甘草次酸晶c型、其制备方法及其在药物组合物或保健品中的用途
【专利摘要】本发明涉及甘草次酸晶C型、其制备方法及其在药物组合物或保健品中的用途。本发明还涉及甘草次酸晶C型在制备抗炎、抑菌、抗肿瘤、抗病毒、抗过敏、抗溃疡的药物组合物或保健品中的用途。
【专利说明】甘草次酸晶C型、其制备方法及其在药物组合物或保健品 中的用途
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种新的甘草次酸晶C型和其制备方法，还涉及包含其的药物组合物 或保健品，以及其在制备抗炎、抑菌、抗肿瘤、抗病毒、抗过敏、抗溃瘍的药物组合物或保健 品中的用途。
【背景技术】
[0002] 甘草次酸（Glycyrrhetinic Bcid)的分子结构如下：
[0003]
【权利要求】
1. 一种甘草次酸晶C型，其特征在于，当使用粉末X射线衍射法采用CuK α辐射实验 条件分析时，衍射峰的2 Θ (° )和d(A)、衍射峰的相对强度峰高（高度％ )和峰面积（面 积％)具有如下所示的数值：
〇
2. 根据权利要求1所述的甘草次酸晶C型，其特征在于当使用红外光谱分析时，所述 甘草次酸晶 C 型在 2943、2910、2875、2096、1699、1680、1655、1624、1538、1510、1456、1385、 1362、1324、1280、1256、1229、1211、1176、1102、1085、1034、992、981、959、948、933、919、 879、868、855、819、757、701、683、672〇1^处具有红外光谱特征峰，其中红外光谱特征峰的允 许偏差为±2〇11'
3. 根据权利要求1所述的甘草次酸晶C型，其特征在于使用差示扫描量热法分析时，在 升温速率为每分钟l〇°C的DSC图谱中，在81°C ±3°C、302°C ±3°C处具有2个吸热峰和在 178°C ±3°C处具有1个放热峰。
4. 一种甘草次酸混合晶型，其特征在于，含有任意比例的权利要求1-3任一项所述的 甘草次酸晶C型。
5. 权利要求1-3任一项所述的甘草次酸晶C型的制备方法，其特征是先使用甲醇单一 溶剂在15°C?80°C温度下将甘草次酸原料完全溶解，并经环境温度4°C?80°C、环境湿度 10%?75%、常压或真空压力条件下的重结晶制备工艺获得甘草次酸晶C型。
6. 权利要求1-3任一项所述的甘草次酸晶C型的制备方法，其特征是先使用甲醇与正 己烷、环己烷、水中的任意两种或多种经混合后，在15°C?80°C温度下将甘草次酸原料完 全溶解，并经环境温度4°C?80°C、环境湿度10%?75%、常压或真空压力条件下的重结晶 制备工艺获得甘草次酸晶C型。
7. -种药物组合物或保健品，其特征在于，含有有效剂量的权利要求1-3任一项所述 的甘草次酸晶C型和药学上可接受的载体。
8. -种药物组合物或保健品，其特征在于，含有有效剂量的权利要求4所述的甘草次 酸混合晶型和药学上可接受的载体。
9. 根据权利要求7或8所述的药物组合物或保健品，其特征在于所述甘草次酸晶C型 的每日用剂量为2?lOOOmg，优选10?800mg。
10. 根据权利要求7或8所述的药物组合物或保健品，其特征在于所述的药物组合物或 保健品是片剂、硬胶囊、丸剂、粉针剂、颗粒剂、缓释制剂或控释制剂。
11.权利要求1-3任一项所述的甘草次酸晶C型在制备抗炎、抑菌、抗肿瘤、抗病毒、抗 过敏、抗溃疡的药物组合物或保健品中的用途。
【文档编号】A61K31/56GK104045679SQ201410251398
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日
【发明者】杜冠华, 吕扬, 王守宝, 张丽, 郭永辉, 田硕 申请人:北京健坤和医药科技有限公司