例，第三电源电压可以被改变以降低显示面板的功耗。例如，一个实施例可以在正常模式下供应第三电源电压作为第一电压并且在黑色灰度模式下供应第三电源电压作为比第一电压高的第二电压。关于图4更详细地描述在第三电源电压改变时驱动晶体管的栅电极的电压变化。
[0066]图4是示出根据一个实施例的、驱动晶体管的栅电极和有机发光二极管的阳极之间的第一寄生电容和第二寄生电容、以及有机发光二极管的阳极和低电压线之间的第三寄生电容的示例的电路图。参考图4，第一寄生电容PCl形成在驱动晶体管的栅电极GE和第一电源电压线ViniL之间。第二寄生电容PC2形成在有机发光二极管的阳极AND和第一电源电压线ViniL之间。第三寄生电容Coled形成在有机发光二极管的阳极AND和第三电源电压线VSSL之间。
[0067]当第三电源电压改变时，第三电源电压的电压改变可以通过第三寄生电容Coled被施加至有机发光二极管的阳极AND。因此，有机发光二极管的阳极AND的电压可以改变。然而，第一电源电压不受有机发光二极管的阳极AND的电压改变影响，因为第一电源电压是直流(DC)电压。因此，驱动晶体管的栅电极GE的电压不受有机发光二极管的阳极AND的电压改变影响。结果，一个实施例可以防止或降低在第三电源电压(例如，供应至第三电源电压线VSSL的电压)改变时由像素P的寄生电容引起的驱动晶体管的栅电极GE的电压改变。
[0068]图5是示出被输入到图3的像素内的信号的波形图。图5示出在第q个帧时段FRq和第(q+Ι)个帧时段FRq+1期间的第(k_l)条扫描线SLk-1的第(k_l)个扫描信号SCANk-1、第k条扫描线SLk的第k个扫描信号SCANk、以及第k条发射线EMLk的第k个发射信号EMk，其中q是正整数。
[0069]参考图5，第(k-Ι)个扫描信号SCANk-1用于控制第二晶体管ST2和第四晶体管ST4，第k个扫描信号SCANk用于控制第一晶体管STl和第三晶体管ST3，并且第k个发射信号EMk用于控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。每个扫描信号和每个发射信号可以具有一个帧时段的周期。
[0070]每个扫描信号可以在一个水平时段期间具有栅极导通电压Von。一个水平时段指向在水平线上布置的像素供应数据电压的时段。这里，在水平线上布置的像素指联接至一条扫描线的像素。数据电压与每个扫描信号的栅极导通电压Von同步地被供应。
[0071]—个帧时段包括第一时段tl、第二时段t2和第三时段t3。第一时段tl是初始化驱动晶体管DT的栅电极和有机发光二极管OLED的阳极的时段。第二时段t2是向第一节点NI供应数据电压并检测驱动晶体管DT的阈值电压的时段。第三时段t3是根据驱动晶体管DT的漏极至源极电流Ids从有机发光二极管OLED发射光的时段。
[0072]第(k-Ι)个扫描信号SCANk-1可以在第一时段tl期间具有栅极导通电压Von，并且在第二时段t2和第三时段t3期间具有栅极截止电压Voff。第k个扫描信号SCANk可以在第二时段t2期间具有栅极导通电压Von，并且在第一时段tl和第三时段t3期间具有栅极截止电压Voff。第k个发射信号EMk可以在第三时段t3期间具有栅极导通电压Von，并且在第一时段tl和第二时段t2期间具有栅极截止电压Voff。栅极导通电压Von指用于导通第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的电压，并且栅极截止电压Voff指用于截止第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的电压。
[0073]图6是图示用于驱动图3的像素的方法的流程图。图7A、图7B和图7C是图3的像素在第一时段、第二时段和第三时段期间的电路图。结合图5、图6、图7A、图7B和图7C更详细地描述用于在第一时段tl、第二时段t2和第三时段t3期间驱动图3的像素P的方法。
[0074]首先，如图5所示，在第一时段tl期间，向像素P供应具有栅极导通电压Von的第(k-Ι)个扫描信号SCANk-1。在第一时段tl期间向像素P供应具有栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk以及具有栅极截止电压Voff的第k个发射信号EMk。
[0075]参考图7A，第二晶体管ST2和第四晶体管ST4被具有栅极导通电压Von的第(k_l)个扫描信号SCANk-1导通。第一晶体管STl和第三晶体管ST3被具有栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk截止。第五晶体管ST5和第六晶体管ST6被具有栅极截止电压VofT的第k个发射信号EMk截止。
[0076]因为第二晶体管ST2在第一时段tl期间被导通，所以第一节点NI被初始化成第一电源电压线ViniL的第一电源电压。而且，因为第四晶体管ST4在第一时段tl期间被导通，所以有机发光二极管OLED的阳极被初始化成第一电源电压线ViniL的第一电源电压。第一电源电压可以基本上与第三电源电压相同，以防止有机发光二极管OLED发光。(参见图6中的S101) ο
[0077]第二，如图5所示，在第二时段t2期间，向像素P供应具有栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk。在第二时段t2期间向像素P供应具有栅极截止电压Voff的第(k-1)个扫描信号SCANk-1和具有栅极截止电压VofT的第k个发射信号EMk。
[0078]参考图7B，第一晶体管STl和第三晶体管ST3被具有栅极导通电压Von的第k个扫描信号SCANk导通。第二晶体管ST2和第四晶体管ST4被具有栅极截止电压Voff的第(k-Ι)个扫描信号SCANk-1截止。第五晶体管ST5和第六晶体管ST6被具有栅极截止电压Voff的第k个发射信号EMk截止。
[0079]因为第一晶体管STl被导通，所以第一节点NI电联接至第三节点N3，因此驱动晶体管DT是二极管联接的。而且，因为第三晶体管ST3被导通，所以第二节点N2电连接至第j条数据线DLj，因此第j条数据线DLj的数据电压被供应至第二节点N2。
[0080]因为栅极-源极电压“Vin1-Vdata”小于驱动晶体管DT的阈值电压，所以驱动晶体管DT的漏极至源极电流Ids流动，直至驱动晶体管DT的栅极-源极电压达到驱动晶体管DT的阈值电压。因此，第一节点NI的电压上升至“Vdata+Vth”。第一节点NI的电压“Vdata+Vth”被存储在电容器C中。例如，驱动晶体管DT的阈值电压可以在第二时段t2期间被电容器C检测。Vini指第一电源电压，并且Vdata指数据电压，而Vth指驱动晶体管DT的阈值电压。(参见图6中的S102)。
[0081]第三，如图5所示，在第三时段t3期间，向像素P供应具有栅极导通电压Von的第k个发射信号EMk。在第三时段t3期间向像素P供应具有栅极截止电压Voff的第(k-1)个扫描信号SCANk-1以及具有栅极截止电压Voff的第k个扫描信号SCANk。
[0082]参考图7C，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6被具有栅极导通电压Von的第k个发射信号EMk导通。第二晶体管ST2和第四晶体管ST4被具有栅极截止电压Voff的第(k_l)个扫描信号SCANk-1截止。第一晶体管STl和第三晶体管ST3被具有栅极截止电压VofT的第k个扫描信号SCANk截止。
[0083]因为第五晶体管ST5被导通，所以第二节点N2电联接至第二电源电压线VDDL。由于第六晶体管ST6被导通，所以第三节点N3电联接至有机发光二极管OLED的阳极。因此，驱动晶体管DT的漏极至源极电流Ids被供应至有机发光二极管0LED。由于第一节点NI的电压“Vdata+Vth”被存储至电容器C，所以驱动晶体管DT的漏极至源极电流Ids在下列公式中被表示:
[0084]Ids= k, * (Vgs-Vth)2= kr.((Vdata+Vth)-ELVDD-Vth) 2 (2)
[0085]其中k’代表由驱动晶体管DT的结构和物理属性确定的比例系数，Vgs代表驱动晶体管DT的栅极-源极电压，Vth代表驱动晶体管DT的阈值电压，Vdata代表数据电压，并且ELVDD代表第二电源电压。驱动晶体管DT的栅极电压Vg是Vdata+Vth，并且驱动晶体管DT的源极电压Vs在第三时段t3期间是ELVDD。为了总结公式2，驱动晶体管DT的漏极至源极电流Ids被推导为如下列公式所表示的:
[0086]Ids= k,.(Vdata-ELVDD) 2 (3)
[0087]因此，漏极至源极电流Ids不依赖于驱动晶体管DT的阈值电压，如公式3中。因此，本发明的一个实施例可以补偿驱动晶体管DT的阈值电压Vth。(参见图6中S103)
[0088]相应地，一个实施例可以补偿驱动晶体管DT的阈值电压Vth。结果，因为漏极至源极电流Ids不依赖于驱动晶体管DT的阈值电压，所以一个实施例可以降低或最小化显示面板的像素之间的亮度差。
[0089]图8是图示图3的驱动晶体管和第一晶体管的示例的平面图。图9是图8的A_A’的剖面图。下文中，参考图8和图9详细地描述驱动晶体管DT的栅电极GE、第一晶体管STl的第二电极DEl和第一晶体管STl的有源层ACT_ST1的连接。
[0090]参考图8和图9，包括驱动晶体管DT的有源层ACT_DT和第一晶体管STl的有源层ACT_ST1的有源图案ACT形成在显示面板10的下基板101上。可替代地，有源图案ACT可以形成在下基板101上的缓冲层上。有源图案ACT可以由多晶硅、Si和氧化物等之一形成。
[0091]栅极绝缘体GI形成在有源图案ACT上。栅极绝缘体GI可以由SiNx (硅氮化物)形成。
[0092]包括驱动晶体管DT的栅电极GE、第k条扫描线SLk和第一晶体管STl的栅电极GE_ST1的第一栅极金属图案GMl形成在栅极绝缘体GI上。第一栅极金属图案GMl通过栅极绝缘体GI与有源图案ACT隔离。第一金属图案GMl可以由Mo (钼)形成。
[0093]第一层绝缘体ILDl形成在第一栅极金属图案GMl上。第一层绝缘体ILDl可