一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：显示区域和非显示区域，所述非显示区域设有栅极驱动电路和位于栅极驱动电路外侧的信号线，所述栅极驱动电路包括至少一TFT和至少一电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述电容位于所述信号线上方或者下方。由于本发明不需额外设置栅极驱动电路中的电容部分，可减小栅极驱动电路尺寸，从而进一步降低显示装置边框的宽度，实现窄边框设计。
【专利说明】—种阵列基板、显示面板及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、以及包含该阵列基板的显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，显示装置的设计趋于窄边框化，屏幕越来越大，边框越来越窄。窄边框使得在不增大设备尺寸的前提下增大了屏幕，从而提高了显示装置的显示效果。
[0003]在实现窄边框的现有技术中，将栅极驱动电路集成在显示面板上是最重要的解决办法之一。直接将栅极驱动电路集成在显示面板，代替了原来的栅极驱动芯片(GatedriverIC)，不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本，使显示屏变得更轻，而且可以提高产品的可靠性，做到窄边框的美观设计。现有显示面板的结构如图1所示，显示面板分为显示区域2和非显示区域1，非显示区域I包括栅极驱动电路区域11、位于栅极驱动电路外侧的信号线区域12，分别设有多个级连的栅极驱动电路111、位于栅极驱动电路外侧的信号线121，栅极驱动电路区域11及位于栅极驱动电路外侧的信号线区域12对称的位于显示区域2的外侧。可以看出，显示面板一侧的边框宽度W等于信号线区域宽度Wl加上栅极驱动电路区域宽度Wt，即W=Wl+Wt。
[0004]图2是栅极驱动电路的原理图，通常栅极驱动电路至少设有一个TFT(ThinFilmTransistor,薄膜场效应晶体管)器件1111和一个电容1112,如图中的虚线圈部分。图3a给出了图2虚线圈部分的布图结构俯视图，TFT器件的栅极221和电容的下极板211一般用同种金属材料，同层工艺制得，222为TFT的半导体层，TFT器件的漏极223和电容的上极板213 —般用同种金属材料，同层工艺制得，图中没有给出电容上下极板间的介质层，图中只示意的给出了一个TFT器件和一个电容，W2代表TFT器件区的宽度(TFT器件区中设置有栅极驱动电路的所有TFT期间及其连接线，其宽度通常大于图中一个TFT的宽度)，W3为电容区域的宽度，则栅极驱动电路区域宽度Wt=W2+W3，显示面板一边的边框宽度W=ffl+W2+ff3o
[0005]现有技术的显示面板仍然存在进一步实现窄边框化的问题。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。
[0007]本发明的实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域设有栅极驱动电路和位于栅极驱动电路外侧的信号线，所述信号线与所述栅线或/和数据线位于同层。所述栅极驱动电路包含TFT器件和电容，所述栅极驱动电路通过引线分别和所述信号线及所述显示区域相关部件连接，所述电容包括第一极板和第二极板，所述电容位于所述信号线的上方或者下方。
[0008]本发明的实施例还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
[0009]本发明的实施例还提供了一种液晶显示装置，包括上述显示面板。[0010]相对于现有技术而言，本发明的实施例所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，通过将电容设置于信号线上方或下方，故该电容不会单独占据边框的宽度，从而进一步降低显示装置边框的宽度，实现窄边框设计。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为现有技术的具有栅极驱动电路的阵列基板的俯视结构示意图；
[0012]图2为栅极驱动电路的电路原理图；
[0013]图3a为图2中虚线圈部分布图结构的俯视图；
[0014]图3b为图3a中沿A-A’的剖视图；
[0015]图4为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；
[0016]图5a为图4中虚线圈部分5的放大图；
[0017]图5b为图5a中沿B-B’的剖视图；
[0018]图6a为像素单元的俯视结构示意图；
[0019]图6b为图6a中沿C-C’的剖视图；
[0020]图7a为信号线区域、TFT器件区域和像素单元的剖视对比图；
[0021]图7b为信号线区域、TFT器件区域和像素单元的另一种剖视对比图；
[0022]图8为信号线区域的俯视图及沿D-D’的剖视图；
[0023]图9为本发明实施例提供的显示装置的剖视结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]本发明的核心思想是通过将电容设置于信号线上方或下方，故该电容不会单独占据边框的宽度，从而进一步降低显示装置边框的宽度，实现窄边框设计。
[0025]本发明实施例1提供了一种阵列基板，如图4所示，是本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。本发明实施例提供的阵列基板包括:显示区域42和非显示区域41，其中，显示区域42设置有多条栅线421，与该多条栅线绝缘交叉的多条数据线422，设置于相邻数据线和相邻栅线所围区域的像素单元，该像素单元包括作为像素开关的TFT423和与该TFT423电连接的像素电极424。非显示区域41设有栅极驱动电路(位于栅极驱动电路区域411范围内)和位于栅极驱动电路外侧的信号线(位于信号线区域412范围内)。
[0026]栅极驱动电路区域具有至少一个栅极驱动电路单元，每一级栅极驱动电路单元均具有用于输出行扫描信号的输出端，该输出端将该行扫描信号输出至阵列基板的显示区域42中的栅线，用于驱动显示区域42中一行像素的开启或关闭，每一级栅极驱动电路单元的输出信号又分别作为其上下级栅极驱动电路单元的复位信号或预充电信号，从而实现显示装置的逐行扫描。栅极驱动电路外侧的的信号线区域中，各信号线将各种信号(如时钟信号，复位信号等)输入栅极驱动电路单元。
[0027]图5a为图4中虚线圈部分5对应的放大图，图5b为图5a中B_B’对应的剖视图。如图5a和5b所示，该栅极驱动电路包括至少一 TFT4111和至少一电容4112，该电容位于信号线上方(该电容也可以位于信号线下方)，并通过第一绝缘层54与信号线51绝缘。该电容4112包括第一极板531和第二极板521以及设置于二者之间的第二绝缘层58，图5b中的下基板50，第一绝缘层54和第二绝缘层58在图5a中没有给出。需要说明的是，图5a，图5b中仅画出一个电容和一个TFT进行示例，信号线的上方或下方还可以设置多个电容，栅极驱动电路通常也包括多个TFT和其他元件，即图5a中与TFT电连接的白色方框4113表示栅极驱动电路处图中的TFT之外的其他元件，其具体结构可以采用现有的栅极驱动电路中的常用结构，例如图2中除TFT4111和电容4112之外的结构。该电容包括第一极板/第二电极531和第二极板/第一电极521。
[0028]另外，信号线51所施加的信号为栅极驱动电路所需的输入信号，包括各种脉冲信号和恒定信号，脉冲信号包括时钟信号、启动信号和复位信号等，时钟信号用来实现每级栅极信号的产生和下拉保持，启动信号实现第一级栅极信号的产生，复位信号实现平板开始显示时的复位，恒定电平信号包括高电平信号VGH和低电平信号VGL，根据不同的栅极驱动电路，上述信号线的个数有所不同。上述信号线51与栅线或/和数据线位于同层，即分为三种情况，一是信号线为单层，与栅线位于同层，二是所述信号线为单层，与所述数据线位于同层，三是所述信号线与所述栅线和数据线位于同层，即所述信号线位于两层，部分和所述栅线位于同层，部分和所述数据线位于同层。
[0029]结合图4、5a、5b可以看出，信号线区域412的宽度为W1，栅极驱动电路区域的宽度为Wt，显示面板一侧的边框宽度W等于信号线区域宽度Wl加上栅极驱动电路区域宽度Wt,即W=Wl+Wt。由于将电容设置在信号线上方或下方，故该电容与信号线共用一部分边框宽度，该电容不会单独占据边框的宽度，则栅极驱动电路区域的宽度Wt等于图3a中所示的TFT器件区域宽度W2，即显示面板一侧的边框宽度W=W1+W2，相比于现有技术，省去了电容单独所占的边框宽度W3，从而降低了显示装置边框的宽度。需要说明的是，通常，信号线区域宽度Wl大于电容的宽度W3，所以通常显示面板一侧的边框宽度W=W1+W2 ;但本发明的其他实施例中，信号线区域宽度Wl可以小于电容的宽度W3，此时显示面板一侧的边框宽度W=W3+W2，相比于现有技术，省去了信号线单独所占的边框宽度W1，从而降低了显示装置边框的宽度。但无论是哪种实施例，信号线、电容都不会单独占据边框宽度，都能实现进一步地窄边框化。
[0030]上述的阵列基板中电容的第一极板和第二极板可以均为金属材料，也可以均为透明材料，或者其中一个极板为金属材料，另外一个电极为透明材料。透明材料可以采用透明金属氧化物材料制成，例如，可以包括:InGaZnO、InGaO、ITZ0> AlZnO中的至少一种。
[0031]具体的，对于采用金属材料的极板，通常会设置至少一个孔洞。对于液晶面板而言，在框胶硬化时，可以提高紫外光透过率，进而提高紫外固化效率，提高产品生产率。
[0032]本发明实施例2提供一种阵列基板，在上述实施例1的基础上，相同的部分不再阐述，作为一种可选的方式，本实施例中电容的两个极板中的一个或两个，可以采用与像素阵列中同层的材料制备，这样电容可以与像素阵列在同一工艺过程中制备，不增加新的工艺步骤，节约成本。下面详细举例说明。
[0033]像素结构可以是下述的可选结构。
[0034]图6a是显示区域像素单元的俯视图，图6b为图6a中C_C’对应的剖面图。从图6a和图6b中可以看出，显示区域设置有绝缘并交叉设置的数据线66和栅线61，相邻数据线与相邻栅线围成的像素区域内设置一个像素单元，或者说数据线66和栅线61交叉处设置有像素单元，该像素单元包括TFT和像素电极、公共电极。本图中给出的像素电极为单畴结构，且像素电极位于公共电极之上，但是本发明实施例不限于此，像素电极可以位于公共电极之下，也可以是双畴、伪双畴或者多畴结构。TFT可以是a_Si (amorphoussilicon,非晶娃)TFT、Poly_Si (polysilicon,多晶娃)TFT 或者非晶娃氧化物(amorphousoxide) TFT,可以是顶栅结构也可以是底栅结构。
[0035]如图7a，对比显示区域42和信号线区域412，可以看出像素电极63可以和第一极板531位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，同时公共电极62和第二极板521位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。从而达到不增加新的工艺步骤，节约成本的效果。由于像素电极和公共电极可以互换，则像素电极可以和第一极板位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，同时公共电极和第二极板位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板位于第二极板的下方。可以看出，由于电容的第一极板531和第二极板521均为透明材料制作，则该电容极板不需设计孔洞图形，既可以简化工艺流程，又可以在框胶固化时大大的提高紫外线的透过率，从而提高了产品的生产率。另外，作为另外的实施方式，也可以第一极板531和像素电极63或者公共电极62位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第二极板521单独制作，类似的也可以第二极板521和像素电极63或者公共电极62位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板531单独制作。由于像素电极和公共电极可以互换，则第二极板可以和公共电极或者像素电极位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板521单独制作，类似的也可以第一极板和像素电极或公共电极位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第二极板单独制作。第一极板位于第二极板下方。
[0036]在该实施例中，为了使电容实现其在栅极驱动电路中的具体作用，比如，信号耦合和自举的作用，需将电容的第一极板和第二极板分别电联接至栅极驱动电路中相关TFT器件。在如图7a所示的实施例中，信号线区域设有位于信号线51和第二极板521之间的第一绝缘层54，位于第一极板531和第二极板521之间的第二绝缘层58。显示区域42的像素单元还设有位于栅线金属层61和数据线金属层66之间的第三绝缘层64和半导体层65，位于数据金属层66和公共电极62之间的第四绝缘层67,位于公共电极63和像素电极63之间的第五绝缘层68。TFT器件区域411设有位于栅线金属层71和数据线金属层76之间的第六绝缘层74和半导体层75，位于数据线金属层之上的第七绝缘层77和第八绝缘层78。我们采用打孔的方式，将信号线区域412上方的电容的第一极板531通过过孔761连接至栅极驱动电路的一个TFT器件的漏极76，将电容的第二极板521通过过孔762连接至栅极驱动电路一个TFT器件的栅极71，过孔761贯穿第八绝缘层78和第七绝缘层77，以露出数据线金属层76，过孔762贯穿第七绝缘层77和第六绝缘层74，以露出栅极金属层71。根据电路设计需要，也可以使电容第一极板531通过过孔连接至TFT器件的栅极，则过孔贯穿第八绝缘层78、第七绝缘层77及第六绝缘层74以露出栅极金属层71，使电容第二极板521通过过孔连接至TFT器件的源极或者漏极，则过孔贯穿第七绝缘层77以露出数据线金属层76。可以想到，电容的第一极板和第二极板可以通过过孔均电连接至各自相关TFT器件的栅极或者源级/漏极。该过孔的位置不限于栅极驱动电路区域，根据电路的需要，在非显示区域41内均可。
[0037]如图7a所示，电容的第一极板531通过过孔761连接至TFT器件源极/漏极的导线73可以单独制作或和像素电极63或公共电极62同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。电容的第二极板521通过过孔762连接至TFT器件的栅极的导线72可以单独制作或和公共电极层62或像素电极63同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，由于像素电极和公共电极的位置可以互换，电容的第二极板通过过孔连接至TFT器件源级/漏极的导线可以单独制作和公共电极或像素电极同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，电容的第一极板通过过孔连接至TFT器件的栅极的导线可以单独制作或和像素电极或公共电极同层，采用相同的材料在同一步骤中形成，第一电极位于第二电极下方。
[0038]如图7a所示，信号线区域设有位于信号线51和第二极板521之间的第一绝缘层54，位于第一极板531和第二极板521之间的第二绝缘层58。显示区域42的像素单元还设有位于栅线金属层61和数据线金属层66之间的第三绝缘层64和半导体层65，位于数据金属层66和公共电极62之间的第四绝缘层67,位于公共电极63和像素电极63之间的第五绝缘层68。TFT器件区域411设有位于栅线金属层71和数据线金属层76之间的第六绝缘层74和半导体层75，位于数据线金属层之上的第七绝缘层77和第八绝缘层78。上述绝缘层包括有机层和无机层中的至少一种，即可以是单层薄膜也可以是复合薄膜。通常情况下，第三绝缘层64为栅绝缘层，第四绝缘层67包括passivation层和有机层，第五绝缘层68为钝化层，第六绝缘层74可以和第三绝缘层64同层，采用相同材料同一工艺步骤形成，第七绝缘层77可以和第四绝缘层67同层，采用相同材料同一工艺步骤形成，第八绝缘层78可以和第五绝缘层68同层，采用相同材料同一工艺步骤形成。信号线51可以是单层，与栅线金属层位于同层，通常情况下，第一绝缘层54可以和第三绝缘层64和第四绝缘层67中的至少一层同层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括栅绝缘层、passivation层和有机层中的至少一层。信号线51可以是单层，与数据线金属层位于同层，则第一绝缘层54可以和第四绝缘层67中的至少一层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括passivation层和有机层中的至少一层，信号线51还可以是双层，部分信号线与栅极金属层同层，部分信号线与数据金属层同层，则第一绝缘层54可以和第四绝缘层67中的至少一层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括passivation层和有机层中的至少一层。第二绝缘层58可以和第五绝缘层68位于同层，采用相同材料同一步骤形成。
[0039]具体的，由于将电容放置在信号线上方，为了保持电容的稳定性，应该使信号线51和电容第二极板/第一极板之间的第一绝缘层54足够厚，以使得信号线中的脉冲信号对电容没有干扰或者该干扰不会影响电容的正常工作，为了达到上述效果，第一绝缘层54应该
大于等于5000人。
[0040]上述绝缘薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的单层薄膜，也可以采用上述材料的多层形成的多层薄膜，通过化学气相沉积或热蒸发等方法制备。
[0041]本发明实施例3提供一种阵列基板，在上述实施例2的基础上，相同的部分不再阐述。如图7b本发明实施例提供一种阵列基板，像素区域还设置一公共电极线69，该公共电极线69可以位于公共电极62的上方或者下方。该公共电极线由金属材料制得，增加了公共电极的电导性，进而提高显示装置的响应速度，提升显示装置的性能。
[0042]如图7b所示，对比显示区域42和信号线区域412，可以看出像素电极63可以和第一极板531位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，同时公共电极62和第二极板521位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。从而达到不增加新的工艺步骤，节约成本的效果。由于像素电极和公共电极可以互换，则像素电极可以和第一极板位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，同时公共电极和第二极板位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板位于第二极板的下方。可以看出，由于电容的第一极板和第二极板均为透明材料制作，则该电容极板不需设计孔洞图形，既可以简化工艺流程，又可以在框胶固化时大大的提高紫外线的透过率，从而提高了产品的生产率。另外，也可以第一极板531和像素电极63或者公共电极62位于同层,米用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第二极板521单独制作或和公共电极线69位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，类似的也可以第二极板521和像素电极63或者公共电极62位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板531单独制作或和公共电极线69位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。由于由于像素电极和公共电极可以互换，则第二极板可以和公共电极或者像素电极位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第一极板521单独制作或和公共电极线位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，类似的也可以第一极板和像素电极或公共电极位于同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，第二极板531单独制作或者和公共电极线位于同层，第一极板位于第二极板下方。
[0043]在该实施例中，为了使电容实现其在栅极驱动电路中的具体作用，比如，信号耦合和自举的作用，需将电容的第一极板和第二极板分别电联接至栅极驱动电路中相关TFT器件。在如图7b所示的实施例中，显示区域42的像素单元还设有位于栅线金属层61和数据线金属层66之间的第三绝缘层64和半导体层65，位于数据金属层66和公共电极62之间的第四绝缘层67，位于公共电极63和像素电极63之间的第五绝缘层68。TFT器件区域411设有位于栅线金属层71和数据线金属层76之间的第六绝缘层74和半导体层75，位于数据线金属层之上的第七绝缘层77和第八绝缘层78。我们采用打孔的方式，将信号线区域412上方的电容的第一极板531通过过孔761连接至栅极驱动电路的一个TFT器件的漏极76，将电容的第二极板521通过过孔762连接至栅极驱动电路一个TFT器件的栅极71，过孔761贯穿第八绝缘层78和第七绝缘层77，以露出数据线金属层76，过孔762贯穿第七绝缘层77和第六绝缘层74，以露出栅极金属层71。根据电路设计需要，也可以使电容第一极板531通过过孔连接至TFT器件的栅极，则过孔贯穿第八绝缘层78、第七绝缘层77及第六绝缘层74以露出栅极金属层71，使电容第二极板521通过过孔连接至TFT器件的源极或者漏极，则过孔贯穿第七绝缘层77以露出数据线金属层76。可以想到，电容的第一极板和第二极板可以通过过孔均电连接至各自相关TFT器件的栅极或者源级/漏极。该过孔的位置不限于栅极驱动电路区域，根据电路的需要，在非显示区域41内均可。
[0044]如图7b所示，电容的第一极板531通过过孔761连接至TFT器件源极/漏极的导线73可以和单独制作或者和像素电极63或公共电极62或公共电极线69同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。电容的第二极板521通过过孔762连接至TFT器件的栅极的导线72可以单独制作或者和公共电极层62或像素电极63或公共电极线69同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成。该公共电极线为金属材料，可以使电容具有更好的性能，提高其导电性。由于像素电极和公共电极的位置可以互换，电容的第二极板通过过孔连接至TFT器件源级/漏极的导线可以单独制作或和公共电极或像素电极或公共电极线同层，采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，电容的第一极板通过过孔连接至TFT器件的栅极的导线可以单独制作或和像素电极或公共电极或公共电极线同层，采用相同的材料在同一步骤中形成，第一电极位于第二电极下方。[0045]如图7b所示，信号线区域设有位于信号线51和第二极板521之间的第一绝缘层54，位于第一极板531和第二极板521之间的第二绝缘层58。显示区域42的像素单元还设有位于栅线金属层61和数据线金属层66之间的第三绝缘层64和半导体层65，位于数据金属层66和公共电极62之间的第四绝缘层67,位于公共电极63和像素电极63之间的第五绝缘层68。TFT器件区域411设有位于栅线金属层71和数据线金属层76之间的第六绝缘层74和半导体层75，位于数据线金属层之上的第七绝缘层77和第八绝缘层78。上述绝缘层包括有机层和无机层中的至少一种，即可以是单层薄膜也可以是复合薄膜。通常情况下，第三绝缘层64为栅绝缘层，第四绝缘层67包括passivation层和有机层，第五绝缘层68为钝化层，第六绝缘层74可以和第三绝缘层64同层，采用相同材料同一工艺步骤形成，第七绝缘层77可以和第四绝缘层67同层，采用相同材料同一工艺步骤形成，第八绝缘层78可以和第五绝缘层68同层，采用相同材料同一工艺步骤形成。信号线51可以是单层，与栅线金属层位于同层，通常情况下，第一绝缘层54可以和第三绝缘层64和第四绝缘层67中的至少一层同层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括栅绝缘层、passivation层和有机层中的至少一层。信号线51可以是单层，与数据线金属层位于同层，则第一绝缘层54可以和第四绝缘层67中的至少一层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括passivation层和有机层中的至少一层，信号线51还可以是双层，部分信号线与栅极金属层同层，部分信号线与数据线金属层同层，则第一绝缘层54可以和第四绝缘层67中的至少一层，采用相同材料同一步骤形成，即可以包括passivation层和有机层中的至少一层。第二绝缘层58可以和第五绝缘层68位于同层，采用相同材料同一步骤形成。
[0046]具体的，由于将电容放置在信号线上方，为了保持电容的稳定性，应该使信号线51和电容第二极板/第一极板之间的第一绝缘层54足够厚，以使得信号线中的脉冲信号对电容没有干扰或者该干扰不会影响电容的正常工作，为了达到上述效果，第一绝缘层54应该
大于等于5000人。
[0047]上述绝缘薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的单层薄膜，也可以采用上述材料的多层形成的多层薄膜，通过化学气相沉积或热蒸发等方法制备
[0048]本发明实施例提供一种阵列基板，能够提闻电容的稳定性。
[0049]为了进一步提高电容的稳定性，减少脉冲信号对电容的影响，可以在设计版图时，改变信号区域信号线布线的顺序，给电容下面的信号线施加恒定的电平信号，比如高电平(VGH/DIR)，低电平(VGL/DIR)，由于复位信号(RESET)和开启信号(STP)大部分时间也是恒定电平，故也可以设置于电容下方。(权9)
[0050]如图8所示，可以看出，在信号线区域的俯视图中，电容的第一极板531和/或第二极板521为条状，且该条状电极和下方的信号线51不重叠，其中D-D’的剖视图可以更清楚地理解。剖视图中，第一极板531和第二极板521大小一样,在俯视图中，第一极板531比第二极板521小，这不代表极板实际大小，只是为了表示方便。为使不论下方的信号线施加的是恒定电平信号还是脉冲信号，都不会对电容产生影响，这些条状电极通过一导线5211或者5311连接起来形成，该导线和各条状电极位于同层，用同一种材料同一工艺步骤制成。
[0051]进一步的，电容的第一极板和/或第二极板不限于片状的和条状的，也可以是环状或者网格状，为了减少脉冲信号对电容的影响，电容和信号线重叠区域较多时可以将下方的信号线施加恒定的电平信号，或者减少电容和信号线的重叠区域，在保证电容大小足够的情况下，使得第一极板和/或第二极板和下方的信号线不重叠。
[0052]本发明实施例5提供了 一种显示面板，包括实施例1到实施例4所述的阵列基板。该显示面板可以是液晶显示面板，也可以是机电致发光(OrganicLightEmittingDiode, 0LED)显示装置等。图9示出了一种液晶显示面板,该显示面板90包括实施例一所述的阵列基板91以及与该阵列基板91相对放置的具有彩色光阻的彩膜基板(CF) 92，设置于91和92之间的液晶层93。
[0053]本发明实施例6提供了一种显示装置，包括实施例5所述的显示面板。本发明所提供的显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。由于不需额外设置栅极驱动电路中的电容部分，可减小栅极驱动电路尺寸，从而进一步降低显示装置边框的宽度，实现窄边框设计。
[0054]上述各实施例中，栅极驱动电路可以对称的置于显示区域的两侧，即双边驱动，也可以置于显示区域的一侧，即单边驱动。
[0055]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:显示区域和非显示区域，所述非显示区域设有栅极驱动电路和位于栅极驱动电路外侧的信号线，所述栅极驱动电路包括至少一 TFT和至少一电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述电容位于所述信号线上方或者下方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容至少有一个极板为透明电极层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域设有多个像素单元，所述像素单元包括栅线、数据线、像素电极和公共电极，所述信号线与所述栅线或/和数据线位于同层，所述像素电极与所述第一极板位于同层，所述公共电极与所述第二极板位于同层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域的数据线和第一透明电极之间设有有机层，所述非显示区域的信号线和所述电容之间设有有机层，所述显示区域的所述有机层和所述非显示区域的所述有机层位于同层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层的厚度大于等于5000人。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域还设置至少两个过孔，所述第一极板、第二极板通过不同的所述过孔分别与所述TFT的栅极、源极或漏极电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括与所述公共电极直接连接的公共电极线，所述阵列基板还包括所述第一极板或第二极板电连接的金属电极，所述第一极板或第二极板与所述公共电极线同层，所述金属电极通过所述过孔与所述TFT的栅极或源极或漏极电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容的第一极板和/或第二极板为片状或者条状或者环状或者网格状。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板和/或第二极板与所述信号线至少部分重叠，所述信号线被施加恒定的电平信号；或者所述第一极板和/或第二极板与所述信号线不重叠。
10.一种显示面板，包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
11.一种显示装置，包括如权利要求10所述的显示面板。
【文档编号】G02F1/1368GK103941507SQ201410130172
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2014年4月2日
【发明者】王超, 曹兆铿 申请人:上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司