显示装置及其制造方法

专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种包含发光元件的显示装置及其制造方法。
背景技术：
利用有机材料的电致发光(之后称作"EL")的有机电致发光元 件包括设置成彼此面对的第一电极和第二电极、和设置在上述电极之 间的有机层。作为可通过低电压驱动实现高亮度光发射的发光元件， 这种有机EL元件已经引起了注意。
利用这种有机EL元件的有源矩阵显示装置(有机EL显示器) 包括对应于基板上各个像素的薄膜晶体管(之后称作"TFT")。有机 EL元件布置在设置成覆盖TFT的层间绝缘膜上。每个有机EL元件 都包括与TFT连接并通过在像素上构图而形成的第一电极、以及覆 盖第一电极外围以使得第一电极的中部被暴露作为像素开口的绝缘 的元件隔离膜。每个有机EL元件进一步包括设置在像素开口中的第 一电极上的由元件隔离膜限定的有机层、和覆盖有机层的第二电极。 在这些元件中，第二电极一般形成为覆盖多个像素并公共地用于该多 个像素。
在这种有源矩阵显示装置中，为了确保在有机EL元件的单个像 素区域中提供充分的发光区域(开口率)，其中从基板的顶表面侧提 取光的顶面光提取结构是有效的。因此，为了获得充分的光透射率， 期望的是减小第二电极的厚度。在这种情形中，第二电极的电阻增加 了，因而倾向于很容易产生压降。
为了解决该问题，已经提出了下述结构，即其中通过在设置于像 素开口之间的元件隔离膜上形成由具有良好导电率的金属形成的辅 助电极，从而使辅助电极与第二电极电接触，由此来防止这种第二电极的压降。
作为这种发光装置，日本专利特开No.2002-318556公开了下述 一种结构，即其中在与第一电极相同的层中形成辅助电极，在每个第 一电极上独立地形成有机层，然后形成第二电极以与辅助电极接触。
此外，日本专利特开No.2003-316291和2007-92109公开了下述 方法，即其中形成第二电极，然后使用遮蔽掩模通过气相沉积在第二 电极上形成辅助电极。
如上所述，在有源矩阵显示装置中有效的顶面光提取结构中，必 要的是提高设置在光提取侧上的第二电极的光透射率。此外，考虑到 光学吸收损耗和干涉的影响，必须形成较薄的第二电极。因而，由于 光提取侧上的第二电极的面内电阻，电压变得不均匀，由此由于响应 速度的降低、电功率消耗的增加等而降低了显示质量。
为了克服该问题并降低第二电极的电阻，提出了形成与第二电极 电连接的辅助电极。然而，在日本专利特开No.2002-318556公开的结 构中，辅助电极形成在与第一电极相同的层中，因而第一电极的面积 减小了与辅助配线对应的面积。
此外，在形成有机层之后，必须使第二电极与设置在与第一电极
相同层中的辅助电极接触。因此，对于有机层中包含的公共层来说， 必须以较高的精度对准，为了每种颜色而公共地设置该公共层，由此 公共层没有沉积在辅助电极上。因此，装置的结构变得复杂。
如日本专利特开No.2003-316291中所述，在其中辅助电极形成 在元件隔离膜上以与第二电极接触的结构中，使用遮蔽掩模在像素长 边方向上通过气相沉积来形成辅助电极，从而延伸到元件隔离膜上的 图像显示单元的外侧。因此，辅助电极的宽度由于遮蔽掩模在像素长 边方向上的扭曲和弯曲而变化，因而生产率降低。随着显示装置的屏 幕尺寸的增加，该现象变得更加显著。结果，很难将辅助电极布置在 非发光区域中。
为了克服该问题，根据日本专利特开No.2007-92109中所述的技 术，为了保持遮蔽掩模的强度，遮蔽掩模的配线图案是具有50%选择率的虚线图案。因此，可在例如防止遮蔽掩模扭曲的同时形成辅助电 极。
然而在该技术中， 一旦形成辅助电极之后，辅助电极就以虛线图 案布置。因此，必须在没有设置辅助电极的区域上再次进行气相沉积， 从而在该步骤中沉积的膜具有与上面形成的辅助电极相同的厚度。在 该情形中，提前在基板一侧上设置用于形成第一辅助电极的第一对准 标记和用于形成第二辅助电极的第二对准标记。在形成第一辅助电极 之后，移动遮蔽掩模，并使用第二对准标记再次进行对准。
在第一对准位置通过气相沉积完成第一辅助电极的形成之后，在
包括用于对准遮蔽掩^=莫的开口的区域上进行气相沉积。因此，第二对 准标记必须位于足够远离第一对准标记的区域中。
例如，在其中第一对准标记的位置和第二对准标记的位置位于比 用于遮蔽掩模对准的开口更小的区域内的情形中，在形成第一辅助电 极之后，就看不到用于形成第二辅助电极的对准标记。
当设置在基板一侧上的对准标记例如彼此相距大约10mm时， 必须相应地将遮蔽掩才莫移动大约10mm。
就是说，在形成第一辅助电极时进行对准之后，将遮蔽掩模移动 到用于形成第二辅助电极的对准位置。随后，为了形成第二辅助电极， 再次进行对准。因此，形成辅助电极的工序比较复杂。

发明内容
鉴于上述情形提出了本发明，本发明提供了 一种具有辅助电极的
可实现高分辨率和高生产率的显示装置。
本发明的显示装置和制造该显示装置的方法具有下面的特征。 本发明的显示装置包括基板；设置在所述基板上的多个发光元
件，所述发光元件包括多个第一电极，其每一个都独立地设置在所述
基板上；多个发光层，其中发光层被设置在每个所述第一电极上；以 及透光的第二电极，其连续设置在所述发光层上从而覆盖所述多个发 光元件；以及辅助电极，其设置在所述第二电极上并线性地布置在相邻的发光元件之间，每个所述辅助电极都包括第一辅助电极，以间隔
间断性地布置该第一辅助电极并具有5到30nm范围内的厚度；以及 第二辅助电极，其覆盖所述第一辅助电极的边沿并以与所述第一辅助 电极相同的间隔间断地布置。
本发明用于制造显示装置的方法，所述显示装置包括基板；设置 在所述基板上的多个发光元件，所述发光元件包括多个第一电极，其 每一个都独立地设置在所述基板上；多个发光层，其中发光层被设置 在每个所述第一电极上；以及透光的第二电极，其连续设置在所述发 光层上从而覆盖所述多个发光元件；以及辅助电极，其设置在所述第 二电极上并线性地布置在相邻的发光元件之间，所述方法包括下述步 骤通过将所述基板上设置的对准标记与遮蔽掩模上设置的开口对 准，从而将所述基板与遮蔽掩模对准，由此形成对准状态；在所述对 准状态中以间隔间断性地形成第一辅助电极；将其上形成有包含第一 辅助电极的层的对准标记与所述开口对准，并随后将遮蔽掩模移动预 定的距离；并且间断地形成第二辅助电极，从而覆盖所述第一辅助电 极的边沿。
具体地说，在本发明的显示装置中，像素由通过构图形成的与基 板上的像素对应的多个第一电极、包含发光材料并设置成对应于每个 第一电极的发光介质、和设置成面对第一电极的第二电极组成。此外， 本发明的显示装置包括具有包围每个第一电极外围边沿的电绝缘分 隔物的显示基板、和设置在电绝缘分隔物上并由第二电极和辅助电极 组成的层叠区域。每个辅助电极都由以虛线图案布置的第一辅助电极 和设置在第一辅助电极上以覆盖没有设置第一辅助电极的区域的第 二辅助电极組成。此外，满足下面的公式(1)和(2):
<formula>formula see original document page 7</formula>
其中b表示辅助电极之间的配线间隔，c表示辅助电极的配线长 度，d表示第一辅助电极的膜厚度。
根据本发明的制造显示装置的方法，在制造上述显示装置时，使用遮蔽掩模通过气相沉积工序形成第 一辅助电极和第二辅助电极。
根据本发明的显示装置，因为每个第一辅助电极的膜厚度较小， 所以即使在使用遮蔽掩模形成第一辅助电极之后，也可确认设置于有
机EL基板上的用于遮蔽掩模的对准标记的位置。因此，在使用对准 标记完成对准步骤之后通过在平行于所获得的辅助配线的方向上移 动遮蔽掩模，可使用相同的遮蔽掩模形成另一辅助配线。结果，在确 保遮蔽掩模强度的同时可形成连续的辅助配线，并可使由于进行多次 气相沉积工序而导致的任何工序时间的增加最小化。
本发明其他的特征将从下面参照附图的示例性实施例的描述变 得显而易见。


图1是显示根据本发明一种实施例的显示装置中的显示区域的
示意性结构的横截面图2是显示根据本发明该实施例的显示装置中的显示区域的示
意性结构的横截面图3是显示根据本发明该实施例的显示装置中的显示区域的示 意性结构的平面图4A、 4B和4D是显示用于形成根据本发明该实施例的显示装 置中的辅助电极的遮蔽掩模的示意性结构的平面图4C是显示设置在有机EL基板一侧上的对准标记的平面图5A到5C是显示根据本发明一个实施例的用于制造显示装置 中的有机EL元件的工序步骤的横截面图6A和6B是显示根据本发明该实施例的用于制造显示装置中 的有机EL元件的工序步骤的横截面图7A和7B是显示根据本发明该实施例的用于制造显示装置中 的有机EL元件的工序步骤的横截面图8是显示根据本发明一个实施例的显示装置中的显示区域的 示意性结构的平面图。
具体实施例方式
现在将参照附图描述根据本发明实施例的显示装置和制造该显 示装置的方法。本发明的显示装置和制造该显示装置的方法不限于下 面所述的实施例。
显示装置
图3是显示根据本发明一个实施例的显示装置中的显示区域的 示意性结构的平面图。图1是沿图3中的线I-I的横截面图，图2是 沿图3中的线II-II的横截面图。
根据本发明该实施例的显示装置包括其上布置有有机EL元件作 为发光元件的有源矩阵显示基板。在图1到3中，参考数字101表示 基板，参考数字102表示源极区域，参考数字103表示漏极区域，参 考数字104表示多晶硅，参考数字105表示栅电极。参考数字106表 示绝缘膜(栅极绝缘膜)，参考数字107表示绝缘膜(层间绝缘膜)， 参考数字108表示漏电极，参考数字109表示绝缘膜(无机绝缘膜)， 参考数字IIO表示平坦化膜。此外，参考数字200表示TFT，参考数 字300表示被形成为图案的第一电极，参考数字310表示发光材料层， 即发光介质，参考数字320表示设置成面对第一电极300的第二电极， 参考数字330表示用作电绝缘分隔物的元件隔离膜。此外，参考数字 400表示第一辅助电极，参考数字410表示第二辅助电极，参考数字 500表示像素。
如图1到3中所示，设置在基板101上的每个像素都包括TFT 200。 TFT 200的源极区域102、和与TFT 200的漏极区域103连接的 漏电极108设置在其上具有TFT 200的基板101上。绝缘膜106， 107 和109以及平坦化膜IIO设置成包围漏电极108。 TFT 200不限于图 中所示的顶栅型TFT。可选择地，TFT 200可以是底栅型TFT。
通过构图形成的第一电极300、作为发光介质的发光材料层310、 和设置成面对第一电极300的第二电极320层叠在由设置于平坦化膜 110上的元件隔离膜330包围的每个像素开口上。当第一电极300用作负极且第二电极320用作正极时，使用周期 表的I族或1I族的元素的合金或者其混合物形成第一电极300。更具 体地说，第一电极300可由铝、银、或者铝或钕的合金形成的反射电 极组成。可选择地，第一电极300可由复合层组成，在所述复合层中， 在上述反射电极上设置氧化铟锡、氧化锌、含镓的氧化锌、或它们的 混合物。
第二电极320由氧化铟锡、氧化锌、含镓的氧化锌、或它们的混 合物形成。为了令人满意地使第二电极320与作为发光介质的发光材 料层310接触，可在第二电极320与发光材料层310之间设置具有较 小厚度的金属层。
当第一电极300用作正极以及第二电极320用作负极时，使用氧 化铟锡、氧化锌、含镓的氧化锌或它们的混合物、或具有与这些物质 相近功函数的导电材料形成第一电极300。可选择地，可使用周期表 的I族或1I族的元素的合金或它们的混合物形成第一电极300。例如， 第一电极300可由复合层组成，在所述复合层中，在由铝、银、或者 铝或钕的合金形成的反射电极上设置氧化铟锡、氧化锌、含镓的氧化 锌、或它们的混合物。
第二电极320由周期表的I族或II族元素的合金或它们的混合 物形成。第二电极320可由铝或银的合金形成。形成具有非常小厚度 的这种金属材料层，从而具有光的透射性，然后在其上形成例如由氧 化铟锡形成的透明导电膜。
此外，可在金属材料层与用作底层的平坦化膜110之间形成作为 粘附层的导电氧化物层。因而，第二电极320具有三层结构，其中在 导电氧化物层之间夹有金属材料层。
元件隔离膜330是用作在相邻像素之间设置的电绝缘分隔物的 绝缘膜。元件隔离膜330布置成覆盖第一电极300的外围边沿。元件 隔离膜330可由氮化硅、氧氮化硅、氧化硅等形成的无机绝缘膜或者 由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等形成的有机绝缘膜组成。
发光材料层310具有如下的结构，例如，适当地組合设置在正电极一侧的空穴注入/输送层、设置在负电极一侧的电子注入/输送层、 和发光层的结构。对于空穴注入/输送层或电子注入/输送层，可组合
和具有出色输送性能(迁移率,的材料。'、
发光材料层310例如由三个子层组成，即空穴输送层、发光层和 电子输送层，但可仅由发光层组成。可选择地，发光材料层310可由 两个子层、四个子层等组成。例如，空穴输送层由NPD形成，但空 穴输送层的材料不限于此。
对于每种发光颜色都设置发光材料层310，通过遮蔽掩模分离不 同颜色的区域。对于发光材料层310，例如使用由掺杂Ir(piq)3的CBP 形成的层作为红光发射层，使用由掺杂香豆素的Alq3形成的层作为绿 光发射层，使用掺杂二萘嵌苯的B-Alq3形成的层作为蓝光发射层。可 使用其他材料作为发光材料层310。电子-输送层例如由向红菲绕啉形 成，但电子-输送层的材料不限于此。
辅助电极由形成为第一层的第一辅助电极400和形成为第二层 的第二辅助电极410组成。由第二电极320和辅助电极(包括第一辅 助电极400和第二辅助电极410)组成的层叠区域设置在用作电绝缘 分隔物的元件隔离膜330上。
辅助电极由以虚线图案布置的第一辅助电极400、和设置在第一 辅助电极400上以覆盖没有设置第一辅助电极400的区域的第二辅助 电极410组成。在下面的描述中，当使用术语"辅助电极，，时，其意指 第一辅助电极400和第二辅助电极410。
图4A， 4B和4D是显示用于形成根据本发明该实施例的显示装 置中的辅助电极的遮蔽掩模的示意性结构的平面图。图4A是用于形 成被形成为第一层的辅助电极(第一辅助电极400 )和被形成为第二 层的辅助电极(第二辅助电极410)的遮蔽掩模(一部分)的示意性 平面图。图4B示意性地显示了遮蔽掩模的对准标记部分，该标记部 分布置在遮蔽掩模的外围。此外，图4C示意性地显示了在有机EL 基板一侧上设置的对准标记。如下地形成了被形成为笫一层的第一辅助电极400。在使用图4B 和4C中所示的对准标记如图4D中所示地对准遮蔽掩模之后，在气 相沉积工序中以虛线图案形成第一辅助电极400。选择具有低电阻率 的导电材料作为该电极材料。该电极材料的例子包括铝、铜和银。
当第一辅助电极400布置在其上具有不规则性的有才几EL基板上 时，第一辅助电极400必须用作配线。因此，每个第一辅助电极400 具有5nm或更大的厚度。
当形成第二辅助电极410时，必须再次进行对准步骤，如图4D 中所示。因此，必须确保通过图4B中所示的遮蔽掩模的对准标记部 分的开口确认图4C中所示的有机EL基板一侧上的对准标记。因此， 每个第一辅助电极400具有30nm或更小的厚度。
因此，在形成第一辅助电极400之后，使用布置在基板101上的 用于第一辅助电极400的对准标记再次进行对准。
在下面所述的形成第二辅助电极410的过程中，首先使用在形成 第一辅助电极400时使用的对准标记进行对准。接着，通过自动控制 将遮蔽掩模在平行于第一辅助电极400的方向上移动大约20到30微 米，从而覆盖由以虚线图案形成的第一辅助电极400组成的配线部分 之间的空间。
选择具有低电阻率并可与组成第一辅助电极400的导电材料建 立令人满意的欧姆接触的导电材料作为第二辅助电极410的材料。具 体地说，第二辅助电极410可由铝、铝和钛、铜、银等形成。
在根据本发明该实施例的显示装置中，为了覆盖由以虛线图案形 成的第一辅助电极400组成的配线部分之间的空间，使用图4B和4C 中所示的对准标记进行对准。随后，在平行于辅助电极(配线部分) 延伸方向的方向上移动遮蔽掩模，然后再次开始沉积。因此，用于第 二辅助电极410的配线材料可以与第一辅助电极400的材料相同。
遮蔽掩模的平行移动量是用于覆盖由第一辅助电极400組成的 配线部分之间的空间所需的量，移动遮蔽掩模，从而形成具有由第一 辅助电极400和第二辅助电极410组成的层叠结构的区域。由此，使用相同的遮蔽掩模形成第 一辅助电极400和第二辅助电极410。
这里，现在将参照图8描述辅助电极的配线宽度、辅助电极之间 的配线间隔、辅助电极的配线长度、和第一辅助电极的膜厚度的关系。 图8是显示根据本发明一个实施例的显示装置中的显示区域的示意性 结构的平面图。在图8中，a表示每个辅助电极的配线宽度，b表示 辅助电极之间的配线间隔，c表示每个辅助电极的配线长度。此外，d 表示图7B中所示的第一辅助电极的膜厚度。
在根据本发明该实施例的显示装置中，对于使用遮蔽掩模以虚线 图案形成的辅助电极，配线间隔b、配线长度c和第一辅助电极的膜 厚度d必须满足下面的公式(1)和(2):
b<c… (1)
5nm《d《30nm… (2)
此外，配线宽度a和配线间隔b满足下面的公式(3): 10a^b… (3)
如果辅助电极之间的配线间隔b过大，则其中仅设置由薄膜组成 的第一辅助电极400和第二电极320的区域的配线电阻增加。结果， 由存在每个辅助电极而获得的效果降低了 。
根据本发明该实施例的显示装置满足规定了每个辅助电极的配 线宽度a与辅助电极之间的配线间隔b之间的关系的公式(3)。在 该情形中，当形成第二辅助电极410时，遮蔽掩模的移动量被控制为 大约单个像素的尺寸。结果，在形成第二辅助电极410时对准遮蔽掩 模之后，可减小遮蔽掩模的平行移动量。因此，很容易在期望的位置 形成第二辅助电极410。
每个辅助电极的配线宽度a与一个像素的面积的比率对应于在 每个像素外围设置的元件隔离膜的宽度。当像素尺寸增加时，每个辅 助电极的配线宽度a也增加。 一般地，当像素尺寸增加时，形成辅助 电极所需的对准精度趋于降低。通过满足规定了每个辅助电极的配线 宽度a与辅助电极的配线间隔b之间的关系的公式(3)，可获得本 发明的优点。如上所述，在形成第二辅助电极410时，需要再次使用基板上设 置的对准标记。因此，如公式(2)中规定的，每个第一辅助电极400 的膜厚度d为30nm或更小。此外，当被布置在其上具有不规则性的 有机EL基板上时为了使第一辅助电极400用作配线，每个第一辅助 电极400的膜厚度d为5nm或更大。
另一方面，确定每个第二辅助电极410的膜厚度，以使得包含辅 助电极的第二电极320的电阻为期望值。在根据本发明该实施例的显 示装置中，每个第一辅助电极400的厚度小于每个第二辅助电极400 的厚度。
尽管第二电极320依赖于辅助电极的材料类型和第二电极320 的材料类型，但第二电极320由透明导电膜组成。在该情形中，通过 满足上面的关系，其中层叠有作为薄膜的第一辅助电极400和第二电 极320的区域的电阻大约为其中仅设置有第二电极320的区域的电阻 的1/10。
此外，为了防止由于外部湿气而使显示基板退化，以-60。C或更 低的露点在氮气环境中使用可UV固化的环氧树脂将密封基板接合到 基板101上。此外，在密封基板的表面上沉积例如由氧化锶或氧化钙 形成的吸湿膜，所述表面靠近有机EL元件。在该实施例中，使用玻 璃基板密封基板101。可选择地，可使用由氮化硅、氮氧化硅、氧化 硅等形成的无机绝缘膜来密封基板101。
例子
接下来，将参照图5A到7B按照制造工艺的顺序描述制造具有 上述结构的显示装置的方法的一个实施例，以及描述具有比上面显示 装置更详细结构的顶发射型有机EL显示装置的特定实施例。图5A 到7B是显示根据本发明一个实施例的制造显示装置中的有机EL元 件的工序步骤的横截面图。
首先，如图5A中所示，在例如由玻璃基板组成的基板IOI上形 成TFT 200及其源极和漏电极。随后，为了对由于形成TFT 200和电 极而在基板101表面上形成的不规则进行平坦化，在基板101上形成平坦化膜110。在该情形中，例如通过旋涂在基板101上涂敷正型光
敏性聚酰亚胺。用曝光装置进行图案曝光，用显影装置进行显影，然 后进行后烘焙。
接着，在平坦化膜110上形成第一电极300。这里，在平坦化膜 IIO上形成具有100nm厚度的铝(Al)层作为反射层。随后，通过賊 射法沉积具有大约20nm厚度的导电氧化物(例如ITO)层。
随后，如图5B中所示，例如通过化学气相沉积(CVD)沉积具 有大约300nm厚度的二氧化硅(SiO2)膜，从而形成元件隔离膜330。 随后，使用光刻技术在二氧化硅(Si02)膜上形成抗蚀剂图案。如图 5C中所示，通过使用该抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻从而对二氧化 硅(Si02)膜进行构图。在该步骤中，在被蚀刻的侧壁具有锥形形状 的条件下进行蚀刻。
接着，如图6A中所示，使用遮蔽掩模通过气相沉积工序沉积发 光材料。如图6B中所示，随后使用遮蔽掩模通过气相沉积工序形成 由导电材料形成的第二电极320。
接着，如图7A中所示，通过气相沉积使用遮蔽掩模沉积铝(A1) 作为具有10nm厚度的第一辅助电极400。通过气相沉积形成的第一 辅助电极400具有15(im的配线宽度和30iam的配线间隔。第一辅助 电极400的配线长度为200nm。
随后，通过参照图4A到4D所述的工序，使用遮蔽掩模的对准 标记进行对准，然后在与由笫一辅助电极400形成的配线平行的方向 上将遮蔽掩模移动lOO)am。如图7B中所示，通过气相沉积形成具有 100nm厚度的第二辅助电极410。因而，使用具有与第 一辅助电极400 相同开口的遮蔽掩模形成了第二辅助电极410。
最后，将包含氧化锶作为主要成分的吸湿材料接合到密封基板 (没有示出)的凹陷区域上，该区域不抑制显示，并以-60。C或更低 的露点在氮气环境中使用可UV固化的环氧树脂将密封基板接合到基 板101上。
通过上述步骤可制造具有参照图l和2所述结构的显示装置。该显示装置满足上述所有的公式(1)到(3)。
尽管参照示例性的实施例描述了本发明，但应当理解，本发明并 不限于公开的示例性的实施例。随后权利要求的范围与最宽的解释一 致，从而包含所有的修改和等价结构及功能。
权利要求
1.一种显示装置，包括基板；设置在所述基板上的多个发光元件，所述发光元件包括多个第一电极，该多个第一电极的每一个都独立地设置在所述基板上，多个发光层，其中发光层设置在各个所述第一电极上，和透光的第二电极，其连续设置在所述发光层上从而覆盖所述多个发光元件；以及辅助电极，其设置在所述第二电极上并线性地布置在相邻的发光元件之间，每个所述辅助电极包括第一辅助电极，以间隔间断性地布置该第一辅助电极并具有5到30nm范围内的厚度，以及第二辅助电极，其覆盖所述第一辅助电极的边沿并以与所述第一辅助电极相同的间隔间断性地布置。
2. 根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二辅助电极的厚度大于所述第一辅助电极的厚度。
3. —种制造显示装置的方法，所述显示装置包括基板；设置在所述基板上的多个发光元件，所述发光元件包括多个第一电极，该多个第一电极的每一个都独 立地设置在所述基板上；多个发光层，其中所述发光层设置在各个所 述第一电极上；以及透光的第二电极，其连续设置在所述发光层上从 而覆盖所述多个发光元件；以及辅助电极，其设置在所述第二电极上并线性地布置在相邻的发光 元件之间，所述方法包括下述步骤通过将所述基板上设置的对准标记与遮蔽掩模上设置的开口对 准，从而将所述基板与所述遮蔽掩模对准以形成对准状态；在所述对准状态中以间隔间断性地形成第 一辅助电极；将其上形成有包含第 一辅助电极的层的对准标记与所述开口对 准，并随后将遮蔽掩模移动预定的距离；以及间断性地形成第二辅助电极，从而覆盖所述第一辅助电极的边
全文摘要
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。一种显示装置，包括具有包围多个第一电极外围边沿的元件隔离膜的显示基板、和由第二电极和辅助电极组成且设置在所述元件隔离膜上的层叠区域。每个所述辅助电极都由以虚线图案布置的第一辅助电极、布置在第一辅助电极上以覆盖没有设置第一辅助电极的区域的第二辅助电极组成。辅助电极之间的配线间隔小于辅助电极的配线长度，每个第一辅助电极的膜厚度都在5到30nm的范围内。
文档编号H05B33/10GK101409964SQ20081016645
公开日2009年4月15日 申请日期2008年10月9日 优先权日2007年10月9日
发明者吉永秀树 申请人:佳能株式会社