一种平面液晶显示器的制作方法

文档序号:11947890阅读:448来源:国知局
一种平面液晶显示器的制作方法与工艺

本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种平面液晶显示器。



背景技术:

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器,已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步,人们对液晶显示器的显示品质、外观设计、低成本和高穿透率等提出了更高的要求

平面控制模式(IPS)广视角技术的液晶显示让观察者任何时候都只能看到液晶分子的短轴,因此在各个角度上观看的画面都不会有太大差别,这样就比较完美地改善了液晶显示器的视角。第一代IPS技术针对扭曲向列型面板(TN)模式的弊病提出了全新的液晶排列方式,实现较好的可视角度。第二代平面转换技术IPS(S-IPS即Super-IPS)采用人字形电极,引入双畴模式,改善平面转换技术IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。第三代平面转换技术IPS(AS-IPS即Advanced Super-IPS)减小液晶分子间距离,提高开口率,获得更高亮度。

专利(CN201610027413.8)公开像素单元,包括:第一电极和与第一电极相连的第一连接部,第一连接部通过第一过孔连接至第一连接线,第一连接线与像素单元上侧像素单元的第一连接线和下侧像素单元的第一连接线相连。

在高解析度的像素中,公共电极的钝化层接触孔PV Via(Com)和像素电极的钝化层接触孔PV Via(Pixel)不能处在同一水平面,需垂直放置,造成液晶显示器的开口率低,穿透率下降,如图1所示。

图1为现有液晶显示器的像素结构示意图。其中,11表示公共电极接触孔,12表示数据线,13表示扫描线,14表示像素电极接触孔,15表示像素电极,16表示公共电极。图2为已有液晶显示器的像素阵列示意图,且图2为使用图1的像素构成的像素阵列。可以看出在该阵列中,大量公共电极接触孔的存在导致液晶显示器的开口率低,从而造成液晶显示器的穿透率下降。



技术实现要素:

本发明为了解决液晶显示器的开口率低、穿透率下降的问题而提出了一种平面液晶显示器。

本发明提出了一种平面液晶显示器,所述平面液晶显示器的像素基板包括若干个重复的像素阵列单元,沿显示面板的法向方向观测,每一个所述像素阵列单元包括:位于所述像素阵列单元的中部区域中的像素电极接触孔;位于所述像素电极接触孔一侧的公共电极和像素电极;以及位于所述像素电极接触孔的与所述公共电极和像素电极相反的另一侧的公共电极接触孔,相邻两个像素阵列单元共用同一个公共电极接触孔,且相对于所共用的公共电极接触孔的中央横截面镜像对称,所述中央横截面包含沿显示面板的法向方向延伸的直线。

在一个实施方式中,在所述像素阵列单元中,分别利用公共电极引线穿过相邻两个像素阵列单元的共用的公共电极接触孔。

在一个实施方式中,每一个所述像素阵列单元在显示颜色方面对应于红色、蓝色或绿色。

在一个实施方式中,所述像素阵列单元还包括扫描线和数据线,沿显示面板的法向方向观测,所述扫描线沿第一方向形成,所述数据线沿垂直于所述第一方向的第二方向形成。

在一个实施方式中,数据线与扫描线交叉形成包含两条长边和两条短边的矩形像素显示区域。

在一个实施方式中,所述像素电极位于数据线和扫描线交叉所围绕形成的矩形像素显示区域内。

在一个实施方式中,所述扫描线位于第一金属层,所述数据线位于第二金属层。

在一个实施方式中,所述阵列基板由内侧至外侧依次设置有第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、第二金属层、钝化层以及透明导电层。

在一个实施方式中,所述像素电极由透明导电材料制成。

在一个实施方式中,所述公共电极由透明导电材料制成。

上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代,只要能够达到本发明的目的。

本发明提出一种新的液晶显示器像素结构,在该结构中,相邻两个像素结构单元相对排列,相邻两行像素结构单元中,位于同一列的两个像素结构单元共用一个公共电极接触孔。相比于背景技术中所介绍的现有技术中的像素阵列单元的排布方式,使用本发明的像素结构,可以增加高解析度像素的开口率,增加显示器的穿透率。

附图说明

图1为背景技术提出的现有液晶显示器的像素阵列单元示意图。其中,11表示公共电极接触孔,12表示数据线,13表示扫描线,14表示像素电极接触孔,15表示像素电极,16表示公共电极。

图2为背景技术提出的已有液晶显示器的像素阵列单元排布示意图。

图3为本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元结构示意图,在图3中显示了共用同一个公共电极接触孔的相邻的两个成对的像素阵列单元。其中,21表示公共电极,22表示像素电极,23表示像素电极接触孔,24表示扫描线,25表示公共电极接触孔,26表示数据线。

图4为本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元的像素分层结构示意图,其中左、中、右三个部分本别显示了第一金属层、A-si半导体层和第二金属层。

图5本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元的像素分层结构示意图,其中左、右两个部分本别显示了钝化层和ITO/第三金属层。

图6为本申请的一个具体实施方式提出的液晶显示器的像素阵列结构排布。其中,R对应红色子像素,B对应蓝色子像素,G对应绿色子像素。

在附图中,在同一个实施例中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。

具体实施方式

本申请提出了一种平面液晶显示器。所述平面液晶显示器的像素基板包括若干个重复的像素阵列单元。图3为本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元结构示意图,在图3中显示了共用同一个公共电极接触孔的相邻的两个成对的像素阵列单元。其中,21表示公共电极,22表示像素电极,23表示像素电极接触孔,24表示扫描线,25表示公共电极接触孔,26表示数据线。

参照图3,可看出,沿显示面板的法向方向(即垂直于纸面的方向)观测,每一个所述像素阵列单元包括:位于所述像素阵列单元中部区域中的像素电极接触孔23;位于所述像素电极接触孔23一侧的公共电极21和像素电极22;以及位于所述像素电极接触孔23的与所述公共电极21和像素电极22相反的另一侧的公共电极接触孔25。

其中,相邻两个像素阵列单元共用同一个公共电极接触孔25,且相对于所共用的公共电极接触孔25的中央横截面(由虚线P示意性表示)镜像对称,所述中央横截面包含沿显示面板的法向方向延伸的直线。

另外,所述像素阵列单元还包括扫描线24和数据线26,沿显示面板的法向方向观测,所述扫描线24沿第一方向形成,所述数据线26沿垂直于所述第一方向的第二方向形成。数据线26与扫描线24交叉形成包含两条长边和两条短边的矩形像素显示区域。像素电极23位于数据线26和扫描线24交叉所围绕形成的矩形像素显示区域内。

图4为本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元的像素分层结构示意图,其中左、中、右三个部分本别显示了第一金属层、A-si半导体层和第二金属层。图5本申请的一个具体实施方式提出的像素阵列单元的像素分层结构示意图,其中左、右两个部分本别显示了钝化层和ITO/第三金属层。

通过图4可以看出,在像素阵列单元中,分别利用公共电极引线穿过相邻两个像素阵列单元的共用的公共电极接触孔23。

参考图4与图5,在一个示例性的实施例中,扫描线24可位于第一金属层,数据线26可位于第二金属层。在阵列基板由内侧至外侧依次设置有第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、第二金属层、钝化层以及透明导电层。

像素电极21可由透明导电材料制成。公共电极23也可由透明导电材料制成。

图6为本申请的一个具体实施方式提出的液晶显示器的像素阵列结构。其中,R对应红色子像素,B对应蓝色子像素,G对应绿色子像素。参考图6可看出,每一个所述像素阵列单元在显示颜色方面对应于红色、蓝色或绿色。

本发明提出一种新的液晶显示器像素结构,在该结构中,相邻两个像素结构单元相对排列,相邻两行像素单元中,位于同一列的两个子像素共用一个公共电极接触孔。相比于背景技术中所介绍的现有技术中的像素阵列单元的排布方式,使用本发明的像素结构,可以增加高解析度像素的开口率,增加显示器的穿透率。

虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明,但是应该理解的是,这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是,可以对示例性的实施例进行许多修改,并且可以设计出其他的布置,只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是,可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是,结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

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