子981与由同轴通路或条形线构成的谐振器984、941的一端连接，另一端与接地端子982连接。
实施例27.
图71是表示本发明实施例27的便携式终端机器的高频部件的结构框图。
图中，从基带单元1010输出的发信信号由混频器1001与混频电路1021的RF信号进行混频。电压控制振荡电路(VCO)1020与该混频电路1021连接，与锁相环电路1019一起构成合成电路，供给指定频率的RF信号。
由混频器1001进行了RF调制的发信信号经过带通滤波器(BPF)1002后，由功率放大器1003进行放大。该功率放大器1003输出的一部分从耦合器1004取出，由衰减器1005调整到指定的电平后，再次输入功率放大器1003进行调整，使功率放大器的增益一定。从耦合器1004输出的发信信号经过防止逆流用的隔离器1006和低通滤波器1007后输入天线转换开关1008，从与其连接的天线1009发送出去。
输入天线1009的受信信号从天线转换开关1008输入放大器1011，放大到指定的电平。从放大器1011输出的受信信号经过带通滤波器1012输入混频器1013。上述混频电路1021的RF信号输入该混频器1013，除去RF信号成分，进行解调。从混频器1013输出的受信信号经过SAW滤波器1014并由放大器1015放大后，输入混频器1016。指定频率的本地振荡信号从本地振荡电路1018输入混频器1016，上述受信信号变换为所希望的频率，并由放大器1017放大到指定的电平后向基带单元发送。
在本发明中，可以将包含上述天线1009、天线转换开关1008、低通滤波器1007的天线前端模块1200和包含隔离器1006、耦合器1004、衰减器1005和功率放大器1003的隔离器功率放大器模块1100等利用和上述相同的方法作为混合模块而构成。另外，可以将包含除此以外的结构要素的部分作为RF单元而构成的情况如已在实施例22中所述的那样，BPF、VCO等也可以利用实施例9～12和实施例19所示的方法构成。
本发明除了上述实施例所示的电子部件以外，利用上述同样的方法也可以应用于线圈铁心、环形铁心、圆盘电容器、贯通电容器、箝位滤波器、共模滤波器、EMC滤波器、电源用滤波器、脉冲变压器、偏转线圈、扼流圈、DC-DC变换器、延迟线、电波吸收片、薄型电波吸收体、电磁屏蔽、、天线转换开关、天线开关模块、天线前端模块、隔离器、功率放大器模块、PLL模块、前端模块、调谐器单元、方向耦合器、双平衡混频器(DBM)、功率合成器、功率分配器、调色剂传感器、电流传感器、调节器、发声器(压电型声音发生器)、麦克风、受话器、蜂鸣器、PTC热敏电阻、温度熔断器、铁氧体磁铁等。
在以上的各实施例中，根据需要可以将卤化磷酸酯、溴化环氧树脂等卤化物以及磷酸酯酰胺系等的有机化合物或三氧化锑、氢化铝等无机材料等的阻燃剂添加到各结构层中。
如上所述，按照本发明，可以提供比先有的材料介电常数高、强度不降低、小型而高性能、综合的电气特性优异的电子部件，以及提供可以抑制使用材料的电气特性特别是介电常数在批次间的变化从而可以抑制材料形成时模具的磨损的电子部件用基板和电子部件，从而可以提供耐压高的电子部件用基板和电子部件。
权利要求
1.电子部件用基板的特征在于具有至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的电介质分散到树脂中的复合电介质材料。
2.按权利要求1所述的电子部件用基板，其特征在于上述投影形状为圆形的电介质，平均粒径为1～50μm、球形度为0.9～1.0。
3.按权利要求1或权利要求2所述的电子部件用基板，其特征在于上述复合电介质材料进而含有磁性粉。
4.按权利要求1～权利要求3的任一权项所述的电子部件用基板，其特征在于上述复合电介质材料进而含有破碎粉。
5.按权利要求1～权利要求4的任一权项所述的电子部件用基板，其特征在于上述复合电介质材料进而埋设了玻璃纤维布。
6.按权利要求1～权利要求5的任一权项所述的电子部件用基板，其特征在于具有2种以上的不同的上述复合电介质材料。
7.按权利要求1～权利要求6的任一权项所述的电子部件用基板，其特征在于至少1种复合电介质材料含有1种或2种以上的阻燃剂。
8.电子部件的特征在于具有权利要求1～权利要求7的任一权项所述的电子部件用基板。
全文摘要
本发明的目的旨在提供比先有的材料介电常数高、强度不降低、小型而高性能、综合的电气特性优异的电子部件，以及提供可以抑制使用材料的电气特性特别是介电常数在批次间的变化从而可以抑制材料形成时模具的磨损的电子部件用基板和电子部件和提供耐压高的电子部件。为了达到该目的，采用其结构具有至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的电介质分散到树脂中的复合电介质材料的电子部件用基板和电子部件。
文档编号H05K3/46GK1401127SQ01804939
公开日2003年3月5日 申请日期2001年11月16日 优先权日2000年11月16日
发明者高谷稔, 远藤敏一 申请人:Tdk株式会社