专利名称：作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法
技术领域：
本发明涉及一种作物根际沉积炭培养装置及培养方法。
背景技术：
目前，人们采用的作物根际沉积碳培养装置较为落后，对作物根际沉积碳培养只能采用普通分格式根箱培养方法、这种培养方法要求土壤粒径小于1mm，该方法虽然能很好的区分根际和非根际环境土壤，但是细小的土壤颗粒使土壤发生粘重，改变了土壤的部分物理性状，根际沉积碳在土壤中迁移受到影响，不能很好的为研究根际沉积碳服务。传统的培养方法一般采用把作物种植在分隔式根箱生长隔土壤中，如果区分根际不同区域土壤，就采用尼龙网作为隔层，格间距一般为1mm，而隔层的土壤为非根际土壤，该培养方法使用的土壤细小，很难准确满足试验的要求，增大工作量，培养过程中植物根际土壤很难准确获得，更难区分不同根系部分的根际土，干扰因素较多，误差较大，使一些较小的差异检测不到，部分重要的结果被忽视，检测的数据不准确。
发明内容
本发明的目的是提供一种根际沉积炭模拟培养装置及培养方法，以解决目前作物根际沉积炭模拟培养装置中土壤粒径过小，无法获得准确实验结果及传统的培养方法培养过程中干扰因素较多、误差大、精度低，对较小的差异不易检测到，不同部位的根际土壤差异被忽视的问题。本发明为解决上述技术问题采取的技术方案是装置方案所述装置包括PVC培养钵、网袋和多个供试土柱载体和多个支架，PVC培养钵底部设有多个镶嵌槽，每个供试土柱载体通过相对应的支架固装在镶嵌槽内，网袋装在PVC培养钵内，且每个供试土柱载体开口位置处与网袋的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵、网袋和供试土柱载体内均装有原状土；方法方案步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体中，并将每个供试土柱载体通过支架镶嵌入PVC培养钵内相对应的镶嵌槽中；步骤三、按试验要求作物在网袋内进行播种；步骤四、 将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体的土柱，获得不同根距的根际土壤。本发明具有以下有益效果由于采用了将作物根系生长在网袋中，网袋与供试土柱载体接触，通过网袋内植物根部向供试土柱载体的渗透，可以获得距离接触面不同距离的根际土壤，故能够准确的区分根际不同距离的土壤，研究过程中干扰因素少，可以研究作物根际沉积碳的不同部位的根际，因而将能准确测出的作物根际环境参数的数据准确、精度高和减少了工作量。本发明与采用常规培养方法相比效率提高1.5倍，研究结果更具有科学意义。
图1是本发明的整体结构主视图，图2是图1的俯视图。
具体实施例方式具体实施方式
一结合图1说明本实施方式，本实施方式的装置包括PVC培养钵 1、网袋2和多个供试土柱载体3和多个支架5，其特征在于PVC培养钵1底部设有多个镶嵌槽4，每个供试土柱载体3通过相对应的支架固装在镶嵌槽4内，网袋2装在PVC培养钵 1内，且每个供试土柱载体3开口位置处与网袋2的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵1、网袋2和供试土柱载体3内均装有原状土。
具体实施方式
二 结合图1说明本实施方式，本实施方式的供试土柱载体3的数量为1-4个，同一作物不同土壤减少试验误差，相当于同一样品增加取样点数。其他组成及连接关系与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
三结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵1中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体3中，并将每个供试土柱载体3通过支架5镶嵌入PVC培养钵1内相对应的镶嵌槽 4中；步骤三、按试验要求作物在网袋2内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体3，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体3的土柱，获得不同根距的根际土壤。
具体实施方式
四结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤六中供试土柱载体3放入冰箱进行速冻的时间为M小时。其他组成及连接关系与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
五结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤五中培养期间对植物的拔期期间用"CO2进行脉冲式标记。其他组成及连接关系与具体实施方式
一相同。具体实施例结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤一、将过5mm筛的土壤装入培养钵1中；步骤二、用供试土柱载体到田间取原位原状黑土，使其充满供试土柱载体 3中，并将每个供试土柱载体3通过支架5镶嵌入PVC培养钵1内相对应的镶嵌槽4中；步骤三、在网袋2内进行播种玉米海玉6号4粒；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、进行田间培养；步骤六、在玉米的拔期期间用13CD2进行脉冲式标记；步骤七、在秋季成熟期取样，取出供试土柱载体3，放入冰箱进行速冻M小时，然后在冰状态下用切刀进行每Imm长度切割供试土柱载体3的土柱，获得不同根距的根际土壤，然后进行"C丰度测定，通过计算获得根际沉积碳迁移能力。
权利要求
1.一种作物根际沉积炭模拟培养装置，所述装置包括PVC培养钵(1)、网袋(2)和多个供试土柱载体C3)和多个支架(5)，其特征在于PVC培养钵(1)底部设有多个镶嵌槽G)， 每个供试土柱载体C3)通过相对应的支架固装在镶嵌槽内，网袋( 装在PVC培养钵 (1)内，且每个供试土柱载体C3)开口位置处与网袋O)的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵(1)、网袋( 和供试土柱载体(3)内均装有原状土。
2.根据权利要求1所述作物根际沉积炭模拟培养装置，其特征在于供试土柱载体(3) 的数量为1-4个。
3.一种采用权利要求1或2所述作物根际沉积炭模拟培养装置的培养方法，其特征在于步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵(1)中；步骤二、 将每个供试土壤装入供试土柱载体(3)中，并将每个供试土柱载体( 通过支架( 镶嵌入PVC培养钵(1)内相对应的镶嵌槽(4)中；步骤三、按试验要求作物在网袋O)内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、 按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体(3)，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体(3)的土柱，获得不同根距的根际土壤。
4.根据权利要求3所述作物根际沉积炭模拟培养方法，其特征在于步骤六中供试土柱载体( 放入冰箱进行速冻的时间为M小时。
5.根据权利要求4所述作物根际沉积炭模拟培养方法，其特征在于步骤五中培养期间对植物的拔期期间用进行脉冲式标记。
全文摘要
作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法，它涉及一种作物根际沉积炭培养装置及培养方法。针对目前作物根际沉积炭模拟培养装置中土壤粒径过小，无法获得准确实验结果及传统的培养方法误差大、精度低的问题。装置方案网袋装在PVC培养钵内，且每个供试土柱载体开口位置处与网袋的外侧位置处紧密接触；方法方案将土壤装入培养钵中；将每个供试土柱载体通过支架镶嵌入PVC培养钵内相对应的镶嵌槽中；作物在网袋内进行播种；将培养装置放入培养场；在特定时间取样，取出供试土柱载体，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体的土柱，获得不同根距的根际土壤。本发明用于作物根际沉积炭模拟培养。
文档编号A01G1/00GK102283037SQ20111012770
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月17日 优先权日2011年5月17日
发明者乔云发 申请人:中国科学院东北地理与农业生态研究所