背光模组及液晶显示装置的制作方法

文档序号:14729003发布日期:2018-06-19 16:04阅读:来源:国知局
技术特征:

1.一种背光模组(61),其特征在于,包括基底(611)、LED光源(612)、透镜层(613)和遮光层(614);其中,

所述LED光源(612)设置于所述基底(611)内;

所述遮光层(614)设置于所述LED光源(612)上;

所述透镜层(613)设置于所述遮光层(614)上。

2.根据权利要求1所述的背光模组(61),其特征在于,所述基底(611)包括底座及设置于所述底座四周的侧壁,所述透镜层(613)覆盖于所述基底(611)的侧壁上以封闭所述基底(611)。

3.根据权利要求1所述的背光模组(61),其特征在于,所述透镜层(613)用于将所述LED光源(612)的散光转换成准直光。

4.根据权利要求1所述的背光模组(61),其特征在于,所述LED光源(612)为横向排布的四色LED芯片。

5.根据权利要求1所述的背光模组(61),其特征在于,所述LED芯片包括依次横向排布的第一蓝光外延层(10A)、黄光外延层(20)、绿光外延层(30)、红光外延层(40)、第二蓝光外延层(10B)。

6.根据权利要求5所述的背光模组(61),其特征在于,所述第一蓝光外延层(10A)和所述第二蓝光外延层(10B)的材料相同,均包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一多量子阱层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN(106)。

7.根据权利要求5所述的背光模组(61),其特征在于,所述黄光外延层(20)包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二多量子阱层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)。

8.根据权利要求5所述的背光模组(61),其特征在于,所述绿光外延层(30)包括第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三多量子阱层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)。

9.根据权利要求5所述的背光模组(61),其特征在于,所述红光外延层(40)包括第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四多量子阱层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)。

10.一种液晶显示装置,包括下偏光片(62)、下基板(63)、下电极(64)、液晶分子层(65)、上电极(66)、上基板层(67)以及上偏光片(68),其特征在于还包括由权利要求1~9任意一项所述的背光模组(61)。

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