专利名称：厚薄交叉型半蚀刻印制板及其制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种厚薄交叉型半蚀刻印制板及其制作方法。
背景技术：
目前，电子产品越来越趋向与微型化、多功能方向发展，这就要求PCB产品也要不断的向微型化、多功能化方向发展。一块印制板作为整机的一个组成部分，一般不能构成ー个电子产品，必然存在对外连接的问题。如印制板之间、印制板与板外元器件、印制板与设备面板之间，都需要电气连接。但目前的印制板一般再需要用SMD连接ロ以与其他元器件进行连接，这种方式在 连接时，若连接不好，则会影响器件的质量和可靠性，另外，该连接方式相对比较复杂，效率也低。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了ー种厚薄交叉型半蚀刻印制板及其制作方法，该印制板集PCB和SMD连接ロ于一身，不仅可提高装配效率，使器件更加稳定，而且生产エ艺简单。本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是ー种厚薄交叉型半蚀刻印制板，在所述印制板上蚀刻有贴装环和封装环。优选的，所述封装环的厚度为O. 01-0. 25mm。优选的，所述封装环厚度公差在±0. 02mm。作为本发明的进ー步改进，所述封装环是通过半蚀刻形成的。本发明还提供了ー种厚薄交叉型半蚀刻印制板的制作方法，包括以下步骤①首先在印制板板面使用干膜保护，在未被干膜保护区利用酸性蚀刻出无铜区，于是被干膜保护部分即形成贴装环；②使用干膜或镀锡保护上述部分贴装环，在未被保护的贴装环半蚀刻形成封装环。优选的，所述封装环的厚度为O. 01-0. 25mm。优选的，所述封装环厚度公差在±0. 02mm。本发明的有益效果是该厚薄交叉型半蚀刻印制板，是ー种通过多次图形转移及多次蚀刻等方式来实现的。其主要应用在MIC板行业，有以下几个优点①利用半蚀刻技术制作的封装环(即凸台部分)，可直接作为SMD的嵌套部分装配到电子产品上，无需再安装其它装配零件。②较之传统的插针法装配，其制作更简单、便捷，尤其方便后制程的制作，而且从可以机械化批量生产，大大提高了产品的制作效率。③该产品具有更好的屏蔽效果，性能更加可靠。
④缩小了产品的体积，体现了微小、精密的特点，更有利于产品向轻、薄、短、小的发展，同时降低了成本。
图I为本发明结构示意图。结合附图，作以下说明I——印制板 2——贴装环3-封装环
具体实施方式
ー种厚薄交叉型半蚀刻印制板，在所述印制板I上蚀刻有贴装环2和封装环3。该厚薄交叉型半蚀刻印制板的制作方法，包括以下步骤①首先在印制板板面使用干膜保护，在未被干膜保护区利用酸性蚀刻出无铜区，于是被干膜保护部分即形成贴装环；②使用干膜或镀锡保护上述部分贴装环，在未被保护的贴装环半蚀刻形成封装环。上述封装环的厚度为O. 01-0. 25mm，其厚度公差在±0. 02mm。
权利要求
1.一种厚薄交叉型半蚀刻印制板，其特征在于在所述印制板(I)上蚀刻有贴装环(2)和封装环⑶。
2.根据权利要求I所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板，其特征在于所述封装环的厚度为 O.01-0. 25mm。
3.根据权利要求2所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板，其特征在于所述封装环厚度公差在 ±0. 02mm。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板，其特征在于所述封装环是通过半蚀刻形成的。
5.一种如权利要求I所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤 ①首先在印制板板面使用干膜保护，在未被干膜保护区利用酸性蚀刻出无铜区，于是被干膜保护部分即形成贴装环； ②使用干膜或镀锡保护上述部分贴装环，在未被保护的贴装环半蚀刻形成封装环。
6.根据权利要求5所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板的制作方法，其特征在于所述封装环的厚度为O. 01-0. 25mm。
7.根据权利要求6所述的厚薄交叉型半蚀刻印制板，其特征在于所述封装环厚度公差在 ±0. 02mm。
全文摘要
本发明公开了一种厚薄交叉型半蚀刻印制板及其制作方法，该厚薄交叉型半蚀刻印制板的制作方法，包括以下步骤①首先在印制板板面使用干膜保护，在未被干膜保护区利用酸性蚀刻出无铜区，于是被干膜保护部分即形成贴装环；②使用干膜或镀锡保护上述部分贴装环，在未被保护的贴装环半蚀刻形成封装环。这样，在印制板上蚀刻有贴装环和封装环，形成厚薄交叉型半蚀刻印制板。该印制板集PCB和SMD连接口于一身，不仅可提高装配效率，使器件更加稳定，而且生产工艺简单。
文档编号H05K1/11GK102858085SQ20111018087
公开日2013年1月2日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者马洪伟 申请人:昆山华扬电子有限公司