一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术：

随着显示技术的飞速发展，触控屏(Touch Panel，简称TP)的诞生使人们的生活更加便捷。如今，内嵌电容式触控技术已经被广泛应用于显示技术领域。

其中，对于内嵌自感电容式触控技术，通常将用于驱动液晶偏转的第一透明电极层分割为多个第一透明电极，IC通过与第一透明电极电连接的触控电极引线向第一透明电极分时输入公共电压信号和触控信号，以使第一透明电极分时用作公共电极和触控电极。

如图1所示，在触控电极引线20向阵列基板的非显示区延伸的过程中，会将与其非电连接的第一透明电极10分割为多个子电极101，而在子电极101之间的区域由于没有第一透明电极10的屏蔽，数据线(图1中未标识出)会对第二透明电极30(即像素电极)产生干扰。

目前，会采用将位于子电极101之间的触控电极引线20增宽的方式来屏蔽数据线对第二透明电极30的干扰，但是，触控电极引线20在第一透明电极10用作公共电极时存在电位，当其加宽后会导致子像素边缘的液晶无法偏转，从而导致子像素边缘不透光，影响光透过率。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，可避免数据线对像素电极的干扰，且保证光透过率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括设置在衬底上且位于显示区的多个第一透明电极和多个第二透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极异层设置，所述第一透明电极被分时用作公共电极和触控电极；以及设置在相邻所述第二透明电极之间对应区域的数据线；所述第一透明电极与至少一根触控电极引线直接接触并电连接，所述触控电极引线均沿所述数据线方向延伸至所述显示区外侧的非显示区，所述第一透明电极与所述触控电极引线异层设置；所述触控电极引线在所述衬底上的正投影被所述数据线在所述衬底上的正投影覆盖。

进一步的，以所述触控电极引线与所述第一透明电极电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线在向非显示区延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线电连接的所述第一透明电极之外的第一透明电极分割为多个子电极；所述阵列基板还包括多根第一透明辅助电极线，每一个所述第一透明电极中的任意相邻子电极均通过一根所述第一透明辅助电极线电连接；所述第一透明辅助电极线设置在所述数据线远离所述衬底的一侧。

其中，所述第一透明辅助电极线的宽度大于所述数据线的宽度，且所述第一透明辅助电极线在所述衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底上的正投影。

优选的，所述阵列基板还包括多根第二透明辅助电极线，所述第二透明辅助电极线与相互接触的所述第一透明电极和所述触控电极引线的重叠部分对应，且所述第二透明辅助电极线与对应的所述第一透明电极电连接；其中，所述第二透明辅助电极线与所述第一透明辅助电极线同层设置。

优选的，所述第一透明辅助电极线与所述第二透明电极同层设置且绝缘。

进一步优选的，所述第一透明电极设置在所述衬底和所述第二透明电极之间。

进一步的，所述TFT靠近所述衬底设置；第一钝化层设置在所述TFT的上方；所述第一透明电极和所述触控电极引线设置在所述第一钝化层的上方；第二钝化层设置在远离所述第一钝化层的所述第一透明电极或所述触控电极引线的上方；所述第二透明电极和所述第一透明辅助电极线设置在所述第二钝化层的上方，所述第一透明辅助电极线通过设置在所述第二钝化层上的过孔将所述第一透明电极中所述相邻子电极电连接。

基于上述，优选的，所述第一透明电极与至少两根触控电极引线接触。

优选的，沿所述数据线的方向，第一透明辅助电极线的长度等于与其相邻的子电极的长度。

优选的，所述第一透明辅助电极线的形状为T形；沿与所述数据线垂直的方向，T形的水平边的两端分别与子电极电连接。

进一步优选的，沿所述数据线的方向，T形的竖直边的宽度大于等于与其相邻的子电极之间的间隙且小于所述第二透明电极之间的间隙。

第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板，还包括对盒基板以及设置在所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层。

第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板，还包括设置在所述阵列基板的非显示区的IC；所述阵列基板上的触控电极引线与所述IC电连接。

第四方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括在衬底上的显示区形成多个第一透明电极和多个第二透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极位于不同层，所述第一透明电极被分时用作公共电极和触控电极；以及形成在相邻所述第二透明电极之间对应区域的数据线；所述第一透明电极与至少一根触控电极引线直接接触并电连接，所述触控电极引线均沿所述数据线方向延伸至所述显示区外侧的非显示区，所述第一透明电极与所述触控电极引线位于不同层；所述触控电极引线在所述衬底上的正投影被所述数据线在所述衬底上的正投影覆盖。

进一步的，以所述触控电极引线与所述第一透明电极电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线在向非显示区延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线电连接的所述第一透明电极之外的第一透明电极分割为多个子电极；所述方法还包括形成多根第一透明辅助电极线，每一个所述第一透明电极中的任意相邻子电极均通过一根所述第一透明辅助电极线电连接；所述第一透明辅助电极线形成在所述数据线远离所述衬底的一侧。

其中，所述第一透明辅助电极线的宽度大于所述数据线的宽度，且所述第一透明辅助电极线在所述衬底上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底上的正投影。

优选的，所述方法还包括形成多根第二透明辅助电极线，所述第二透明辅助电极线与相互接触的所述第一透明电极和所述触控电极引线的重叠部分对应，且所述第二透明辅助电极线与对应的所述第一透明电极电连接；其中，所述第二透明辅助电极线与所述第一透明辅助电极线通过同一次构图工艺形成。

优选的，所述第一透明辅助电极线与所述第二透明电极通过同一次构图工艺形成且绝缘。

优选的，形成所述第一透明电极、所述触控电极引线、所述第二透明电极以及所述第一透明辅助电极线，具体包括如下步骤：

在形成所述TFT的衬底上形成第一钝化层薄膜；在形成有所述第一钝化层薄膜的衬底上，通过两次构图工艺处理，形成所述第一透明电极和所述触控电极引线；其中，以所述触控电极引线与所述第一透明电极电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线在向非显示区延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线电连接的所述第一透明电极之外的第一透明电极分割为多个子电极。

在形成所述第一透明电极和所述触控电极引线的衬底上形成第二钝化层薄膜，通过一次构图工艺处理，在所述第二钝化层薄膜的对应所述子电极的位置形成第一过孔，在所述第二钝化层薄膜和所述第一钝化层薄膜的对应所述TFT漏极的位置形成第二过孔，以使所述第二钝化层薄膜形成为第二钝化层，所述第一钝化层薄膜形成为第一钝化层。

在形成所述第二钝化层的衬底上形成第二透明电极、以及位于所述第一透明电极中任意相邻子电极之间的所述第一透明辅助电极线；所述第一透明辅助电极线通过所述第一过孔将所述相邻子电极电连接，所述第二透明电极通过所述第二过孔与所述TFT漏极电连接。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，通过第一透明辅助电极线将第一透明电极中的任意相邻子电极电连接，且使第一透明辅助电极线的宽度大于数据线的宽度，可在第一透明电极的断开位置处，使第一透明辅助电极线起到屏蔽数据线对第二透明电极(即像素电极)干扰以及相邻第二透明电极之间干扰的作用；而且相对现有技术中将位于子电极之间的触控电极引线增宽，本发明实施例中无需将触控电极引线增宽，因而可保证像素边缘可透光，从而可以保证光透过率；在此基础上，由于第一透明辅助电极线可以增加像素内有效的边缘场，因而可以进一步增强子像素边缘的光强，提高显示质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图2(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图一；

图2(b)为2(a)中AA′向剖视示意图；

图3(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图二；

图3(b)为3(a)中BB′向剖视示意图；

图4(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图三；

图4(b)为4(a)中CC′向剖视示意图；

图4(c)为4(a)中DD′向剖视示意图；

图5(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图四；

图5(b)为5(a)中FF′向剖视示意图；

图6(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图五；

图6(b)为6(a)中EE′向剖视示意图。

附图标记：

01-显示区；02-非显示区；03-IC；10-第一透明电极；101-子电极；20-触控电极引线；30-第二透明电极；40-第一透明辅助电极线；50-第二透明辅助电极线；60-数据线；70-栅线；80-TFT；901-第一钝化层；902-第二钝化层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种阵列基板，如图2(a)和图2(b)、图3(a)和图3(b)、以及图4(a)、图5(a)所示，包括设置在衬底上且位于显示区01的多个第一透明电极10和多个第二透明电极30，第一透明电极10和第二透明电极30异层设置，第一透明电极10被分时用作公共电极和触控电极；以及设置在相邻第二透明电极30之间对应区域的数据线60(图2和图3中未示出)；第一透明电极10与至少一根触控电极引线20直接接触并电连接，触控电极引线20均沿数据线60方向延伸至显示区01外侧的非显示区02，第一透明电极10与触控电极引线20异层设置；触控电极引线20在衬底上的正投影被数据线60在衬底上的正投影覆盖。

进一步的，以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线20在向非显示区02延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线20电连接的所述第一透明电极10之外的第一透明电极10分割为多个子电极101；在此基础上，所述阵列基板还包括多根第一透明辅助电极线40，每一个第一透明电极10中的任意相邻子电极101均通过一根第一透明辅助电极线40电连接；所述第一透明辅助电极线40设置在数据线60远离衬底的一侧。

其中，第一透明辅助电极线40的宽度大于数据线60的宽度，且第一透明辅助电极线40在衬底上的正投影覆盖数据线60在衬底上的正投影。

需要说明的是，第一，当所述阵列基板应用于显示装置，且该显示装置实现显示功能时，此时第一透明电极10用作公共电极；当显示装置实现触控功能时，此时第一透明电极10用作触控电极。

基于此，第二透明电极30则为像素电极。当第一透明电极10用作公共电极时，第二透明电极30和第一透明电极10形成的电场驱动液晶进行偏转。当第一透明电极10用作触控电极时，第二透明电极30不工作，触控电极基于自容方式实现对触控位置的识别。

第二，本领域技术人员知道，显示区01包括多个子像素，每个子像素均包括一个第二透明电极30。此外，考虑到在实现触控功能时，手指与显示装置接触的面积较子像素的面积大的多，因此，对于第一透明电极10无需做的如第二透明电极30一样小，因此一个第一透明电极10可同时位于几个、十几个甚至几十个子像素中。

每个子像素还包括TFT80(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。具体的，在实现显示时，TFT80在栅线70的控制下开启，并由数据线60将数据信号经由开启的TFT80的漏极输入到第二透明电极30。

其中，参考图4(a)所示，TFT80的栅极可直接由栅线70充当，TFT80的源极可直接由数据线60充当。所述TFT80可以是非晶硅TFT、多晶硅TFT、金属氧化物TFT、有机TFT等。可以是底栅型，也可以是顶栅型。

非显示区02位于显示区01的外围。

第三，不对第一透明电极10与触控电极引线20的相对位置进行限定，可以是先形成触控电极引线20，后形成第一透明电极10，此时对于直接接触的触控电极引线20与第一透明电极10，触控电极引线20位于下方，第一透明电极10位于上方；或者，可以是先形成第一透明电极10，后形成触控电极引线20，此时对于直接接触的触控电极引线20与第一透明电极10，第一透明电极10位于下方，触控电极引线位于上方。

其中，与每个第一透明电极10直接接触并电连接的触控电极引线20优选为两根，或两根以上，以降低触控电极引线20电阻，

在此基础上，为了避免与当前第一透明电极10直接接触并电连接的触控电极引线20在延伸向非显示区02的过程中，与其他第一透明电极10接触而电连接，需在触控电极引线20与非电连接的第一透明电极10对应位置处，将第一透明电极10断开，从而形成多个子电极101。

第四，触控电极引线20和数据线60通过绝缘层隔离。触控电极引线20的宽度小于等于数据线60的宽度。

其中，由于触控电极引线20和数据线60重叠，因而以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线20在向非显示区02延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线20电连接的所述第一透明电极10之外的第一透明电极10分割为多个子电极101时，数据线60和触控电极引线20均位于相邻子电极101之间。

第五，以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线20在向非显示区02延伸过程中，触控电极引线20的方向是确定的，在此基础上，以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为延伸方向的起始部分，位于所述延伸方向上的第一透明电极10也是确定的。

第六，不对第一透明辅助电极线40的宽度进行限定，只要大于数据线60的宽度，以能屏蔽数据线60对第二透明电极30的干扰即可。

其中，本领域技术人员应该知道，为了屏蔽数据线60对第二透明电极30的干扰，第一透明辅助电极线40的长度可大于等于与其相邻的子电极101沿数据线60方向的长度，或略小于与其相邻的子电极101沿数据线60方向的长度。

本发明实施例提供一种阵列基板，通过第一透明辅助电极线40将第一透明电极10中的任意相邻子电极101电连接，且使第一透明辅助电极线40的宽度大于数据线60的宽度，可在第一透明电极10的断开位置处，使第一透明辅助电极线40起到屏蔽数据线60对第二透明电极30(即像素电极)干扰以及相邻第二透明电极30之间干扰的作用；而且相对现有技术中将位于子电极101之间的触控电极引线20增宽，本发明实施例中无需将触控电极引线20增宽，因而可保证像素边缘可透光，从而可以保证光透过率；在此基础上，由于第一透明辅助电极线40可以增加像素内有效的边缘场，因而可以进一步增强子像素边缘的光强，提高显示质量。

考虑到第一透明辅助电极线40的长度太长可能会导致制作过程中与其沿数据线60方向的上方或下方的其他第一透明辅助电极线40电连接而发生短路，本发明实施例优选的，沿数据线60的方向，第一透明辅助电极线40的长度等于与其相邻的子电极101的长度。

优选的，如图4(a)和图5(a)所示，第一透明辅助电极线40的形状为T形；沿与数据线60垂直的方向，T形的水平边的两端分别与子电极101电连接。这样，可降低制备第一透明辅助电极线40和第二透明电极30过程中，发生短路的概率。

进一步的，如图4(a)和图5(a)所示，沿与数据线60平行的方向，T形的竖直边的宽度大于等于与其相邻的子电极101之间的间隙且小于第二透明电极30之间的间隙。这样，可以使屏蔽效果更好，且可以进一步增强子像素边缘的光强。

优选的，如图3(a)和图3(b)、以及图6(a)所示，所述阵列基板还包括多根第二透明辅助电极线50，第二透明辅助电极线50与相互接触的第一透明电极10和触控电极引线20的重叠部分对应，且第二透明辅助电极线50与对应的第一透明电极10电连接；其中，第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40同层设置。

即，以任一根触控电极引线20为例，在该触控电极引线20与其直接接触的第一透明电极10的重叠位置处，均设置一根第二透明辅助电极线50，该第二透明辅助电极线50与所述重叠位置处的第一透明电极10电连接。

第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40同层设置即为，采用同一次构图工艺形成第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40。

本发明实施例通过设置第二透明辅助电极线50，且使第二透明辅助电极线50与相互接触的第一透明电极10和触控电极引线20的重叠部分对应，并与该第一透明电极10电连接，进一步保证与触控电极引线20相邻的像素边缘的可透光，并且增强子像素边缘的光强。此外，将第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40通过同一次构图工艺形成，可避免构图工艺次数的增加，降低成本。

优选的，如图4(a)和图4(c)、以及图5(a)和图5(b)所示，第一透明辅助电极线40与所述第二透明电极30同层设置且绝缘。

在此基础上，如图6(a)和图6(b)所示，当阵列基板还包括第二透明辅助电极线50时，第一透明辅助电极线40、第二透明辅助电极线50与第二透明电极30同层设置。

这样，可避免构图工艺次数的增加，降低成本。

进一步的，考虑到现有技术中在不设置本发明的第一透明辅助电极线40时，若将第二透明电极30设置在衬底和第一透明电极10之间，则第二透明电极30与TFT80的漏极之间通常为了减少构图工艺次数不设置钝化层，在此基础上，应用到本发明中时，若在第二透明电极30与TFT80的漏极之间不设置钝化层，则会导致数据线60与第一透明辅助电极线40电连接，因此需增加钝化层，这就会导致相对现有技术增加一次构图工艺次数。

但是，对于第一透明电极10设置在衬底和第二透明电极30之间的情况，在TFT80与第一透明电极10会设置有一层钝化层，在第一透明电极10和第二透明电极30也设置有一层钝化层，在此基础上，增加第一透明辅助电极线40，甚至与第一透明辅助电极线40同层的第二透明辅助电极线50，并不会导致构图工艺次数的增加。

基于此，优选的，如图4(a)-图4(c)、以及图6(a)和图6(b)所示，第一透明电极10设置在衬底和第二透明电极30之间。

此处，本领域技术人员应该知道，触控电极引线20也设置在衬底和第二透明电极30之间。

这样，与第二透明电极10同层的第一透明辅助电极线40还可在实现显示功能时，完全屏蔽触控电极引线20电位对显示的影响。

进一步的，如图4(a)-图4(c)所示，TFT80靠近衬底设置；第一钝化层901设置在TFT80的上方；第一透明电极10和触控电极引线20设置在第一钝化层901的上方；第二钝化层902设置在远离第一钝化层901的第一透明电极10或触控电极引线20的上方；第二透明电极30和第一透明辅助电极线40设置在第二钝化层902的上方，第一透明辅助电极线40通过设置在第二钝化层902上的过孔将第一透明电极10中相邻子电极101电连接。

当然，当阵列基板还包括第二透明辅助电极线50时，如图6(a)和图6(b)，第二透明辅助电极线50也设置在第二钝化层902的上方。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板，以及与上述的阵列基板对盒的对盒基板，位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层。

其中，对盒基板可包括黑矩阵和彩膜。

当然，本发明并不限定彩膜仅可设置在对盒基板上，彩膜还可设置在阵列基板上。

本发明实施例提供一种显示面板，通过在阵列基板上设置第一透明辅助电极线40，来将第一透明电极10中的任意相邻子电极101电连接，且使第一透明辅助电极线40的宽度大于数据线60的宽度，可在第一透明电极10的断开位置处，使第一透明辅助电极线40起到屏蔽数据线60对第二透明电极30(即像素电极)干扰以及相邻第二透明电极30之间干扰的作用；而且相对现有技术中将位于子电极101之间的触控电极引线20增宽，本发明实施例中无需将触控电极引线20增宽，因而可保证像素边缘可透光，从而可以保证光透过率；在此基础上，由于第一透明辅助电极线40可以增加像素内有效的边缘场，因而可以进一步增强子像素边缘的光强，提高显示质量。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板，以及设置在所述阵列基板的非显示区02的IC03(参考图2(a)和图3(a)所示)，所述触控电极引线20与IC03电连接。

上述显示装置具体可以是液晶显示装置，例如可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，如图2(a)和图2(b)、图3(a)和图3(b)、以及图4(a)、图5(a)所示，包括在衬底上的显示区01形成多个第一透明电极10和多个第二透明电极30，第一透明电极10和第二透明电极30位于不同层，第一透明电极10被分时用作公共电极和触控电极；以及形成在相邻第二透明电极30之间对应区域的数据线60；第一透明电极10与至少一根触控电极引线20直接接触并电连接，所述触控电极引线20均沿数据线60方向延伸至显示区01外侧的非显示区02，第一透明电极10与所述触控电极引线20位于不同层；所述触控电极引线20在衬底上的正投影被数据线60在衬底上的正投影覆盖。

进一步的，以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线20在向非显示区02延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线20电连接的所述第一透明电极10之外的第一透明电极10分割为多个子电极101；在此基础上，所述方法还包括形成多根第一透明辅助电极线40，每一个第一透明电极10中的任意相邻子电极101均通过一根第一透明辅助电极线40电连接；所述第一透明辅助电极线40形成在数据线60远离衬底的一侧。

其中，第一透明辅助电极线40的宽度大于数据线60的宽度，且第一透明辅助电极线40在衬底上的正投影覆盖数据线60在衬底上的正投影。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过第一透明辅助电极线40将第一透明电极10中的任意相邻子电极101电连接，且使第一透明辅助电极线40的宽度大于数据线60的宽度，可在第一透明电极10的断开位置处，使第一透明辅助电极线40起到屏蔽数据线60对第二透明电极30(即像素电极)干扰以及相邻第二透明电极30之间干扰的作用；而且相对现有技术中将位于子电极101之间的触控电极引线20增宽，本发明实施例中无需将触控电极引线20增宽，因而可保证像素边缘可透光，从而可以保证光透过率；在此基础上，由于第一透明辅助电极线40可以增加像素内有效的边缘场，因而可以进一步增强子像素边缘的光强，提高显示质量。

优选的，如图3(a)和图3(b)、以及图6(a)所示，所述方法还包括形成多根第二透明辅助电极线50，第二透明辅助电极线50与相互接触的第一透明电极10和触控电极引线20的重叠部分对应，且第二透明辅助电极线50与对应的第一透明电极10电连接；其中，第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40通过同一次构图工艺形成。

本发明实施例通过形成第二透明辅助电极线50，且使第二透明辅助电极线50与相互接触的第一透明电极10和触控电极引线20的重叠部分对应，并与该第一透明电极10电连接，进一步保证与触控电极引线20相邻的像素边缘的可透光，并且增强子像素边缘的光强。此外，将第二透明辅助电极线50与第一透明辅助电极线40通过同一次构图工艺形成，可避免构图工艺次数的增加，降低成本。

优选的，如图4(a)和图4(c)、以及图5(a)和图5(b)所示，第一透明辅助电极线40与第二透明电极30通过同一次构图工艺形成且绝缘。

在此基础上，如图6(a)和图6(b)所示，当阵列基板还包括第二透明辅助电极线50时，第一透明辅助电极线40、第二透明辅助电极线50与第二透明电极30通过同一次构图工艺形成。

这样，可避免构图工艺次数的增加，降低成本。

进一步的，参考图4(a)-图4(c)所示，形成第一透明电极10、触控电极引线20、第二透明电极30以及第一透明辅助电极线40，具体包括如下步骤：

S10、在形成TFT80的衬底上形成第一钝化层薄膜。

S11、在形成有第一钝化层薄膜的衬底上，通过两次构图工艺处理，形成第一透明电极10和触控电极引线20；其中，以触控电极引线20与第一透明电极10电连接的部分为起始部分，所述触控电极引线20在向非显示区02延伸过程中，将位于延伸方向上、且除与所述触控电极引线20电连接的所述第一透明电极10之外的第一透明电极10分割为多个子电极101。

S12、在形成第一透明电极10和触控电极引线20的衬底上形成第二钝化层薄膜，通过一次构图工艺处理，在第二钝化层薄膜的对应子电极101的位置形成第一过孔，在第二钝化层薄膜和第一钝化层薄膜的对应TFT80漏极的位置形成第二过孔，以使第二钝化层薄膜形成为第二钝化层902，第一钝化层薄膜形成为第一钝化层901。

S13、在形成第二钝化层902的衬底上形成第二透明电极30、以及位于第一透明电极10中任意相邻子电极101之间的第一透明辅助电极线40；所述第一透明辅助电极线40通过所述第一过孔将相邻子电极101电连接，第二透明电极30通过所述第二过孔与TFT80的漏极电连接。

在此基础上，当阵列基板还包括第二透明辅助电极线50时，如图6(a)和图6(b)，在形成第一透明辅助电极线40的同时，也形成第二透明辅助电极线50。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。