一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺的制作方法

文档序号:9428739阅读:394来源:国知局
一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺的制作方法
【专利说明】一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及硅片切割领域,尤其涉及一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺。
[0003]
【背景技术】
[0004]在当今的多晶硅片切割环节,首先会对破锭后硅块表面进行抛光,增加表面硬度然后进行切割。切割过程中普遍使用钢线带动砂浆对硅块磨削完成整个切割过程。砂浆是由碳化硅加切割液组成,其中碳化硅作为磨料对硅块进行磨削完成切割。在生产中一般使用环氧树脂胶将硅块与玻璃粘接,粘接完成后胶层厚度很薄,一般在0.2_左右。现在切割过程一般使用钢线单向(自左向右或自右向左)切割,硅块的切割面一般为156mm*156mm的正方形。在切割到硅块最底部时,由于胶层厚度很薄,而且碳化硅颗粒由于切割过程即将完成所以碳化硅的切割能力下降明显。在切透硅块的瞬间由于胶层较薄相当于钢线直接切割硅块与玻璃,由于两者硬度极为接近且均为平面,在失去了胶层的缓冲作用下,由于单向切害J,含有碳化硅的砂浆会从在单向切割过程中损失逐渐加大,造成出线侧砂浆量少,从而引起底部的崩边,影响硅片的切割质量。
[0005]所以,如何提供一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺,克服现有技术中的种种缺陷,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
[0006]

【发明内容】

[0007]有鉴于此,本发明提供了一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺,解决现有技术中存在的问题,具体方案如下:
一种减少娃块切割崩边的玻璃,包括玻璃本体,其特征在于:在所述玻璃本体的至少一个表面上具有若干条凹槽,所述玻璃本体的厚度Dl为8mm-15mm,所述凹槽的深度D2为60um_150um,所述凹槽的槽间距W为60 um _150um。
[0008]优选的,所述凹槽的横截面形状为三角形。
[0009]优选的,所述凹槽的横截面形状为梯形。
[0010]优选的,所述凹槽的横截面形状为U形。
[0011]优选的,所述玻璃本体的厚度Dl为120m。
[0012]优选的,所述玻璃本体的长度为520mm,宽度为126mm。
[0013]优选的,所述凹槽的尺寸和导轮槽一致。
[0014]—种基于上述减少硅块切割崩边的玻璃的粘接方法,其特征在于:包括以下步骤, 步骤SI:所述玻璃有凹槽的一面向上,另一面用AB胶粘贴在托盘上,所述AB胶重量配比A胶:B胶为1:1,固化10-20分钟; 步骤S2:取树脂胶的A组分和B组分,按重量比A:B为2:1的比例称重,混合均匀,均匀涂覆在硅棒底面和所述玻璃有凹槽的一面上,静置2分钟;
步骤S3:将S2中所述的硅棒底面以及所述玻璃有凹槽的一面粘合,均匀用力挤压,将粘接面内的气泡挤出,静置10-20分钟;
步骤S4:擦除S3中粘接牢固后接缝处多余的树脂胶粘合剂,静置4-5小时固化,完成粘接。
[0015]优选的,所述步骤SI中固化时间为15分钟。
[0016]优选的,所述步骤S2中在树脂胶质量总和的基础上添加8-12%的硅粉。
[0017]本发明提供的减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺,具有以下三方面的有益效果:1、在玻璃上增加凹槽,使切割收尾更加平稳,减少了切割时崩边硅片的产出量,一定程度上减小了切割液的用量,提高了切割质量,降低了切割成本。2、切割工艺针对凹槽玻璃设定,使切割时候玻璃的粘接更加牢固。3、在粘接玻璃的环节增加了娃粉为添加剂,提高了粘接的硬度和强度,减少切割收尾时崩边片的产出,提高了切割质量。
[0018]
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为减少硅块切割崩边的玻璃的俯视图;
图2为减少硅块切割崩边的玻璃的侧视图;
图3为凹槽横截面形状为三角形时A局部放大图;
图4为凹槽横截面形状为梯形时A局部放大图;
图5为凹槽横截面形状为U形时A局部放大图;
图中:1、玻璃本体2、凹槽
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0021]参照图1和图2所示的减少硅块切割崩边的玻璃,包括玻璃本体1,在所述玻璃本体I的至少一个表面上具有若干条凹槽2,所述玻璃本体I的厚度Dl为8mm-15mm,所述凹槽2的深度D2为60um _150um,所述凹槽2的槽间距W为60 um _150um。
[0022]将玻璃体I表面增加一定深度的凹槽2,当钢线切割到硅块底部与玻璃连接处(SP胶层)时,由于玻璃体I表面带有凹槽2,相当于胶层厚度增加,由于胶层硬度远低与硅块或玻璃的硬度,并且且有一定弹性,能有一定缓冲作用,当带有砂浆的钢线切割到胶层时容易切过胶层。而且由于切割到硅块底部后会先切割到胶层,减少了玻璃与硅块的接触,从而减少崩边硅片的产生。并且同时该切割对砂浆切割能力的要求也有所降低,从而可以减少砂浆的使用量,达到降低成本的目的。
[0023]参见图3,作为本实施例的优选,所述凹槽2的横截面形状为三角形。
[0024]参见图4,作为本实施例的另一个优选,所述凹槽2的横截面形状为梯形。
[0025]参见图5,作为本实施例的再一个优选,所述凹槽2的横截面形状为U形。
[0026]具体的,所述玻璃本体I的厚度Dl为12mm。
[0027]具体的,所述玻璃本体I的长度为520mm,宽度为126mm。
[0028]具体的,所述凹槽2的尺寸和导轮槽(钢线承载体,未图示)一致,可以保证切割时钢线顺利在凹槽2内不偏移,保证切割时候钢线的垂直角度,从而进一步减小崩边硅片产生的机会。
[0029]本发明还要求保护一种基于上述减少硅块切割崩边的玻璃的粘接方法,包括以下步骤,
步骤SI:所述玻璃有凹槽的一面向上,另一面用AB胶粘贴在托盘上,所述AB胶重量配比A胶:B胶为1:1,固化10-20分钟;
步骤S2:取树脂胶的A组分和B组分,按重量比A:B为2:1的比例称重,混合均匀,均匀涂覆在硅棒底面和所述玻璃有凹槽的一面上,静置2分钟,静置片刻可以使树脂胶更深入的全部进入凹槽内,提高粘接的牢固程度。
[0030]步骤S3:将S2中所述的硅棒底面以及所述玻璃有凹槽的一面粘合,均匀用力挤压,将粘接面内的气泡挤出,静置10-20分钟;
步骤S4:去除S3中粘接牢固后接缝处多余的树脂胶粘合剂,静置4-5小时固化,完成粘接。
[0031]优选的,所述步骤SI中固化时间为15分钟。
[0032]优选的,所述步骤S2中在树脂胶质量总和的基础上添加8-12%的硅粉,在粘合过程中添加少量的添加剂,可以增强粘合剂固化后的硬度,提高胶的硬度和切割后的良品率,进一步达到减少硅块切割崩边的目的,现有技术中有添加碳化硅的案例(申请号CN201210462887.7),但是碳化硅硬度大,钢线一旦切割到碳化硅颗粒后,容易出现切偏现象,而添加了硅粉的粘合剂就不存在上述缺点,硅粉的加入使切割的收尾阶段更平稳,更进一步的减少了崩边硅片的产生。
[0033]优选的,静置固化时间为4小时。
【主权项】
1.一种减少硅块切割崩边的玻璃,包括玻璃本体,其特征在于:在所述玻璃本体的至少一个表面上具有若干条凹槽,所述玻璃本体的厚度Dl为8mm-15mm,所述凹槽的深度D2为60um _150um,所述凹槽的槽间距W为60 um _150um。2.根据权利要求1所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述凹槽的横截面形状为三角形。3.根据权利要求1所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述凹槽的横截面形状为梯形。4.根据权利要求1所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述凹槽的横截面形状为U形。5.根据权利要求1-4任一项所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述玻璃本体的厚度Dl为12mm。6.根据权利要求5所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述玻璃本体的长度为520mm,宽度为126mm。7.根据权利要求1所述的减少硅块切割崩边的玻璃,其特征在于:所述凹槽的尺寸和导轮槽一致。8.—种基于权利要求1所述的减少硅块切割崩边的玻璃的粘接方法,其特征在于:包括以下步骤, 步骤SI:所述玻璃有凹槽的一面向上,另一面用AB胶粘贴在托盘上,所述AB胶重量配比A胶:B胶为1:1,固化10-20分钟; 步骤S2:取树脂胶的A组分和B组分,按重量比A:B为2:1的比例称重,混合均匀,均匀涂覆在硅棒底面和所述玻璃有凹槽的一面上,静置2分钟; 步骤S3:将S2中所述的硅棒底面以及所述玻璃有凹槽的一面粘合,均匀用力挤压,将粘接面内的气泡挤出,静置10-20分钟; 步骤S4:擦除S3中粘接牢固后接缝处多余的树脂胶粘合剂,静置4-5小时固化,完成粘接。9.根据权利要求8所述的粘接方法,其特征在于:所述步骤SI中固化时间为15分钟。10.根据权利要求8所述的粘接方法,其特征在于:所述步骤S2中在树脂胶质量总和的基础上添加8-12%的硅粉。
【专利摘要】本发明提供了一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺,在玻璃上增加凹槽,使切割收尾更加平稳,减少了切割时崩边硅片的产出量,一定程度上减小了切割液的用量,提高了切割质量,降低了切割成本。切割工艺针对凹槽玻璃设定,使切割时候玻璃的粘接更加牢固。在粘接玻璃的环节增加了硅粉为添加剂,提高了粘接的硬度和强度,减少切割收尾时崩边片的产出,提高了切割质量。
【IPC分类】B28D5/04, B28D7/04
【公开号】CN105150397
【申请号】CN201510707321
【发明人】王辉, 王丙宽
【申请人】天津英利新能源有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年10月27日
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