称处，分别各设置一个开口 31，具体请参考图3。为使图示简洁，图中仅对两个开口的其中一个进行了标示。
[0053]作为本发明的另一个实施例，可以在以待量测点M为中心的矩形方框的测试图形上，在该测试图形的矩形方框的四个顶点处，分别各设置一个开口 41，也就是说，所述4个开口组成以待量测点M为中心的矩形框，所述开口 41位于所述矩形框的四个顶点处，具体请参考图4。为使图示简洁，图中仅对4个开口的其中一个进行了标示。
[0054]下文中，将以在测试图形的矩形方框的四个顶点处设置开口为例详细阐述本发明建立OPC模型的方法。请结合参考图5，图5是本发明实施例中测试图形开口的位置关系示意图。
[0055]除了在待量测点周围的对称位置处设置开口，可以减小开口的设置对于模拟光刻图形光学性能的影响，开口设置的位置距离待量测点的远近也是不可忽略的考虑因素。需要了解的，由于多个开口均是设置在距离待量测点对称的位置处，因此多个开口到待量测点之间的距离相等，例如该距离为D1。
[0056]作为本发明的一个实施例，所述开口 41到待量测点M的距离Dl至少满足:当采用设置了多个开口的测试图形得到模拟光刻图形时，所述模拟光刻图形相对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%，较佳地，为小于等于1%。作为本发明的实施例，所述模拟光刻图形相对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%指的是，该模拟光刻图形的特征尺寸(CD)相对于测试图形的特征尺寸的误差率小于等于2%。即，当二者的误差率小于等于2%的情况下，认为该开口设置的位置是合适的，不会对模拟光刻图形尺寸产生显著影响。也就是说，利用本发明方法对测试图形设置开口，不会对模拟的光刻图形结果产生显著影响。
[0057]要满足上述的模拟光刻图形相对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%的要求，所述开口到待量测点的距离Dl要足够远。作为本发明的一个实施例，Dl需要满足，Dl>4U/NA)/(l+Sigma_out)，其中，λ为光刻工艺中入射光光源的波长，NA为数值孔径，sigma_out 为光刻系统参数。较佳地，Dl>5 ( λ /NA) / (l+sigma_out)。
[0058]因此，根据以上所述，所述开口到待量测点的距离Dl越大(至少大于4( λ/NA)/(l+Sigma_out))，则设置开口对模拟光刻图形的结果产生的影响越小。
[0059]当然，需要注意的，所述开口到待量测点的距离Dl需要受到量测屏幕大小的限制，即，所述开口到待量测点在水平轴向方向上的距离D2至少要小于量测屏幕尺寸的1/2，所述量测屏幕尺寸指的是测量放大倍率条件下量测屏幕对应的有效尺寸。换句话说，至少需要保证对测试图形设置的开口在进行量测的屏幕的可见范围内。
[0060]此外，所述开口的尺寸D3，即被隔断的条状图形之间的相隔距离D3也需要满足以下条件:(D0/2)>D3>MRC，其中DO为所述条状图形宽度的特征尺寸(CD)，MRC为掩膜板所能制作的最小尺寸。因此，开口的尺寸D3要满足上述的要求，一方面是考虑到掩膜板的制作工艺能力，另一方面又需要保证其透光量，同时又不会因开口尺寸过大而影响模拟光刻图形的结果。
[0061]图6a和图6b是根据本发明实施例的一种测试图形标记方法获得模拟光刻图形的实验结果示意图。如图6a所示，以测试图形待量测点(B卩，中心位置)为中心的矩形方框上，在该测试图形的矩形方框的四个顶点处，共设置了 4个开口。图6b表示，根据该设置了开口的测试图形模拟得到光刻图形，从图6b中可见，在测试图形设置了四个开口的对应位置处，在模拟光刻图形上也获形成了 4个开口，并且模拟光刻图形的特征尺寸D6为25.5nm。
[0062]图7a和图7b是根据图6a中未做标记的测试图形获得模拟光刻图形的实验结果示意图。图7a表示的是图6a中未进行标记的测试图形，S卩，没有在测试图形上设置开口。图7b则表示根据该未做标记的测试图形模拟得到的光刻图形，从图7b可以看出，未做标记的模拟光刻图形的特征尺寸D7也为25.5nm。
[0063]根据上述实验证明，采用本发明的测试图形标记方法，在使用该测试图形获得的模拟掩膜图形的对应位置处也获得相应的开口，换句话说，在测试图形的待量测点周围标记的参考对象(开口)，在模拟光刻图形上也可以得到，因此，根据模拟光刻图形上形成的开口，以此作为参考，可以比较容易在模拟光刻图形上获得与测试图形的待量测点对应的点。
[0064]其次，即便在测试图形上设置了多个开口，由于本发明对于开口的位置设定有一定的要求，并不会因为在原测试图形上设置开口而影响模拟光刻图形的光学特性。
[0065]根据本发明的另一个实施例，还提供一种利用上述的测试图形的标记方法的标记装置，包括，提供单元，用以提供测试图形，所述测试图形包括多个规则无间断的条状图形；定位单元，用以确定所述测试图形的待量测点；标记单元，用以在所述测试图形上，所述待量测点周围的对称位置处设置多个开口，每个所述多个开口使得经过该位置的条状图形间断；所述多个开口到所述待量测点的距离相等，并且所述距离至少满足:所述开口对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%。
[0066]与现有技术相比，采用本发明的测试图形的标记方法和标记装置，通过在测试图形上标记开口，在使用该测试图形获得的模拟掩膜图形的对应位置处也可以获得相应的开口。换句话说，在测试图形的待量测点周围标记了的参考对象(开口)，在模拟光刻图形上也可以得到，因此，根据模拟光刻图形上形成的开口，以此作为参考，可以比较容易在模拟光刻图形上获得与测试图形的待量测点对应的点。
[0067]其次，根据本发明的标记方法和标记装置，即便在测试图形上设置了多个开口，由于本发明对于开口的位置设定有一定的要求，并不会因为在原测试图形上设置开口而显著影响模拟光刻图形的光学特性。
[0068]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种测试图形的标记方法，其特征在于，包括: 提供测试图形，所述测试图形包括多个规则无间断的条状图形； 确定所述测试图形的待量测点； 在所述测试图形上，所述待量测点周围的对称位置处设置多个开口，所述多个开口的每个开口使得经过该位置的条状图形间断； 其中，所述多个开口到所述待量测点的距离相等，并且所述距离至少满足:所述开口对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个开口的个数为大于等于2的偶数。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个开口组成以待量测点为中心的矩形框，所述开口位于所述矩形框的四个顶点处。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述开口到待量测点的距离大于4( λ /NA) /(l+sigma_out),其中，λ为光刻工艺中光源的波长,NA为数值孔径,sigma_out为光刻系统参数。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述开口到待量测点的距离大于5( λ /NA) /(l+sigma_out),其中，λ为光刻工艺中光源的波长,NA为数值孔径,sigma_out为光刻系统参数。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口到待量测点在水平轴向方向上的距离小于量测屏幕尺寸的1/2。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口的尺寸小于条状图形尺寸的1/2。
8.—种测试图形的标记装置，其特征在于，包括: 提供单元，用以提供测试图形，所述测试图形包括多个规则无间断的条状图形； 定位单元，用以确定所述测试图形的待量测点； 标记单元，用以在所述测试图形上，所述待量测点周围的对称位置处设置多个开口，所述多个开口的每个开口使得经过该位置的条状图形间断； 其中，所述多个开口到所述待量测点的距离相等，并且所述距离至少满足:所述开口对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%。
9.如权利要求8所述的标记装置，其特征在于，所述多个开口的个数为大于等于2的偶数。
10.如权利要求8所述的标记装置，其特征在于，所述多个开口组成以待量测点为中心的矩形框，所述开口位于所述矩形框的四个顶点处。
11.如权利要求10所述的标记装置，其特征在于，所述开口到待量测点的距离大于4( λ/NA)/(l+sigma_out),其中，λ为光刻工艺中光源的波长，NA为数值孔径，sigma_out为光刻系统参数。
12.如权利要求10所述的标记装置，其特征在于，所述开口到待量测点的距离大于5(入/NA)/(l+sigma_out),其中，λ为光刻工艺中光源的波长，NA为数值孔径，sigma_out为光刻系统参数。
13.如权利要求8所述的标记装置，其特征在于，所述开口到待量测点在水平轴向方向上的距离小于量测屏幕尺寸的1/2。
14.如权利要求8所述的标记装置，其特征在于，所述开口的尺寸小于条状图形尺寸的1/2。
【专利摘要】本发明提供了一种测试图形的标记方法和标记装置，该标记方法包括：提供测试图形，所述测试图形包括多个规则无间断的条状图形；确定所述测试图形的待量测点；在所述测试图形上，所述待量测点周围的对称位置处设置多个开口，每个所述多个开口使得经过该位置的条状图形间断；所述多个开口到所述待量测点的距离相等，并且所述距离至少满足：所述开口对于该测试图形的光学特性影响程度小于等于2%。采用本发明的测试图形标记方法，可以比较容易在模拟光刻图形上获得与测试图形的待量测点对应的点，不会因为在原测试图形上设置开口而影响模拟光刻图形的光学特性。
【IPC分类】G03F1-36, G03F1-44
【公开号】CN104678695
【申请号】CN201310612564
【发明人】王辉, 黄宜斌, 沈泫
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月26日