抗静电性剥离薄膜的制作方法
【专利摘要】在基底薄膜的至少一面形成抗静电层、在该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成的抗静电性剥离薄膜的该抗静电层含有：成分(a)使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物、成分(b)水溶性成膜用树脂和成分(c)抗静电剂。硅酸烷基酯具有式(1)的结构，偶联剂具有式(2)的结构：。
【专利说明】抗静电性剥离薄膜
【技术领域】
[0001] 本发明涉及在基底薄膜的一面形成有抗静电层、在该抗静电层上进一步形成有硅 酮类剥离层的抗静电性剥离薄膜。
【背景技术】
[0002] 对于各向异性导电薄膜（ACF)等所使用的剥离薄膜，不仅要求良好的剥离性，而 且，为了防止由带电导致的异物向ACF的附着、操作性的降低，还要求显示良好的抗静电 性，作为这样的剥离薄膜，提出了在聚酯薄膜等基底薄膜上设置有抗静电层、进而在该抗静 电层上设置有硅酮类剥离层的剥离薄膜，所述抗静电层含有异氰酸酯与通常用作表面活性 剂的烷基乙炔二醇的反应物且含有导电性高分子作为抗静电剂（专利文献1)。
[0003] 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2007-83536号公报。
【发明内容】
[0004] 发明所要解决的课题 但是，在专利文献1所提出的抗静电性剥离薄膜的情况下，由于抗静电层所含有的烷 基乙炔二醇为表面活性剂，所以有抗静电层与硅酮类剥离层之间的粘附性降低的问题。该 问题有在将抗静电性剥离薄膜长时间放置于高温高湿环境下时显著显现的趋势。因此，在 抗静电性剥离薄膜上层压ACF的情况下，担心发生硅酮类剥离层向ACF侧的转移和粘附而 妨碍ACF特性的发挥。
[0005] 本发明的课题在于解决以上目前的问题，在基底薄膜的一面形成有抗静电层、该 抗静电层上进一步形成有硅酮类剥离层的抗静电性剥离薄膜中，在显示令人满意的剥离力 和表面电阻值的同时，也使在放置于高温高湿环境下时抗静电层与硅酮类剥离层之间的粘 附性为良好的水平。
[0006] 解决课题的手段 本发明人发现，通过使抗静电层中含有使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应 而得到的缩合反应物、水溶性成膜用树脂和抗静电剂，可解决上述课题，从而完成本发明。
[0007] 即，本发明提供抗静电性剥离薄膜，所述抗静电性剥离薄膜是在基底薄膜的一面 形成抗静电层、在该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成，其中，该抗静电层含有以下 成分（a)~(c): (a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物， (b) 水溶性成膜用树脂，和 (c) 抗静电剂。
[0008] 另外，本发明提供在该抗静电性剥离薄膜上层压有双面粘合薄膜的带有剥离薄膜 的胶带。
[0009] 发明的效果 在基底薄膜的一面形成抗静电层、该抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成的本发 明的抗静电性剥离薄膜中，该抗静电层含有使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应 而得到的缩合反应物。因此，在抗静电层相对于聚酯薄膜等基底薄膜确保良好的粘附性的 同时，相对于硅酮类剥离层，例如在放置于高温高湿环境下时也可确保良好的粘附性。另 夕卜，水溶性成膜用树脂可将缩合反应物和抗静电剂一同在水性介质中均匀地混合，可提供 操作性优异的抗静电层形成用涂料组合物。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 图1为本发明的抗静电性剥离薄膜的示意截面图。
【具体实施方式】
[0011] 如图1所示，本发明的抗静电性剥离薄膜具有在基底薄膜1的一面形成有抗静电 层2、在该抗静电层2上进一步形成有硅酮类剥离层3的结构。
[0012] 〈〈基底薄膜1>> 基底薄膜1可应用目前的剥离薄膜的基底薄膜，通常可使用厚度为1〇~200ym的聚对 苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰胺薄膜、聚酰亚胺薄膜等。
[0013] <〈抗静电层2>> 抗静电层2通常为厚度0.05~0.5ym的含有以下成分（a)~(c)的层： (a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物， (b) 水溶性成膜用树脂，和 (c) 抗静电剂。
[0014] 以下，对上述各成分进行详细说明。
[0015]〈成分（a)> 成分（a)为使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物。
[0016] 此处，硅酸烷基酯为具有键合于硅原子的烷氧基作为可被水解的水解性基团的硅 酸酯，具体而言为具有式（1)所示的结构的化合物，可使用市售品。
【权利要求】
1. 抗静电性剥离薄膜，所述抗静电性剥离薄膜是在基底薄膜的一面形成抗静电 层、在所述抗静电层上进一步形成硅酮类剥离层而成，其中，所述抗静电层含有以下成分 (a)-(c)： (a) 使硅酸烷基酯的水解物与偶联剂发生缩合反应而得到的缩合反应物， (b) 水溶性成膜用树脂，和 (c) 抗静电剂。
2. 权利要求1的抗静电性剥离薄膜，其中，硅酸烷基酯为以式（1)表示的化合物：
在式（1)中，Rl为烷基，n为1以上的整数。
3. 权利要求1或2的抗静电性剥离薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解物的数均分子量为 200-500〇
4. 权利要求2的抗静电性剥离薄膜，其中，Rl为碳原子数1~3的烷基，n为3~8的整 数。
5. 权利要求4的抗静电性剥离薄膜，其中，Rl为甲基，n为5。
6. 权利要求1~5中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，硅酸烷基酯的水解程度为所有 ORl基的数量的50%以上被水解而生成羟基的程度。
7. 权利要求1~6中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，偶联剂为以式（2)表示的化合 物：
在式（2)中，R2为可被烷氧基取代的烷基或酰氧基，Y为缩水甘油基氧基、环氧基、氨 基、乙條基、條丙基、（甲基）丙條醜氧基、疏基、异氛酸醋基或脈基、碳原子数1~3的烧硫基， P为〇~2的整数，q为0~3的整数。
8. 权利要求7的抗静电性剥离薄膜，其中，R2为甲基，Y为缩水甘油基氧基，p为0,q为3。
9. 权利要求1~8中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，缩合反应物为使200~300质量 份的偶联剂与100质量份的硅酸烷基酯的水解物发生缩合反应而得。
10. 权利要求1~9中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，水溶性成膜用树脂为相对于 IOOg的20°C的水至少溶解IOg的聚酯树脂。
11. 权利要求1~1〇中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，成分（c)的抗静电剂为导电 性高分子。
12. 权利要求11的抗静电性剥离薄膜，其中，导电性高分子具有以下列式⑶或（4) 表示的结构：
在式中，m为重复单元数。
13. 权利要求1~12中任一项的抗静电性剥离薄膜，其中，抗静电层含有45~65质量％ 的成分（a)的缩合反应物、10~30质量％的成分（b)的水溶性成膜用树脂、20~30质量％的 成分（c)的抗静电剂，成分（a)与成分（b)的质量基准的含量比为100:200~300。
14. 带有剥离薄膜的胶带，其中，在权利要求1~13中任一项的抗静电性剥离薄膜上层 压有双面粘合薄膜。
15. 权利要求14的带有剥离薄膜的胶带，其中，双面粘合薄膜为各向异性导电薄膜。
【文档编号】B32B27/00GK104507671SQ201380039382
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年7月25日 优先权日:2012年7月25日
【发明者】长岛稔 申请人:迪睿合电子材料有限公司