制备中用作第二金属氧化物颗粒的F掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为270 Ω · cm。
[0255] 另外，在导电层用涂布液 CP-376、CP-381、CP-386、CP-391、CP-396、CP-401、 CP-406、CP-411、CP-416、CP-419和CP-420的制备中用作第二金属氧化物颗粒的F掺杂的 氧化锡颗粒具有粉末电阻率为220 Ω · cm。
[0256] 另外，在导电层用涂布液 CP-377、CP-382、CP-387、CP-392、CP-397、CP-402、 CP-407、CP-412和CP-417的制备中用作第二金属氧化物颗粒的F掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为170 Ω · cm。
[0257] 另外，在导电层用涂布液 CP-378、CP-383、CP-388、CP-393、CP-398、CP-403、 CP-408、CP-413和CP-418的制备中用作第二金属氧化物颗粒的F掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为130 Ω · cm。
[0258] 另外，在导电层用涂布液CP-514至CP-560的制备中用作第一金属氧化物颗粒的 Nb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为6, 500 Ω · cm。
[0259] 另外，在导电层用涂布液 CP-514、CP-519、CP-524、CP-529、CP-534、CP-539、 CP-544、CP-549和CP-554的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Nb掺杂的氧化锡颗粒具 有粉末电阻率为400Ω ·〇ιι。另外，在导电层用涂布液CP-515、CP-520、CP-525、CP-530、 CP-535、CP-540、CP-545、CP-550和CP-555的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Nb掺杂的 氧化锡颗粒具有粉末电阻率为360 Ω · cm。
[0260] 另外，在导电层用涂布液 CP-516、CP-521、CP-526、CP-531、CP-536、CP-541、 CP-546、CP-551、CP-556、CP-559和CP-560的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Nb掺杂的 氧化锡颗粒具有粉末电阻率为330 Ω · cm。
[0261] 另外，在导电层用涂布液 CP-517、CP-522、CP-527、CP-532、CP-537、CP-542、 CP-547、CP-552和CP-557的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Nb掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为300 Ω · cm。
[0262] 另外，在导电层用涂布液 CP-518、CP-523、CP-528、CP-533、CP-538、CP-543、 CP-548、CP-553和CP-558的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Nb掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为270 Ω · cm。
[0263] 另外，在导电层用涂布液CP-654至CP-700的制备中用作第一金属氧化物颗粒Ta 掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为4, 500 Ω · cm。
[0264] 另外，在导电层用涂布液 CP-654、CP-659、CP-664、CP-669、CP-674、CP-679、 CP-684、CP-689和CP-694的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为270 Ω · cm。
[0265] 另外，在导电层用涂布液 CP-655、CP-660、CP-665、CP-670、CP-675、CP-680、 CP-685、CP-690和CP-695的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为200 Ω · cm。
[0266] 另外，在导电层用涂布液 CP-656、CP-661、CP-666、CP-671、CP-676、CP-681、 CP-686、CP-691、CP-696、CP-699和CP-700的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Ta掺杂的 氧化锡颗粒具有粉末电阻率为160 Ω · cm。
[0267] 另外，在导电层用涂布液 CP-657、CP-662、CP-667、CP-672、CP-677、CP-682、 CP-687、CP-692和CP-697的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为110 Ω · cm。
[0268] 另外，在导电层用涂布液 CP-658、CP-663、CP-668、CP-673、CP-678、CP-683、 CP-688、CP-693和CP-698的制备中用作第二金属氧化物颗粒的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有 粉末电阻率为65 Ω · cm。
[0269] (导电层用涂布液 CP-C1、CP-C22、CP-C42 至 CP-C63、CP-C76 至 CP-C97、CP-C107 至 CP-C128、和 CP-C129 至 CP-C150 的生产例）
[0270] 除了第一金属氧化物颗粒的种类和量、第二金属氧化物颗粒的种类和量、和粘结 材料的量如表5、13、20、48和54中所示改变（包括如是否使用第一金属氧化物颗粒或第二 金属氧化物颗粒的改变，对以下同样适用）以外，导电层用涂布液CP-Cl至CP-C22、CP-C42 至 CP-C63、CP-C76 至 CP-C97、CP-C107 至 CP-C128、和 CP-C129 至 CP-C150 通过与导电层用 涂布液CP-I的生产例相同的操作来制备。
[0271] 应该注意的是：在导电层用涂布液CP-Cl至CP-C9和CP-C13至CP-C22的制 备中用作第一金属氧化物颗粒的P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为 5, 000 Ω · cm〇
[0272] 另外，在导电层用涂布液CP-C4至CP-C22的制备中用作第二金属氧化物颗粒的P 掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为200 Ω · cm。
[0273] 另外，在导电层用涂布液CP-C42至CP-C50和CP-C54至CP-C63的制备中用作第 一金属氧化物颗粒的W掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为3, 000 Ω · cm。
[0274] 另外，在导电层用涂布液CP-C45至CP-C63的制备中用作第二金属氧化物颗粒的 W掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为100 Ω · cm。
[0275] 另外，在导电层用涂布液CP-C76至CP-C84和CP-C88至CP-C97的制备中用作第 一金属氧化物颗粒的F掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0276] 另外，在导电层用涂布液CP-C79至CP-C97的制备中用作第二金属氧化物颗粒的 F掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为220 Ω · cm。
[0277] 另外，在导电层用涂布液CP-C107至CP-C115和CP-C119至CP-C128的制备 中用作第一金属氧化物颗粒的Nb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为 6, 500 Ω · cm〇
[0278] 另外，在导电层用涂布液CP-CllO至CP-C128的制备中用作第二金属氧化物颗粒 的Nb掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为330 Ω · cm。
[0279] 另外，在导电层用涂布液CP-C129至CP-C137和CP-C141至CP-C150的制备 中用作第一金属氧化物颗粒的Ta掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为 4, 500 Ω · cm〇
[0280] 另外，在导电层用涂布液CP-C132至CP-C150的制备中用作第二金属氧化物颗粒 的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为160 Ω · cm。
[0281] (导电层用涂布液 CP-C23 至 CP-C35、CP-C64 至 CP-C71、CP-C98 至 CP-C105、 CP-C151 至 CP-C178、和 CP-C179 的生产例）
[0282] 除了第一金属氧化物颗粒的种类和量、第二金属氧化物颗粒的种类和量、和粘结 材料的量如表6、7、14、21和55至58中所示改变以外，导电层用涂布液CP-C23至CP-C35、 CP-C64 至 CP-C71、CP-C98 至 CP-C105、和 CP-C151 至 CP-C179 通过与导电层用涂布液 CP-I 的生产例相同的操作来制备。应该注意的是：在表中，例如，由缺氧型氧化锡涂布的氧化钛 颗粒（缺氧型氧化锡涂布的氧化钛颗粒）不相当于根据本发明的第一金属氧化物颗粒，并 且缺氧型氧化锡颗粒不相当于根据本发明的第二金属氧化物颗粒，但为了方便，所述颗粒 作为与本发明比较的实例在各列中示出，对以下同样适用。
[0283] 应该注意的是：用于制备导电层用涂布液CP-C26至CP-C28、CP-C31至CP-C32、 CP-C153和CP-C154的P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为5, 000 Ω ·〇ιι。
[0284] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C35的P掺杂的氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具有 粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0285] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C23至CP-C25、CP-C29、CP-C30、CP-C35、 CP-151和CP-152的P掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为200 Ω · cm。
[0286] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C67至CP-C69、CP-C104、CP-C157和CP-C158 的W掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为3, OOO Ω · cm。
[0287] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C71的W掺杂的氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具有 粉末电阻率为3, 000 Ω · cm。
[0288] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C31、CP-C64至CP-C66、CP-C70、CP-C71、 CP-C155和CP-C156的W掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为100 Ω · cm。
[0289] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C30、CP-C70、CP-C101至CP-C103、CP-C161和 CP-C162的F掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0290] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C105的F掺杂的氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具 有粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0291] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C32、CP-C159和CP-C160的F掺杂的氧化锡颗 粒具有粉末电阻率为220 Ω · cm。
[0292] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C151、CP-C155、CP-C159、CP-C166 至 CP-C168、 和CP-C170的Nb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为6, 500 Ω · cm。
[0293] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C171的Nb掺杂的氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具 有粉末电阻率为6, 500 Ω · cm。
[0294] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C153、CP-C157、CP-C161、CP-C163 至 CP-C165、 CP-C169和CP-C171的Nb掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为330 Ω · cm。
[0295] 另外，用于制备导电层用涂布液0?-(：152、0?-(：156、0?-(：160、0?-(：169、和0?-(：175 至CP-C177的Ta掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为4, 500 Ω · cm。
[0296] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C178的Ta掺杂的氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具 有粉末电阻率为4, 500 Ω · cm。
[0297] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C154、CP-C158、CP-C162、CP-C170、CP-C172 至 CP-C174、和CP-C178的Ta掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为160 Ω · cm。
[0298] 另外，用于制备导电层用涂布液CP-C23、CP-C64、CP-C98、CP-C163和CP-C172的 缺氧型氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0299] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C24、CP-C33、CP-C65、CP-C99、CP-C164、 CP-C173和CP-C179的缺氧型氧化锡涂布的硫酸钡颗粒具有粉末电阻率为5, 000 Ω · cm。
[0300] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C25、CP-C34、CP-C66、CP-C100、CP-C165 和 CP-C174的Sb掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒具有粉末电阻率为3, 000 Ω · cm。
[0301] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C26、CP-C33、CP-C67、CP-ClO 1、CP-C166、 CP-C175和CP-C179的缺氧型氧化锡颗粒具有粉末电阻率为200 Ω · cm。
[0302] 另外，用于制备导电层用涂布液0?-027、0?气68、0?-(：102、0?-(：167和0?-(：176的 氧化铟锡颗粒具有粉末电阻率为100 Ω · cm。
[0303] 另外，用于制备导电层用涂布液 CP-C28、CP-C34、CP-C69、CP-C103、CP-C168 和 CP-C177的Sb掺杂的氧化锡颗粒具有粉末电阻率为100 Ω · cm。
[0304] (导电层用涂布液CP-C36的生产例）
[0305] 将在专利文献4中记载的实施例1的中间层用涂布液通过以下操作来制备并且定 义为导电层用涂布液CP-C36。
[0306] S卩，将20份的由缺氧型氧化锡涂布的硫酸钡颗粒（涂布率：50质量％，平均一 次粒径：600nm，比重：5. 1(密度=5. lg/cm3))、100份的掺杂有锑的氧化锡颗粒（商品 名：T-1，Mitsubishi Materials Corporation 制造，平均一次粒径：20nm，粉末电阻率： 5Ω · cm，比重：6. 6(密度=6. 6g/cm3))、作为粘结材料的70份的甲阶A型酷醛树脂（商 品名：PLYOPHEN J-325, DIC Corporation制造，树脂固含量：60% )、和100份的2-甲氧 基-1-丙醇装入球磨机，然后进行分散处理20小时从而制备导电层用涂布液CP-C36。
[0307] (导电层用涂布液CP-C37的生产例）
[0308] 除了掺杂有锑的氧化锡颗粒改变为掺杂有钽的氧化锡颗粒（平均一次粒径： 20nm，比重：6. 1(密度=6. lg/cm3))以外，导电层用涂布液CP-C37通过与导电层用涂布液 CP-C36的生产例相同的操作来制备。
[0309] (导电层用涂布液CP-C38的生产例）
[0310] 将在专利文献2中记载的导电层用涂布液L-7通过以下操作来制备并且定义为导 电层用涂布液CP-C38。
[0311] S卩，将46份的P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒（平均一次粒径：220nm，粉末电 阻率：100Ω · cm，掺杂入氧化锡中的磷的量（掺杂率）：7质量％，涂布率：15% )、作为粘 结材料的36·5份的酚醛树脂（商品名：PLY0PHENJ-325，DICCOrp OratiOn制造，树脂固含 量：60质量％ )、和作为溶剂的50份的1-甲氧基-2-丙醇装入使用各自具有直径0. 5_的 玻璃珠的砂磨机，然后在以下分散处理条件下进行分散处理从而提供分散液：圆盘转数为 2, 500rpm并且分散处理时间为3. 5小时。
[0312] 将作为表面粗糙度赋予材料的3. 9份的硅酮树脂颗粒（商品名：T0SPEARL 120， Momentive Performance Materials Inc.制造，平均粒径：2μηι)、和作为流平剂的0.001 份 的娃油（商品名：SH28PA，Dow Corning Toray Silicone Co. ,Ltd.制造）添加至分散液， 然后将混合物搅拌从而制备导电层用涂布液CP-C38。
[0313] (导电层用涂布液CP-C39的生产例）
[0314] 将在专利文献2中记载的导电层用涂布液L-21通过以下操作来制备并且定义为 导电层用涂布液CP-C39。
[0315] S卩，将44份的P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒（平均一次粒径：40nm，粉末电 阻率：500Ω · cm，掺杂入氧化锡中的磷的量（掺杂率）：8质量％，涂布率：20% )、作为粘 结材料的36·5份的酚醛树脂（商品名：PLY0PHENJ-325，DICCOrp OratiOn制造，树脂固含 量：60质量％ )、和作为溶剂的50份的1-甲氧基-2-丙醇装入使用各自具有直径0. 5_的 玻璃珠的砂磨机，然后在以下分散处理条件下进行分散处理从而提供分散液：圆盘转数为 2, 500rpm并且分散处理时间为3. 5小时。
[0316] 将作为表面粗糙度赋予材料的3. 9份的硅酮树脂颗粒（商品名：T0SPEARL 120， Momentive Performance Materials Inc.制造，平均粒径：2μηι)、和作为流平剂的0.001 份 的娃油（商品名：SH28PA，Dow Corning Toray Silicone Co. ,Ltd.制造）添加至分散液， 然后将混合物搅拌从而制备导电层用涂布液CP-C39。
[0317] (导电层用涂布液CP-C40的生产例）
[0318] 将在专利文献1中记载的导电层用涂布液1通过以下操作来制备并且定义为导电 层用涂布液CP-C40。
[0319] 即，将204份的P掺杂的氧化锡涂布的氧化钛颗粒（粉末电阻率：40 Ω · cm，涂布 率：35质量％，掺杂入氧化锡中的磷的量（掺杂率）：3质量％ )、作为粘结材料的148份的 酚醛树脂（商品名：PLYOPHEN J-325, DIC Corporation制造，树脂固含量：60质量％ )、和 作为溶剂的98份的1-甲氧基-2-丙醇装入使用各自具有直径0. 8_的450份的玻璃珠的 砂磨机，然后在以下分散处理条件下进行分散处理从而提供分散液：转数为2, OOOrpm，分 散处理时间为4小时，并且冷却水的设定温度为18°C。
[0320] 将玻璃珠使用筛网从分散液除去。之后，将作为表面粗糙度赋予材料的13. 8份 的娃酮树脂颗粒（商品名：T0SPEARL 120，Momentive Performance Materials Inc.制 造，平均粒径：2 μ m)、作为流平剂的0· 014份的娃油（商品名：SH28PA，Dow Corning Toray Silicone Co.，Ltd.制