电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子照相感光构件，具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设 备。
【背景技术】
[0002] 最近，一直在积极进行使用有机光电导材料的电子照相感光构件（有机电子照相 感光构件）的研宄和开发。
[0003] 电子照相感光构件基本上包括支承体和在该支承体上形成的感光层。然而，实际 上，为了覆盖支承体表面的缺陷，防止感光层受到电气损坏，改善充电性能，并且改善从所 述支承体到感光层的电荷注入禁止性，通常在所述支承体和感光层之间设置各种层。
[0004] 在支承体和感光层之间设置的层中，已知含金属氧化物颗粒的层作为为了覆盖支 承体表面的缺陷而设置的层。含金属氧化物颗粒的层通常比不含金属氧化物颗粒的层具有 更高的导电性（例如，LOXlO 8至5.0Χ1012Ω ·_的体积电阻率）。因此，即使增加层的膜 厚度，在形成图像时残余电位几乎不增加，并且暗电位和亮电位几乎不发生波动。因此，很 容易覆盖支承体表面的缺陷。这样的高导电层（以下，简称为"导电层"）设置在支承体和 感光层之间以覆盖所述支承体表面的缺陷。由此，支承体表面的缺陷的容许范围更宽。其 结果是，所使用的支承体的容许范围显著更宽，从而带来可以改善电子照相感光构件的生 产率的优势。
[0005] 专利文献1公开了一种在支承体和感光层之间设置的导电层中含有用掺杂有磷、 钨或氟的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒的技术。
[0006] 专利文献2公开了一种在支承体和感光层之间设置的导电层中含有用掺杂有磷 或钨的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒的技术。
[0007] 引文列表
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本专利申请公开号2012-018370
[0010] 专利文献2 :日本专利申请公开号2012-018371
【发明内容】
[0011] 发明要解决的问题
[0012] 不幸的是，本发明人检查发现，如果在低温和低湿度环境下将高电压施加到使用 这样的含有用掺杂有磷、钨、铌、钽或氟的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒的层作为导电层的电子 照相感光构件，在电子照相感光构件中容易发生泄漏。泄漏是一种现象，使得电子照相感光 构件的一部分局部地击穿（break down)，并且过大的电流流过所述部分。如果发生泄漏，电 子照相感光构件不能被充分地充电，从而导致在图像上形成如黑点、水平白色条纹和水平 黑色条纹的图像缺陷。水平白色条纹是出现在输出图像上对应于在交叉垂直于电子照相感 光构件的旋转方向（圆周方向）的方向上的白色条纹。水平黑色条纹是出现在输出图像上 对应于交叉垂直于电子照相感光构件的旋转方向（圆周方向）的方向上的黑色条纹。
[0013] 本发明的目的在于提供一种电子照相感光构件，其中即使在电子照相感光构件中 使用掺杂有磷、钨、铌、钽或氟的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒的层作为导电层，也几乎不会发 生泄漏，和具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0014] 用于解决问题的方案
[0015] 根据本发明的一个方面，提供了一种电子照相感光构件，其包括支承体、在所述支 承体上形成的导电层，和在所述导电层上形成的感光层，其中所述导电层包括粘结剂材料、 第一金属氧化物颗粒和第二金属氧化物颗粒，所述第一金属氧化物颗粒是用掺杂有磷、钨、 铌、钽或氟的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒，所述第二金属氧化物颗粒是未涂覆的氧化钛颗粒， 所述导电层中所述第一金属氧化物颗粒的含量基于所述导电层的总体积为20体积％以上 且50体积％以下，和所述导电层中所述第二金属氧化物颗粒的含量基于所述导电层的总 体积为I. 〇体积％以上且15体积％以下，以及基于所述导电层中所述第一金属氧化物颗粒 的含量为5. 0体积％以上且30体积％以下，。
[0016] 根据本发明的另一个方面，提供一种处理盒，其一体化地支承电子照相感光构件 和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种，并且其可拆卸地 安装到电子照相设备的主体上。
[0017] 根据本发明的另一个方面，提供了一种包括电子照相感光构件、充电单元、曝光单 元、显影单元和转印单元的电子照相设备。
[0018] 发明的效果
[0019] 本发明可以提供电子照相感光构件，其中即使在电子照相感光构件中使用掺杂有 磷、钨、铌、钽或氟的氧化锡涂覆的氧化钛颗粒的层作为导电层，也几乎不会发生泄漏，和提 供具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0020] 参照附图从下列示例性实施方式的描述，本发明进一步的特征将变得显而易见。
【附图说明】
[0021] 图1是示出包括具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构 的实例的图。
[0022] 图2是示出探针耐压试验装置的实施例的图。
[0023] 图3是用于说明用于测量导电层的体积电阻率的方法的图（俯视图）。
[0024] 图4是用于说明用于测量导电层的体积电阻率的方法的图（截面图）。
[0025] 图5是用于说明一点桂马（one dot KEIMA)图案的图像的图。
【具体实施方式】
[0026] 根据本发明的电子照相感光构件是包括支承体、在所述支承体上形成的导电层和 在所述导电层上形成的感光层的电子照相感光构件。
[0027] 感光层可以是其中电荷产生物质和电荷输送物质包含在一层中的单一感光层， 或者其中含电荷产生物质的电荷产生层和含电荷输送物质的电荷输送层层叠的层叠 (laminated)感光层。此外，必要时，根据本发明的电子照相感光构件可以在支承体上形成 的导电层和感光层之间设置底涂层。
[0028] 作为支承体，可以使用具有导电性的那些（导电性支承体），并且可以使用金属 如铝、铝合金和不锈钢形成的金属支承体。在使用铝或铝合金的情况下，可以使用通过包 括挤出和拉伸的制造方法生产的铝管或者通过包括挤出和减薄（ironing)的制造方法生 产的铝管。这样的铝管具有高精度的尺寸和表面光滑度而不用加工表面，并且从成本的观 点具有优点。不幸的是，未加工的铝管往往具有缺陷如在其表面上的粗糙的突起（ragged projection)。然后，未加工的铝管的缺陷如在其表面上的粗糙的突起很容易通过设置导电 层而被覆盖。
[0029] 在本发明中，导电层设置在支承体上以覆盖支承体表面上的缺陷。
[0030] 导电层可以具有I. OX IO8 Ω · cm以上且5. OX IO12 Ω · cm以下的体积电阻率。在 导电层的体积电阻率为5. OX 1012Ω · cm以下时，在图像形成过程中电荷的流动几乎不停 滞。其结果是，残余电位（residual potential)几乎不增加，并且暗电位和亮电位几乎不 发生波动。在导电层的体积电阻率为I. OX 1〇8Ω · cm以上时，在对电子照相感光构件充电 期间电荷难以在导电层中过度流动，且几乎不会发生泄漏。
[0031] 使用图3和图4,将对电子照相感光构件中导电层的体积电阻率的测量方法进行 说明。图3是用于说明用于测量导电层的体积电阻率的方法的俯视图。图4是用于说明用 于测量导电层的体积电阻率的方法的截面图。
[0032] 导电层的体积电阻率是在常温和常湿（23°C /50% RH)的环境下测量。将铜带 203 (由Sumitomo 3M Limited制造，No. 1181)施加到导电层202的表面，且铜带用作导电 层202的所述表面侧上的电极。支承体201用作导电层202的后表面侧上的电极。在铜带 203和支承体201之间设置用于施加电压的电源206,以及用于测量铜带203和支承体201 之间流动的电流的电流测量装置207。为了向铜带203施加电压，将铜线204放置在铜带 203上，并将与铜带203类似的铜带205施加到铜线204上，使得铜线204在铜带203以外， 以将铜线204固定到铜带203。使用铜线204将电压施加到铜带203。
[0033] 由下述关系式（1)所表示的值是导电层202的体积电阻率P [Ω ·_]，其中Iq[A] 是在铜带203和支承体201之间不施加电压时的背景电流值，I [A]是当施加仅具有DC电 压（DC分量）的-IV电压时的电流值，导电层202的膜厚度为d [cm]，并且导电层202的表 面侧上的电极（铜带 203)的面积为 S[cm2] : P = 1/(I-IQ) XS/d[ Ω · cm]· · · (1)
[0034] 在该测量中，测量绝对值IXKT6A以下的微量电流。因此，优选使用可以测 量这样的微量电流的电流测量装置207进行测量。这种装置的实例包括由Yokogawa Hewlett-Packard Ltd 制造的 pA 计（商品名：4140B) 〇
[0035] 当以其中支承体上仅