专利名称：一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法
技术领域：
本发明涉及一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法。
背景技术：
SiC陶瓷材料具有优良的热学、力学、化学和电学性能，但其广泛应用受限于后期加工困难，材料的可靠性低等因素。20世纪90年代发展起来的新型胶态成型技术可成功制备异形、微观结构均一、材料性能优越且可靠性高的陶瓷材料。然而这些技术几乎都面临同一个关键的技术难题——制备低粘度、高固相含量的料浆，它要求浆料的固含量一般应大于50％体积分数，因此，高固含量浆料的制备就成为胶态成型所必须解决的关键环节。
中国专利94117816公开了一种碳化硅上的转化涂层，属于一种无机材料的包渗方法，是在碳化硅表面获得无机化合物涂层以改善其防腐蚀性。由于它是粘合在碳化硅表面，易脱落，此外，无机物被腐蚀后的残留物易沉降在碳化硅表面，造成污染。
陶瓷料浆中，粉体的稳定分散主要通过静电效应、空间位阻或静电空间位阻效应实现。已有文献采用以偶联剂为基础层、有机聚电解质为分散功能层的双层包覆体系，通过化学键合作用对SiC超微细粉进行有机包覆表面改性。由于是双层包覆，要加入偶联剂，因此工艺复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种辐射接枝碳化硅表面改性方法。
本发明由于采用辐射接枝聚合方法，使带有极性的有机物直接结合在碳化硅的表面，有机包覆改性不但使粉体表面可溶性离子的吸附量减少，而且在粉体表面形成了完整的有机包覆层，这层物质为粉体提供了新的表面性质，提高了粉体的分散性能。
本发明首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1～5的混合溶液浸泡1～4小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用2～20M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为5～50％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于40～120℃下，反应1～6小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后为所得产物。
具体实施例方式
实施例1本方法首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶5的混合溶液浸泡1小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用2Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为5％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于40℃下，反应1小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物。接枝率为1％。
实施例2本方法首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶2的混合溶液浸泡2小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用20M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为10％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于60℃下，反应2小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物。接枝率为8％。
实施例3本方法首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶3的混合溶液浸泡3小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用10M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为20％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于80℃下，反应3小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后为所得产物。接枝率为6％。
实施例4本方法首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶4的混合溶液浸泡4小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用15M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为30％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于100℃下，反应4小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物。接枝率为10％。
实施例5本方法首先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1的混合溶液浸泡4小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用5M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后立即与重量比为50％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于120℃下，反应6小时后，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物。接枝率为8％。
权利要求
1.一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法，其特征在于先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1～5的混合溶液浸泡1～4小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用2～20MRad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后与重量比为5～50％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于40～120℃下，反应1～6小时，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物，接枝率在1～10％。
全文摘要
本发明属于一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法，先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1～5的混合溶液浸泡1～4小时；取出后，用去离子水冲洗干净并烘干，放入钴源，采用2～20M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照，取出后与重量比为5～50％的丙烯酸钠溶液混合搅拌，于40～120℃下，反应1～6小时，取出并用去离子水清洗3次，烘干后得产物。接枝率在1～10％。
文档编号C04B35/626GK1636937SQ200410011269
公开日2005年7月13日 申请日期2004年11月26日 优先权日2004年11月26日
发明者李志强, 谭颖, 牛艳奔, 郭永利, 张志成, 潘振远, 窦艳丽 申请人:中国科学院长春应用化学研究所