专利名称：发光元件及其制造方法以及发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用有机材料的场致发光现象的发光元件及其制造方法以及发光装置。
背景技术：
近年来，研究、开发不断进展的有机电致发光元件(下面，记载为“有机EL元件”。) 是利用了有机材料的场致发光现象的发光元件。有机EL元件具有在阳极与阴极之间夹插 了有机发光层的构成，是通过从阳极注入空穴、从阴极注入电子而在有机发光层内使空穴 与电子再结合(复合)从而取出光的器件。另外，发光层通过由绝缘材料形成的提(bank) 来规定形状。在阳极与有机发光层之间，例如根据需要夹插有空穴注入层、空穴输送层或者空 穴注入兼输送层，在阴极与有机发光层之间，例如根据需要夹插有电子注入层、电子输送层 或者电子注入兼输送层(下面，将空穴注入层、空穴输送层、空穴注入兼输送层、电子注入 层、电子输送层以及电子注入兼输送层总称并记载为“电荷注入输送层”)。在以往的有机EL元件中，电荷注入输送层使用由[化学式1]表示的PEDOT(聚噻 吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等的导电性高分子材料形成(参照专利文献1等)。[化学式1]
权利要求
1.一种发光元件，所述发光元件在第1电极与第2电极之间，至少夹插有电荷注入输送 层与发光层的层叠体，并且具有规定所述发光层的形状的提，所述第1电极是包含被氧化而成的一方的表面侧部分和没有被氧化而剩余的部分的 层中的所述没有被氧化而剩余的金属层；所述电荷注入输送层是所述被氧化而成的金属氧化物层，在由所述提规定的区域形成 为上面下沉的凹入结构；所述电荷注入输送层的凹部的边缘由所述提的一部分被覆。
2.如权利要求1所述的发光元件，所述金属氧化物层被在形成所述提时所使用的液体侵蚀。
3.如权利要求1所述的发光元件，所述提的一部分到达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的底面； 所述提的侧面从到达所述凹部的底面的到达点到顶点为上升斜面。
4.如权利要求1所述的发光元件，所述提的一部分没有到达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的底面。
5.如权利要求1所述的发光元件，所述第1电极为至少包含所述金属层的单层结构或者层叠结构。
6.如权利要求5所述的发光元件，所述第1电极为具有可见光的反射率为60%以上的下层和设置在所述下层上的作为 所述金属层的上层的层叠结构。
7.如权利要求5所述的发光元件，所述第1电极为具有作为包含铝和银之中的至少一种的合金的下层和设置在所述下 层上、且包含钼、铬、钒、钨、镍、铱之中的至少一种的作为所述金属层的上层的层叠结构。
8.如权利要求1所述的发光元件，所述第1电极中的所述金属层的膜厚为20nm以下。
9.如权利要求1所述的发光元件， 所述发光层为有机EL层。
10.如权利要求1所述的发光元件，所述电荷注入输送层沿着所述提的底面向所述提的侧方延伸出去。
11.如权利要求1所述的发光元件，所述电荷注入输送层的凹部的边缘是由在所述电荷注入输送层的上面上没有凹入的 区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。
12.一种发光装置，具备多个权利要求1 11的任一项所述的发光元件。
13.一种发光元件的制造方法，所述发光元件在第1电极与第2电极之间，至少夹插有 电荷注入输送层与发光层的层叠体，并且具有规定所述发光层的形状的提，包括第1工序，形成金属层；第2工序，通过将所述金属层的一方的表面侧部分进行氧化而形成金属氧化物层； 第3工序，在所述金属氧化物层上形成由构成提的材料构成的提材料层； 第4工序，通过除去所述提材料层的一部分，来除去对应区域的金属氧化物层，使在所 述第2工序中没有被氧化而剩余的金属层的一部分露出；第5工序，通过将所述金属层的所述露出的表面氧化，在所述对应区域形成由金属氧 化物层构成的电荷注入输送层，将没有被氧化而剩余的金属层作为第1电极； 第6工序，对所述电荷注入输送层上的所述提材料层的残留部实施热处理；和 第7工序，在所述第6工序后，在形成于所述对应区域的所述电荷注入输送层上形成发 光层，所述电荷注入输送层由将被在除去所述提材料层的一部分时所使用的液体侵蚀的材 料构成，所述电荷注入输送层的所述对应区域的露出面，通过所述液体的侵蚀而形成为从所述 提材料层的残留部底面的水平面下沉的凹入结构，在所述第6工序中，通过对所述提材料层的残留部赋予流动性，使构成所述提的材料 从所述残留部延伸到所述凹入结构的凹部的边缘。
14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，所述氧化为通过暴露在大气中进行的自然氧化或者通过氧化处理进行的氧化的任一种。
15.如权利要求13所述的发光元件的制造方法， 所述氧化为通过暴露在大气中进行的自然氧化。
16.如权利要求13所述的发光元件的制造方法， 所述第1电极为单层结构或者层叠结构。
17.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，在所述第1工序中，准备可见光的反射率为60%以上的下层，在所述下层上形成所述金属层，通过执行所述第5工序，形成具有所述下层和层叠在所述下层上的由所述金属层构成 的上层的层叠结构的所述第1电极。
18.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，在所述第1工序中，准备作为包含铝和银之中的至少一种的合金的下层，在所述下层 上形成包含钼、铬、钒、钨、镍、铱之中的至少一种的所述金属层，通过执行所述第5工序，形成具有所述下层和层叠在所述下层上的由所述金属层部分 构成的上层的层叠结构的所述第1电极。
19.如权利要求13所述的发光元件的制造方法， 所述第1电极中的所述金属层的膜厚为20nm以下。
全文摘要
在有机EL元件(100a～100c)的各元件中，在基板(101)上依次层叠形成有阳极(102)、包含电荷注入输送层(103)和有机发光层(105)的功能层、阴极(107)，有机发光层(105)的形状由堤(104)规定。在这里，空穴注入输送层(103)为将由金属层构成的阳极(102)的表面氧化而成的金属氧化物层。另外，空穴注入输送层(103)形成为由堤(104)规定的区域下沉的凹入结构(凹部结构(103a))，凹部结构(103a)的凹部边缘(103c)由堤(104)的一部分(被覆部(104d))被覆。
文档编号H05B33/26GK102077689SQ201080001855
公开日2011年5月25日 申请日期2010年2月9日 优先权日2009年8月31日
发明者竹内孝之, 西山诚司 申请人:松下电器产业株式会社