清洁装置、清洗槽、清洁方法以及用于制造物件的方法

文档序号:1558057阅读:305来源:国知局
专利名称:清洁装置、清洗槽、清洁方法以及用于制造物件的方法
技术领域
本发明涉及仅清洁待清洁的物件的待清洁的区域的一种清洁装置、 一种 清洗槽、 一种清洁方法以及一种用于制造物件的方法。本发明涉及一种小型
装置,例如HDD (硬盘驱动器)的磁头、MEMS (微电子机械系统)和光学 组件(镜、透镜等)的制造过程中的清洁技术。
背景技术
近来,根据在小型装置(例如HDD的磁头、MEMS和光学组件)中实 现较高的精密度和小型化的要求,需要通过精确地清洁来去除在制造过程中 产生的亚微细粒的杂质。
作为小型设备的传统清洁装置,日本专利特开No.06-55151公开了一种 超声波清洁装置,该装置将清洗液储存在包括超声波发生器的清洗槽中,并 且在清洗槽中清洁待清洁的物件。图12示出了日本专利特开No.06-55151 公开的传统清洁技术的概略性示意图。图12所示的清洁装置通过超声波发 生单元21对清洗液施加超声波,且待清洁的物件1浸泡在填充有清洗液的 清洗槽10中。然后,在待清洁的物件的表面上的杂质因气蚀现象(cavitation phenomenon)被分离。清洗液始终供至清洗槽10,并且分离的杂质100通过 清洗液自清洗槽10的上表面溢流至清洗槽外部而被排出。
然而,如图12所述的传统清洁装置具有以下问题邻近待清洁的物件l 或位于清洗槽10角落的杂质100不会被排出,因此当将待清洁的物件1自 清洗槽10取出时,在清洗液中的杂质100粘附到待清洁的物件1。具体地, 传统清洁装置将整个待清洁的物件1浸泡在清洗液中以仅清洁待清洁的物件 1的一部分。因此,清洗液被自待清洁的区域(即待清洁的物件1的待清洁 的部分,图12中的待清洁的区域11)以外的其他区域分离的杂质100污染, 由此明显降低了清洗液的洁净度。
另外,在使用传统清洁装置清洁待清洁的物件l的情况中,清洗液粘附到待清洁的区域11以外的其他区域。因此,整个待清洁的物件1的干燥耗 时较长而导致效率很低。此外,如图13所示,存在如下问题当将已清洁 的待清洁的物件1从清洗槽10取出以传送至干燥装置时,杂质粘附到待清 洁的物件1。

发明内容
本发明的目的在于提供一种清洁装置,其在清洁和干燥待清洁的物件 时,通过仅清洁待清洁的物件的待清洁的区域来防止杂质粘附到待清洁的物 件。
本发明的另一目的在于提供一种在清洁装置中的清洗槽,所述清洁装置 在清洁和干燥待清洁的物件时,通过仅清洁待清洁的物件的待清洁的区域来 防止杂质粘附到待清洁的物件。
本发明的另一 目的还在于提供一种清洁方法,其用于在清洁和干燥待清 洁的物件时,通过在制造物件的工艺中仅清洁待清洁的物件的待清洁的区域 来防止杂质粘附到待清洁的物件。
本发明的另一 目的又在于提供一种制造物件的方法,所述方法用于在清 洁和干燥待清洁的物件时,通过仅清洁待清洁的物件的待清洁的区域来防止 杂质粘附到待清洁的物件。
本发明的清洁装置为一种清洁装置,其将待清洁的物件放置在清洗槽中 并且通过使用清洗液去除待清洁的物件表面上的杂质。所述清洗槽包括对清 洗液施加超声波的超声波发生单元,以及流体射流单元,所述流体射流单元 具有位置对应于待清洁的区域(即待清洁的物件的待清洁的部分)的开口。 已经由超声波发生单元施加了超声波的所述清洗液通过所述流体射流单元 的所述开口喷射至所述待清洁的物件的待清洁的区域。
优选地,清洁装置还包括一种结构,其中在所述清洗液冲向与所述流体 射流单元的底面不同的表面时,所述清洗液被供给至所述超声波发生单元与 所述流体射流单元之间的空间。
优选地,清洁装置还包括调节所述超声波发生单元与所述流体射流单元 之间的距离的单元;以及调节所述流体射流单元与所述待清洁的区域之间的 距离的单元。优选地,清洁装置还包括干燥单元,所述干燥单元使干燥流体在所述清 洗槽中循环,且其通过所述流体射流单元的所述开口喷射或吸入所述干燥流 体,并且干燥在所述待清洁的物件的所述待清洁的区域上的所述清洗液。
本发明的清洗槽为一种设置在通过清洗液去除待清洁的物件的表面上 的杂质的清洁装置中的清洗槽。所述清洗槽包括放置所述待清洁的物件的安
置单元;对所述清洗液施加超声波的超声波发生单元;以及具有开口的流体 射流单元,所述开口的位置对应于待清洁的区域,所述待清洁的区域为所述 待清洁的物件的待清洁的部分。已经由所述超声波发生单元施加了超声波的 所述清洗液通过所述流体射流单元的所述开口喷射至所述待清洁的物件的 待清洁的区域。
优选地,所述清洗槽还包括一种结构,其中在所述清洗液冲向与所述流 体射流单元的底面不同的表面时,所述清洗液被供给至所述超声波发生单元 与所述流体射流单元之间的空间。
优选地,所述清洗槽还包括调节所述超声波发生单元与所述流体射流单 元之间的距离的单元;以及调节所述流体射流单元与所述待清洁的区域之间 的距离的单元。
优选地,所述清洗槽通过所述流体射流单元的所述开口喷射或吸入由干 燥单元供给的干燥流体,所述干燥单元使干燥流体在所述清洗槽中循环,并 且干燥在所述待清洁的物件的所述待清洁的区域上的所述清洗液。
本发明的清洁方法是一种用在清洁装置中的清洁方法,所述清洁装置将 待清洁的物件放置在清洗槽中并且通过使用清洗液去除所述待清洁的物件 的表面上的杂质。所述清洁方法包括在所述清洗槽的超声波发生单元中, 对所述清洗液施加超声波;以及在所述清洗槽的流体射流单元中,施加了超 声波的所述清洗液通过开口喷射至待清洁的区域,所述待清洁的区域为所述 待清洁的物件的待清洁的部分;所述开口设置在对应于所述待清洁的物件的 待清洁的区域的位置。
用于制造本发明的物件的方法是一种用于制造物件的方法,该方法包括 清洁步骤,将所述物件放置在清洗槽中并且通过使用清洗液将待清洁的物件 的表面上的杂质去除。所述清洁步骤包括在所述清洗槽的超声波发生单元 中,对所述清洗液施加超声波;以及在所述清洗槽的流体射流单元中,施加了超声波的所述清洗液通过开口喷射至待清洁的区域,所述待清洁的区域为
所述待清洁的物件的待清洁的部分;所述开口设置在对应于所述待清洁的物 件的所述待清洁的区域的位置。
本发明的清洁装置、清洗槽、清洁方法和用于制造物件的方法将已经由 超声波发生单元施加超声波的清洗液通过流体射流单元喷射至待清洁的物 件的待清洁的区域,并且仅清洁待清洁的区域。因此,根据该清洁装置、该 清洗槽、清洁方法和用于制造物件的方法可以防止在清洁待清洁的物件时由 待清洁的物件的待清洁的区域以外的其他区域产生杂质,从而可以实现较高 的清洁质量。此外,由于减少了粘附至待清洁的区域以外的其他区域的清洗 液,在清洁之后干燥待清洁的物件时可以防止杂质的粘附,并且可以缩短干 燥时间。
清洁装置和清洗槽具有一种结构,其中在清洗液冲向与流体射流单元的 底面不同的表面时,清洗液被供给至超声波发生单元与流体射流单元之间的 空间。因此,根据该清洁装置和该清洗槽,在此空间中的清洗液的压力可以 平衡使得清洗液可以一定的流速从流体射流单元的每个开口喷射。
清洁装置和清洗槽还具有用于调节超声波发生单元与流体射流单元之 间的距离的单元。因此,根据该清洁装置和该清洗槽,当对待清洁的物件施 加超声波时,可以将超声波发生单元与流体射流单元之间的距离调节为根据 由超声波发生单元使用的频率确定的合适的距离(具有较高清洁效率的距 离)。
清洁装置和清洗槽还具有用于调节流体射流单元与待清洁的区域之间 的距离的单元。因此,根据该清洁装置和该清洗槽,可以将流体射流单元(其 开口)与待清洁的区域之间的距离调节为根据清洗液的表面张力、待清洁的 物件的材料和待去除杂质的尺寸等确定的合适的距离。
此外,该清洁装置和该清洗槽使在清洗槽中的干燥流体循环,通过所述 开口喷射或吸入干燥流体,并且干燥在待清洁的物件的待清洁的区域上的清 洗液。因此,根据该清洁装置和该清洗槽,可以选择性干燥对应于开口的待 清洁的区域。因此,可以较短的时间干燥待清洁的物件。


图1为示出了本发明的清洁装置的示例性基础结构的示意图; 图2为示出了使用该清洁装置的清洁过程的示意图; 图3为示出了使用该清洁装置的干燥过程的示意图; 图4为示出了待清洁的物件的示例的示意图5A和图5B为示出了本发明实施例的清洁装置的示例性内部结构的示 意图6A和图6B为示出了本发明实施例的清洁装置的另一示例性内部结构 的示意图7为示出了该实施例的清洁装置的清洗槽的详细示例性结构的俯视
图8为示出了该实施例的清洁装置的清洗槽的详细示例性结构的侧视
图9、图IO和图11为说明了该实施例的清洁过程的示例的示意图12为示意性示出了传统清洁技术的示意图;以及
图13为示出了清洁后杂质粘附到待清洁的物件的示意图。
具体实施例方式
以下参照附图描述本发明的实施例。图1为示出了本实施例的清洁装置 的示例性基础结构的示意图。图1所示的清洁装置将待清洁的物件1放置在 清洗槽2中并且通过使用清洗液去除待清洁的物件表面上的杂质。在图1所 示的清洁装置的部件中,清洗槽2具有用于供给清洗液的供给口 200以及用 于排放清洗液的排出口 202,并且该清洗槽储存清洗液。清洗液例如为纯净 水、有机溶剂等。
清洗槽2包括超声波发生单元21和流体射流单元22。该超声波发生单 元21与流体射流单元22相对地设置。超声波发生单元21具有一个或多个 超声波振荡器。当清洗液通过供给口 200被供给到清洗槽2的超声波发生单 元21与流体射流单元22之间的空间(区域)时,超声波发生单元21通过 超声波振荡器对清洗液施加超声波。流体射流单元22与待清洁的物件1相 对地设置,并位于待清洁的物件1与超声波发生单元21之间。流体射流单 元22包括多个开口 220,所述开口 220的位置对应位于清洗槽2中的待清洁的物件1的相应待清洁的区域11 (与相应的待清洁的区域11相对的位置)。 待清洁的区域11为待清洁的物件1的待清洁的部分。在图1所示的示例中,
待清洁的物件1具有多个待清洁的区域11。所述开口 220为喷嘴状,其向待 清洁的区域的方向凸出。所述开口 220可以从流体射流单元22上去除。此 外,流体射流单元22具有调节所述开口 220与待清洁的区域11之间的距离 的结构(例如,以下参照图8描述的高度调节构件26)。已经由超声波发生 单元21施加了超声波的清洗液通过流体射流单元22的所述开口 220喷射至 待清洁的物件1的待清洁的区域11以清洁待清洁的物件1的待清洁的区域 11。
流体收集单元3具有用于清洗液的出口 201并且通过该出口 201将由流 体射流单元22喷射的清洗液排出到槽外部。因此,当清洁待清洁的物件1 时,待清洁的物件1没有浸泡在清洗液中。环流单元4连接至清洗槽2的供 给口 200和排出口 202以及流体收集单元3的出口 201 。环流单元4将清洗 液由供给口 200供至在清洗槽2中的超声波发生单元21与流体射流单元22 之间的空间,并将清洗液自该排出口排放。环流单元4以预定的流速将清洗 液供至清洗槽2中,使得清洗液以预定的流速从流体射流单元22的所述开 口 220喷射至待清洁的区域11的方向。环流单元4可以通过例如设置在清 洗液的环流路径中的过滤器来净化清洗液。
干燥单元5使在清洗槽2中的干燥流体循环,且其通过流体射流单元22 的所述开口 220喷射或吸入干燥流体,并且干燥在待清洁的物件1的待清洁 的区域11上的清洗液。例如,在清洁待清洁的物件1之后,干燥单元5从 供给口 203将干燥流体供至清洗槽2内并且从出口 204吸走干燥流体。因此, 供至清洗槽2内的干燥流体通过所述开口 220被吸入,所述开口 220设置在 对应于待清洁的物件1的待清洁的区域11的位置,并且待清洁的区域11被 干燥。干燥流体例如是清洁干燥气体(clean dry air)。
干燥单元5可以从出口 204将干燥流体供至清洗槽2中并且从供给口 203吸出干燥流体。在干燥单元5从出口 204将干燥流体供至清洗槽2中的 情况下,供至清洗槽2中的干燥流体通过开口 220喷射至待清洁的区域11, 所述开口 220的位置对应于待清洁的物件1的待清洁的区域11,并且待清洁 的区域ll被干燥。干燥单元5可以在干燥流体的供给路径中设有过滤器,并且通过使用过 滤器净化干燥流体。此外,干燥流体的供给路径可以设有加热器以縮短待清 洁的物件1的干燥时间。
图2为示出了使用图l所示的清洁装置的清洁过程的示意图。环流单元 4将清洗液从供给口 220供至清洗槽2中(见图2中#1)。清洗液填充在清 洗槽2中的流体射流单元22与超声波发生单元21之间的空间。超声波发生 单元21对清洗液施加超声波(见图2中#2)。流体射流单元22通过所述开 口 220将施加了超声波的清洗液喷射至待清洁的物件1的待清洁的区域11 以清洁待清洁的区域11。接触待清洁的区域11的清洗液从流体收集单元3 的出口201排出。根据本实施例的清洁装置,已经施加了超声波的清洗液可 以仅喷射至待清洁的物件1的待清洁的区域11。另外,由于接触待清洁的区 域11的清洗液立即被排出,因此可以保持待清洁的区域11的清洁度。此外, 由于减少了粘附至待清洁的区域11以外的其他区域的清洗液,可以防止杂 质粘附到待清洁的物件1的待清洁的区域11以外的其他区域。因此,改善 了整体清洁质量。
图3为示出了使用图1所示的清洁装置的干燥过程的示意图。干燥单元 5将干燥流体从供给口 203供至清洗槽2中(见图3中#1),并且从出口 204 吸出干燥流体。供至清洗槽2中的干燥流体通过所述开口 220被吸至出口 204
的一侧并干燥待清洁的区域11。根据本实施例的清洁装置,由于所述开口 220向待清洁的区域11的方向凸出,因此靠近待清洁的区域11的干燥流体 的流速大于靠近待清洁的物件1的待清洁的区域11以外的其他区域的干燥 流体的流速。由此可以加快待清洁的区域11的干燥。还可以防止在待清洁 的物件1的待清洁的区域11以外的其他区域产生尘埃。此外,根据本实施 例的清洁装置,可以在清洗槽2中执行干燥过程以提高效率。
以下描述本发明的一个实施例。图4为示出了待清洁的物件的示例的示 意图。待清洁的物件为板60,其具有多个例如用于数码相机等的图像传感器 61 。数十个图像传感器61设置在外部尺寸为150-200 mm x 50-70 mm的板中。 图像传感器61包括例如CCD或CMOS的图像传感器62以及电容63,并且 待清洁的区域1为大约10 mm x 10 mm的安装表面。
图5A和图5B为示出了本发明实施例的清洁装置的示例性内部结构的示意图。图5A示出了清洁装置的示例性内部结构的俯视图。图5B示出了清洁 装置的示例性内部结构的正视图。图5A和图5B所示的清洁装置包括以上参 照图l所述的清洁装置的基本部件(例如流体射流单元、超声波发生单元、 环流单元、干燥单元、流体收集单元等)。所述开口 220根据待清洁的物件 1的待清洁的区域的数目来设置。如图5A和图5B所示的清洁装置还包括供 给基座6,所述供给基座6在清洁装置中的支承位置处支承待清洁的物件1; 收集基座7,所述收集基座7在清洁装置中的收集位置处支承待清洁的物件 1;以及传送单元8,所述传送单元8用于将待清洁的物件1从供给基座6传 送至清洗槽2并随后从清洗槽2传送至收集基座7。供给基座6、清洗槽2 和收集基座7分别具有在图5A中所示的安置部51、 52和53。安置部是放 置待清洁的物件1的部分。传送单元8使用于容置待清洁的物件1的容置部 81 (容置部A)和容置部82 (容置部C)上下左右地移动,因此待清洁的物 件l被传送至供给位置、清洗槽2和收集位置。容置部的数目设置为比待清 洁的物件1所停留的位置的数目少一个,并且每个容置部联动以进行操作。 传送单元8的驱动部(未示出)设置为低于在示意图中产生灰尘的待清洁的 物件1。
包括超声波发生单元21、流体射流单元22和流体收集单元(未示出) 以及传送单元8的清洗槽2被包含在密封壳体中。多个清洗槽2可以设置在 供给基座6与收集基座7之间。
如图6A和图6B所示,本实施例的清洁装置可以具有另一结构,其中干 燥单元5设置在清洗槽2和收集基座7之间。干燥单元5的结构例如为在 待清洁的物件1之下的该干燥单元5的开口大于待清洁的物件1的外部尺寸, 并且通过所述开口吸入上部的空气(upper atmosphere)。在如图6A和图6B 所示的示例性结构中,传送单元8具有三个容置部,即容置部81(容置部A)、 容置部82 (容置部C)和容置部83 (容置部B)。干燥单元5具有如图6A 所示的安置部54。本实施例中所用的清洗液例如为纯净水,干燥流体例如为 清洁干燥气体。此外,供给基座6、清洗槽2、收集基座7和干燥单元5的 各个安置部51、 52、 53和54具有图像传感器(未示出),所述图像传感器 检测待清洁的物件1是否放置在其安置部上并且将检测结果通知传送单元8。
以下参照图7和图8详细描述本实施例的清洁装置中的清洗槽的结构。图7为示出了本实施例的清洁装置的清洗槽的详细示例性结构的俯视图。图 8为示出了本实施例的清洁装置的清洗槽的详细示例性结构的侧视图。如图 7所示,清洗槽2例如为长方体并且其顶部表面具有开口以将待清洁的物件 1放入或取出。用于清洗液的供给口 300和出口 301设置在底面上。超声波 发生单元21也设置在清洗槽2中的底面上。如图8所示,流体射流单元22 通过多个高度调节构件23设置在超声波发生单元21上。超声波发生单元21 与流体射流单元22之间的空间为密封的中空结构。通过多个插入的高度调 节构件23将超声波发生单元21与流体射流单元22之间的距离调节为根据 超声波发生单元21使用的频率(用于施加超声波的频率)确定的合适的距 离(具有较高清洁效率的距离)。高度调节构件23的底部24的接头25以 及在清洗槽2的底面上的供给口 300通过管连接。连接至供给口 300和出口 301的环流单元4将清洗液从供给口 300通过接头25供至中空结构中。在中 空结构填充有清洗液之后,将清洗液从所述开口 220喷射至安置部52的方向。
流体射流单元22的多个开口 220为喷嘴状。在本实施例中,待清洁的 区域例如为矩形,并且所述开口 220的顶部表面具有相同的形状。所述开口 220可以从流体射流单元22移除。所述开口 220的相对的表面的形状和布置 可以根据待清洁的区域的形状和布置改变。例如,在清洁具有高度不同的待 清洁的区域的待清洁的物件的情况中,可以调节所述开口 220的高度以使所 述开口 220与待清洁的区域之间具有一定的距离。此外,清洗液从接头25 冲向超声波发生单元21的上表面,使得在中空结构中的清洗液的压力可以 平衡并且清洗液可以一定的流速从每个开口 220喷射。因此,如图8所示的 清洁装置的结构为当清洗液冲到与流体射流单元22的底面不同的其他表 面(例如超声波发生单元21的上表面)时,清洗液被供给至超声波发生单 元21与流体射流单元22之间的空间。
已经放置待清洁的物件1的安置部52设置在流体射流单元22的上表面 上。设置在流体射流单元22的上表面上的高度调节构件26可以调节流体射 流单元22的开口 220与待清洁的物件1的待清洁的区域之间的距离,所述 待清洁的物件1例如根据清洗液的表面张力、待清洁的物件的材料和待去除 杂质的尺寸放置在安置部52上。例如通过螺栓和螺母调节高度调节构件26。可以使用一种结构,其中例如当通过使用传送单元8 (见图6B)进行清 洁和干燥时,在待清洁的区域与超声波发生单元21之间的距离可以改变。 此外,可以使用一种结构,其中当分别进行清洁和干燥时,在待清洁的区域 与超声波发生单元21之间的距离可以设定为不同的距离。
当从所述开口 220喷射的清洗液由流体射流单元22的上表面向下流至 清洗槽2的底面时,清洗液通过在清洗槽2的底面上的出口 301被排出到槽 的外部。
吸入口可以设置在所述开口 220的外周上以有效地收集在待清洁的区域 与所述开口 220之间的清洗液。此外,可以对所述开口 220的表面和清洗液 进行亲水表面处理。另外,例如陶瓷的多孔物体可以用作开口 220的材料。
图9、图10和图11为示出了本实施例的清洁过程的示例的流程图。在 图9至图11中,以示例的方式描述通过具有如图6至图8所述的结构的清 洁装置进行的清洁过程。通过根据顺序命名的(in the order named)供给步 骤(图9中的步骤SI至S6,)、超声波清洁步骤(图9中的步骤S12至S14)、 漂洗清洁步骤(图10中的步骤S15至S19')以及干燥步骤(图IO中的步骤 S25和图11中的步骤S26至S29')对一种待清洁的物件1执行一系列的清 洁操作。
首先,作为供给步骤,如图6A和图6B所示的传送单元8将容置部A (容置部81)传送至供给位置(图9中的步骤Sl)。打开壳体的门以将待 清洁的物件1放置在供给基座6上,所述供给基座6具有低于供给位置的容 置部A。当闭合门并按压开始按钮时,根据由连接至供给基座6的安置部51 上的图像传感器得到的待清洁的物件1的检测结果,传送单元8确定待清洁 的物件1是否正确放置在安置部51上(步骤S2)。当传送单元8确定待清 洁的物件1没有正确放置在安置部51上时,执行报警步骤(步骤S2')。如 果传送单元8确定待清洁的物件1正确放置在安置部51上,传送单元8升 起容置部A (步骤S3)。容置部A的顶部表面接触待清洁的物件1的下表 面以在升起容置部A期间升起待清洁的物件1。当下述的流速检测单元将清 洗液的流速到达预定的流速通知传送单元8时,在容置部A升起待清洁的物 件1的同时,传送单元8将容置部A传送至清洗槽2的安置部52的上方(步 骤S4)。当容置部A被传送至清洗槽2的安置部52的上方时,传送单元8降低容置部A (步骤S5)。因此,待清洁的物件1放置在安置部52上。
随后,根据由安置部52的图像传感器得到的待清洁的物件1的检测结 果,传送单元8确定待清洁的物件1是否正确放置在安置部52上(步骤S6)。 当传送单元8确定待清洁的物件1没有正确放置在安置部52上时,升起容 置部A (步骤S6'),并且随后返回至步骤S5。当传送单元8确定待清洁的 物件1正确放置在安置部51上时,传送单元8将容置部A传送至供给位置 (步骤S7)。
另一方面,除了供给步骤,例如靠近环流单元4或出口 301 (见图8) 的流速检测单元(未示出)执行检测流向清洗槽2的清洗液的流速是否到达 预定的流速的步骤并且将检测结果通知传送单元8。这就是说,环流单元4 从供给口 300供给清洗液(图9中的步骤S8),并且检测从出口 301排出的 清洗液(步骤S9)。流速检测单元确定清洗液的流速是否到达预定流速(步 骤S10)。当流速检测单元确定清洗液的流速没有到达预定流速时,返回至 步骤SIO。当流速检测单元确定清洗液的流速到达预定流速时,流速检测单 元将清洗液的流速到达预定流速通知传送单元8 (步骤Sll),并且执行步 骤S4。流速到达预定流速的清洗液以预定流速从流体射流单元22的开口 220 喷射至待清洁的区域。
以下对超声波清洁步骤进行描述。当待清洁的物件1正确地放置在安置 部52上时,超声波发生单元21对清洗液施加超声波(步骤S12)。此时, 施加了超声波的清洗液由下方冲向待清洁的物件1的待清洁的区域11,并且 仅清洁待清洁的区域11。超声波发生单元21确定是否经过预定的超声波作 用时间(步骤S13)。如果超声波发生单元21确定没有经过预定的超声波作 用时间,返回至步骤S13。如果超声波发生单元21确定经过预定的超声波作 用时间,超声波发生单元21停止超声波作用步骤(步骤S14),并且执行图 10中的步骤S15。
以下,对漂洗清洁步骤进行描述。当以预定流速从流体射流单元22的 开口 220喷射至待清洁的区域11时,传送单元8等待预定的时间过去(图 10中步骤S15)。当传送单元8等待预定的时间过去时,通过超声波清洁将 漂浮在清洗液中的杂质从靠近待清洁的区域11的区域去除。在经过预定的 时间之后,传送单元8升起容置部B (容置部83)(步骤S16)。因此,容置部B的顶部表面接触待清洁的物件1的下表面,并且升起待清洁的物件1。 当下述的温度检测单元将干燥流体的温度到达预定温度通知传送单元8时, 传送单元8在待清洁的物件1被升起的同时将容置部B传送至干燥单元5的 安置部54的上方(步骤S17)。随后,传送单元8降低容置部B (步骤S18)。 因此,待清洁的物件1放置在安置部54上。根据连接至安置部54的图像传 感器得到的待清洁的物件1的检测结果,传送单元8确定待清洁的物件1是 否正确放置在安置部54上(步骤S19)。当传送单元8确定待清洁的物件1 没有正确放置在安置部54上时,升起容置部B (步骤S19'),并且随后返 回至步骤S18。如果传送单元8确定待清洁的物件1正确放置在安置部54 上,传送单元8将容置部B传送至清洗槽2 (步骤S20)。容置部A与容置 部B联动以进行与供给待清洁的物件1时类似的操作。当待清洁的物件1放 置在供给基座6上时,容置部A将待清洁的物件1放置在清洗槽2的安置部 52上以对待清洁的物件1进行超声波清洁。
除了漂洗清洁步骤,例如,干燥单元5的温度检测单元(未示出)执行 确定从干燥单元5供应的靠近待清洁的物件1已放置其上的安置部54的区 域的、干燥流体的温度是否到达预定温度的步骤,并且将检测结果通知传送 单元8。这就是说,干燥单元5将干燥流体供给至靠近安置部54的区域(图 10中步骤S21),并且加热干燥流体(步骤S22)。干燥单元5的温度检测 单元确定干燥流体的温度是否到达预定温度(步骤S23)。当温度检测单元 确定干燥流体的温度没有到达预定温度时,返回至步骤S22。当温度检测单 元确定干燥流体的温度到达预定温度时,温度检测单元将干燥流体的温度到 达预定温度通知传送单元8 (步骤S24),并且执行步骤S17。
以下对干燥步骤进行描述。当待清洁的物件1正确放置在安置部54上 时,传送单元8等待预定的时间过去(步骤S25)。当传送单元8等待经过 预定时间时,粘附在待清洁的物件1上的清洗液通过漂洗清洁蒸发以去除。 在经过预定时间之后,传送单元8升起容置部C (容置部82)(图11中步 骤S26)。容置部C的顶部表面接触待清洁的物件1的下表面,并且升起待 清洁的物件1。传送单元8在升起待清洁的物件1的同时将容置部C传送至 收集基座7的上方(步骤S27)。传送单元8降低容置部C (步骤S28),并 且待清洁的物件1放置在收集基座7的安置部53上。根据连接至安置部53的图像传感器得到的待清洁的物件l的检测结果,传送单元8确定待清洁的 物件1是否正确放置在安置部53上(步骤S29)。当传送单元8确定待清洁 的物件1没有正确放置在安置部53上时,升起容置部C (步骤S29'),并 且随后返回至步骤S28。当传送单元8确定待清洁的物件1正确放置在安置 部53上时,传送单元8将容置部C传输至干燥单元5 (步骤S30)。容置部 A和容置部B与容置部C联动以进行与供给待清洁的物件1并且超声波清洁 和漂洗清洁时类似的操作。例如,放置在供给基座6上的待清洁的物件1通 过容置部A被传送至清洗槽2的安置部52以进行超声波清洁和漂洗清洁。 放置在安置部52以进行超声波清洁和漂洗清洁的待清洁的物件1通过容置 部B被传送至干燥单元5的安置部54以干燥。
当图4所述的板60由传统清洁方法进行清洁时,外表缺陷率(appearance defect rate)为10至20%。另一方面,当板60由如图6至图8所示的本发明 实施例的清洁装置进行清洁时,外表缺陷率为0.2%。因此,明显改善了清洁 质量。此外,本发明实施例的清洁装置仅清洁待清洁的区域,因此相对于传 统技术可以将由清洁转换至干燥所耗费的时间縮短为十分之一。
本实施例的清洁装置可以用于在物件(例如HDD的磁头、MEMS和光 学组件)的制造过程中清洁待清洁的物件(例如物件或物件的构件)。这就 是说,本实施例的物件的制造方法为制造物件的方法。该方法例如具有放置 在如图1所示的清洗槽2中的清洁步骤以及通过使用由环流单元4供至清洗 槽2中的清洗液去除在待清洁的物件的表面上的杂质(例如物件或物件的构 件)。在清洁步骤中,例如清洗槽2的超声波发生单元21对供至清洗槽2 中的清洗液施加超声波,并且清洗槽2的流体射流单元22从所述开口 220 将施加了超声波的清洗液喷射至待清洁的区域11,所述待清洁的区域11为 所述待清洁的物件1的待清洁的部分,所述开口 220设置在对应于待清洁的 区域ll的位置。
如上所述,根据该清洁装置、该清洗槽、清洁方法和用于制造物件的方 法,可以防止当清洁待清洁的物件时,在待清洁的物件的待清洁的区域以外 的其他区域产生杂质,从而可以实现较高的清洁质量。此外,由于减少了粘 附至待清洁的区域的清洗液,当在清洁之后干燥待清洁的物件时可以防止杂 质的粘附,并且可以縮短干燥时间。根据该清洁装置和该清洗槽,清洗液可以一定的流速由流体射流单元的 每个开口喷射。此外,根据该清洁装置和该清洗槽,当对待清洁的物件施加 超声波时,可以将超声波发生单元与流体射流单元之间的距离调节为根据超
声波发生单元21使用的频率确定的合适的距离(具有较高清洁效率的距离)。 根据该清洁装置和该清洗槽,可以将流体射流单元(其开口)与待清洁 的区域之间的距离调节为根据清洗液的表面张力、待清洁的物件的材料和待 去除杂质的尺寸等确定的合适的距离。此外,根据该清洁装置、该清洗槽和 清洁方法,可以选择性干燥对应于所述开口的待清洁的区域。因此,可以较 短的时间干燥待清洁的物件。
权利要求
1. 一种清洁装置,其将待清洁的物件放置在清洗槽中并且通过使用清洗液去除所述待清洁的物件表面上的杂质,其中所述清洗槽包括超声波发生单元,其对所述清洗液施加超声波,以及流体射流单元,所述流体射流单元具有开口,所述开口位于对应于所述待清洁的区域的位置,所述待清洁的区域为所述待清洁的物件的待清洁的部分,其中已经由超声波发生单元施加了超声波的所述清洗液通过所述流体射流单元的所述开口喷射至所述清洁物件的所述待清洁的区域。
2. 如权利要求1所述的清洁装置,还包括一种结构,其中当所述清洗 液冲向与所述流体射流单元的底面不同的表面时,所述清洗液被供给至所述 超声波发生单元与所述流体射流单元之间的空间。
3. 如权利要求1所述的清洁装置,还包括调节所述超声波发生单元与所述流体射流单元之间的距离的单元;以及调节所述流体射流单元与所述待清洁的区域之间的距离的单元。
4. 如权利要求1所述的清洁装置,还包括干燥单元,所述干燥单元使干燥流体在所述清洗槽中循环,且其通过所述流体射流单元的所述幵口喷射 或吸入所述干燥流体,并且干燥在所述待清洁的物件的所述待清洁的区域上 的所述清洗液。
5. —种清洗槽,其设置在通过清洗液去除待清洁的物件的表面上的杂质的清洁装置中,所述清洗槽包括安置单元,其安置所述待清洁的物件; 超声波发生单元,其对所述清洗液施加超声波;以及流体射流单元,其具有开口,所述开口位于对应于待清洁的区域的位置, 所述待清洁的区域为放置所述待清洁的物件的待清洁的部分,其中,已经由所述超声波发生单元施加了超声波的所述清洗液通过所述 流体射流单元的所述开口喷射至所述待清洁的物件的待清洁的区域。
6. 如权利要求5所述的清洗槽,还包括一种结构,其中当所述清洗液冲向与所述流体射流单元的底面不同的表面时,所述清洗液被供至所述超声 波发生单元与所述流体射流单元之间的空间。
7. 如权利要求5所述的清洗槽,还包括调节所述超声波发生单元与所述流体射流单元之间的距离的单元;以及 调节所述流体射流单元与所述待清洁的区域之间的距离的单元。
8. 如权利要求5所述的清洗槽,其中所述清洗槽通过所述流体射流单 元的所述开口喷射或吸入由干燥单元供应的干燥流体,所述干燥单元使干燥 流体在所述清洗槽中循环,并且干燥在所述待清洁的物件的待清洁的区域上 的所述清洗液。
9. 一种在清洁装置中的清洁方法,所述清洁装置将待清洁的物件放置 在清洗槽中并且通过使用清洗液去除所述待清洁的物件表面上的杂质,所述 清洁方法包括-在所述清洗槽的超声波发生单元中,对所述清洗液施加超声波,以及 在所述清洗槽的流体射流单元中,通过开口将施加了超声波的所述清洗 液喷射至待清洁的区域,所述待清洁的区域为所述待清洁的物件的待清洁的 部分;所述开口设置在对应于所述待清洁的物件的待清洁的区域的位置。
10. —种用于制造物件的方法,包括清洁步骤,将所述物件放置在清洗槽中并且通过使用清洗液将待清洁的 物件的表面上的杂质移除,其中,所述清洁步骤包括在所述清洗槽的超声波发生单元中,对所述清洗液施加超声波,以及 在所述清洗槽的流体射流单元中,通过开口将施加了超声波的所述清洗 液喷射至待清洁的区域,所述待清洁的区域为所述待清洁的物件的待清洁的部分;所述开口设置在对应于所述待清洁的物件的所述待清洁的区域的位 置。
全文摘要
本发明涉及一种清洁装置及清洗槽,在该清洁装置中的清洗槽的超声波发生单元对从供给口供至清洗槽中的清洗液施加超声波,并且具有开口的流体射流单元将施加了超声波的清洗液从所述开口喷射至清洁物件的待清洁的区域,所述开口的位置对应于待清洁的物件的待清洁的区域。
文档编号B08B3/12GK101530852SQ20081019035
公开日2009年9月16日 申请日期2008年12月31日 优先权日2008年3月10日
发明者小林秀祐, 柳田芳明, 野村进直 申请人:富士通株式会社;富士通自控株式会社
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