量计，含量为1重量％至20重量％，优选地，含量为1重量％至10重 量％。如果脂肪族多元醇的含量低于1重量％，则会发生底部金属布线的腐蚀。另一方面， 当脂肪族多元醇的含量超过20重量％时，取向层的去除性能会不明显。
[0040] 硅化合物
[0041] 根据本发明的硅化合物用来防止铝布线的腐蚀，本发明的用于去除有机取向层的 组合物包含硅化合物，以由此显著改善铝布线的耐腐蚀性。
[0042] 因此，即使当少量使用脂肪族多元醇时，也可以充分实现铝布线的防腐蚀效果。因 此，通过喷涂等方式在高温下或在室温下可以容易地执行涂覆。
[0043] 硅化合物没有特别的限制，但是可以包括，例如硅酸钾、硅酸钙、硅酸钠、硅酸铝 等。这些硅化合物可以单独使用，或以其中的两种或更多种的组合使用。
[0044] 硅化合物的含量没有特别的限制，但是该含量可以被包括在以下范围中，例如，以 组合物的总重量计，含量为0. 001重量％至1重量％，优选地，含量为0. 01重量％至1重 量％。如果硅化合物的含量低于0.001重量％，则铝的耐腐蚀性的改善会不明显。另一方 面，当硅化合物的含量超过1重量％时，在组合物中的液体组分在取向层的去除过程中会 蒸发或挥发，因此引起硅化合物的沉淀而不会引起该硅化合物在组合物中的溶解。
[0045] 硫醇化合物
[0046] 根据本发明的硫醇化合物用来防止铜布线的腐蚀，本发明的用于去除有机取向层 的组合物包含硫醇化合物，以由此显著提高铜布线的耐腐蚀性。
[0047] 根据本发明的硫醇化合物可以由下面的式3表示：
[0048] [式 3]
[0049] R-SH
[0050](式中，R表示具有1个至6个碳原子的烷基，其可以被羟基或巯基取代）。
[0051] 由式3表示的化合物没有特别的限制，但是可以包括，例如巯基乙醇、3-巯 基-1，2_丙二醇、2, 3_二疏基-1-丙醇、1，4_二疏基_2, 3_ 丁二醇、2, 3_二疏基-1-丙醇 等。
[0052] 硫醇化合物的含量没有特别的限制，但是该含量可以被包括在以下范围中，例如， 以组合物的总重量计，含量为0. 001重量％至1重量％，优选地，含量为0. 01重量％至1重 量％。如果硫醇化合物的含量低于0.001重量％，则铜的耐腐蚀性的改善会不明显。另一 方面，当硫醇化合物的含量超过1重量％时，依赖含量增大对耐腐蚀性的改善会不明显。
[0053] 内酷化合物
[0054] 内酯化合物用来防止底部基板膜的损坏，底部基板膜例如为RGB彩色抗蚀剂和柱 状隔垫物等。
[0055] 由于本发明的用于去除有机取向层的组合物包括内酯化合物，因此其可以防止底 部金属布线的腐蚀，而且防止底部有机基板膜的损坏。
[0056] 内酯化合物没有特别的限制，但是可以包括，例如γ-丁内酯、γ-戊内酯、δ-戊 内酯、β-丙内酯、γ-i内酯和ε -己内酯等。这些内酯化合物可以单独使用，或以其中 的两种或更多种的组合使用。
[0057] 内酯化合物的含量没有特别的限制，但是该含量可以被包括在以下范围中，例如， 以组合物的总重量计，含量为0. 01重量％至10重量％，优选地，含量为0. 01重量％至1重 量％。如果内酯化合物的含量低于0. 01重量％，则防止底部有机基板膜的损坏的效果会不 明显。另一方面，当内酯化合物的含量超过10重量％时，依赖含量增大来防止底部有机基 板膜的损坏的效果会不明显，而由于其它组分的含量相对减少，故引起取向层的去除性能 的降低。
[0058] 水
[0059] 本发明的用于去除有机取向层的组合物还可以包括以组合物的总重量计加入至 其中的余量的水，由此调节整个结构组成，之后对于组合物的特殊的要求，适当地采用前述 组分。优选地，前述组分的含量被控制在上述范围内。
[0060] 所加入的水的类型在文中没有特别的限制，但是可以为去离子化的蒸馏水，优选 地，用于半导体工艺的具有18ΜΩ · cm或更高的电阻率的去离子化的蒸馏水。
[0061] 本发明的用于去除有机取向层的包括上述组分的组合物，可有效地用于从任何半 导体或电子产品（尤其为液晶面板）上去除有机取向层的工艺中。
[0062] 使用本发明的用于去除有机取向层的组合物来去除聚酰亚胺膜的方法没有特别 的限制，但是可以包括，例如在相关技术中已知的各种方法，例如浸渍、喷涂等。在使用本发 明的组合物处理之后所用的清洗剂不需要任何有机溶剂（例如，醇），反之，使用水足以洗 涤所处理的产品。
[0063] 在下文中，为了更加具体地理解本发明，将结合实施例描述优选的实施方式。然 而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，这种实施方式被提供用于说明的目的而不受 所附的权利要求书的限制，可以做出各种变型和替代而不脱离本发明的范围和精神，而且 这些变型和替代被充分地包括在由所附的权利要求书所限定的本发明中。
[0064] 实施例
[0065] 实施例和比较例
[0066] 通过混合组分和余量的水，制备用于去除有机取向层的组合物，该组合物具有下 面的表1中列出的不同的构成组分和含量。
[0067] [表 1]
[0068]
【主权项】
1. 一种用于去除有机取向层的组合物，所述组合物包括： 季铵碱、乙二醇醚化合物、脂肪族多元醇、硅化合物、硫醇化合物、内酯化合物，以及余 量的水。
2. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述季铵碱选自氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙 基铵、氢氧化四丙基铵和氢氧化四丁基铵中的至少一种。
3. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述乙二醇醚化合物选自乙二醇单甲醚、乙二 醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇 单乙醚和三乙二醇单丁醚中的至少一种。
4. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述脂肪族多元醇选自丙三醇、葡萄糖、甘露 糖、半乳糖、山梨醇、甘露醇和聚乙二醇中的至少一种。
5. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述硅化合物选自硅酸钾、硅酸钙、硅酸钠和 硅酸铝中的至少一种。
6. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述硫醇化合物选自巯基乙醇、3-巯 基-1，2_丙二醇、2, 3_二疏基-1-丙醇、1，4_二疏基_2, 3_ 丁二醇和2, 3_二疏基-1-丙醇 中的至少一种。
7. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述内酯化合物选自y -丁内酯、y -戊内酯、 S-戊内酯、0-丙内酯、Y-i内酯和e -己内酯中的至少一种。
8. 根据权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包括0. 1重量％至20重量％的 季铵碱、50重量％至90重量％的乙二醇醚化合物、1重量％至20重量％的脂肪族多元醇、 〇. 001重量％至1重量％的硅化合物、〇. 001重量％至1重量％的硫醇化合物、〇. 01重量％ 至10重量％的内酯化合物，以及余量的水。
【专利摘要】本发明公开了一种用于去除有机取向层的组合物，该组合物包括：季铵碱、乙二醇醚化合物、脂肪族多元醇、硅化合物、硫醇化合物、内酯化合物，以及余量的水，因此，可以防止底部的铝布线和铜布线的腐蚀，并且可以去除取向层而不损坏底部的有机基板膜，有机基板膜例如为彩色抗蚀剂、柱状隔垫物等。
【IPC分类】G02F1-1337
【公开号】CN104808393
【申请号】CN201410721367
【发明人】尹嚆重, 房淳洪, 金祐逸, 崔庆默
【申请人】东友精细化工有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年12月2日