专利名称：胺化合物、电子照相光电导体、图像形成方法、图像形成设备和处理盒的制作方法
胺化合物、电子照相光电导体、图像形成方法、图像形成设
备和处理盒发明背景发明领域本发明涉及:胺化合物；包括胺化合物的电子照相光电导体；和利用电子照相光电导体的图像形成方法、图像形成设备和处理盒。相关技术的描述近年来，利用电子照相方法的信息处理系统器件的发展显著。特别地，将信息转换成数字信号和用光进行信息记录的激光打印机和数字复印机已在它们的打印质量和可靠性方面显著改进。另外，通过与高速技术结合，它们已应用于激光打印机或数字复印机，用激光打印机或数字复印机，全彩色印刷是可能的。从这样的背景，具有作为光电导体需要的功能的高图像质量和高耐久性已成为特别重要的问题。作为用于这些电子照相激光打印机和数字复印机的光电导体，具有有机光敏材料(OPC)的光电导体通常因为这样的原因，如成本、生产力和无污染而被广泛使用。此外，OPC光电导体的层结构被分成单层结构和功能分开的层压结构。例如，作为第一实际的OPC的PVK-TNF电荷转移复合光电导体具有前者的单层结构。同时，PVK/a-Se多层光电导体在1968年由Hayashi和Regensburger独立发明，后来,多层光电导体在1977年由Melz等和在1978年由Schlosser发明，其中光电导层，即有机颜料分散层和有机低分子量分散的聚合物层全部由有机材料组成。由于这样的观点——它由吸收光并产生电荷的电荷产生层(CGL)和注入并输送由CGL产生的电荷并中和表面电荷的电荷输送层(CTL)组成，这些也被称作功能分开的层压光电导体。通过该功能分开的层压光电导体的发展，与单层光电导体相比,敏感性和耐久性已显著提高。并且，由于具有不同功能的材料——即电荷产生材料(CGM)和电荷输送材料(CTM)—— 的单独分子设计是可能的，所以这些材料的选择已大大增力口。由于这些原因，功能分开的层压光电导体是目前OPC光电导体的主要层结构。功能分开的光电导体中静电潜像形成的机制如下。光照射到带电荷的光电导体，光通过电荷输送层并在电荷产生层中由电荷产生材料吸收,并且产生电荷。将由此产生的电荷在电荷产生层和电荷输送层之间的界面注入电荷输送层，它通过电场在电荷输送层内被进一步转移，并且它中和光电导体的表面电荷。由此，形成静电潜像。然而，由于重复使用，有机光电导体受到严重的薄膜剥落(film chipping)。随着光电导层中的薄膜剥落进展，充电能力降低和光电导体的感光性退化以及光电导体表面上的划痕引起的背景污迹、图像密度降低或图像退化趋于进展。因此，有机光电导体的耐磨损性已作为大问题被经常地提出。另外，近年来，由于光电导体直径的降低——这是由于电子照相器件的加速或设备的缩小化，光电导体的高耐久性已比以前更加重要。作为获得提高的光电导体耐磨损性的方法，润滑、固化或将填料掺入光电导层的方法，或利用聚合电荷输送材料代替低分子电荷输送材料(CTM)分子分散的聚合物层的方法广为所知。然而，通过这些方法的光电导层中剥落的抑制引起新问题。即，已知重复使用或周围环境产生的臭氧、NOx或其它氧化物质被吸收到光电导层表面上，这导致最外表面的低电阻率——取决于重复使用和使用环境，引起这样的问题如图像缺失(图像模糊)。常规地，该模糊产生物质连同光电导层被剥掉，该问题已在一定程度上被避免。然而，如上所述，必须利用新技术来满足近来更高分辨率和更高耐久性的需求。存在在光电导体上携载加热器以蒸发模糊物质的方法，作为方法之一来降低其影响，但是该方法是缩小器件和能量消耗减少的一个大障碍。同样，添加剂如抗氧化剂是一个有效的方法，但是通常的添加剂不具有光电导性。因此，对光电导层的大量添加引起电子照相特性的问题如低灵敏度和增加的残余电位。如上，由于光电导体周围的工艺设计，赋予高耐磨性或较少剥落的电子照相光电导体不能避免对图像质量的影响如作为副作用的图像模糊和分辨率降低的发生，已被认为难以同时获得高耐久性和高图像质量。高电阻被优选用于抑制图像模糊的发生，低电阻被优选用于抑制残余电位的升高。这些处于权衡关系，其使得难于解决该问题。同时，在日本专利(JP-B)N0.4226749中，公开了作为光电导体的酸清除剂的具有二烷基氨基的芳族化合物。同样，二胺化合物在日本专利申请特许公开(JP-A)N0.5-158258和JP-A N0.2009-14851中公开。这些化合物被描述为在光电导体重复使用之后对图像质量有效和解决由模糊产生物质如氧化气体引起的图像缺失(图像模糊)的问题。然而，由于低的电荷可输送性，难于对高灵敏度和加速的要求有反应，并因此，对添加的量有限制。另外，据报道JP-AN0.60-196768、JP-B N0.2884353等中公开的包括二烷基氨基的苗化合物对由于氧化气体导致的图像模糊有效([Itami等，Konica TechnicalReport, Vol.13, p.37, 2000])。然而，由于芪化合物包括作为取代基的二烷基氨基，其在作为电荷输送位点的三芳香胺结构的共振区具有强中介效应(+M效应)，因此就整体而言，电离电位异常小。因此，只利用它作为电荷输送材料的光电导层的电荷保持能力最初很差或由于重复使用而退化严重，并且它具有实际使用非常困难的致命缺陷。并且，即使将它与如本发明中的其它电荷输送材料混合，芪化合物比那些材料具有相当小的电离电位。芪化合物变成转移的电荷的空穴陷阱位点，并且得到的电 子照相光电导体具有显著低的灵敏度和巨大的残余电位的缺点。同样，对抑制由于NOx等引起的图像退化有效的二胺化合物在JP-B N0.4101676和JP-B N0.3949550中公开。其灵敏度的降低相对小，但是认为其是不够的，因为它具有由于循环疲劳引起的分辨率降低的问题。另外，胺化合物——其中二烷基氨基直接结合到三芳香胺结构——在JP-BN0.3996490中公开。然而，与芪化合物相似，得到的电子照相光电导体具有显著低的灵敏度和闻残余电位的缺点。发明概述本发明旨在提供:电子照相光电导体，其通过在长期重复使用中具有高耐久性和通过抑制由于图像模糊的发生引起的图像密度降低或图像退化而稳定地提供高质量图像；和利用电子照相光电导体的图像形成方法、图像形成设备和处理盒，其不需要电子照相光电导体的替换，能够高速印刷或由于光电导体直径的减小使设备缩小并进一步在重复使用中稳定地提供高质量图像。
作为解决该问题的广泛研究的结果，本发明人已发现由于模糊产生物质如氧化气体引起的图像模糊(图像缺失)问题可通过在光电导层中掺入特定的胺化合物来解决并完成了本发明。作为解决该问题的手段的本发明的胺化合物由下面的通式(I)表示。
权利要求
1.下面的通式(I)表示的胺化合物:
2.根据权利要求1所述的胺化合物，其中所述胺化合物是由下面的通式⑴至(3)中任一个表示的胺化合物:
3.电子照相光电导体，包括:导电衬底；和 所述导电衬底上的光电导层， 其中所述光电导层包括下面通式(I)表示的胺化合物:
4.根据权利要求3所述的电子照相光电导体,其中所述光电导层包括电荷输送材料。
5.根据权利要求4所述的电子照相光电导体，其中所述电荷输送材料是下面通式(4)表示的芪化合物，
6.根据权利要求4所述的电子照相光电导体，其中所述电荷输送材料是下面通式(8)表示的氨基联苯基化合物，
7.根据权利要求4所述的电子照相光电导体，其中所述电荷输送材料是通式(9)表示的二烯烃芳族化合物， A2-CH = CH-Ar5-CH = CH-A2...通式(9) 在通式(9)中，Ar5代表取代的或未取代的芳香烃基;A2代表下面的通式(10)，
8.根据权利要求4所述的电子照相光电导体,其中所述电荷输送材料是聚合电荷输送材料。
9.根据权利要求8所述的电子照相光电导体，其中所述聚合电荷输送材料是下面通式(11)表不的化合物，
10.根据权利要求8所述的电子照相光电导体，其中所述聚合电荷输送材料是下面通式(14)表示的化合物，
11.根据权利要求3至10中任一项所述的电子照相光电导体，其中所述电子照相光电导体包括最外表面上的保护层，并且所述保护层包括通式(I)表示的胺化合物。
12.根据权利要求11所述的电子照相光电导体，其中所述保护层包括填充物。
13.根据权利要求11至12中任一项所述的电子照相光电导体，其中所述保护层包括通过固化可聚合单体而形成的树脂。
14.图像形成方法，包括: 为电子照相光电导体的表面充电； 曝光所述电子照相光电导体的所述充电表面以形成静电潜像； 利用着色剂使所述静电潜像显影以形成可见图像；和 将所述可见图像转印到记录介质， 其中所述电子照相光电导体是根据权利要求3至13中任一项所述的电子照相光电导体。
15.根据权利要求14的图像形成方法，其中，在所述曝光中，利用激光二极管和发光二极管中任一个，所述静电潜像被数字化写在所述电子照相光电导体上。
16.图像形成设备，包括: 电子照相光电导体； 充电装置，其为所述电子照相光电导体的表面充电； 曝光装置，其曝光所述电子照相光电导体的所述充电表面以形成静电潜像； 显影装置，其利用着色剂使所述静电潜像显影以形成可见图像；和 转印装置，其将所述可见图像转印到记录介质， 其中所述电子照相光电导体是根据权利要求3至13中任一项所述的电子照相光电导体。
17.根据权利要求16所述的图像形成设备，其中所述曝光装置是激光二极管和发光二极管中任一个，并且利用所述曝光装置，所述静电潜像被数字化写在所述电子照相光电导体上。
18.处理盒,包括: 电子照相光电导体；和 显影装置，其利用着色剂将所述电子照相光电导体上的静电潜像显影以形成可见图像， 其中所述电子照相光电导体是根据权利要求3至13中任一项所述的电子照相光电导体。·
全文摘要
本发明涉及一种胺化合物、电子照相光电导体、图像形成方法、图像形成设备和处理盒。提供下面通式(I)表示的胺化合物 通式(I)在通式(I)中，R1和R2代表取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的芳烷基、或取代的或未取代的芳香烃基，其可相同或不同；m和n是1或0的整数；Ar1代表取代的或未取代的芳香烃基；Ar2和Ar3代表取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的芳烷基、或取代的或未取代的芳香烃基；并且Ar1和Ar2或Ar2和Ar3可彼此结合以形成取代的或未取代的包括氮原子的杂环基团。
文档编号G03G5/06GK103242167SQ201310042649
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月1日 优先权日2012年2月3日
发明者岛田知幸, 野村正宜, 新居辽太 申请人:株式会社理光