富含硅的抗反射涂层材料及其制备方法

富含硅的抗反射涂层材料及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于光刻法中的抗反射涂层(ARC)配方，所述配方包含分散于溶剂中的富含硅的聚硅烷硅氧烷树脂，以及具有涂覆有所述ARC配方的表面的基材和一种将所述ARC配方施加至所述表面以形成ARC层的方法。所述聚硅烷硅氧烷树脂包含由(R’)2SiO2的结构单元定义的第一组分；由(R”)SiO3的结构单元定义的第二组分以及由(R”’)q+2Si2O4-q的结构单元定义的第三组分。在这些聚硅烷硅氧烷树脂中，所述R’、R”和R”’独立地选择为烃或氢(H)；并且所述下标q为1或2。作为另外一种选择，所述R’、R”和R”’独立地选择为甲基(Me)或氢(H)。通常，所述第一组分以x的摩尔比存在，所述第二组分以y的摩尔比存在，并且所述第三组分以z的摩尔比存在，使得(x+y+z)＝1、x<y并且x<z。所述聚硅烷硅氧烷树脂具有大于或等于约42重量％的硅含量。
【专利说明】富含硅的抗反射涂层材料及其制备方法
[0001] 本发明整体涉及光刻法。更具体地讲，本发明涉及制备富含硅的树脂以及在电子 器件的光刻处理过程中将其用作抗反射涂层。
[0002] 随着半导体工业对较小特征尺寸的不断需求，最近出现了使用193nm光的光刻 法，作为一种能够生产具有低于l〇〇nm特征的器件的技术。使用这种短波长光需要包括底 部抗反射涂层，该涂层能够降低将光反射到基材上的发生率，以及通过吸收穿过光致抗蚀 剂的光来抑制光致抗蚀剂摆动固化。由有机基和无机基材料组成的抗反射涂层（ARC)可商 购获得。表现良好耐蚀刻性的常规无机基ARC通常使用化学气相沉积（CVD)工艺来沉积。 因此，这些无机基ARC具有与极端形貌特征相关的所有综合缺点。另一方面，常规的有机基 ARC通常使用旋涂工艺来施加。因而，有机基ARC表现出优良的填充和平面化特性，但缺陷 是与有机光致抗蚀剂结合使用时的蚀刻选择性较差。因此，一直需要开发具有有机基和无 机基ARC的结合优点的新型材料。


【发明内容】

[0003] 在克服所列缺陷和相关技术中的其他限制方面，本发明大致提供了一种用于光 刻法中的抗反射涂层（ARC)配方，该配方包含大于或等于约42重量％的硅，但不超过约 90重量％。ARC配方包含分散于溶剂中的聚硅烷硅氧烷树脂。聚硅烷硅氧烷树脂包含由 (R'）2Si0 2的结构单元定义的第一组分；由（R"）Si03的结构单元定义的第二组分；以及由 (R"' 的结构单元定义的第三组分。在这些结构单元中，R'、R"和R"'独立地选择 为烃或氢⑶；并且下标q为1或2。作为另外一种选择，R'、R"和R"'独立地选择为甲基 (Me)或氢（H)。通常，第一组分以X的摩尔比存在，第二组分以y的摩尔比存在，并且第三 组分以z的摩尔比存在，使得（x+y+z) = l、x〈y并且x〈z。
[0004] 根据本发明的一个方面，根据本发明教导内容制备的许多聚硅烷硅氧烷树脂中的 一个例子包括其选择使得（R'） 2Si02的结构单元为（Me) (H)Si02的R' ；其选择使得（R"） Si〇3的结构单元为⑶Si03和（Me)Si03的混合物的R"；以及其选择使得（R"' USiAq的 结构单元为（Me)3Si203和（Me) 4Si202的混合物的R"'和q。在这一个例子中，X的摩尔比等 于〇. 1，y的摩尔比等于0.45,并且z的摩尔比等于0.45。
[0005] 根据本发明的另一个方面，提供了一种形成抗反射涂层（ARC)的方法。该方法大 致包括以下步骤：提供如本文进一步所述分散于溶剂中的聚硅烷硅氧烷树脂以形成ARC配 方；提供电子器件；将ARC配方施加至电子器件的表面以形成膜；从膜上去除溶剂；以及固 化膜以形成抗反射涂层。作为另外一种选择，通过旋涂将ARC配方施加至电子器件的表面 并且在小于或等于250°C的温度下固化膜。任选地，该方法还可包括将添加剂掺入ARC配方 中的步骤或在固化膜之前将膜置于惰性大气环境中的步骤。
[0006] 根据本发明的又一个方面，公开了一种涂覆有抗反射涂层（ARC)的基材，其中ARC 层包含富含硅的聚硅烷硅氧烷树脂。作为另外一种选择，聚硅烷硅氧烷可具有大于或等于 约42重量％的硅。该聚硅烷硅氧烷树脂包含根据以下式的D K'、TK"和PSSXK"'结构单元：
[0007] (DK，）x(TK，，） y(PSSXK，，，）z
[0008] 其中（DK' ^表示（R'）2Si02的结构单元；（TK"）y表示（R"）Si0 3的结构单元；并且 (PSSXK"'）z表示（R"' USiAi的结构单元；其中R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢并且 下标q为1或2,其中下标x、y和z表示大于零并且小于一的摩尔分数，使得（x+y+z) = 1。 作为另外一种选择，R'、R"和R"'独立地选择为甲基（Me)或氢⑶。
[0009] 除了别的以外，涂覆在基材上的聚硅烷硅氧烷树脂的一个例子包括其选择使得 (R'）2Si0 2的结构单元为（Me) (H)Si02的1?' ；其选择使得（R"）Si03的结构单元为（H)Si03 和（Me)Si(U^g合物的R"；以及其选择使得（R"' USiAi的结构单元为（Me)3Si203和 (Me) 4Si202的混合物的R"'和q。聚硅烷硅氧烷树脂可具有（DK'） x、（产'\和（PSSXK"'）z 结构单元，其存在使得x〈y并且x〈z。作为另外一种选择，x的摩尔比等于0. 1，y的摩尔比 等于0.45,并且z的摩尔比等于0.45。
[0010] 通过本文提供的说明，其他适用领域将变得显而易见。应当理解，说明和具体实例 旨在仅用于示例目的，而非旨在限制本发明的范围。

【专利附图】

【附图说明】
[0011] 本文所述附图仅用于示例目的，而非旨在以任何方式限制本发明的范围。
[0012] 图1为一种根据本发明教导内容制备包含聚硅烷硅氧烷树脂的抗反射涂层的方 法的示意图。

【具体实施方式】
[0013] 以下说明实质上仅为示例性的，并且决不旨在限制本发明或其应用或用途。应当 理解，在所有说明和附图中，相应的参考编号指示类似或相应的部分或结构。
[0014] 本发明大致提供了一种用于光刻法中的抗反射涂层（ARC)配方。抗反射涂层的配 方包括分散于溶剂中的聚硅烷硅氧烷树脂。聚硅烷硅氧烷树脂通常包含由（R'）2Si02的结 构单元定义的第一组分；由（R"）Si03的结构单元定义的第二组分以及由（R"' 的 结构单元定义的第三组分。在该聚硅烷硅氧烷树脂中，R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢 ⑶；并且下标q为1或2。作为另外一种选择，R'、R"和R"'独立地选择为甲基（Me)或氢 (H)。本发明的聚硅烷硅氧烷树脂包含大于或等于约42重量％的硅，但不超过约90重量％。
[0015] 根据本发明的一个方面，ARC配方包含分散于溶剂中的聚娃烧娃氧烧树脂，其中选 择R'使得第一组分中的（R'） 2Si02的结构单元为（Me) (H)Si02 ;选择R"使得第二组分中的 (R"）Si03的结构单元为（H) Si03和（Me) Si03的混合物；以及选择R"'和q使得第三组分中 的（R"' USiAq的结构单元为（Me)3Si203和（Me)4Si 202的混合物。
[0016] 可预先确定ARC配方中所用的聚硅烷硅氧烷树脂中存在的第一组分、第二组分和 第三组分的量。第一组分以X的摩尔比存在于ARC配方中，第二组分以y的摩尔比存在，并 且第三组分以z的摩尔比存在，使得（x+y+z) = l、x〈y并且x〈z。作为另外一种选择，χ的 摩尔比为大约0. l，y的摩尔比为大约0.45,并且ζ的摩尔比为大约0.45。
[0017] 在光刻过程中，由这些聚硅烷硅氧烷树脂形成的抗反射涂层（ARC)相对于随后沉 积在ARC层顶部的有机光致抗蚀剂表现出高度的蚀刻对比度。尽管不希望受到理论的束 缚，但据信，本发明的聚硅烷硅氧烷树脂中的较高硅（Si)含量会增加 ARC层的蚀刻速率并 且进一步增强ARC层和光致抗蚀剂之间的蚀刻对比度。除了吸收193nm的光之外，由本发 明的聚硅烷硅氧烷树脂形成的ARC层还满足用作抗反射涂层的基本要求。这些基本要求中 的两者包括：1)施加至电子器件的ARC层在450°C或更低、作为另外一种选择在250°C或更 低的温度下固化，作为另外一种选择所述温度等于或高于ARC配方中存在的溶剂所表现出 的沸点；和2)固化的ARC层抵制随后暴露于溶剂和/或蚀刻剂，包括但不限于丙二醇单甲 醚乙酸酯（PGMEA)和四甲基氢氧化铵（TMAH)。
[0018] 其中具有较高硅含量的本发明的聚硅烷硅氧烷树脂的另一潜在应用为蚀刻转移。 双图案化可潜在地将当前193nm的干式蚀刻延伸至22nm技术节点或以下的分辨率。可在 这种应用中使用具有较高硅含量和较高蚀刻敏感性的蚀刻转移层。
[0019] 聚硅烷硅氧烷树脂可通过适当的卤代硅烷和/或烷氧基硅烷的水解和缩合来制 备，其类似于如授予Sakamoto等人的美国专利No. 5, 762, 697、授予Becker等人的美国专 利No. 6, 281，285和授予Bank等人的美国专利No. 5, 010, 159中所述用于制备倍半硅氧烷 树脂的方法，所述专利的公开内容以引用方式并入本文。作为不完全水解或缩合的结果，残 余的羟基或烷氧基基团可保留在聚硅烷硅氧烷树脂中。通常，本发明的聚硅烷硅氧烷树脂 包含的含羟基或烷氧基基团的单元小于约40摩尔％，作为另外一种选择小于约20摩尔％， 作为另外一种选择小于约10摩尔％，作为另外一种选择小于约5摩尔％，作为另外一种选 择小于约1摩尔％。
[0020] 根据本发明的方法制备的聚硅烷硅氧烷树脂表现出的重均分子量（Mw)在500至 400,000的范围内，作为另外一种选择在500至100,000的范围内，作为另外一种选择在 700至30, 000的范围内。本领域技术人员将会理解，可通过使用折光率（RI)检测和聚苯乙 烯标准的凝胶渗透色谱法来进行这种分子量的测定。
[0021] 水解反应过程中存在的水量范围通常为硅烷反应物中存在的每摩尔卤代或烷氧 基基团中有〇. 5至2摩尔水，作为另外一种选择在硅烷反应物中的每摩尔卤代或烷氧基基 团中有0. 5至1. 5摩尔水。
[0022] 形成聚硅烷硅氧烷树脂的时间取决于多个因素，例如温度、硅烷反应物的类型和 量以及催化剂（如果存在）的量。允许反应进行一段时间，足以使基本上所有卤代和/或 烷氧基基团发生水解反应。通常，反应时间为约2分钟至约10小时，作为另外一种选择为 10分钟至1小时。本领域技术人员将能够容易地确定完成反应所必需的时间。
[0023] 只要不引起显著胶凝化或聚硅烷硅氧烷树脂的固化，生产聚硅烷硅氧烷树脂的反 应就可在任何温度下进行。进行反应的温度通常在25°C至高达反应混合物的回流温度的范 围内。可通过在回流下加热使反应进行10分钟至1小时。
[0024] 为了有利于完成水解和缩合反应，需要时可使用催化剂。催化剂可为碱或酸，例如 矿物酸或无机酸。可用的矿物酸包括但不限于HCl、HF、HBr、HN0 3和H2S04等等，作为另外一 种选择矿物酸为HCI。当使用时，催化剂的量基于反应混合物的总重量计通常为约0. 05重 量％至约1重量％。在完成反应后，可任选地去除催化剂。用于去除催化剂的方法对于本 领域技术人员而言是熟知的，并且包括中和、剥除或水洗涤或者它们的组合。
[0025] 由于硅烷反应物是不溶于水或仅微溶于水的，因此反应在溶剂中进行。聚硅烷硅 氧烷树脂在其中形成的溶剂以足以使硅烷反应物溶解的任何量存在。通常，溶剂的存在量 基于反应混合物的总重量计为1至99重量％，作为另外一种选择为约70至90重量％。有 机溶剂的例子包括但不限于饱和脂族经，例如正戊烷、己烷、正庚烷和异辛烷；脂环族经，例 如环戊烷和环己烷；芳族烃，例如苯、甲苯、二甲苯和均三甲苯；醚，例如四氢呋喃、二噁烷、 乙二醇二乙醚和乙二醇二甲醚；酮，例如甲基异丁基酮（MIBK)和环己酮；卤素取代的烷烃， 例如三氯乙烷；卤化芳族烃，例如溴苯和氯苯；和酯，例如丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA)、异 丁酸异丁酯和丙酸丙酯。可用的有机硅溶剂可例举但不限于环状硅氧烷，例如八甲基环四 硅氧烷和十甲基环五硅氧烷。可使用单一溶剂或可使用溶剂的混合物。
[0026] 在制备聚硅烷硅氧烷树脂的过程中，在反应完成之后，可在减压下从聚硅烷硅氧 烷树脂溶液中去除挥发性物质。这种挥发性物质包括醇副产物、过量的水、催化剂、盐酸 (如果使用氯硅烷反应物）和溶剂。用于去除这些挥发性物质的方法是本领域技术人员已 知的并且包括例如减压下的蒸馏或汽提。
[0027] 为了增加聚硅烷硅氧烷树脂的分子量和/或提高树脂的贮存稳定性，可利用"稠 化"步骤。这种稠化步骤可涉及允许反应持续一段延长的时间，其中从40°C加热至高达溶 剂的回流温度。稠化步骤可在反应步骤之后进行或作为反应步骤的一部分进行。通常，稠 化步骤进行一段时间，该时间的范围为10分钟至6小时，作为另外一种选择为20分钟至3 小时。
[0028] 在用以制备聚硅烷硅氧烷树脂的反应后，可进行多个任选的步骤来获得所需形式 的聚硅烷硅氧烷树脂。例如，可通过去除溶剂以固体形式回收聚硅烷硅氧烷树脂。溶剂去 除的方法不是关键性的，并且许多方法是本领域熟知的（如，加热和/或真空下的蒸馏）。 一旦以固体形式回收聚硅烷硅氧烷树脂，就可根据特定用途需要任选地将树脂重新溶解在 相同或另一溶剂中。作为另外一种选择，如果最终产品需要不同溶剂（不同于反应中所用 的溶剂），则可通过添加第二溶剂和例如通过蒸馏去除第一溶剂而完成溶剂交换。此外，溶 剂中的树脂浓度可通过去除一些溶剂或添加附加量的溶剂进行调整。
[0029] 用于将聚硅烷硅氧烷树脂分散于ARC配方中的溶剂可与用于制备聚硅烷硅氧烷 树脂的溶剂相同或为不同的有机或有机硅溶剂。作为另外一种选择，可用的溶剂的几个例 子包括但不限于1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA)、γ-丁内酯、乙氧基丙 酸乙酯（EEP)和环己酮等等。作为另外一种选择，溶剂为丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA)或 乙氧基丙酸乙酯（EEP)。ARC配方通常包含基于ARC配方的总重量计为10重量％至99. 9 重量％的溶剂，作为另外一种选择80重量％至95重量％的溶剂。
[0030] ARC配方可任选地包含一种或多种添加剂，包括但不限于固化催化剂、表面活性 齐IJ、分散剂和其他成膜助剂。合适的固化催化剂的例子包括但不限于无机酸、光产酸剂和热 产酸剂。作为另外一种选择，固化催化剂可为硫酸（H 2S04)、（4-乙基硫代苯基）甲基苯基锍 三氟甲磺酸盐或2-萘基二苯基锍三氟甲磺酸盐。通常，基于ARC配方中存在的聚硅烷硅氧 烷树脂的总重量计，固化催化剂在ARC配方中的存在量高达约lOOOppm，作为另外一种选择 高达约500ppm。合适表面活性剂的几个例子包括但不限于硬脂酸钠、十二烷基硫酸钠、十二 烷基苯磺酸钠、月桂胺盐酸盐、三甲基十二烷基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵、聚氧乙烯 醇、烷基苯基乙氧基化物、环氧丙烷改性的聚甲基硅氧烷、十二烷基甜菜碱或月桂酰胺丙基 甜菜碱。合适的分散剂可包括但不限于上文所述的表面活性剂，以及2- 丁氧基乙醇、丙二 醇、四氢糠醇、二（丙二醇）丁基醚和β-环糊精。合适的成膜助剂的例子包括聚乙烯吡咯 烷酮、聚（甲基）丙烯酸酯和聚丙烯酰胺等等。
[0031] 根据本发明的另一个方面，提供了一种涂覆有抗反射涂层（ARC)的基材。该基材 为电子器件，包括但不限于半导体器件，例如旨在用于制造半导体组件的硅基器件和砷化 镓基器件。通常，器件包括至少一个半导体层和多个其他包含各种传导、半导或绝缘材料的 层。
[0032] ARC层通常包含聚硅烷硅氧烷树脂，该树脂由根据式1中所示的化学式的κ'、Τκ" 和PSSXK"'结构单元制成。在式1和本说明书中的别处，（DK'）X表示〇?'）如0 2的结构单 元；（TK"）y表示（R"）Si03的结构单元；并且（PSSX K"'）z表示（R"' 的结构单元。 结构单元中的R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢基团，作为另外一种选择，它们独立地选择 为甲基（Me)或氢（H);下标q为1或2 ;并且下标X、7和2表示大于零并且小于一的摩尔 分数，使得（x+y+z) = 1。作为另外一种选择，R'、R "和R'"独立地选择为饱和或不饱和烷 基基团，其具有1-12个碳原子，作为另外一种选择1-10个碳原子，其中此类烷基基团为直 链的、支链的或环状的，作为另外一种选择为芳香族的。作为另外一种选择，（D K'）X结构单 元、（TK"）y结构单元和构单元存在于聚硅烷硅氧烷树脂中，使得X小于 7并 且X小于z。总体来说，ARC层中存在的聚硅烷硅氧烷树脂包含大于或等于约42重量％、但 不超过90重量％的娃。
[0033] (DK，）x(TK，，） y(PSSXK，，，）z 式 1
[0034] ARC层的一个具体例子为下面的例子：其中选择R'使得（R'）2Si02的结构单元为 (Me)⑶Si02 ;选择R"使得（R"）Si03的结构单元为⑶Si03和（Me) Si03的混合物；以及选 择R"'和q使得（R"' 的结构单元为（Me)3Si20 3和（Me)4Si202的混合物。在多个 例子中的这一个例子中，x:y:z的摩尔比可包括X等于0. 1，y等于0. 45和z等于0. 45。
[0035] ARC层，其中（DK'）x、（产'\或（PSSXK"' \单元中的一者或多者包含不同单元结 构的混合物，各个单元可被写为更具体地描述单元结构。换句话讲，例如，当单元结构（D K'） ，源于其中R'包含甲基和氢两者的硅烷的水解时，该单元结构可被识别为（DM) X。相似地， 当单元结构0^"\源于其中R"为甲基或氢的硅烷混合物时，该单元结构可被识别为（ΤΜε) 其中a+b = y。以同样的方式，当单元结构（PSSXK"'）Z源于硅烷的混合物时，例如 Cl3Me3Si2和Cl2Me4Si 2，R"'可每两个硅原子反映烷基基团的身份及其数量。换句话讲，单元 结构可被识别为邮3父*^'_。邮5父*^ 2)^，其中〇+(1 = 2。
[0036] 施加至电子器件的ARC层的一个具体例子是一个识别为聚硅烷硅氧烷树脂的，所 述树脂具有D'J'JH^PSSXM^^PSSXM'j的结构单元。聚硅烷硅氧烷中存在的硅的 量大于或等于约42重量％。作为另外一种选择，娃的量不可为小于约45重量％、47重量％ 或48重量％。该ARC层在193nm波长的光下表现出良好的反射特性和吸收系数。然而令 人吃惊的是，在ARC层的总体聚硅烷硅氧烷结构中掺入（D K'）x单元会降低暴露于PGMEA或 四甲基氢氧化铵（TMAH)时损耗的层的量，同时保持用于光刻过程中的ARC层所预期表现出 的其他机械、光学和化学特性。
[0037] ARC层的机械、光学和化学特性可使用本领域技术人员已知的任何技术进行测量。 不同基本膜特性的例子包括但不限于接触角、表面能、193nm波长下的折光率（N值）、193nm 波长下的消光系数（K值），以及因暴露于PGMEA或TMAH而导致的膜厚度损耗。由常规聚硅 烷硅氧烷配方（运行编号1-3)制备的ARC层和根据本发明的教导内容制备的ARC层（编 号4-6)的测量的特性在下面的表1中提供。
[0038] 表1 :常规ARC层与本发明ARC层中的聚硅烷硅氣烷树脂表现出的特件比较结果
[0039]

【权利要求】
1. 一种抗反射涂层（ARC)配方，所述ARC配方包含聚硅烷硅氧烷树脂和溶剂；所述聚 硅烷硅氧烷树脂包含 ： 由（R'）2Si02的结构单元定义的第一组分； 由（R"）Si03的结构单元定义的第二组分以及 由（R"'）q+2Si2〇4i的结构单元定义的第三组分 其中R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢⑶；并且下标q为1或2。
2. 根据权利要求1所述的ARC配方，其中R'、R"和R"'被选择为甲基（Me)或氢⑶， 使得（R'）2Si02的结构单元为（Me) 〇l)Si02 ;(R")Si03的结构单元为ODSiOjP (Me)Si03的 混合物；并且R"'和（R"' USiAi的结构单元为（Me)3Si203和（Me)4Si 202的混合物。
3. 根据权利要求1-2所述的ARC配方，其中在所述聚硅烷硅氧烷树脂中所述第一组分 以X的摩尔比存在，所述第二组分以y的摩尔比存在，并且所述第三组分以z的摩尔比存 在，使得（χ+y+z) = l、x〈y 并且 χ〈ζ。
4. 根据权利要求3所述的ARC配方，其中所述x的摩尔比等于0. 1，所述y的摩尔比等 于0. 45,并且所述z的摩尔比等于0. 45。
5. 根据权利要求1-4所述的ARC配方，其中所述聚硅烷硅氧烷树脂包含大于或等于42 重量％的硅。
6. 根据权利要求1-5所述的ARC配方，其中所述溶剂为有机溶剂或有机硅溶剂。
7. 根据权利要求1-6所述的ARC配方，其中所述ARC配方还包含一种或多种添加剂； 所述添加剂为催化剂、表面活性剂、分散剂或成膜助剂。
8. -种形成抗反射涂层（ARC)的方法，所述方法包括以下所述步骤： 提供分散于溶剂中的聚硅烷硅氧烷树脂以形成ARC配方；所述聚硅烷硅氧烷树脂包 含： 由（R'）2Si02的结构单元定义的第一组分； 由（R"）Si03的结构单元定义的第二组分以及 由（R"'）q+2Si2〇4i的结构单元定义的第三组分 其中R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢⑶；并且所述下标q为1或2 ; 提供电子器件； 将所述ARC配方施加至所述电子器件的所述表面以形成膜； 从所述膜中去除所述溶剂；并且 固化所述膜以形成所述抗反射涂层。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中通过旋涂将所述ARC配方施加至所述电子器件的 所述表面。
10. 根据权利要求8或9所述的方法，其中在小于或等于250°C的温度下固化所述膜。
11. 根据权利要求8-10所述的方法，其中所述方法还包括将一种或多种添加剂掺入所 述ARC配方中的所述步骤。
12. 根据权利要求8-11所述的方法，其中所述方法还包括在固化所述膜之前将所述膜 置于惰性大气环境下的所述步骤。
13. -种涂覆有抗反射涂层（ARC)的基材，所述ARC层包含聚硅烷硅氧烷树脂，所述聚 硅烷硅氧烷树脂包含根据下式的D K'、Τκ"和PSSXK"'结构单元： (DK，）x(TK，，）y(PSSXK，，，） z 其中（DK'）x表示（R'）2Si02的结构单元；（T K"）y表示（R"）Si03的结构单元；并且 (PSSXK"'）z表示（R"' USiAi的结构单元；R'、R"和R"'独立地选择为烃或氢基团；并且 所述下标为1或2 ;其中所述下标X、5^Pz表示大于零并且小于一的摩尔分数，使得（x+y+z) =1。
14. 根据权利要求13所述的涂覆基材，其中所述基材为电子器件。
15. 根据权利要求13或14所述的涂覆基材，其中R'、R"和R"'被选择为甲基（Me)或 氢（H)，使得（R'）2Si02的所述结构单元为（Me) (H) Si02 ; (R"）Si03的所述结构单元为（H) SiOjP (Me)Si03的混合物；并且R"'和（R"' 的所述结构单元为（Me) 3Si203和 (Me)4Si20 2的混合物。
16. 根据权利要求13-15所述的涂覆基材，其中存在所述聚硅烷硅氧烷树脂、所述 Φκ' ^结构单元、所述（1^"\结构单元和所述（PSSXK"'）z结构单元使得x〈y并且x〈z。
17. 根据权利要求16所述的涂覆基材，其中所述X的摩尔比等于0. 1，所述y的摩尔比 等于0. 45,并且所述z的摩尔比等于0. 45。
18. 根据权利要求13-18所述的涂覆基材，其中所述聚硅烷硅氧烷包含大于或等于42 重量％的硅。
【文档编号】G03F7/075GK104066804SQ201380005761
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2013年1月17日 优先权日:2012年1月18日
【发明者】明-新·邹, 萧冰·周 申请人:道康宁公司