电子照相感光构件、处理盒、和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒 和电子照相设备。
【背景技术】
[0002] 近年来，已经认真地研宄和开发使用有机光导电性材料的电子照相感光构件（有 机电子照相感光构件）。
[0003] 电子照相感光构件基本包括支承体和形成在所述支承体上的感光层。然而，事实 上，为了例如覆盖支承体表面的缺陷，保护感光层免受电击穿，提高带电性，并且改善从支 承体至感光层的电荷注入阻止性能的目的，在很多情况下在支承体和感光层之间设置各种 层。
[0004] 在支承体和感光层之间设置的层中，作为为了覆盖支承体表面的缺陷的目的而要 设置的层，已知含有金属氧化物颗粒的层。与不含有金属氧化物颗粒的层相比，含有金属氧 化物颗粒的层通常具有高导电性（例如，初始体积电阻率为I. OX IO8至2. OX 10 13 Ω ·_)， 并且即使当所述层的厚度增加时，在形成图像时的残余电位也难以增加。因此，含有金属氧 化物颗粒的层容易地覆盖支承体表面的缺陷。当此类具有高导电性的层（下文中，称为"导 电层"）设置在支承体和感光层之间从而覆盖支承体表面的缺陷时，支承体表面的缺陷的允 许范围扩大。结果，要使用的支承体的允许范围扩大。因此，提供了提高电子照相感光构件 的生产性的优点。
[0005] 专利文献1公开了一种技术，其包括：将掺杂有磷或钨的氧化锡涂布的氧化钛颗 粒用于在支承体和感光层之间的导电层。另外，专利文献2公开了一种技术，其包括将掺杂 有磷、钨或氟的氧化锡涂布的氧化钛颗粒用于在支承体和感光层之间的导电层。
[0006] 另外，专利文献3公开了一种技术，其包括：将具有不同的平均粒径的两种金属氧 化物颗粒引入通过将底涂层、中间层和感光层顺次层压在导电性支承体上而获得的电子照 相感光构件的底涂层中。另外，专利文献4公开了以下技术。将具有不同的一次粒径的两 种以上的导电性颗粒引入通过将中间层和感光层依次层压在导电性支承体上而获得的电 子照相感光构件的中间层中，将导电性颗粒的具有最大平均粒径的一次颗粒A与其具有最 小平均粒径的一次颗粒B的平均粒径之间的比"A:B"设置为12:1至30:1，并且将一次颗粒 B的平均粒径设置为0. 05 μm以下。另外，专利文献4公开了一种技术，其包括将掺杂有钽 的氧化锡颗粒用于电子照相感光构件的中间层。
[0007] 另外，专利文献5和6各自记载了一种技术，其包括：将掺杂有铌的氧化锡颗粒用 于在支承体和感光层之间的导电层或中间层。
[0008] 引用列表 [0009] 专利文献
[0010] PTL 1 :日本专利申请特开No. 2012-18371
[0011] PTL 2 :日本专利申请特开No. 2012-18370
[0012] PTL 3 :日本专利申请特开 No. 2007-187771
[0013] PTL 4 :日本专利申请特开 No. 2004-151349
[0014] PTL 5 :日本专利申请特开No. H01-248158
[0015] PTL 6 :日本专利申请特开No.HOl-150150
【发明内容】
[0016] 发明要解决的问题
[0017] 近年来，以下机会已经增加：将彼此相同的大量图像在短时期内从一个并且相同 的电子照相感光构件输出。
[0018] 在这样的情况下，在电子照相感光构件中的记录介质（例如转印材料（例如，纸） 或中间转印构件）的移动方向和垂直方向（当电子照相感光构件是圆筒状时的长度方向） 没有彼此偏离。因此，例如，当大量如图4的图像301的各自包括纵线306(平行于记录介 质的移动方向的线）的图像已经连续输出之后，输出实黑图像或半色调图像时，称为图案 记忆（pattern memory)的制品发生于纵线已经形成的部分。更具体地，实质上，如图4的 图像302输出实黑图像，并且如图4的图像303输出半色调图像。然而，当大量如图4的图 像301的各自包括纵线306的图像已经连续输出之后，输出实黑图像时，输出的图像会是 具有纵线307的图像304,这起因于图4的图像301的纵线306的重复滞后（!^petition hysteresis)。同样在半色调图像的情况下，如在实黑图像的情况下，输出的图像会是具有 纵线308的图像305,这起因于图4的图像301的纵线306的重复滞后。将如纵线307和 308已经出现重复滞后的图像部位称为图案记忆。
[0019] 特别地，与电子照相感光构件的寿命增长相联系，与从前相比，以下机会最近已经 增加：彼此相同的大量图像在短时期内从一个并且相同的电子照相感光构件输出。因此，即 使在迄今能够充分使用的传统的电子照相感光构件中，当彼此相同的大量图像在短时期内 输出时图案记忆发生的情况也开始变得明显。在这点上，包括在专利文献1至6中公开的 传统导电层的各个电子照相感光构件有时涉及图案记忆发生的情况的出现。
[0020] 另一方面，在包含粘结材料和金属氧化物颗粒的导电层的情况下，即使当为了可 以抑制在图像形成时的残余电位的增加，仅通过将在导电层中的金属氧化物颗粒的含量增 加而降低导电层的体积电阻率时，裂纹也易于在导电层中发生。因此，以下需要出现：在抑 制了导电层的裂纹发生的同时，抑制图案记忆的发生，并且抑制残余电位的增加。
[0021] 鉴于前述，本发明的目的是提供在图像形成时残余电位难以增加、图案记忆难以 发生、并且导电层的裂纹难以发生的电子照相感光构件和各自包括所述电子照相感光构件 的处理盒和电子照相设备。
[0022] 用于解决问题的方案
[0023] 根据本发明的一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；形成在所 述支承体上的导电层；和形成在所述导电层上的感光层，其中：所述导电层包含由掺杂有 磷的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、掺杂有磷的氧化锡颗粒、和粘结材料；和当所述导电层的总 体积由V t表示，在所述导电层中的所述由掺杂有磷的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的总体积由 Vip表示，并且在所述导电层中的所述掺杂有磷的氧化锡颗粒的总体积由V 2P表示时，所述 V所述Vip和所述V2p满足以下表达式⑴和（2)。
[0024] 2 彡{(V2P/VT) AV1P/VT)} X 100 彡 25…（I)
[0025] 15 彡{(V1P/VT) + (V2P/VT)} X 100 彡 45…（2)
[0026] 根据本发明的另一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；形成在 所述支承体上的导电层；和形成在所述导电层上的感光层，其中：所述导电层包含由掺杂 有钨的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、掺杂有钨的氧化锡颗粒、和粘结材料；和当所述导电层的 总体积由V t表示，在所述导电层中的所述由掺杂有钨的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的总体积 由Viw表示，并且在所述导电层中的所述掺杂有钨的氧化锡颗粒的总体积由V 2w表示时，所述 V所述Viw和所述V2w满足以下表达式（6)和（7)。
[0027] 2 彡{(V2W/VT) AV1W/VT)} X 100 彡 25…（6)
[0028] 15 彡{(V1W/VT) + (V2W/VT)} X 100 彡 45…（7)
[0029] 根据本发明的又一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；形成在 所述支承体上的导电层；和形成在所述导电层上的感光层，其中：所述导电层包含由掺杂 有氟的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、掺杂有氟的氧化锡颗粒、和粘结材料；和当所述导电层的 总体积由V t表示，在所述导电层中的所述由掺杂有氟的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的总体积 由Vif表示，并且在所述导电层中的所述掺杂有氟的氧化锡颗粒的总体积由V 2f表示时，所述 V所述Vif和所述V2f满足以下表达式（11)和（12)。
[0030] 2 彡{(V2F/VT) AV1F/VT)} X 100 彡 25…（I 1)
[0031] 15 彡{(V1F/VT) + (V2F/VT)} XlOO 彡 45…（12)
[0032] 根据本发明的又一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；形成在 所述支承体上的导电层；和形成在所述导电层上的感光层，其中：所述导电层包含由掺杂 有铌的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、掺杂有铌的氧化锡颗粒、和粘结材料；和当所述导电层的 总体积由V t表示，在所述导电层中的所述由掺杂有铌的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的总体积 由Viwb表示，并且在所述导电层中的所述掺杂有铌的氧化锡颗粒的总体积由V 2wb表示时，所 述\、所述V1Nb和所述V2Nb满足以下表达式（16)和（17)。
[0033] 2 彡{(V2Nb/VT) AV1Nb/VT)} X 100 彡 25…（16)
[0034] 15 彡{(V1Nb/VT) + (V2Nb/VT)} X 100 彡 45…（17)
[0035] 根据本发明的又一个方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；形成在 所述支承体上的导电层；和形成在所述导电层上的感光层，其中：所述导电层包含由掺杂 有钽的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、掺杂有钽的氧化锡颗粒、和粘结材料；和当所述导电层的 总体积由V t表示，在所述导电层中的所述由掺杂有钽的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的总体积 由Vna表示，并且在所述导电层中的所述掺杂有钽的氧化锡颗粒的总体积由V 2Ta表示时，所 述Vt、所述Vna和所述V 2Ta满足以下表达式（21)和（22)。
[0036] 2 彡{(V2Ta/VT) AV1Ta/VT)} X 100 彡 25…（21)
[0037] 15 彡{(V1Ta/VT) + (V2Ta/VT)} X 100 彡 45... (22)
[0038] 根据本发明的又一个方面，提供一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的 主体，其中所述处理盒一体化地支承：上述电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装 置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
[0039] 根据本发明的又一个方面，提供一种电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构 件；充电装置；曝光装置；显影装置；和转印装置。
[0040] 发明的效果
[0041] 根据本发明，提供在图像形成时残余电位难以增加、图案记忆难以发生并且导电 层的裂纹难以发生的电子照相感光构件和各自包括所述电子照相感光构件的所述处理盒 和所述电子照相设备。
[0042] 参考附图，从示例性实施方案的以下描述，本发明的进一步特性变得明显。
【附图说明】
[0043] 图1是示出包括具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例 性结构的一个实例的图。
[0044] 图2是示出导电层的体积电阻率的测量方法的图（顶视图）。
[0045] 图3是示出导电层的体积电阻率的测量方法的图（截面图）。
[0046] 图4是示出图案记忆的图（图像实例）。
[0047] 图5是示出一点桂马图案图像的图。
【具体实施方式】
[0048] 本发明的电子照相感光构件是包括支承体、形成在所述支承体上的导电层、和形 成在所述导电层上的感光层的电子照相感光构件。
[0049] 感光层可以是通过将电荷产生物质和电荷输送物质引入单一层而获得的单层型 感光层，或可以是通过将含有电荷产生物质的电荷产生层和含有电荷输送物质的电荷输送 层层压而获得的层压型感光层。另外，按需要，在要形成于支承体上的导电层和感光层之间 可以设置底涂层。
[0050] 具有导电性的支承体（导电性支承体）优选作为支承体，并且例如，可以使用由例 如铝、铝合金、或不锈钢等的金属形成的金属支承体。当使用铝或铝合金时，可以使用通过 包括挤出工艺和拉拔工艺（drawing process)的制造方法生产的错管、或通过包括挤出工 艺和减薄工艺（ironing process)的制造方法生产的错管。这样的错管提供良好的尺寸精 度和良好的表面平滑性而没有表面切削，并且在成本方面有利。然而，在铝管的未切削表面 上易于发生毛刺状的凸状缺陷。因此，其对于提供导电层特别有效。
[0051] 在本发明的电子照相感光构件中，将金属氧化物颗粒的以下组合的任何一种以及 粘结材料用于要形成在支承体上的导电层：
[0052] (p)由掺杂有磷的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和掺杂有磷的氧化锡颗粒；
[0053] (W)由掺杂有鹤的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和掺杂有鹤的氧化锡颗粒；
[0054] (f)由掺杂有氟的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和掺杂有氟的氧化锡颗粒；
[0055] (nb)由掺杂有铌的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和掺杂有铌的氧化锡颗粒；和
[0056] (ta)由掺杂有钽的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和掺杂有钽的氧化锡颗粒。
[0057] 特征之一在于：在金属氧化物颗粒的各个组合（p)、（w)、（f)、（nb)、和（ta)中，对 于掺杂氧化锡的元素，磷（P)、钨（W)、氟（F)、铌（Nb)或钽（Ta)是共通的。应该注意的是： 氧化钛颗粒是氧化钛（TiO 2)的颗粒并且所述氧化锡颗粒是氧化锡（SnO2)的颗粒。
[0058] 下文中，由掺杂有磷的氧化锡涂布的氧化钛颗粒也表示为"P掺杂的氧化锡涂布 的氧化钛颗粒"，并且掺杂有磷的氧化锡颗粒也表示为"P掺杂的氧化锡颗粒"。另外，由掺 杂有钨的氧化锡涂布的氧化钛颗粒也表示为"W掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒"，并且掺 杂有钨的氧化锡颗粒也表示为"W掺杂的氧化锡颗粒"。另外，由掺杂有氟的氧化锡涂布的 氧化钛颗粒也表示为"F掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒"，并且掺杂有氟的氧化锡颗粒也 表示为"F掺杂的氧化锡颗粒"。另外，由掺杂有铌的氧化锡涂布的氧化钛颗粒也表示为"Nb 掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒"，并且掺杂有铌的氧化锡颗粒也表示为"Nb掺杂的氧化锡 颗粒"。另外，由掺杂有钽的氧化锡涂布的氧化钛颗粒也表示为"Ta掺杂的氧化锡涂布的氧 化钛颗粒"，并且掺杂有钽的氧化锡颗粒也表示为"Ta掺杂的氧化锡颗粒"。
[0059] 进一步，在本发明的电子照相感光构件中，在要引入导电层中的金属氧化物颗粒 的组合是组合（P)的情况下，当导电层的总体积由\表示，在导电层中的P掺杂的氧化锡涂 布的氧化钛颗粒的体积由V ip表示，并且在导电层中的P掺杂的氧化锡颗粒的体积由V 2P表 示时，Vt JjP V2p满足以下表达式⑴和（2)。
[0060] 2 彡{(V2P/VT) AV1P/VT)} X 100 彡 25…（1)
[0061 ] 15 ^ { (VipAt) + (V2pAt) } XlOO ^ 45- (2)
[0062] 进一步，在要引入导电层的金属氧化物颗粒的组合是组合（w)的情况下，当导电 层的总体积由V t表示，在导电层中的W掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的体积由V 1W表示， 并且在导电层中的W掺杂的氧化锡颗粒的体积由V2w表示时，V T、Vn^P V 2W满足以下表达式 ⑶和⑵。
[0063] 2 彡{(V2W/VT) AV1W/VT)} X 100 彡 25…（6)
[0064] 15 彡{(V1W/VT) + (V2W/VT)} X 100 彡 45…（7)
[0065] 进一步，在要引入导电层的金属氧化物颗粒的组合是组合（f)的情况下，当导电 层的总体积由V t表示，在导电层中的F掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的体积由V 1F表示， 并且在导电层中的F掺杂的氧化锡颗粒的体积由V2f表示时，V T、V1JP V 2F满足以下表达式 (11)和（12)。
[0066] 2 彡{(V2F/VTV(V1F/VT)} XlOO 彡 25…（11)
[0067] 15 彡{(V1F/VT) + (V2F/VT) }X100 彡 45 …（12)
[0068] 进一步，在要引入导电层的金属氧化物颗粒的组合是组合（nb)的情况下，当导电 层的总体积由V t表示，在导电层中的Nb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的体积由V 1Nb表 示，并且在导电层中的Nb掺杂的氧化锡颗粒的体积由V2Nb表示时，V T、Vab和V2Nb满足以下 表达式（16)和（17)。
[0069] 2 彡{(V2Nb/VT) AV1Nb/VT)} X 100 彡 25…（16)
[0070] 15 彡{(V1Nb/VT) + (V2Nb/VT)} X 100 彡 45…（17)
[0071] 进一步，在要引入导电层的金属氧化物颗粒的组合是组合（ta)的情况下，当导电 层的总体积由V t表示，在导电层中的Ta掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒的体积由V 1Ta表 示，并且在导电层中的Ta掺杂的氧化锡颗粒的体积由V2Ta表示时，V T、V1Ta和V2Ta满足以下 表达式（21)和（22)。
[0072] 2 彡{(V2Ta/VT) "V1Ta/VT)} X 100 彡 25…（21)
[0073] 15 彡{(V1Ta/VT) + (V2Ta/VT)} X 100 彡 45... (22)
[0074] 下文中，V1P、V1W、V1F、V1Nb和 V 1Ta也共同地表示为"V Λ并且 V2P、V2W、V2F、V2Nb和 V 2Ta 也共同地表示为"V2"。另外，P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、W掺杂的氧化锡涂布的氧 化钛颗粒、F掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒、Nb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒和Ta掺 杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒也共同地表示为"第一金属氧化物颗粒"，并且P掺杂的氧化 锡颗粒、W掺杂的氧化锡颗粒、F掺杂的氧化锡颗粒、Nb掺杂的氧化锡颗粒和Ta掺杂的氧化 锡颗粒也共同地表示为"第二金属氧化物颗粒"。
[0075] 本发明的发明人已经做出了大量的研宄从而抑制图案记忆的发生。结果，本发明 人已经发现：图案记忆通过在导电层中良好的导电路径在宽范围内的形成，换言之，在导电 层中电荷的均一移动来抑制。这可能是因为在导电层中的电荷的局部滞留或存储难以发 生。然而，电荷的滞留或存储不会很大程度上与导电层的体积电阻率或电阻相关联，这是因 为滞留或存储是局部现象。用于抑制图案记忆的良好导电路径在导电层中的形成需要经过 第一金属氧化物颗粒和第二金属氧化物颗粒两者的导电路径的形成。为此，为了抑制图案 记忆的发生，引起以下需要：代替仅含有第一金属氧化物颗粒的导电层或仅含有第二金属 氧化物颗粒的导电层的形成，使第一金属氧化物颗粒和第二金属氧化物颗粒以特定的比例 存在于导电层中，然后形成经过第一金属氧化物颗粒和第二金属氧化物颗粒两者的导电路 径。即，需要满足表达式⑴、（6)、（11)、（16)或（2