技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计 方案和附图。
[0018] 图1是本发明的不同浓度的KOH显影液的显影时间； 图2是温度对KOH显影液的显影时间的影响； 图3是本发明实施例的像素墙显影效果曲线； 图4是本发明实施例3的KOH显影液与实施例7的KOH-K2HPOj^冲显影液显影效力对 比。
【具体实施方式】
[0019] KMPR光刻胶是除了 SU8外电润湿工艺像素墙可用的光刻胶类材料。KMPR系列光 刻胶可以得到2-50 μ m的像素墙高，满足电润湿工艺要求。如KMPR 1005可涂布4-10 μ m 高的像素墙。
[0020] 下面结合优选的具体实施例对本发明的KOH显影液对KMPR光刻胶的显影效果进 行说明。
[0021] 实施例1:称取一定量的Κ0Η，溶于IOOmL去离子水中，摇晃均勻，得到浓度为 0. lwt%的显影液，将得到的显影液加入显影池中，在24°C条件下，显影3寸基板(边长 7. 6cm)，基板上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇晃显影。
[0022] 实施例2:在35 °C条件下显影，其余条件同实施例1。
[0023] 实施例3:称取一定量的Κ0Η，溶于IOOmL去离子水中，摇晃均勻，得到浓度为 0.4wt%的显影液，将得到的显影液加入显影池中，在24°C条件下，显影3寸基板(边长 7. 6cm)，基板上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇晃显影。
[0024] 实施例4:在26°C条件下显影，其余条件同实施例3。
[0025] 实施例5:在32 °C条件下显影，其余条件同实施例3。
[0026] 实施例6:称取一定量的Κ0Η，溶于IOOmL去离子水中，摇晃均勻，得到浓度为2wt% 的显影液，将得到的显影液加入显影池中，在24°C条件下，显影3寸基板(边长7. 6cm)，基板 上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇晃显影。
[0027] 实施例7:称取一定量的Κ0Η，溶于IOOmL去离子水中，摇晃均勻，得到浓度为 0. 4wt%的KOH溶液，进一步地，加入K2HPO4，配制得到KOH-K2HPO 4缓冲显影液，K 2ΗΡ04的加入 量按照下面步骤计算： 1)设定得到的KOH-K2HPO4缓冲显影液与0. 4wt%的KOH显影液pH相同。
[0028] 0· 4wt%K0H 显影液的 pH=14+lgCKQH=14+lgO. 4/56. 11=12. 85，即待配置的 KOH-K2HPO4缓冲显影液的 pH=12. 85。
[0029] 2)将12. 44带入KOH-K2HPO4缓冲显影液的pH计算公式，得到pKa+lg(C KQH/ Ck2hp〇4) =12. 85，已知 HPO4 的电尚吊数 Ka=IO ，计算得到 Q0H/CK2HP04=3:1。
[0030] 3)计算得到缓冲显影液中1(2即04的浓度为0. 42wt%，进一步得到加入K 2ΗΡ04的质 量。
[0031] 将配制得到的KOH-K2HPO4缓冲显影液加入显影池中，在24°C条件下，显影3寸基 板(边长7. 6cm)，基板上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇晃显影。
[0032] 实施例8:在26 °C条件下显影，其余条件同实施例7。
[0033] 实施例9:在显影液中添加0. 012wt%的TWeen20,其余条件同实施例4。
[0034] 实施例10:在显影液中添加0. 012wt%的Span80,其余条件同实施例4。
[0035] 实施例11:在显影液中添加 0· 006wt%的Span80和0· 006wt%的Tween20,其余条 件同实施例4。
[0036] 实施例12:在显影液中添加0· 006wt%的Span80和0· 006wt%的SDS (十二烷基硫 酸钠），其余条件同实施例4。
[0037] 实施例13:在显影液中添加 0. 012wt%的Span80,其余条件同实施例8。
[0038] KMPR胶目前常用的显影液包括有机溶剂PGMEA显影液、TMH显影液，故选用这两 种显影液和本发明的KOH显影液进行对比。
[0039] 对比例1:将IOOmLPGMEA有机溶剂显影液加入显影池中，在24°C条件下，显影3寸 基板(边长7. 6cm)，基板上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇晃显影。
[0040] 对比例2:将IOOmL浓度为2. 38wt%的TMAH显影液加入显影池中，在24°C条件下， 显影3寸基板(边长7. 6cm)，基板上光刻胶KMPR构成的像素墙高度为6-7 μ m，显影方式：摇 晃显影。
[0041] 测量上述实施例1-13和对比例1-2中的显影液的显出点时间，并优选实施例固定 实际显影时间，采用台阶仪进行测量，描绘出像素墙显影效果曲线，测试结果如表1。
【主权项】
1. 一种KMPR光刻胶用KOH显影液，其特征在于：所述显影液由KOH和去离子水组成， 其中K0H的含量为0? 01-10wt%。
2. 根据权利要求1所述的KMPR光刻胶用KOH显影液，其特征在于：所述KOH的含量为 0.l-lwt%〇
3. 根据权利要求1所述的KMPR光刻胶用KOH显影液，其特征在于：所述显影液还包括 K2HP04, K2HP04的加入量根据以下步骤确定： 1) 根据公式pH=14+lgCKQH计算已选定的具有合适显影时间的K0H显影液的pH值；其中 CKQH为K0H显影液中K0H的摩尔浓度； 2) 将步骤1)中计算得到的pH值，带入公式pH=pKa+lg(CKra/CK_4)，得到含有1( 2即04的 K0H显影液中K2HP04% K0H的浓度比例关系；其中Ka，HP0 42-的电离常数；C _，含有K2HP04 的KOH显影液中KOH的摩尔浓度；CK2HPQ4，含有1(2即04的KOH显影液中K 2HP04的摩尔浓度； 3) 结合实际工艺，确定K2HP04的加入量。
4. 根据权利要求1-3任一项所述的KMPR光刻胶用K0H显影液，其特征在于：所述显影 液还包括0. 001-lwt%的表面活性剂。
5. 根据权利要求4所述的KMPR光刻胶用K0H显影液，其特征在于：所述表面活性剂为 Tween类、Span类或聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂中的一种或一种以上的复配，或任意 一种或者多种所述的非离子表面活性剂与任意一种或多种磺酸盐类或硫酸盐类阴离子表 面活性剂的复配。
6. 根据权利要求5所述的KMPR光刻胶用K0H显影液，其特征在于：所述表面活性剂的 含量为 0? 005-0. 5wt%。
7. 根据权利要求4所述的KMPR光刻胶用KOH显影液，其特征在于：所述显影液还包括 0. 1-lwt%的消泡剂。
8. 根据权利要求7所述的KMPR光刻胶用K0H显影液，其特征在于：所述消泡剂的含量 为 0? 2_0. 7wt%。
9. 一种如权利要求1-8任一项所述的KMPR光刻胶用KOH显影液的应用，其特征在于： 所述显影液在22-40°C条件下的显影。
【专利摘要】本发明公开了一种KMPR光刻胶用KOH显影液，所述显影液由适量的KOH和去离子水组成，进一步地，在KOH显影液中加入K2HPO4制成缓冲溶液，随着显影液中的碱性基团逐渐被中和，推动了缓冲溶液物质水合反应的进行，进而释放出碱性基团，降低了显影液显影效力的降低速度，起到了碱性基团的缓释效果，从而延缓了生产中显影时间的调整，提高了产品的质量和稳定性。进一步的，为了达到更好的显影效果，显影液中还可以加入表面活性剂和消泡剂等。本发明的KMPR胶用KOH显影液，可以较好地显影KMPR胶，而不会像有机溶液一样对环境造成污染。
【IPC分类】G03F7-32
【公开号】CN104597727
【申请号】CN201510018447
【发明人】周国富, 李发宏, 窦盈莹, 水玲玲, 罗伯特·安德鲁·海耶斯
【申请人】深圳市国华光电科技有限公司, 华南师范大学, 深圳市国华光电研究所
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月14日