一种像素结构和阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构和阵列基板。
【背景技术】
[0002]量子点(Quantum Dot，QD)又可称为纳米晶，是一种由I1-VI族或II1-V族元素组成的纳米颗粒，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光，其发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，荧光强度和稳定性都很好，是一种很好的电致发光材料。量子点的种类很多，代表性的有I1-VI族的 CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe 等和 II1-V 族 GaAs, GaP、GaAs, GaSb, HgS, HgSe,HgTe> InAs> InP、InSb、AlAs、A1P、AlSb 等。
[0003]目前，量子点作为一种显示材料且已经被广泛使用在了显示领域，例如，利用量子点作为发光材料而制造出的发光二极管显示器(Quantum Dot Light Emitting Display,QLED)。现有的QLED显示器采用的结构和有机电致发光显示器(Organic Light EmittingDisplay，0LED)相类似，通过TFT通过通断动作控制QLED显示器中QLED显示器件的阴极，以控制QLED显示器件发光或不发光，即控制QLED显示器件闪烁。但是，现有技术的QLED显示器具有如下问题:现有的QLED显示器是通过驱动电流的不断变化控制QLED显示器件的频繁闪烁，因此会导致电荷注入的不平衡(即，注入的电子和空穴数量不平衡)，长时间的重复该过程会导致量子点化学解离(例如氧化/还原)从而发生变性，使得QLED显示器件寿命降低；而且，通过TFT通过通断动作控制QLED显示器中QLED显示器件的阴极实现驱动电流的变化控制QLED显示器件的闪烁的方式，存在电流控制不稳定的问题，需要复杂的补偿电路对电流进行补偿，因此现有技术的QLED显示装置制备难度大。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种像素结构和阵列基板，以解决现有的QLED显示装置寿命低且制备工艺难度大的问题。
[0005]本实用新型实施例提供一种像素结构，包括:
[0006]薄膜晶体管TFT，用于控制微机电系统MEMS开关；
[0007]所述微机电系统MEMS开关，用于控制量子点发光二极管QLED器件的出射光的透过量;
[0008]所述量子点发光二极管QLED器件为顶发射型，用于根据恒定发光驱动信号进行恒定发光。
[0009]本实用新型实施例中，在像素结构中增加所述MEMS开关，所述TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制所述QLED器件的出射光的透过量。
[0010]可选地，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关电性连接，所述TFT导通后根据自身的源电极接收的信号控制所述MEMS开关。本实施例中，所述MEMS开关的工作状态根据所述TFT的导通/关断状态和所接收的信号进行变换或调整，从而控制所述QLED器件的出射光的透过量。
[0011]可选的，所述MEMS开关包括连接部和开关部，所述连接部与所述TFT的漏电极电性连接，所述开关部设置于所述QLED器件的出光方向一侧以控制所述QLED器件的出射光的光量。本实施例中，所述MEMS开关的开关部设置于所述QLED器件的出光方向上，可以根据自身开合的幅度控制透过QLED器件的出射光的光量。
[0012]可选的，所述像素结构还包括遮光条，所述遮光条位于所述MEMS开关的靠近所述QLED器件一侧的边缘处的下方。本实用新型实施例中，所述遮光条可以遮挡所述MEMS开关的漏光，避免显示异常。
[0013]可选的，所述像素结构还包括第一导电结构，所述MEMS开关通过所述第一导电结构与所述TFT的漏电极电性连接。
[0014]可选的，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关的连接部之间设置有绝缘层，所述第一导电结构通过所述绝缘层上的第一过孔与所述TFT的漏电极电性连接。本实用新型实施例中，所述绝缘层上形成的所述第一过孔，使所述第一导电结构和所述漏电极能够实现电性连接。
[0015]可选的，所述遮光条与所述第一导电结构同层设置且彼此绝缘，所述第一导电结构和所述遮光条的材料为金属材料。本实用新型实施例中，所述遮光条和所述第一导电结构同层设置，在制备时可以节省工序。
[0016]本实用新型实施例有益效果如下:在显示装置工作时，所述TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制所述QLED器件的出射光的透过量，避免QLED器件的频繁闪烁，提高所述QLED器件的使用寿命。
[0017]本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每一所述像素单元采用如上实施例提供的所述像素结构。
[0018]本实用新型实施例有益效果如下:在显示装置工作时，使所述QLED器件恒定发光，所述TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制所述QLED器件的出射光的透过量，避免QLED器件的频繁闪烁，提高所述QLED器件的使用寿命。
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型实施例提供的第一种像素结构的剖面结构示意图；
[0020]图2为本实用新型实施例提供的第二种像素结构的剖面结构示意图；
[0021]图3为本实用新型实施例提供的第三种像素结构的剖面结构示意图；
[0022]图4为本实用新型实施例提供的第四种像素结构的剖面结构示意图；
[0023]图5为本实用新型实施例提供的第五种像素结构的剖面结构示意图；
[0024]图6为本实用新型实施例提供的第六种像素结构的剖面结构示意图；
[0025]图7为本实用新型实施例提供的遮光条和色阻的示意图；
[0026]图8为本实用新型实施例提供的一种像素结构的制备方法的流程图；
[0027]图9本实用新型实施例提供的像素显示方法的流程图。
[0028]附图标记:
[0029]衬底基板I ;栅电极2 ;栅绝缘层3 ;有源层4 ;源电极5 ;漏电极6 ;绝缘层7 ;钝化层71 ;第一导电结构8 ；MEMS开关9 ;阳极10 ;空穴注入层11 ;空穴传输层12 ；QLED发光层13 ;电子传输层14 ;电子注入层15 ;阴极16 ;第一过孔17 ;遮光条18 ;第一电极19 ;第二电极20。
【具体实施方式】
[0030]下面结合说明书附图对本实用新型实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0031]为了避免像素结构中QLED器件的频繁闪烁，提高QLED器件的使用寿命，本实用新型实施例提供一种像素结构，包括:薄膜晶体管TFT，用于控制微机电系统MEMS开关；微机电系统MEMS开关，用于控制量子点发光二极管QLED器件的出射光的透过量；量子点发光二极管QLED器件为顶发射型，用于根据恒定发光驱动信号进行恒定发光。需要说明的是，本实用新型实施例中的“恒定发光”并不限于是绝对的恒定发光，也并不是指其QLED器件一直处于亮态而不关闭，这里的“恒定”是指相对于QLED器件的闪烁发光模式而言，在驱动像素进行发光时驱动信号的强度是相对恒定的，不必需通过驱动信号的强和弱来实现像素的不同灰阶显示。适应于“恒定发光”的QLED器件，提供能够控制量子点QLED器件的出射光的透过量的MEMS开关，该MEMS开关可以根据TFT的控制不透过QLED器件的出光，或者透过QLED器件的部分出光，或者透过QLED器件的全部出光，使QLED器件在“恒定发光”的状态下，像素结构能够提供与QLED器件闪烁发光进行不同灰阶显示相同的功能，本实施例中，MEMS开关可以是可调的光栅或光阀，光栅或光阀可以由TFT控制打开的缝隙宽度来控制出光量。TFT可以为底栅型、顶栅型或其他结构，TFT至少包括源电极和漏电极之一与MEMS开关电性连接，从而TFT根据驱动信号的强弱来驱动MEMS开关的打开状态或打开幅度来调节透光量。
[0032]可选地，TFT的漏电极与MEMS开关电性连接，TFT导通后根据自身的源电极接收的信号控制MEMS开关。本实施例中，MEMS开关与TFT的漏电极电性连接，从而实现TFT的MEMS开关的控制，当然，对于不同类型的TFT，也可以由TFT的源电极与MEMS开关电性连接，由于TFT通常可以双向导通，因此由TFT的源电极或漏电极与MEMS开关电性连接并不影响本实用新型的实施，在此不再赘述。
[0033]可选的，MEMS开关包括连接部和开关部，连接部与TFT的漏电极电性连接，开关部设置于QLED器件的出光方向一侧以控制QLED器件的出射光的光量。本实施例中，MEMS开关的开关部设置于QLED器件的出光方向上，可以根据自身开合的幅度控制透过QLED器件的出射光的光量。
[0034]可选的，像素结构还包括遮光条，遮光条位于MEMS开关的靠近QLED器件一侧的边缘处的下方。本实用新型实施例中，遮光条可以遮挡MEMS开关的漏光，避免显示异常。
[0035]可选的，像素结构还包括第一导电结构，MEMS开关通过第一导电结构与TFT的漏电极电性连接。
[0036]可选的，TFT的漏电极与ME