种方式的排列和布局，例如属于同一像素的R、G、B、W子像素所对应的色阻以2X2矩阵形式排布；在可选的实施例中，遮光条18在一行或一列像素上连成一体，用于遮挡MEMS开关9的边缘漏光；在另外的优选实施例中，遮光条18不限于只对像素的一条边缘进行遮光，例如像素形状大致为矩形时，遮光条18可以设置在该像素边缘的任何位置处进行遮光，优选地，遮光条18至少设置在像素的与TFT相对一侧的边缘处，遮光效果较好。在另一个优选实施例中，该遮光条18还与阴极信号提供源进行电性连接，为阴极提供电信号，从而提高QLED器件的发光效果。
[0055]本实用新型实施例有益效果如下:在像素结构中增加MEMS开关，MEMS开关与TFT的漏电极电性连接；在显示装置工作时，使QLED器件恒定发光，TFT通过控制MEMS的开合幅度，控制QLED器件的出射光的出光量，以避免QLED器件的频繁闪烁，提高QLED器件的使用寿命；通过MEMS开关的开合控制QLED显示器件的显示，因此不需要电流补偿来调节QLED显示器件的亮度，可以省去较复杂的电流补偿电路，降低了 QLED装置的制备难度。
[0056]实施例三
[0057]本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，每一像素单元采用如上实施例提供的像素结构。
[0058]可选的，出于简化制作过程、节省工序的考虑，可以使每一列像素的QLED为一整体，即按图7所示的R、G、B色阻相应的排列方式。
[0059]本实用新型实施例有益效果如下:在像素结构中增加MEMS开关，MEMS开关与TFT的漏电极电性连接；在显示装置工作时，使QLED器件恒定发光，TFT通过控制MEMS的开合幅度，控制QLED器件的出射光的出光量，以避免QLED器件的频繁闪烁，提高QLED器件的使用寿命；通过MEMS开关的开合控制QLED显示器件的显示，因此不需要电流补偿来调节QLED显示器件的亮度，可以省去较复杂的电流补偿电路，降低了 QLED装置的制备难度。
[0060]实施例四
[0061]参见图8，本实用新型实施例提供一种像素结构的制备方法，包括:
[0062]步骤801，在衬底基板上形成薄膜晶体管TFT、以及与TFT相邻的顶发射型的量子点发光二极管QLED器件。
[0063]该TFT可以是底栅型、顶栅型或其他结构。例如，提供第一种TFT结构，该TFT为底栅型，包括依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层；又例如，提供第二种TFT结构，该TFT为顶栅型，包括依次形成于衬底基板上的源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；又例如，该第三种TFT结构，TFT为顶栅型，包括依次形成于衬底基板上的欧姆接触层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、钝化层和源漏极金属层，此种结构由于以欧姆接触层作为源漏极金属层与有源层接触的介质，能够有效提高TFT性能且减少源漏极金属层与栅极金属层之间的寄生电容。该QLED器件可以包括依次形成于衬底基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、QLED发光层、电子注入层、电子传输层和阴极。根据TFT的结构不同，具体的制备方法稍有不同，
[0064]在衬底基板上形成TFT之后，通常包括:
[0065]步骤802，在TFT之上形成包括第一过孔的绝缘层，并在衬底基板上形成与TFT间隔开的第一区域；其中，第一过孔的位置与TFT的漏电极的位置对应。对于第一种TFT结构和第二种TFT结构，该绝缘层可以通常为钝化层、平坦化层之一或组合。对于于第三种TFT结构，该绝缘层可以通常为平坦化层，需要说明的是，对第三种TFT结构而言，由于TFT的源漏极金属层在最上方，TFT的源电极和漏电极是通过过孔与欧姆接触层连接的，因此，可以使后续制备的MEMS开关直接与TFT的漏电极电性连接，从而省略绝缘层。
[0066]在考虑更佳导电性或降低制备难度的情况下，可选的，对于采用第一种TFT的像素结构的制备，可在绝缘层之上形成与TFT的漏电极电性连接的第一导电结构，使MEMS开关的连接部通过第一导电结构与TFT的漏电极电性连接，可以使得后续MEMS开关的连接部制备时，不需要考虑深入至TFT的漏电极所在的层，降低制备困难，也具有更佳的导电性會K。
[0067]由于后续制备的MEMS开关并非绝对的密封，因此MEMS开关的侧边可能会存在漏光现象，例如与TFT远离的MEMS开关的侧边。因此可选的，还包括在QLED上方形成遮光条，遮光条位于MEMS开关的靠近QLED器件一侧的边缘处的下方。
[0068]步骤803，在完成上述步骤的衬底基板上形成包括连接部和开关部的微机电系统MEMS开关，使MEMS开关的连接部与TFT的漏电极电性连接，使MEMS的开关部形成于QLED的上方。
[0069]本实用新型实施例有益效果如下:在像素结构中增加MEMS开关，MEMS开关与第一导电结构电性连接，第一导电结构通过第一过孔与TFT的漏电极电性连接，从而使MEMS开关与TFT的漏电极电性连接；在显示装置工作时，使QLED器件恒定发光，TFT通过控制MEMS的开合幅度，控制QLED器件的出射光的出光量，以避免QLED器件的频繁闪烁，提高QLED器件的使用寿命；通过MEMS开关的开合控制QLED显示器件的显示，因此不需要电流补偿来调节QLED显示器件的亮度，可以省去较复杂的电流补偿电路，降低了 QLED装置的制备难度。
[0070]实施例五
[0071]参见图9，本实用新型实施例一种像素显示方法，包括:
[0072]步骤901，量子点发光二极管QLED器件根据恒定发光驱动信号的驱动进行恒定发光。
[0073]步骤902，薄膜晶体管TFT控制微机电系统MEMS开关的工作状态，使MEMS开关控制QLED器件的出射光的透过量，以实现像素显示。
[0074]可选的，步骤902中，TFT控制MEMS开关的工作状态，使MEMS开关控制QLED器件的出射光的透过量，包括:
[0075]将TFT的源电极接收的图像数据信号经TFT的漏电极、第一导电结构依次传送至MEMS开关的连接部，使MEMS开关的开关部打开与图像数据信号相匹配的开合幅度，以控制QLED器件的出射光的光量。
[0076]本实用新型实施例有益效果如下:在像素结构中具有MEMS开关，使MEMS开关与TFT的漏电极电性连接；在显示装置工作时，使QLED器件恒定发光，TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制QLED器件的出射光的透过量，以避免QLED器件的频繁闪烁，提高QLED器件的使用寿命。
[0077]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种像素结构，其特征在于，包括: 薄膜晶体管TFT，用于控制微机电系统MEMS开关； 所述微机电系统MEMS开关，用于控制量子点发光二极管QLED器件的出射光的透过量; 所述量子点发光二极管QLED器件为顶发射型，用于根据恒定发光驱动信号进行恒定发光。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关电性连接，所述TFT导通后根据自身的源电极接收的信号控制所述MEMS开关。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述MEMS开关包括连接部和开关部，所述连接部与所述TFT的漏电极电性连接，所述开关部设置于所述QLED器件的出光方向一侧以控制所述QLED器件的出射光的光量。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括遮光条，所述遮光条位于所述MEMS开关的靠近所述QLED器件一侧的边缘处的下方。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第一导电结构，所述MEMS开关通过所述第一导电结构与所述TFT的漏电极电性连接。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关的连接部之间设置有绝缘层，所述第一导电结构通过所述绝缘层上的第一过孔与所述TFT的漏电极电性连接。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述遮光条与所述第一导电结构同层设置且彼此绝缘，所述第一导电结构和所述遮光条的材料为金属材料。
8.—种阵列基板，包括阵列排布的多个像素单元，其特征在于，每一所述像素单元采用如权利要求1至7任一项的所述像素结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种像素结构和阵列基板，以解决现有的量子点电致发光QLED显示装置的QLED显示器件使用寿命低、QLED显示装置制备难度大的问题。所述像素结构，包括：薄膜晶体管TFT，用于控制微机电系统MEMS开关；所述微机电系统MEMS开关，用于控制量子点发光二极管QLED器件的出射光的透过量；所述量子点发光二极管QLED器件为顶发射型，用于根据恒定发光驱动信号进行恒定发光。
【IPC分类】H01L27-32, G09G3-32
【公开号】CN204288767
【申请号】CN201420838816
【发明人】张斌, 曹占锋, 孔祥春, 姚琪, 高锦成, 李正亮, 何晓龙
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月24日