触摸式液晶显示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法

专利名称：触摸式液晶显示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器、阵列基板及其制造方法，特别是一种触摸式液晶显 示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点， 现已占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包括对盒在一起并将液晶材 料夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信 号的数据线以及形成像素点的像素电极。液晶显示器显示图像的工作原理是通过向液晶材 料施加电场并控制电场的强度从而调节透射过基板的光量，来获得期望的图像信号。液晶显示器要想实现触摸功能，通常需要将有触摸功能的膜即触摸面板贴附在液 晶面板之上，根据用户的输入位置读取该位置对应的信息。实际使用表明，现有技术将触摸 面板贴附于液晶面板的液晶显示器存在如下技术缺陷(1)贴附的触摸面板会增加液晶面 板的厚度，而且由于需要增加将两个面板彼此附着的附加工艺，造成制造工艺和生产成本 的增加；(2)由于触摸面板贴附于液晶面板上，使得液晶面板的透过率下降，发生的光视差 导致图像过度漂浮，进而影响画面的品质；(3)暴露在外的触摸面板会受到外部环境的影 响而降低寿命。另外，现有液晶显示器要实现触摸功能还可以通过实时获取其阵列基板上的前像 素区域的像素电压，以该像素电压为参考电压，与当触摸事件发生时获取到的充电电压的 变化情况来实现对触摸事件的判断；但是，该方案中作为参考电压的像素电压每一时刻都 是不同的，以该像素电压作为参考电压来实现触摸事件的判断会使得信号处理过程复杂、 易出错，并且液晶显示器的制造工艺复杂等缺陷。

发明内容
本发明的目的是提供一种触摸式液晶显示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法， 具有制造工艺简单和生产成本低等优点。为实现上述目的，本发明提供了一种触摸式液晶显示器，包括彩膜基板、阵列基板 以及夹设在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶分子层，在所述阵列基板上形成有栅线和 数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，所述阵列基板还包括与所述第一薄膜晶体管连接、用于间隔获取当前像素区域 的数据电压和黑帧电压的第二薄膜晶体管；与所述第二薄膜晶体管连接、用于将所述数据 电压和黑帧电压输出的信号线，所述信号线与所述数据线平行设置；以及与所述信号线连 接、用于从所述信号线获取所述黑帧电压的电压获取电路，所述黑帧电压为在 两帧数据电 压之间插入的电压；外部集成电路，用于从所述电压获取电路获取所述黑帧电压，并根据所述黑帧电 压的变化获得触摸位置，与所述电压获取电路连接。
在同一像素区域内，所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与当前像素区域的栅线相 接连，第一源电极与所述数据线相连接，第一漏电极与所述像素电极相连接；所述第二薄 膜晶体管的第二栅电极与前一像素区域的栅线相连接，第二源电极与所述第一漏电极相连 接，第二漏电极与所述信号线相连接。所述电压获取电路包括用于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管， 与各个像素区域的所述信号线和所述外部集成电路相连接；用于在所述第三薄膜晶体管获 取到数据电压时对所述第三薄膜晶体管进行放电的第四薄膜晶体管，与所述第三薄膜晶体 管相连接；用于控制所述第三薄膜晶体管开关的第一控制信号线；以及用于控制所述第四 薄膜晶体管开关的第二控制信号线。具体地，所述第三薄膜晶体管的第三栅电极连接所述 第一控制信号线，第三源电极连接所述信号线，第三漏电极连接所述外部集成电路；所述第 四薄膜晶体管的第四栅电极连接所述第二控制信号线，第四源电极连接所述第三漏电极， 第四漏电极接地。所述外部集成电路包括存储单元，用于存储从所述电压获取电路获取的黑帧电 压；放大过滤单元，用于放大所述存储单元的所述黑帧电压，并对所述黑帧电压中的噪声信 号进行过滤；比较单元，用于将经过所述放大过滤单元获取处理后的所述黑帧电压与预先 设定的标准黑帧电压进行比较，根据比较结果确定所述黑帧电压所指示的触摸式液晶显示 器的位置是否被触摸。本发明还提供了一种触摸式液晶显示器的触摸方法，其中触摸式液晶显示器包括 彩膜基板、阵列基板以及夹设在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶分子层，在所述阵列 基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄 膜晶体管，包括步骤1、所述栅线对前一像素区域进行扫描时，当前像素区域中的第二薄膜晶体管 间隔获取所述当前像素区域的数据电压和黑帧电压；步骤2、由与所述第二薄膜晶体管连接的信号线将所述第二薄膜晶体管获取的所 述数据电压和黑帧电压输出至电压获取电路；步骤3、所述电压获取电路将所述黑帧电压输出至外部集成电路；步骤4、所述外部集成电路根据所述黑帧电压的变化计算得到触摸液晶显示器时 的触摸位置。其中所述步骤3还包括所述电压获取电路对其接收的数据电压进行放电的步
马聚ο所述外部集成电路包括存储单元、放大过滤单元以及比较单元，则所述步骤4具 体包括存储单元存储从所述电压获取电路获取的黑帧电压；放大过滤单元放大所述存储 单元的所述黑帧电压，并对所述黑帧电压中的噪声信号进行过滤；比较单元将经过所述放 大过滤单元获取处理后的所述黑帧电压与预先设定的标准黑帧电压进行比较，根据比较结 果确定所述黑帧电压所指示的触摸式液晶显示器的位置是否被触摸。本发明还提供了一种触摸式液晶显示器的阵列基板，在所述阵列基板上形成有栅 线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，还包 括与所述第一薄膜晶体管连接、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压的第 二薄膜晶体管；与所述第二薄膜晶体管连接、用于将所述数据电压和黑帧电压输出的信号线，所述信号线与所述数据线平行设置在同一像素区域的两侧；以及与所述信号线连接、用 于从所述信号线获取所述黑帧电压的电压获取电路，所述黑帧电压为在两帧数据电压之间 插入的电压。其中在同一像素区域内，所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与当前像素区域的栅 线相接连，第一源电极与所述数据线相连接，第一漏电极与所述像素电极相连接；所述第二 薄膜晶体管的第二栅电极与前一像素区域的栅线相连接，第二源电极与所述第一漏电极相 连接，第二漏电极与所述信号线相连接。用于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管；用于在所述第三薄膜晶体 管获取到数据电压时对所述第三薄膜晶体管进行放电的第四薄膜晶体管；用于控制所述第 三薄膜晶体管开关的第一控制信号线；以及用于控制所述第四薄膜晶体管开关的第二控制 信号线。所述第三薄膜晶体管的第三栅电极连接所述第一控制信号线，第三源电极连接所 述信号线；所述第四薄膜晶体管的第四栅电极连接所述第二控制信号线，第四源电极连接 所述第三薄膜晶体管的第三漏电极，第四漏电极接地。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管各自 的栅电极、所述栅线、第一控制信号线和第二控制信号线设置在同一层，且在同一次构图工 艺中形成，并且所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管 各自的源电极和漏电极设置在同一层，且在同一次构图工艺中形成。所述数据线与所述信 号线平行设置。所述信号线与所述数据线设置在同一层，且与所述第一薄膜晶体管、第二薄 膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管各自的源电极和漏电极在同一次构图工艺中 形成。本发明还提供了一种触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法，包括以下步骤步骤10、在基板上形成包括栅线、数据线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各自 的栅电极、源电极和漏电极，以及信号线和电压获取电路的图形，其中，所述第一薄膜晶体 管和第二薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线限定的像素区域内，所述数据线与所述信号 线平行设置，所述电压获取电路形成在所述像素区域以外；步骤20、在完成步骤10的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在所述第一薄膜晶体 管的第一漏电极位置和所述电压获取电路上形成钝化层过孔；步骤30、在完成步骤20的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电 极和连接条的图形，所述连接条用于连接所述电压获取电路和外部集成电路。其中，若所述电压获取电路包括用于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜 晶体管；用于在所述第三薄膜晶体管获取到数据电压时对所述第三薄膜晶体管进行放电的 第四薄膜晶体管，则所述步骤10具体包括步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形 成栅线、所述第一薄膜晶体管的第一栅电极、所述第二薄膜晶体管的第二栅电极、所述第三 薄膜晶体管的第三栅电极、所述第四薄膜晶体管的第四栅电极、第一控制信号线和第二控 制信号线的图形，所述第一栅电极和所述第二栅电极与所述栅线相接连，所述第三栅电极 连接所述第一控制信号线，所述第四栅电极连接所述第二控制信号线； 步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄 膜，通过构图工艺在所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极上形成有源层的图形，所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层；步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成所述第 一薄膜晶体管的第一源电极和第一漏电极、所述第二薄膜晶体管的第二源电极和第二漏电 极、所述第三薄膜晶体管的第三源电极和第三漏电极和所述第四薄膜晶体管的第四源电极 和第四漏电极、所述数据线、TFT沟道区域以及所述信号线图形，其中所述第一源电极与所 述数据线相连接，所述第一漏电极通过所述钝化层过孔与所述像素电极相连接，所述第二 源电极与所述第一漏电极相连接，所述第二漏电极与所述信号线相连接，所述第三源电极 连接所述信号线，所述第四源电极连接所述第三漏电极，所述第四漏电极接地。在步骤10包括如上具体步骤时，所述步骤20具体包括在完成步骤13的基板上 沉积钝化层，通过构图工艺在所述第一漏电极位置形成第一钝化层过孔，在所述第三漏电 极位置或者所述第四源电极位置或者所述第三漏电极和第四源电极的连接部分上形成第 二钝化层过孔；所述步骤30具体包括在完成步骤20的基板上沉积透明导电层，通过构图 工艺形成包括像素电极和连接条的图形，通过所述第一钝化层过孔连接所述第一漏电极和 所述像素电极，通过所述第二钝化层过孔和所述连接条连接所述第三漏电极、所述第四源 电极以及所述外部集成电路。本发明提供一种触摸式液晶显示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法，通过形成 第二薄膜晶体管、信号线以及电压获取电路，以及对输入信号的控制，使得在输入黑帧信号 时由信号线及电压获取电路获得黑帧电压，并通过外部集成电路对黑帧电压和固定值的参 考电压即标准黑帧电压的比较，从而获得触摸位置以实现触摸功能，本发明提供的技术方 案可以简化触摸位置的判断方法，简化触摸式液晶显示器的制造工艺，降低生产成本。


图1所示为本发明液晶面板没有被触摸时的液晶排布示意图；图2所示为本发明液晶面板被触摸时的液晶排布示意图；图3为本发明触摸式液晶显示器实施例的阵列基板的等效电路结构图；图4为本发明外部集成电路实施例的结构示意图；图5为本发明触摸式液晶显示器的触摸方法实施例的流程示意图；图6为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板实施例的结构示意图；图7为图6中A-A向剖视图；图8为图6中B-B向剖视图；图9为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法第一实施例的流程图；图10为本发明触摸式液 晶显示器的阵列基板的制造方法第二实施例的流程图；图11为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第一次构图工 艺后的平面图；图12为图11中Al-Al向的剖面图；图13为图11中Bl-Bl向的剖面图；图14为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第二次构图工 艺后的平面图；图15为图14中A2-A2向的剖面图16为图14中B2-B2向的剖面图；图17为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第三次构图工 艺后的平面图；图18为图17中A3-A3向的剖面图； 图19为图17中B3-B3向的剖面图；图20为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第四次构图工 艺后的平面图；图21为图20中A4-A4向的剖面图；图22为图20中B4-B4向的剖面图。附图标记说明1-栅线；2-数据线；3-基板；4-栅绝缘层；51-半导体薄膜；52-掺杂半导体薄膜；6-钝化层；7-第一钝化层过孔；71-第二钝化层过孔；8-像素电极；81-连接条；9-信号线；11-第一栅电极；12-第一源电极；13-第一漏电极；21-第二栅电极； 22-第二源电极；23-第二漏电极；31-第三栅电极； 32-第三源电极；33-第三漏电极；41-第四栅电极； 42-第四源电极；43-第四漏电极；50-电压获取电路；501-第一控制信号线；502-第二控制信号线；60-外部集成电路；61-存储单元；62-放大过滤单元；63-比较单元。
具体实施例方式下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。图1所示为本发明液晶面板没有被触摸时的液晶排布示意图，图2所示为本发明 液晶面板被触摸时的液晶排布示意图，如图1和图2所示，液晶材料被填充在像素电极和公 共电极之间，当液晶面板被触摸时，液晶盒间隙会改变，进而使得液晶的取向改变，由于液 晶具有各向异性的特性，即其垂直的介电常数和水平的介电常数互不相同，所以液晶的取 向改变会导致液晶介电常数的变化；而根据液晶电容的计算等式Clc = aA/d，其中，Clc为 液晶电容，a为液晶的介电常数，A为像素的剖面面积，d为液晶盒间隙。因此，当液晶面板 被触摸时由于介电常数a和液晶盒间隙d的变化会导致液晶电容Clc的值改变。再根据电 荷不变原则Q = C*V，液晶电容的变化会导致像素电极上的像素电压的变化，而像素电压 的变化是一种电信号的变化，本发明的目的即可以通过某种方式将此电信号的变化进行收 集和分析，通过将液晶电容Clc的改变转换成在数据线输入黑帧信号时产生的电压信号的 变化来实现触摸屏的功能。图3为本发明触摸式液晶显示器实施例的阵列基板的等效电路结构图。如图3所 示，本发明实施例提供的触摸式液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及夹设在彩膜基板 和阵列基板之间的液晶分子层。其中阵列基板又包括行方向上的多条栅线1，列方向上的多 条数据线2，以及栅线1和数据线2限定的像素区域，在像素区域内形成有像素电极8和第一薄膜晶体管Tl，第一薄膜晶体管Tl形成在栅线1和数据线2的交叉处。阵列基板上还包 括有与第一薄膜晶体管Tl连接的、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压的 第二薄膜晶体管T2 ；与第二薄膜晶体管T2连接、用于将数据电压和黑帧电压输出的信号线 9，信号线9与数据线2平行设置，可以如图中所示位于同一像素区域的两侧；用于从信号线 9获取数据电压和黑帧电压的电压获取电路50，电压获取电路50与信号线9连接；以及外 部集成电路60，用于从电压获取电路50获取黑帧电压，并根据黑帧电压的变化获得触摸位 置，与电压获取电路50连接。其中黑帧电压为在两帧数据电压之间插入的电压，即数据线2上输入一帧数据电 压，再输入一帧黑帧电压，再输入一帧数据电压，再输入一帧黑帧电压，如此循环；在两帧用 于正常显示的数据电压之间插入黑帧电压可以在动态画面显示时，使得“拖尾”的现象不易 被人眼所察觉，提高动态画面的显示效果，且当插入黑帧时，液晶面板上的全部像素电压均 相同。在图3中，第一薄膜晶体管Tl和第二薄膜晶体管T2的具体连接可以为在同一像 素区域内，第一薄膜晶体管Tl的第一栅电极11与当前像素区域的栅线1相接连，第一源电 极12与数据线2相连接，第一漏电极13与像素电极8相连接；第二薄膜晶体管T2的第二 栅电极21与前一像素区域的栅线1相连接，第二源电极22与第一漏电极13相连接，第二 漏电极23与信号线9相连接。其中，电压获取电路50可以具体包括与各个像素区域内的各条信号线9和外部 集成电路60相连接、用于分别获取各个信号线9上的数据电压和黑帧电压的与各个信号线 9对应的第三薄膜晶体管T3 ；用于在第三薄膜晶体管T3获取到数据电压时对第三薄膜晶体 管T3进行放电的第四薄膜晶体管T4，与第三薄膜晶体管T3相连接；用于控制第三薄膜晶 体管T3开关的第一控制信号线501，该第一控制信号线接有控制电压Vdd ；以及用于控制第 四薄膜晶体管T4开关的第二控制信号线502，该第二控制信号线接有时钟信号CLK。具体 地，第三薄膜晶体管T3的第三栅电极31连接第一控制信号线501，第三源电极32连接信 号线9，第三漏电极33连接外部集成电路60 ；第四薄膜晶体管T4的第四栅电极41连接第 二控制信号线502，第四源电极42连接第三漏电极33，第四漏电极43接地Gnd。通过调节 第一控制信号线501上所加的控制电压Vdd和第二控制信号线502上所加的时钟信号CLK 可以实现当与信号线9连接的第三薄膜晶体管T3的第三源电级32接收到数据电压信号 时，控制电压Vdd加到第三薄膜晶体管T3的第三栅电极31，打开该第三薄膜晶体管T3，且 时钟信号CLK加到第四薄膜晶体管T4的第四栅电极41，打开该第四薄膜晶体管T4，从而对 接收到的数据电压信号进行放电；当与信号线9连接的第三薄膜晶体管T3的第三源电级 32接收到黑帧电压信号时，此时通过控制电压Vdd和时钟信号CLK使得第三薄膜晶体管T3 打开，第四薄膜晶体管T4关闭，从而将接收到的黑帧电压信号输出到外部集成电路60。图4为本发明外部集成电路实施例的结构示意图。如图4所示，本实施例中的外部集成电路60可以包括存储单元61，用于从存储电压获取电路50获取黑帧电压，即图3 中的电压获取电路50的第三薄膜晶体管T3的第三漏电极33发来的黑帧电压；放大过滤单 元62，用于放大存储单元61的黑帧电压，并对该黑帧电压中的噪声信号进行过滤；比较单 元63，用于将经过放大过滤单元62获取处理后的黑帧电压与预先设定的标准黑帧电压进 行比较，根据比较结果确定黑帧电压所指示的触摸式液晶显示器的位置是否被触摸。
另外，在图3中，阵列基板的像素电极8和彩膜基板的公共电极之间形成液晶电容Clc，且在阵列基板的公共电极和像素电极8之间形成存储电容Cst。在发生触摸的情况下， 由于液晶盒间隙的变化会导致液晶电容Clc的改变，从而通过外部集成电路60可以获取到 触摸式液晶显示器被触摸的位置。下面将结合图3和图4详细描述本发明触摸式液晶显示器的工作原理。如图3和 图4所示，栅线1负责开启电路，栅线驱动器送出脉冲波形，在某一行的栅线1处于高电平 时，其与数据线2限定的像素区域内的第一薄膜晶体管Tl打开的同时，下一像素区域的第 二薄膜晶体管T2也会打开，此时数据线2负责给像素电极8充电。例如，在“插黑”技术中， 在数据线2输入正常显示帧时，栅线1进行扫描，数据线2对扫描行进行正常的充电，而在 数据线2输入黑帧时，栅线1进行扫描，数据线2对扫描行充入黑帧电压。当第N条栅线和 第N+1条栅线之间和数据线2限定的像素区域的第二薄膜晶体管T2开启时，若将该像素区 域的第一薄膜晶体管Tl的第一漏电极13处存储的数据电压输送给信号线9，则通过调节 使得第一控制信号线501上所加的控制电压Vdd输出高电平，第二控制信号线502上所加 的时钟信号CLK也输出高电平，将所有第四薄膜晶体管T4开启，同时Vdd持续开启第三薄 膜晶体管T3，即将信号线9接地Gnd ；若将该像素区域的第一薄膜晶体管Tl的第一漏电极 13处存储的黑帧电压输送给信号线9，则通过调节使得第一控制信号线501上所加的控制 电压Vdd输出高电平，第二控制信号线502上所加的时钟信号CLK输出低电平，将所有第四 薄膜晶体管T4关闭，同时Vdd持续开启第三薄膜晶体管T3，即可以由信号线9输出黑帧电 压至外部集成电路60。由上述过程可知，外部集成电路60仅接收由第二薄膜晶体管T2输 出的黑帧电压，该黑帧电压会在存储单元61中存储，然后发送至放大过滤单元62对获取的 黑帧电压进行放大并对其中的噪声信号进行过滤，最后由比较单元63将经过放大过滤单 元62获取处理后的黑帧电压与预先设定的标准黑帧电压进行比较，若处理后的黑帧电压 为正常的、固设的黑帧电压，即标准黑帧电压，则说明产生该黑帧电压的像素区域没有被触 摸，若处理后的黑帧电压与标准黑帧电压相比有变化，例如变小，则说明产生该黑帧电压的 像素区域被触摸，液晶电容Clc变大，输出的黑帧电压变小；然后，根据栅线1的扫描时间得 出触摸发生的坐标Y值，根据信号线9的序列得出触摸发生的坐标X值，且可以根据标准黑 帧电压和黑帧电压的差值得到坐标Z值，其中Z值描述的是触摸力度的大小。综上所述，本发明实施例的触摸式液晶显示面板，在插黑显示技术中，通过信号线 9可以获取黑帧电压，并发送至外部集成电路60，外部集成电路60只需要将获取的黑帧电 压与固定的标准黑帧电压进行比较，即可得出是否有触摸时间的发生。本发明提供的触摸式液晶显示器，通过形成第二薄膜晶体管、信号线以及电压获 取电路，以及对输入信号的控制，使得在输入黑帧信号时由信号线及电压获取电路获得黑 帧电压，并通过外部集成电路对黑帧电压和固定值的参考电压即标准黑帧电压的比较，从 而获得触摸位置以实现触摸功能。本发明提供的技术方案和现有技术中用像素电压作为 参考电压的触摸式液晶显示器相比，结构简单，获得的黑帧信号易于处理，出错率低，稳定 性高；将电压获取电路集成在液晶显示器的阵列基板上，提高了集成度，降低了生产成本， 且电压获取电路起到了清空阵列基板形成的电路当中的残留电荷的作用，减小了电路中噪 声对触摸产生的电压信号的影响，本发明提供的触摸式液晶显示器在提高工作稳定性的同 时，又能提高画面的品质，减小“残像”现象的出现。
图5为本发明触摸式液晶显示器的触摸方法实施例的流程示意图，参考如图3和 图4所示的触摸式液晶显示器的结构，该方法包括如下步骤步骤501、栅线对前一像素区域进行扫描时，当前像素区域中的第二薄膜晶体管间 隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压；步骤502、由与第二薄膜晶体管连接的信号线将第二薄膜晶体管获取的数据电压 和黑帧电压输出至电压获取电路；步骤503、电压获取电路将黑帧电压输出至外部集成电路；步骤504、外部集成电路根据黑帧电压的变化计算得到触摸液晶显示器时的触摸位置。其中步骤503可以进一步包括电压获取电路对其接收的数据电压进行放电的步
马聚ο另外步骤504还可以进一步具体包括步骤5041、存储单元存储从电压获取电路 获取的黑帧电压；步骤5042、放大过滤单元放大存储单元的黑帧电压，并对黑帧电压中的 噪声信号进行过滤；步骤5043、比较单元将经过放大过滤单元获取处理后的黑帧电压与预 先设定的标准黑帧电压进行比较，根据比较结果确定黑帧电压所指示的触摸式液晶显示器 的位置是否被触摸。本实施例提供的触摸式液晶显示器的触摸方法的具体过程描述与上述介绍触摸 式液晶显示器时所描述的工作过程相同，在此不再赘述。本实施例提供的触摸式液晶显示器的触摸方法，通过形成第二薄膜晶体管、信号 线以及电压获取电路，以及对输入信号的控制，使得在输入黑帧信号时由信号线及电压获 取电路获得黑帧电压，并通过外部集成电路对黑帧电压和固定值的参考电压即标准黑帧电 压的比较，从而获得触摸位置以实现触摸功能。本发明提供的技术方案和现有技术中用像 素电压作为参考电压的触摸式液晶显示器相比，结构简单，获得的黑帧信号易于处理，出错 率低，稳定性高；将电压获取电路集成在液晶显示器的阵列基板上，提高了集成度，降低了 生产成本，且电压获取电路起到了清空阵列基板形成的电路当中的残留电荷的作用，减小 了电路中噪声对触摸产生的电压信号的影响，本发明提供的触摸式液晶显示器在提高工作 稳定性的同时，又能提高画面的品质，减小“残像，，现象的出现。图6为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板实施例的结构示意图，图7为图6中 A-A向剖视图，图8为图6中B-B向剖视图。如图6 图8所示，本实施例触摸式液晶显示 器的阵列基板包括栅线1和数据线2，以及栅线1和数据线2限定的像素区域，在像素区域 内形成有像素电极8和第一薄膜晶体管Tl，第一薄膜晶体管Tl形成在栅线1和数据线2的 交叉处。还包括与第一薄膜晶体管Tl连接、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑 帧电压的第二薄膜晶体管T2 ；与第二薄膜晶体管T2连接、用于将数据电压和黑帧电压输出 的信号线9，该信号线9与数据线2平行设置在同一像素区域的两侧；以及与信号线9连接、 用于从信号线9获取黑帧电压的电压获取电路，该黑帧电压为在两帧数据电压之间插入的 电压。其中第一薄膜晶体管Tl的结构与现有技术相同，在同一像素区域内，第一薄膜晶体 管Tl的第一栅电极11与当前像素区域的栅线1相接连，第一源电极12与数据线2相连接， 第一漏电极13通过第一钝化层过孔7与像素电极8相连接；第二薄膜晶体管T2的第二栅 电极21与前一像素区域的栅线1相连接，第二源电极22与第一漏电极13相连接，第二漏电极23与信号线9相连接。该电压获取电路可以包括第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4。第三薄膜晶 体管T3用于获取数据电压和黑帧电压，第四薄膜晶体管T4用于在第三薄膜晶体管T3获取 到数据电压时对第三薄膜晶体管T3进行放电；第三薄膜晶体管T3的第三栅电极31连接第 一控制信号线501，该第一控制信号线501上加控制电压Vdd，第三源电极32连接信号线9， 第三漏电极33连接外部集成电路60 ；第四薄膜晶体管T4的第四栅电极41连接第二控制 信号线502，该第二控制信号线502上加时钟信号CLK，第四源电极42连接第三漏电极33， 第四漏电极43接地Gnd。为了使第三漏电极33可以连接到外部集成电路60，从而可以将 信号线9上的黑帧电压发送至外部集成电路60，可以将第三漏电极33或第四源电极42或 第三漏电极33和第四源电极42的连接部分通过金属条连接，在本实施例中在第四薄膜晶 体管T4的第四源电极42上的钝化层上开设有第二钝化层过孔71，通过该第二钝化层过孔 71以及连接条81可以使得第三漏电极33和第四源电极42连接外部集成电路60;另外，该 第二钝化层过孔71也可以开设在第三漏电极33上的钝化层上，或是第三漏电极33和第四 源电极42的连接部分的钝化层上。本实施例上述技术方案中，第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶 体管T3和第四薄膜晶体管T4各自的栅电极、栅线1、第一控制信号线501和第二控制信号 线502设置在同一层，且在同一次构图工艺中形成，并且第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体 管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4各自的源电极和漏电极设置在同一层，且在 同一次构图工艺中形成。数据线2和信号线9平行设置，如图中所示可以分别位于同一像 素区域的两侧。信号线9与数据线2设置在同一层，且与第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体 管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4各自的源电极和漏电极在同一次构图工艺 中形成。本发明提供一种触摸式液晶显示器的阵列基板，通过形成第二薄膜晶体管、信号 线以及电压获取电路，以及对输入信号的控制，使得在输入黑帧信号时由信号线及电压获 取电路获得黑帧电压，并通过外部集成电路对黑帧电压和固定值的参考电压即标准黑帧电 压的比较，从而获得触摸位置以实现触摸功能。本发明提供的技术方案和现有技术中用像 素电压作为参考电压的触摸式液晶显示器相比，结构简单，获得的黑帧信号易于处理，出错 率低，稳定性高；将电压获取电路集成在液晶显示器的阵列基板上，提高了集成度，降低了 生产成本，且电压获取电路起到了清空阵列基板形成的电路当中的残留电荷的作用，减小 了电路中噪声对触摸产生的电压信号的影响，本发明提供的触摸式液晶显示器在提高工作 稳定性的同时，又能提高画面的品质，减小“残像”现象的出现。图9为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法第一实施例的流程图，如 图9所示，该制造方法可以包括以下步骤步骤901、在基板上形成包括栅线、数据线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各 自的栅电极、源电极和漏电极，以及信号线和电压获取电路的图形；其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成在栅线和数据线限定的像素区域 内，数据线与信号线平行设置，电压获取电路形成在像素区域以外；步骤902、在完成步骤901的基 板上沉积钝化层，通过构图工艺在第一薄膜晶体管 的第一漏电极位置和电压获取电路上形成钝化层过孔；
步骤903、在完成步骤902的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素 电极和连接条的图形，该连接条用于连接电压获取电路和外部集成电路。 下面通过具体实施例进一步说明本发明的技术方案。在以下说明中，本发明所称 的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和剥离等工艺。图10为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法第二实施例的流程图， 如图10所示，本实施例的制造方法采用五次构图工艺，其中电压获取电路可以包括用于 获取数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管；用于在第三薄膜晶体管获取到数据电压时对 第三薄膜晶体管进行放电的第四薄膜晶体管，则该制造方法具体可以包括以下步骤步骤911、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上 形成栅线、第一薄膜晶体管的第一栅电极、第二薄膜晶体管的第二栅电极、第三薄膜晶体管 的第三栅电极、第四薄膜晶体管的第四栅电极、第一控制信号线和第二控制信号线的图形， 第一栅电极和第二栅电极与栅线相接连，第三栅电极连接第一控制信号线，第四栅电极连 接第二控制信号线；步骤912、在完成步骤911的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体 薄膜，通过构图工艺在第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极上形成有源层的 图形，该有源层包括半导体层和掺杂半导体层；步骤913、在完成步骤912的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成第一薄 膜晶体管的第一源电极和第一漏电极、第二薄膜晶体管的第二源电极和第二漏电极、第三 薄膜晶体管的第三源电极和第三漏电极和第四薄膜晶体管的第四源电极和第四漏电极、数 据线、TFT沟道区域以及信号线图形；其中第一薄膜晶体管的第一源电极与数据线相连接，第二薄膜晶体管的第二源电 极与第一漏电极相连接，第二漏电极与信号线相连接，第三薄膜晶体管的第三源电极连接 信号线，第四薄膜晶体管的第四源电极连接第三薄膜晶体管的第三漏电极，第四漏电极接 地；步骤914、在完成步骤913的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在第一薄膜晶体管 的第一漏电极位置形成第一钝化层过孔，在第三漏电极位置或者第四源电极位置或者第三 漏电极和第四源电极的连接部分上形成第二钝化层过孔；步骤915、在完成步骤914的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素 电极和连接条的图形，通过第一钝化层过孔连接第一漏电极和像素电极，通过第二钝化层 过孔和连接条连接第三漏电极、第四源电极以及外部集成电路。图11 图22为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造过程的示意图，可以 进一步说明本实施例的制造方法的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括 光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。图11为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第一次构图工 艺后的平面图，图12为图11中Al-Al向的剖面图，图13为图11中Bl-Bl向的剖面图。首 先采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板3 (如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄 膜，栅金属薄膜可以采用铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层 结构。采用普通掩模板(也称单调掩模板)对栅金属薄膜进行构图，在基板3上形成包括 栅线1、第一薄膜晶体管Tl的第一栅电极11、第二薄膜晶体管T2的第二栅电极21、第三薄膜晶体管T2的第三栅电极31、第四薄膜晶体管T4的第四栅电极41、第一控制信号线501和第二控制信号线502的图形。图14为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第二次构图工 艺后的平面图，图15为图14中A2-A2向的剖面图，图16为图14中B2-B2向的剖面图。在 完成上述结构图形的基板3上，首先采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法， 依次沉积栅绝缘层4、半导体薄膜51和掺杂半导体薄膜52，通过构图工艺对半导体薄膜51 和掺杂半导体薄膜52进行构图，在第一栅电极11、第二栅电极21、第三栅电极31和第四栅 电极41上形成有源层5的图形。图17为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第三次构图工 艺后的平面图，图18为图17中A3-A3向的剖面图，图19为图17中B3-B3向的剖面图。在 完成上述结构图形的基板3上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜，源 漏金属薄膜可以采用铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层结 构。采用普通掩模板对源漏金属薄膜进行构图，形成包括数据线2、第一薄膜晶体管Tl的第 一源电极12和第一漏电极13、第二薄膜晶体管T2的第二源电极22和第二漏电极23、第三 薄膜晶体管T3的第三源电极32和第三漏电极33、第四薄膜晶体管T4的第四源电极42和 第四漏电极43、TFT沟道区域和信号线9的图形，所述信号线9与数据线2平行。图20为本发明触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法实施例的第四次构图工 艺后的平面图，图21为图20中A4-A4向的剖面图，图22为图20中B4-B4向的剖面图。在 完成上述结构图形的基板3上，采用PECVD方法沉积一层钝化层6。采用普通掩模板对钝化 层进行构图，在第一漏电极13的位置形成第一钝化层过孔7，和在第三漏电极33的位置或 第四源电极42的位置或第三漏电极33和第四源电极42的连接部分上形成第二钝化层过 孔71。最后，在完成上述结构图形的基板3上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，依次沉积 透明导电薄膜。采用普通掩模板对透明导电薄膜进行构图，在每个像素区域内形成包括像 素电极8和连接条81的图形，其中像素电极8通过第一钝化层过孔7将像素电极8和第一 薄膜晶体管Tl的第一漏电极13连接，连接条81通过第二钝化层过孔71将第四薄膜晶体 管T4的第四源电极42与外部集成电路60连接，如图6 图8所示，其中，像素电极的材料 为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。本实施例所说明的五次构图工艺仅仅是制备本发明触摸式液晶显示器阵列基板 的一种实现方法，实际使用中还可以通过增加或减少构图工艺次数、选择不同的材料或材 料组合来实现本发明。本发明提供一种触摸式液晶显示器阵列基板的制造方法，通过形成第二薄膜晶体 管、信号线以及电压获取电路，以及对输入信号的控制，使得在输入黑帧信号时由信号线及 电压获取电路获得黑帧电压，并通过外部集成电路对黑帧电压和固定值的参考电压即标准 黑帧电压的比较，从而获得触摸位置以实现触摸功能。本发明提供的技术方案和现有技术 中用像素电压作为参考电压的触摸式液晶显示器相比，结构简单，获得的黑帧信号易于处 理，出错率低，稳定性高；将电压获取电路集成在液晶显示器的阵列基板上，提高了集成度， 降低了生产成本，且电压获取电路起到了清空阵列基板形成的电路当中的残留电荷的作 用，减小了电路中噪声对触摸产生的电压信号的影响，本发明提供的触摸式液晶显示器在提高工作稳定性的同时，又能提高画面的品质，减小“残像”现象的出现。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解其依 然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修 改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
一种触摸式液晶显示器，包括彩膜基板、阵列基板以及夹设在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶分子层，在所述阵列基板上形成有栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述第一薄膜晶体管连接、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压的第二薄膜晶体管；与所述第二薄膜晶体管连接、用于将所述数据电压和黑帧电压输出的信号线，所述信号线与所述数据线平行设置；以及与所述信号线连接、用于从所述信号线获取所述黑帧电压的电压获取电路，所述黑帧电压为在两帧数据电压之间插入的电压；外部集成电路，用于从所述电压获取电路获取所述黑帧电压，并根据所述黑帧电压的变化获得触摸位置，与所述电压获取电路连接。
2.根据权利要求1所述的触摸式液晶显示器，其特征在于，在同一像素区域内，所述第 一薄膜晶体管的第一栅电极与当前像素区域的栅线相接连，第一源电极与所述数据线相连 接，第一漏电极与所述像素电极相连接；所述第二薄膜晶体管的第二栅电极与前一像素区 域的栅线相连接，第二源电极与所述第一漏电极相连接，第二漏电极与所述信号线相连接。
3.根据权利要求2所述的触摸式液晶显示器，其特征在于，所述电压获取电路包括用 于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管，与各个像素区域的所述信号线和所述 外部集成电路相连接；用于在所述第三薄膜晶体管获取到数据电压时对所述第三薄膜晶体 管进行放电的第四薄膜晶体管，与所述第三薄膜晶体管相连接；用于控制所述第三薄膜晶 体管开关的第一控制信号线；以及用于控制所述第四薄膜晶体管开关的第二控制信号线。
4.根据权利要求3所述的触摸式液晶显示器，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的第 三栅电极连接所述第一控制信号线，第三源电极连接所述信号线，第三漏电极连接所述外 部集成电路；所述第四薄膜晶体管的第四栅电极连接所述第二控制信号线，第四源电极连 接所述第三漏电极，第四漏电极接地。
5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的触摸式液晶显示器，其特征在于，所述外部 集成电路包括存储单元，用于存储从所述电压获取电路获取的黑帧电压；放大过滤单元，用于放大所述存储单元的所述黑帧电压，并对所述黑帧电压中的噪声 信号进行过滤；比较单元，用于将经过所述放大过滤单元获取处理后的所述黑帧电压与预先设定的标 准黑帧电压进行比较，根据比较结果确定所述黑帧电压所指示的触摸式液晶显示器的位置 是否被触摸。
6.一种触摸式液晶显示器的触摸方法，其中触摸式液晶显示器包括彩膜基板、阵列基 板以及夹设在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶分子层，在所述阵列基板上形成有栅线 和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，其特征 在于，包括步骤1、所述栅线对前一像素区域进行扫描时，当前像素区域中的第二薄膜晶体管间隔 获取所述当前像素区域的数据电压和黑帧电压；步骤2、由与所述第二薄膜晶体管连接的信号线将所述第二薄膜晶体管获取的所述数 据电压和黑帧电压输出至电压获取电路；步骤3、所述电压获取电路将所述黑帧电压输出至外部集成电路；步骤4、所述外部集成电路根据所述黑帧电压的变化计算得到触摸液晶显示器时的触摸位置。
7.根据权利要求6所述的触摸式液晶显示器的触摸方法，其特征在于，所述步骤3还包括所述电压获取电路对其接收的数据电压进行放电的步骤。
8.根据权利要求6或7所述的触摸式液晶显示器的触摸方法，其特征在于，所述外部集 成电路包括存储单元、放大过滤单元以及比较单元，则所述步骤4具体包括存储单元存储从所述电压获取电路获取的黑帧电压；放大过滤单元放大所述存储单元的所述黑帧电压，并对所述黑帧电压中的噪声信号进 行过滤；比较单元将经过所述放大过滤单元获取处理后的所述黑帧电压与预先设定的标准黑 帧电压进行比较，根据比较结果确定所述黑帧电压所指示的触摸式液晶显示器的位置是否 被触摸。
9.一种触摸式液晶显示器的阵列基板，在所述阵列基板上形成有栅线和数据线，所述 栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，其特征在于，还包括与 所述第一薄膜晶体管连接、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压的第二薄膜 晶体管；与所述第二薄膜晶体管连接、用于将所述数据电压和黑帧电压输出的信号线，所述 信号线与所述数据线平行设置在同一像素区域的两侧；以及与所述信号线连接、用于从所 述信号线获取所述黑帧电压的电压获取电路，所述黑帧电压为在两帧数据电压之间插入的 电压。
10.根据权利要求9所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，在同一像素区 域内，所述第一薄膜晶体管的第一栅电极与当前像素区域的栅线相接连，第一源电极与所 述数据线相连接，第一漏电极与所述像素电极相连接；所述第二薄膜晶体管的第二栅电极 与前一像素区域的栅线相连接，第二源电极与所述第一漏电极相连接，第二漏电极与所述 信号线相连接。
11.根据权利要求10所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述电压获 取电路包括用于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管；用于在所述第三薄膜 晶体管获取到数据电压时对所述第三薄膜晶体管进行放电的第四薄膜晶体管；用于控制所 述第三薄膜晶体管开关的第一控制信号线；以及用于控制所述第四薄膜晶体管开关的第二 控制信号线。
12.根据权利要求11所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述第三薄 膜晶体管的第三栅电极连接所述第一控制信号线，第三源电极连接所述信号线；所述第四 薄膜晶体管的第四栅电极连接所述第二控制信号线，第四源电极连接所述第三薄膜晶体管 的第三漏电极，第四漏电极接地。
13.根据权利要求9-12任一所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述 第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管各自的栅电极、所述 栅线、第一控制信号线和第二控制信号线设置在同一层，且在同一次构图工艺中形成，并且所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管各自的源电极 和漏电极设置在同一层，且在同一次构图工艺中形成。
14.根据权利要求9-12任一所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述 数据线与所述信号线平行设置。
15.根据权利要求14所述的触摸式液晶显示器的阵列基板，其特征在于，所述信号线 与所述数据线设置在同一层，且与所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管 和第四薄膜晶体管各自的源电极和漏电极在同一次构图工艺中形成。
16.一种触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤10、在基板上形成包括栅线、数据线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各自的栅 电极、源电极和漏电极，以及信号线和电压获取电路的图形，其中，所述第一薄膜晶体管和 第二薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线限定的像素区域内，所述数据线与所述信号线平 行设置，所述电压获取电路形成在所述像素区域以外；步骤20、在完成步骤10的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在所述第一薄膜晶体管的 第一漏电极位置和所述电压获取电路上形成钝化层过孔；步骤30、在完成步骤20的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极和 连接条的图形，所述连接条用于连接所述电压获取电路和外部集成电路。
17.根据权利要求16所述的触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述电压获取电路包括用于获取所述数据电压和黑帧电压的第三薄膜晶体管；用于在所 述第三薄膜晶体管获取到数据电压时对所述第三薄膜晶体管进行放电的第四薄膜晶体管， 则所述步骤10具体包括步骤11、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图，在基板上形成栅 线、所述第一薄膜晶体管的第一栅电极、所述第二薄膜晶体管的第二栅电极、所述第三薄膜 晶体管的第三栅电极、所述第四薄膜晶体管的第四栅电极、第一控制信号线和第二控制信 号线的图形，所述第一栅电极和所述第二栅电极与所述栅线相接连，所述第三栅电极连接 所述第一控制信号线，所述第四栅电极连接所述第二控制信号线；步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜， 通过构图工艺在所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极上 形成有源层的图形，所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层；步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成所述第一薄膜 晶体管的第一源电极和第一漏电极、所述第二薄膜晶体管的第二源电极和第二漏电极、所 述第三薄膜晶体管的第三源电极和第三漏电极和所述第四薄膜晶体管的第四源电极和第 四漏电极、所述数据线、TFT沟道区域以及所述信号线图形，其中所述第一源电极与所述数 据线相连接，所述第二源电极与所述第一漏电极相连接，所述第二漏电极与所述信号线相 连接，所述第三源电极连接所述信号线，所述第四源电极连接所述第三漏电极，所述第四漏 电极接地。
18.根据权利要求17所述的触摸式液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤20具体包括在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在所述第一漏电极位置形成第一钝化层过孔，在所述第三漏电极位置或者所述第四源电极位置或者所 述第三漏电极和第四源电极的连接部分上形成第二钝化层过孔；所述步骤30具体包括在完成步骤20的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包 括像素电极和连接条的图形，通过所述第一钝化层过孔连接所述第一漏电极和所述像素电极，通过所述第二钝化层过孔和所述连接条连接所述第三漏电极、所述第四源电极以及所述外部集成电路。
全文摘要
本发明公开了一种触摸式液晶显示器、触摸方法、阵列基板及其制造方法，其中触摸式液晶显示器包括彩膜基板、阵列基板以及夹设其间的液晶分子层，在阵列基板上形成有栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和第一薄膜晶体管，阵列基板还包括与第一薄膜晶体管连接、用于间隔获取当前像素区域的数据电压和黑帧电压的第二薄膜晶体管；与第二薄膜晶体管连接、用于将数据电压和黑帧电压输出的信号线，信号线与数据线平行设置；以及与信号线连接、用于从信号线获取黑帧电压的电压获取电路；外部集成电路用于从电压获取电路获取黑帧电压，并根据黑帧电压的变化获得触摸位置。
文档编号G02F1/133GK101840084SQ20091008009
公开日2010年9月22日 申请日期2009年3月18日 优先权日2009年3月18日
发明者王峥 申请人:北京京东方光电科技有限公司