一种小电流高压硅堆清洗工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种小电流高压硅堆清洗工艺，步骤为：首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗，将经过稀HNO清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成清洗。本发明的优点在于：利用本工艺对焊接后的小电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。
【专利说明】一种小电流高压硅堆清洗工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种小电流高压硅堆清洗工艺。
【背景技术】
[0002] 高压硅堆由多只高压整流二极管(硅粒）串联组成，是高压整流中将交流变成直 流必不可少的原件。由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕(包括老式电 视机，电脑屏幕）中必不可少的部分。有很多厂家生产高压硅堆。电压从1KV~1000KV;电 流从1mA?100Α不等。
[0003] 目前，在行业生产中，对于电流在350mA以下的高压硅堆称为下电流高压硅堆。对 于小电流高压硅堆在生产的过程中，会有一道焊接工序，而在焊接工序后，在小电流高压硅 堆表面长会附着有焊油、灰尘、水汽等杂质，如果直接将这样的高压硅堆作为成品使用，会 对其耐久性、可靠性等性能造成影响，因此研究出一种小电流高压硅堆清洗工艺以去除其 表面的杂质势在必行。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种能够很好的将高压硅堆表面的杂质清洗的 小电流高压硅堆清洗工艺。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种小电流高压硅堆清洗工艺，其创 新点在于：所述步骤为： a) 首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，清洗的时间1^=2228±58,混酸 溶液的温度T=10°C ±2°C，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够 充分与混酸溶液接触； b) 将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动 摆动，以除去高压硅堆表面的混酸溶液； c) 然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀ΗΝ0溶液中进行清洗，清洗的时间 t2=22s± 1S，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀ΗΝ0溶 液接触； d) 将经过稀ΗΝ0清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自 动摆动，以除去高压硅堆表面的稀ΗΝ0溶液； e) 最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，清洗的时间t3=22s±ls，同时，在清 洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触； f) 将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自 动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HF溶液； g) 最后，将高压硅堆放入甩千机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成清洗。 [0006] 进一步的，所述步骤b中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水 清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t5=30s土ls，二级溢水清洗的时间 t6=250s 土 5s。
[0007]进一步的，所述步骤d中的溢水清洗为一道清洗工序，清洗的时间t7=120s±5s。 [000S]进一步的，所述步骤f中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水 清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t 8=30s±ls，二级溢水清洗的时间 t9=250s 土 5s。
[0009]本发明的优点在于：利用本工艺对焊接后的小电流高压硅堆进行清沟，可以很好 的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。
【具体实施方式】
[0010] 本发明的小电流高压硅堆清洗工艺主要包括以下几个步骤： 第一步，首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，清洗的时间1^=2228±58, 混酸溶液的温度T=1(TC ±2°C，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆 能够充分与混酸溶液接触。
[0011] 第二步，将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中， 机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的混酸溶液。
[0012] 本步骤中的，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清 洗，其中一级溢水清洗的时间t5=30s±ls，二级溢水清洗的时间t6=250s±5s。
[0013] 第三步，然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀ΗΝ0溶液中进行清洗，清洗的时间 t2=22s±ls，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀hno溶 液接触。
[0014] 第四步，将经过稀ΗΝ0清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程 中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀ΗΝ0溶液。
[0015] 本步骤中的，溢水清洗为一道清洗工序，清洗的时间t7=120s±5s。
[0016] 第五步，最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，清洗的时间t3=22s± Is, 同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触。
[0017] 第六步，将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中， 机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HF溶液。
[0018] 本步骤中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清 洗，其中一级溢水清洗的时间t8=30s±ls,二级溢水清洗的时间t9=250s±5s。
[0019] 第七步，最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成 清洗。
[0020] 表1为利用本发明的小电流高压硅堆清洗工艺对高压硅堆进行清洗后进行测试 的数据表。测试环境是在温度在25土5°C，相对湿度彡60%条件下，放置2小时以上 24小时 以内后按电性测试条件进行测试。
【权利要求】
1. 一种小电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤为： a) 首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，清洗的时间teZZZsiSs，混酸 溶液的温度T=10°C ±2°C，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够 充分与混酸溶液接触； b) 将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动 摆动，以除去高压硅堆表面的混酸溶液； c) 然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗，清洗的时间 t2=22s± ls，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HNO溶 液接触； d) 将经过稀HNO清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自 动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HNO溶液； e) 最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，清洗的时间t3=22s±ls，同时，在清 洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触； f) 将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自 动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HF溶液； g) 最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成清洗。
2. 根据权利要求1所述的小电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤b中的溢 水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的 时间t 5=30s±ls，二级溢水清洗的时间t6=250s±5s。
3. 根据权利要求1所述的小电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤d中的溢 水清洗为一道清洗工序，清洗的时间t7=120s±5s。
4. 根据权利要求1所述的小电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤f中的溢 水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的 时间t 8=30s±ls，二级溢水清洗的时间t9=250s±5s。
【文档编号】B08B3/08GK104241098SQ201410519686
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】黄丽凤, 王志敏, 张龙 申请人:如皋市大昌电子有限公司