技术特征：
技术总结
在一种制造光掩模的方法中，在掩模坯之上形成光刻胶层，所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区，而所述掩模衬底的图案区是暴露出来的。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口将所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层图案化。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。
技术研发人员：田俊介;江政学;陈志明;林政旻;黄彦玮;张浩铭;林国钦;李冠贤
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.05.02
技术公布日：2019.05.17