技术特征：
技术总结
一种光刻设备中的对准传感器，包括被配置为在第一波段(例如，500‑900nm)和/或第二波段(例如，1500‑2500nm)中选择性地传递、收集和处理辐射的光学系统(500；600)。第一波段和第二波段的辐射在光学系统的至少一些部分中共享公共光学路径(506‑508；606)，而第一波段的辐射由第一处理子系统(552a)处理并且第二波段(552b)的辐射由第二处理子系统处理。在一个示例中，处理子系统包括自参考干涉仪(556a/556b；656a/656b)。第二波段的辐射允许通过诸如碳硬掩模的不透明层(308)来测量标记。每个处理子系统的光学涂层和其他组件可以根据相应的波段进行定制，而不是完全复制光学系统。
技术研发人员：S·R·休斯曼;S·G·J·马斯杰森;S·A·戈登;D·阿克布鲁特;A·波洛
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2019.04.16