专利名称：下电极装置和半导体设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种下电极装置和半导体设备。
背景技术：
随着微电子技术的发展，等离子体设备广泛应用于当今的半导体、太阳能电池以及平板显示等制造工艺中。目前，等离子体设备包括直流放电等离子体设备、电容耦合等离子体(CCP)设备、电感耦合等离子体(ICP)设备以及电子回旋共振等离子体(ECR)设备。上述等离子体设备被广泛应用于物理气相沉积(PVD)、等离子体刻蚀以及化学气相沉积 (CVD)等工艺。图1为一种等离子体设备的结构示意图，如图1所示，该等离子设备包括反应腔室 12、下电极1、匹配器2、射频电源3、磁控管13和直流电源14。其中，下电极1可包括静电卡盘和基座，静电卡盘上放置有晶圆(图1中未示出)。反应腔室12包括腔体121和溅射靶材122，溅射靶材122设置于腔体121的顶部。磁控管13设置于反应腔室12的上部。直流电源14连接于溅射靶材122。直流电源14将直流功率施加至溅射靶材122，产生等离子体，并吸引离子轰击溅射靶材122，使溅射靶材121的材料能够被溅射后沉积在晶圆上。匹配器2分别与射频电源3和下电极1连接。射频电源3施加在下电极1上的射频功率能够产生射频自偏压。现有技术的等离子体设备中，晶圆与反应腔室顶部之间的距离需要能够进行调节以便满足开发工艺的要求，这就要求承载有晶圆的下电极1能够进行升降。如图1 所示，可将匹配器2固定放置并将匹配器2与下电极1之间通过电缆17连接。具体地，在下电极1的射频引入端和匹配器2的输出端上分别安装连接器15和连接器16，电缆17分别与连接器15和连接器16连接，从而实现将匹配器2和下电极1连接。这样，在下电极1 升降过程中，匹配器2可保持固定放置，电缆17随下电极1进行升降运动。由于下电极的阻抗较小，通常小于15欧；承受功率较大，通常为500W 3000W，甚至为更大的数值。因此，在连接器和电缆上会通过很大的电流，通常可达60A以上。但是， 目前连接器可通过的最大电流为60A，电缆可通过的最大电流更是小于连接器可通过的最大电流，因此连接器和电缆均无法满足大于60A的电流要求。目前，为解决上述问题，可采用定制的超大规格的连接器和电缆，以满足大电流的要求。但是，定制的超大规格的连接器和电缆存在如下缺陷1、定制超大规格的连接器和电缆增加了成本以及耗费了开发时间；2、由于定制的连接器和电缆的通用性很低，出现故障的概率会增大，从而导致设备的可维护性降低；3、定制的连接器的体积较大、电缆线径较粗，当对定制的连接器和电缆进行多次操作和拆装后容易出现连接器和电缆损坏的情况，从而导致设备的可靠性降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种下电极装置和半导体设备，用以解决采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本、耗费开发时间、可维护性降低以及可靠性降低的技术问题。为实现上述目的，本发明提供了一种下电极装置，包括下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。所述连接体包括连接部件和安装部件，所述连接部件上开设有第一安装孔和第二安装孔，所述下电极上开设有第三安装孔，所述匹配器上开设有第四安装孔；所述安装部件通过第一连接孔和第三连接孔将所述连接部件固定于所述下电极上以及所述安装部件还通过第二连接孔和第四连接孔将所述连接部件固定于所述匹配器上，以使所述匹配器连接于所述下电极上。所述连接部件的形状包括柱状或者带状。所述连接部件的材料包括铜、镀银铜或者铝。所述连接部件的数量为一个或者多个。所述连接部件的宽度为大于或等于10mm。若所述连接部件的形状为带状时，所述连接部件的宽度为大于或等于15mm。所述第三安装孔为螺孔，所述第四安装孔为螺孔，所述安装部件为螺钉。所述连接体为插接部件；所述插接部件设置于所述匹配器上，所述下电极上开设有与所述插接部件匹配的插接孔，所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器连接于所述下电极上。所述连接体为插接部件；所述插接部件设置于所述下电极上，所述匹配器上开设有与所述插接部件匹配的插接孔，所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器连接于所述下电极上。所述插接部件的形状为柱状。所述插接部件的宽度大于或等于10mm。所述插接部件的材料包括铜、镀银铜或者铝。所述下电极装置还包括设置于所述下电极和所述匹配器之间的屏蔽罩。为实现上述目的，本发明还提供了一种半导体设备，包括反应腔室和上述下电极装置，所述下电极设置于所述反应腔室的内部。所述半导体设备为物理气相沉积设备。本发明具有以下有益效果本发明提供的下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，匹配器和射频电源连接并且匹配器通过连接体连接于下电极上。本发明的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本和耗费开发时间的问题，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。
图1为一种等离子体设备的结构示意图；图2为本发明实施例一提供的一种下电极装置的结构示意图；图3为图2的侧视图；图4为图2中连接部件的结构示意图；图5为图2中下电极的结构示意图；图6为图2中匹配器的结构示意图；图7为本发明实施例二提供的一种下电极装置的结构示意图；图8为图7的侧视图；图9为本发明实施例三提供的一种下电极装置的结构示意图；图10为图9中A-A向剖视图；图11为图9中匹配器的结构示意图；图12为图9中下电极的结构示意图；图13为本发明实施例四提供的一种下电极装置的结构示意图；图14为图13中B-B向剖视图；图15为本发明实施例五提供的一种下电极装置的结构示意图；图16为图15中C-C向剖视图；图17为图15中下电极的结构示意图；图18为图15中匹配器的结构示意图；图19为本发明实施例六提供的一种下电极装置的结构示意图；图20为图19中D-D向剖视图；图21为本发明中下电极的运行速度的示意图；图22为本发明实施例七提供的一种半导体设备的结构示意图。
具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的用于等离子体设备的下电极及等离子体设备进行详细描述。图2为本发明实施例一提供的一种下电极装置的结构示意图，图3为图2的侧视图，如图2和图3所示，该下电极装置包括下电极1、匹配器2和射频电源3。匹配器2和射频电源3连接，匹配器2通过连接体连接于下电极1上，具体地，匹配器2可通过固定连接的方式安装于下电极1上。本实施例中，匹配器2和射频电源3可以通过电缆4连接。电缆4的长度可根据下电极1进行升降运动时运行距离的需要进行设定。本实施例中，连接体包括连接部件5和安装部件6。图4为图2中连接部件的结构示意图，如图4所示，连接部件5上开设有第一安装孔51和第二安装孔52。第一安装孔 51的数量可以为一个或者多个，第二安装孔52的数量可以为一个或者多个，本实施例中以一个第一安装孔51和一个第二安装孔52为例进行说明，在实际应用中根据需要还可以采用多个第一安装孔51和多个第二安装孔52。连接部件5的形状包括柱状或者带状。其中， 若连接部件5的形状为柱状时，该柱状可以包括方柱状、圆柱状、半圆柱状或者不规则柱状等。连接部件5的材料可以为金属，优选地，连接部件5的材料包括铜、镀银铜或者铝。连接部件5的数量为一个或者多个，本实施例中以一个连接部件5为例进行说明，在实际应用中根据需要还可以采用多个连接部件5将匹配器2连接于下电极1上。优选地，连接部件 5的宽度d可以为大于或等于10mm。例如若连接部件5的形状为柱状时，连接部件5的宽度d为大于或等于IOmm ；若连接部件5的形状为带状时，连接部件5的宽度d为大于或等于 15mm。图5为图2中下电极的结构示意图，图6为图2中匹配器的结构示意图，如图2至图6所示，下电极1上开设有第三安装孔11，匹配器2上开设有第四安装孔21。第三安装孔11的数量可以为一个或者多个，第四安装孔21的数量可以为一个或者多个，本实施例中以一个第三安装孔11和一个第四安装孔21为例进行说明，在实际应用中根据需要还可以采用多个第三安装孔11和多个第四安装孔52。并且，本实施例中，由于第三安装孔11是和第一安装孔51配合使用的，第四安装孔21是和第二安装孔52配合使用的，因此在应用中第三安装孔11的数量可以与第一安装孔51的数量相同，第二安装孔52的数量可以与第四安装孔21的数量相同。本实施例中，安装部件6的数量可以与第一安装孔51和第二安装孔52的数量之和相等。本实施例中，优选地，第三安装孔11可以为螺孔，第四安装孔21可以为螺孔，安装部件6可以为螺钉。本实施例中，安装部件6通过第一连接孔51和第三连接孔11将连接部件5固定于下电极1上以及安装部件6还通过第二连接孔52和第四连接孔21将连接部件5固定于匹配器2上，以使匹配器2连接于下电极1上。本实施例中，下电极1可包括静电卡盘(静电卡盘包括绝缘陶瓷层和埋设在绝缘陶瓷层中的电极层)和基座，静电卡盘设置于基座上；且如图5所示，虚线框中所示的为下电极1的射频引入端，具体地，该射频引入端可为一射频引入柱，该射频引入柱竖直穿设于下电极装置的安装盘(本实施例的相关附图中均未示意出)中，且通过基座套设该射频引入柱可使得整个下电极1安装于安装盘上，其中基座与射频引入柱为电连接。则匹配器2 可通过连接体连接于射频引入端以使得匹配器2连接于下电极1上，具体地，第三连接孔11 可开设于射频引入端上，安装部件6通过第一连接孔51和第三连接孔11将连接部件5固定于下电极1上的射频引入端上，从而实现将匹配器2连接于下电极1上。本实施例中，连接体通过的射频电流可以为100A以上，承受的射频功率可以为 3000W以上，因此连接体可以满足大电流的要求，本实施例无需定制超大规格的连接器和电缆。本实施例提供的下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，匹配器和射频电源连接并且匹配器通过包括连接部件和安装部件的连接体连接于下电极上。本实施例的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本和耗费开发时间的问题，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。本实施例的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，使该连接体能够承受较高功率，提高了设备的性能，从而实现了在高功率下进行工艺开发，增大了工艺窗口。图7为本发明实施例二提供的一种下电极装置的结构示意图，图8为图7的侧视图，如图7和图8所示，本实施例的下电极装置在上述实施例一的基础上，进一步可以包括 屏蔽罩18。屏蔽罩18设置于下电极1和匹配器2之间，屏蔽罩18可用于将匹配器2固定于下电极1上。以及屏蔽罩18还可以用于进行电磁屏蔽。下电极装置中的其它结构可参见实施例一中的描述，此处不再赘述。图9为本发明实施例三提供的一种下电极装置的结构示意图，图10为图9中A-A 向剖视图，如图9和图10所示，该下电极装置包括下电极1、匹配器2和射频电源3。匹配器2和射频电源3连接，匹配器2通过连接体连接于下电极1上，具体地，匹配器2可通过固定连接的方式安装于下电极1上。本实施例中，匹配器2和射频电源3可以通过电缆4连接。电缆4的长度可根据下电极1进行升降运动时运行距离的需要进行设定。本实施例中，连接体为插接部件7。图11为图9中匹配器的结构示意图，如图11 所示，插接部件7设置于匹配器2上。插接部件7与匹配器2可以为一体结构，或者插接部件7直接连接于匹配器2上。图12为图9中下电极的结构示意图，如图11和图12所示， 下电极1上开设有与插接部件7匹配的插接孔8，插接部件7插入插接孔7以使匹配器2连接于下电极1上。其中，图12中标号8所标识的虚线表示插接孔8位于下电极1内部。本实施例中，插接部件7的数量可以为一个或者多个，本实施例中以一个插接部件7为例进行说明，在实际应用中根据需要还可以采用多个插接部件7。插接孔8的数量与插接部件7的数量相同。插接孔8的形状与插接部件7的形状相匹配。优选地，插接部件7的形状为柱状，例如该柱状可以包括方柱状、圆柱状、半圆柱状或者不规则柱状等；插接孔8的形状为柱状，例如该柱状可以包括方柱状、圆柱状、半圆柱状或者不规则柱状等。 插接部件7的材料可以为金属，优选地，插接部件7的材料包括铜、镀银铜或者铝。优选地， 插接部件7的宽度d大于或等于10mm。本实施例中，优选地，插接孔8可以为带簧片的孔，插接部件7可以为圆柱。本实施例中，下电极1可包括静电卡盘(静电卡盘包括绝缘陶瓷层和埋设在绝缘陶瓷层中的电极层)和基座，静电卡盘设置于基座上；且如图12所示，虚线框中所示的为下电极1的射频引入端，具体地，该射频引入端可为一射频引入柱，该射频引入柱竖直穿设于下电极装置的安装盘(本实施例的相关附图中均未示意出)中，且通过基座套设该射频引入柱可使得整个下电极1安装于安装盘上，其中基座与射频引入柱为电连接。则匹配器2 可通过连接体连接于射频引入端使得匹配器2连接于下电极1上，具体地，插接孔8可开设于射频引入端上，插接部件7插入插接孔8以实现将插接部件7固定于下电极1上的射频引入端上，从而实现将匹配器2连接于下电极1上。本实施例中，连接体通过的射频电流可以为100A以上，承受的射频功率可以为 3000W以上，因此连接体可以满足大电流的要求，本实施例无需定制超大规格的连接器和电缆。本实施例提供的下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，匹配器和射频电源连接并且匹配器通过连接体连接于下电极上，连接体为插接部件，插接部件设置于匹配器上，下电极上开设有插接孔，插接部件插入插接孔以使匹配器连接于下电极上。本实施例的
7技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本和耗费开发时间的问题，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。本实施例的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，使该连接体能够承受较高功率，提高了设备的性能，从而实现了在高功率下进行工艺开发，增大了工艺窗口。图13为本发明实施例四提供的一种下电极装置的结构示意图，图14为图13中 C-C向剖视图，如图13和图14所示，本实施例的下电极装置在上述实施例三的基础上，进一步可以包括屏蔽罩18。屏蔽罩18设置于下电极1和匹配器2之间，屏蔽罩18可用于将匹配器2固定于下电极1上。以及屏蔽罩18还可以用于进行电磁屏蔽。下电极装置中的其它结构可参见实施例三中的描述，此处不再赘述。图15为本发明实施例五提供的一种下电极装置的结构示意图，图16为图15中 C-C向剖视图，如图15和图16所示，该下电极装置包括下电极1、匹配器2和射频电源3。 匹配器2和射频电源3连接，匹配器2通过连接体连接于下电极1上，具体地，匹配器2可通过固定连接的方式安装于下电极1上。本实施例中，匹配器2和射频电源3可以通过电缆4连接。电缆4的长度可根据下电极1进行升降运动时运行距离的需要进行设定。本实施例中，连接体为插接部件9。图17为图15中下电极的结构示意图，如图17 所示，插接部件9设置于下电极1上。插接部件9与下电极1可以为一体结构，或者插接部件9直接连接于下电极1上。图18为图15中匹配器的结构示意图，如图17和图18所示， 匹配器2上开设有与插接部件9匹配的插接孔10，插接部件9插入插接孔10以使匹配器2 连接于下电极1上。其中，图18中的虚线表示插接孔8位于匹配器2内部。本实施例中，插接部件9的数量可以为一个或者多个，本实施例中以一个插接部件9为例进行说明，在实际应用中根据需要还可以采用多个插接部件9。插接孔10的数量与插接部件9的数量相同。插接孔10的形状与插接部件9的形状相匹配。优选地，插接部件9的形状为柱状，例如该柱状可以包括方柱状、圆柱状、半圆柱状或者不规则柱状等； 插接孔10的形状为柱状，例如该柱状可以包括方柱状、圆柱状、半圆柱状或者不规则柱状等。插接部件9的材料可以为金属，优选地，插接部件9的材料包括铜、镀银铜或者铝。优选地，插接部件9的宽度d大于或等于10mm。本实施例中，优选地，插接孔10可以为带簧片的孔，插接部件9可以为圆柱。本实施例中，下电极1可包括静电卡盘(静电卡盘包括绝缘陶瓷层和埋设在绝缘陶瓷层中的电极层)和基座，静电卡盘设置于基座上；且如图17所示，虚线框中所示的为下电极1的射频引入端，具体地，该射频引入端可为一射频引入柱，该射频引入柱竖直穿设于下电极装置的安装盘(本实施例的相关附图中均未示意出)中，且通过基座套设该射频引入柱可使得整个下电极1安装于安装盘上，其中基座与射频引入柱为电连接。则匹配器2 可通过连接体连接于射频引入端使得匹配器2连接于下电极1上。具体地，插接部件9可设置于射频引入端上，插接部件9插入插接孔10以实现将匹配器2固定于下电极1上的射频引入端上，从而实现将匹配器2连接于下电极1上。本实施例中，连接体通过的射频电流可以为100A以上，承受的射频功率可以为 3000W以上，因此连接体可以满足大电流的要求，本实施例无需定制超大规格的连接器和电缆。本实施例提供的下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，匹配器和射频电源连接并且匹配器通过连接体连接于下电极上，连接体为插接部件，插接部件设置于下电极上，匹配器上开设有插接孔，插接部件插入插接孔以使匹配器连接于下电极上。本实施例的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本和耗费开发时间的问题，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。本实施例的技术方案采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，使该连接体能够承受较高功率，提高了设备的性能，从而实现了在高功率下进行工艺开发，增大了工艺窗口。图19为本发明实施例六提供的一种下电极装置的结构示意图，图20为图19中 D-D向剖视图，如图19和图20所示，本实施例的下电极装置在上述实施例五的基础上，进一步可以包括屏蔽罩18。屏蔽罩18设置于下电极1和匹配器2之间，屏蔽罩18可用于将匹配器2固定于下电极1上。以及屏蔽罩18还可以用于进行电磁屏蔽。下电极装置中的其它结构可参见实施例五中的描述，此处不再赘述。本发明提供的上述各实施例中，下电极的电极可驱动下电极进行升降运动，由于匹配器是通过连接体连接于下电极上的，因此下电极可带动匹配器进行升降运动。在下电极频繁进行升降运动的过程中，会造成对匹配器以及下电极的冲击，从而降低下电极和匹配器在频繁升降运动中的可靠性。为提高下电极和匹配器在频繁升降运动中的可靠性，可以对下电极进行升降运动的运行速度进行控制。具体地，通过控制下电极的电机速度，以实现对下电极进行升降运动的运行速度进行控制。图21为本发明中下电极的运行速度的示意图，图21中示出的是下电极单程升降(即上升或者下降过程)的运行速度示意图，如图 21所示，下电极在A-B段运行速度为加速，在B-C段运行速度为勻速，在C-D段运行速度为减速。下电极采用图21中所述的运行速度进行升降运动时，可有效避免升降运动中对匹配器以及下电极的冲击，从而提高下电极和匹配器在频繁升降运动中的可靠性。图22为本发明实施例七提供的一种半导体设备的结构示意图，如图22所示，该半导体设备包括反应腔室12和下电极装置，下电极装置包括下电极1、匹配器2和射频电源 3。匹配器2和射频电源3连接，匹配器2通过连接体连接于下电极1上。下电极1设置于反应腔室12的内部。具体地，匹配器2可通过固定连接的方式安装于下电极1上。本实施例中的下电极装置可采用上述实施例一至实施例六任一所述的下电极装置，此处不再赘述。本实施例中，以实施例一中所述的下电极装置为例进行说明，具体描述可参见实施例一。本实施例中，半导体设备为等离子体设备。本实施例中，等半导体设备还可以包括磁控管13和直流电源14。下电极1可包括静电卡盘和基座，静电卡盘上放置有晶圆(图22中未示出)。反应腔室12包括腔体121和溅射靶材122，溅射靶材122设置于腔体121的顶部。磁控管13设置于反应腔室12的上部。直流电源14连接于溅射靶材122。匹配器2分别与射频电源3和下电极1连接。具体地，本实施例中该半导体设备为物理气相沉积设备。本发明实施例五还提供了一种半导体设备，本实施例八与上述实施例七的区别在于本实施例中的半导体设备不包括磁控管和直流电源。本发明实施例九还提供了一种半导体设备，本实施例中的半导体设备包括反应腔室、射频电源和下电极装置。反应腔室包括腔体和设置于腔体顶部的上极板，射频电源连接于上极板。本实施例中，下电极装置可采用上述实施例一至实施例六任一所述的下电极装置，此处不再赘述。本发明实施例九还提供了一种半导体设备，本实施例中的半导体设备包括反应腔室、匹配器、射频电源和下电极装置。反应腔室包括腔体和设置于腔体顶部的介电窗，射频电源与匹配器连接，匹配器连接于介电窗。电感线圈设置于反应腔室的上部。本实施例中， 下电极装置可采用上述实施例一至实施例六任一所述的下电极装置，此处不再赘述。本发明上述各实施例提供的半导体设备中，下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，匹配器和射频电源连接并且匹配器通过连接体连接于下电极上。本发明上述各实施例中采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆导致的增加成本和耗费开发时间的问题，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。综上所述，本发明上述实施例中提供的半导体设备为等离子体设备，该等离子体设备可应用于PVD设备、CVD设备或者等离子刻蚀设备。或者还可以说，该等离子体设备可应用于CCP设备、ICP设备或者ECR设备。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种下电极装置，包括下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，其特征在于，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。
2.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述连接体包括连接部件和安装部件，所述连接部件上开设有第一安装孔和第二安装孔，所述下电极上开设有第三安装孔， 所述匹配器上开设有第四安装孔；所述安装部件通过第一连接孔和第三连接孔将所述连接部件固定于所述下电极上以及所述安装部件还通过第二连接孔和第四连接孔将所述连接部件固定于所述匹配器上，以使所述匹配器连接于所述下电极上。
3.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述连接部件的形状包括柱状或者带状。
4.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述连接部件的材料包括铜、镀银铜或者铝。
5.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述连接部件的数量为一个或者多个。
6.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述连接部件的宽度为大于或等于 IOmm0
7.根据权利要求6所述的下电极装置，其特征在于，若所述连接部件的形状为带状时， 所述连接部件的宽度为大于或等于15mm。
8.根据权利要求2所述的下电极装置，其特征在于，所述第三安装孔为螺孔，所述第四安装孔为螺孔，所述安装部件为螺钉。
9.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述连接体为插接部件；所述插接部件设置于所述匹配器上，所述下电极上开设有与所述插接部件匹配的插接孔，所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器连接于所述下电极上。
10.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，所述连接体为插接部件；所述插接部件设置于所述下电极上，所述匹配器上开设有与所述插接部件匹配的插接孔，所述插接部件插入所述插接孔以使所述匹配器连接于所述下电极上。
11.根据权利要求9或10所述的下电极装置，其特征在于，所述插接部件的形状为柱状。
12.根据权利要求9或10所述的下电极装置，其特征在于，所述插接部件的宽度大于或等于10mm。
13.根据权利要求9或10所述的下电极装置，其特征在于，所述插接部件的材料包括铜、镀银铜或者铝。
14.根据权利要求1所述的下电极装置，其特征在于，还包括设置于所述下电极和所述匹配器之间的屏蔽罩。
15.一种半导体设备，其特征在于，包括反应腔室和如权利要求1至14任一所述的下电极装置，所述下电极设置于所述反应腔室的内部。
16.根据权利要求15所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为物理气相沉积设备。
全文摘要
本发明公开了一种下电极装置和半导体设备。该下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。本发明采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。
文档编号H05H1/46GK102548179SQ201010591768
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者陈鹏 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司