专利名称：一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法
技术领域：
本发明涉及显影机台领域，特别是涉及一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的 方法。
背景技术：
在涂胶显影机台的使用中，需要监测曝光后烘烤(PEB :Post Exposure Bake)过 程中使用的热板的斜率，传统地，使用乙酸醛基类DUV光刻胶来监测热板斜率，即将乙酸醛 基类DUV光刻胶涂覆在晶片上，在PEB的热板上加热，然后用膜厚测量机台测量光刻胶的厚 度，测量时，如图1所示，在水平方向(X方向)和垂直方向(Y方向)各监测9个点，然后运 用EXCEL中斜率计算公式计算出X方向、Y方向的斜率值，以确定热板的倾斜程度是否在规 定范围内。在生产实践中，我们发现，退火型光刻胶对PEB热板的温度比乙酸醛基类DUV光刻 胶更加敏感，因此能够更加敏感的监测到热板的倾斜。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的是提出一种能更加敏感地监测显影机台曝光 后烘烤热板斜率的方法。为了达到本发明的上述目的，本发明提出一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率 的方法，包括以下步骤首先，在晶片上涂覆退火型光刻胶后将所述晶片置于曝光后烘烤热板上进行烘烤；然后，用膜厚测量机台根据测量方法测量烘烤后的上述光刻胶的厚度；所述测量方法为选取上述光刻胶上在圆周内均勻分布的多个点为测量点，测试 上述各测量点的厚度，通过计算上述厚度的最大值和最小值的差值来衡量曝光后烘烤热板 的斜率。作为上述方案的优选，上述测量方法还包括通过膜厚测量机台显示的3D图，直 接判断显影机台曝光后烘烤热板倾斜的方向。作为上述方案的优选，上述测量方法中的测量点为25个。本发明提出的一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，由于采用了对PEB 温度更加敏感的退火型光刻胶及更好的测量方法，因此能敏感的监测到热板是否倾斜，并 能直观地观察到热板倾斜的方向及程度。下面结合附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详细说明。对于所属技术领 域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显 而易见。
图1为现有技术中使用乙酸醛基类DUV光刻胶监测PEB热板斜率的方法示意图； B 型 其中，hv为催化剂。由于选用了不同于现有技术中使用的光刻胶来监测热板的斜率，因此，测量斜率 的方法也有所不同。使用膜厚测量机台测量光刻胶的厚度时，在光刻胶上选取多个测试点，如图2所 示，选取25个测量点，上述25个测量点分布在圆心和两个同心圆的圆周上，这样的分布能 更好地示出整个光刻胶的表面。然后利用膜厚测量机台测量光刻胶在每个测量点处的厚 度，得到上述各个测量点处光刻胶的厚度值，若热板倾斜，则上述厚度值中肯定存在最大值
4图2为本发明提出的一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的测量方法示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易理解，下面结合本发明的优选实 施例，作详细说明如下。本发明提出的一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法的优选实施例包括 以下步骤首先，在晶片上均勻地涂覆退火型光刻胶(High Activation Energy Resist)，此 处涂胶的方法可以采用现有技术中任意一种涂胶方法；然后，将涂覆上光刻胶的晶片放置在需要监测的显影机台PEB热板上，并进行烘 烤；在烘烤过程中，若PEB热板有倾斜，那么涂覆在晶片上的光刻胶也会随着热板的倾斜方 向而变得不均勻。最后，烘烤完毕后，将晶片移至膜厚测量机台，用膜厚测量机台测量涂覆在上述晶 片上的光刻胶的厚度。其中，监测热板斜斜率使用的退火型光刻胶(High Activation Energy Resist) 与惯用的乙酸醛基类DUV光刻胶(Low Activation Energy Resist)相比具有更加耐蚀亥lj， 并且对PEB的温度更加敏感的特性。两种类型的退火型光刻胶的化学反应式如下所示A型和最小值，通过计算上述最大值和最小值的差值来衡量PEB热板的倾斜程度。在本发明另一优选实施例中，可以根据上述测量到的各个测试点的厚度值，利用 膜厚测量机台上显示的可供观察的3D图来直观地判断显影机台PEB热板倾斜的方向，如图 2中的3D图所示。当然，本发明还可有其他实施例，在不背离本发明之精神及实质的情况下，所属技 术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变，但这些相应的改变都应属于本发 明权利要求的保护范围。
权利要求
一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，其特征在于，包括以下步骤首先，在晶片上涂覆退火型光刻胶后将所述晶片置于曝光后烘烤热板上进行烘烤；然后，用膜厚测量机台根据测量方法测量烘烤后的上述光刻胶的厚度；所述测量方法为选取上述光刻胶上在圆周内均匀分布的多个点为测量点，测试上述各测量点的厚度，通过计算上述厚度的最大值和最小值的差值来衡量曝光后烘烤热板的斜率。
2.根据权利要求1所述的一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，其特征在 于，上述测量方法还包括通过膜厚测量机台显示的3D图，直接判断显影机台曝光后烘烤 热板倾斜的方向。
3.根据权利要求1所述的一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，其特征在 于，上述测量方法中的测量点为25个。
全文摘要
本发明提出一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，包括以下步骤首先，在晶片上涂覆退火型光刻胶后将所述晶片置于曝光后烘烤热板上进行烘烤；然后，用膜厚测量机台根据测量方法测量烘烤后的上述光刻胶的厚度；所述测量方法为选取上述光刻胶上在圆周内均匀分布的多个点为测量点，测试上述各测量点的厚度，通过计算上述厚度的最大值和最小值的差值来衡量曝光后烘烤热板的斜率。本发明由于采用了对PEB温度更加敏感的退火型光刻胶及更好的测量方法，因此能敏感的监测到热板是否倾斜，并能直观地观察到热板倾斜的方向及程度。
文档编号G03F7/38GK101900954SQ200910142349
公开日2010年12月1日 申请日期2009年6月1日 优先权日2009年6月1日
发明者吴广州, 陈鹏 申请人:和舰科技(苏州)有限公司