高压硅堆二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种二极管，具体为一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒，所述钼粒的一端与晶片相连接，所述钼粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。本实用新型的高压硅堆二极管，采用多个晶粒串联，反向电压可达到1万伏以上，晶片表面镀铝，在晶片与焊片之间加设有一个钼粒，采用钼粒作为缓冲层，钼粒与晶粒的热膨胀系数接近，在温度突变时可以缓冲因热胀冷缩带来的内应力，确保晶粒不失效，极大的提高了产品的可靠性；同时晶片外面采用玻璃作为钝化层，结温可以到175度。
【专利说明】高压硅堆二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种二极管，具体为一种高压硅堆二极管。
【背景技术】
[0002]目前常用的二极管反向电压一般为1500V以内，结温一般为125度，焊接方式为晶粒与铜引线直接焊接，因铜引线的热膨胀系数与晶粒的热膨胀系数有较大差异，故在温度突变时，铜引线会给晶粒一个内应力，当应力较大时，可能会导致晶粒失效，从而导致产品失效；这样二极管在使用中的寿命短，可靠性差。
实用新型内容
[0003]本实用新型针对现有技术存在的不足，提供一种高压硅堆二极管，极大的提升了二极管的耐压能力，解决了传统的二极管的方边角不易保护、在高温或高压下容易损伤的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:
[0005]一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，所述的晶片两端通过焊片固定有一个钥粒，所述钥粒的一端与晶片相连接，所述钥粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。
[0006]进一步，本实用新型的一种优选方案:所述晶片由8-16个晶粒组成，优选晶粒为12个，所述的晶粒串联固定在一起。多颗晶粒串联，使二极管反向电压可达到I万V以上。
[0007]进一步，本实用新型的一种优选方案:所述的晶粒为方形。
[0008]进一步，本实用新型的一种优选方案:所述晶片外包覆有铝膜。在晶片外包覆铝膜，方便钥粒与晶片焊接固定在一起。
[0009]进一步，本实用新型的一种优选方案:所述的引线为铜包钢线。
[0010]进一步，本实用新型的一种优选方案:所述的引线表面镀有锡膜，可以延缓引线氧化速度，提闻引线的寿命。
[0011]本实用新型的有益效果是:
[0012]本实用新型的高压硅堆二极管，采用多个晶粒串联，反向电压可达到I万伏以上，晶片表面镀铝，在晶片与焊片之间加设有一个钥粒，采用钥粒作为缓冲层，钥粒与晶粒的热膨胀系数接近，在温度突变时可以缓冲因热胀冷缩带来的内应力，确保晶粒不失效，极大的提高了产品的可靠性；同时晶片外面采用玻璃作为钝化层，结温可以到175度。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0014]图1为本实用新型的整体结构示意图；
[0015]其中，I为引线，2为玻璃体，3为焊片，4为钥粒，5为铝膜，6为晶粒。
【具体实施方式】
[0016]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0017]如图1所示，一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体2，所述的玻璃体2的内部设置有晶片，所述晶片由8-16个晶粒6组成，优选晶粒6为12个，所述的晶粒6串联固定在一起，所述的晶片两端通过焊片3分别固定有一个钥粒4，所述钥粒4的一端与晶片相连接，所述钥粒4的另一端设置有焊片3，所述的焊片3固定有引线I。
[0018]优选地:所述的晶粒6为方形。
[0019]优选地:所述晶片外包覆有铝膜5。在晶片外包覆铝膜，方便钥粒与晶片焊接固定
在一起。
[0020]优选地:所述的引线I为铜包钢线。
[0021]优选地:所述的引线I表面镀有锡膜，可以延缓引线氧化速度，提高引线的寿命。
[0022]本实用新型的高压硅堆二极管经过测试和客户的使用，高压硅堆二极管的向电压可达到I万伏上，结温可以到175度，晶片经过长久的使用，晶粒没有出现失效的问题，极大的提闻了广品的可罪性。
[0023]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，其特征在于:所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钥粒，所述钥粒的一端与晶片相连接，所述钥粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。
2.根据权利要求1所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述晶片由8-16个晶粒组成，所述的晶粒串联固定在一起。
3.根据权利要求2所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述晶片由12个晶粒组成。
4.根据权利要求2所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述的晶粒为方形。
5.根据权利要求1所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述晶片外包覆有铝膜。
6.根据权利要求1-5任一项所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述的引线为铜包钢线。
7.根据权利要求1-5任一项所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述的引线表面镀有锡膜。
8.根据权利要求6所述的高压硅堆二极管，其特征在于:所述引线表面镀有锡膜。
【文档编号】H01L23/488GK203491256SQ201320574549
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2013年9月16日
【发明者】董志强 申请人:海湾电子(山东)有限公司