液晶显示装置的制造方法_4

文档序号:8487077阅读:来源:国知局
第2部分PEa2侧的端部)相连、第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第3部分PEa3侧的端部)相连这一点上不同。即,第I副像素电极PEbl和第2部分PEa2、以及第2副像素电极PEb2和第3部分PEa3分别形成大致L字形状。
[0111]图12是将包括有关第I变形例的像素电极PE的多个像素PX从对置基板CT侧观察的概略平面图。形成在栅极布线G1、Gi+1之间的第I行LI中的像素PX都具备图11所示的像素电极PE。形成在栅极布线Gi+1、Gi+2之间的第2行L2中的像素PX主要在像素电极PE及源极布线S的形状方面与形成在第I行LI中的像素PX不同。具体而言,第2行L2的像素电极PE及源极布线S是相对于第I行LI的像素电极PE及源极布线S的形状关于Y方向线对称的形状。
[0112]使用有关第I变形例的像素电极PE的液晶显示装置与使用上述实施方式的像素电极PE的情况相比,光的透射率较好。关于该作用,使用图13及图14进行说明。
[0113]图13是表示在使用上述实施方式的像素电极PE的像素PX中测量光的透射率的结果的透射率分布图。图14是表示在使用第I变形例的像素电极PE的像素PX中测量光的透射率的结果的透射率分布图。在这些图中,将透射率的分布用颜色的浓淡(点的密度)和等值线表示。越是颜色较浓的部分,透射率越高。
[0114]根据图13及图14所示的测量结果可知,在哪种情况下,都在主像素电极PEa的两边缘的附近透射率最高。在图13所示的测量结果中,在各副像素电极PEbl、PEb2的中央附近出现沿主像素电极PEa的方向延伸的低透射率区域B。由于各副像素电极PEbl、PEb2的宽度wbl、wb2较大,所以处于其上方的液晶分子几乎不开关,因此发生这些低透射率区域Bo这些低透射率区域B也达到图2所示的开口部AP的内部,可能给显示品质带来影响。
[0115]另一方面,在图14所示的测量结果中,虽然也出现低透射率区域B,但其大小相比图13较小,不到达主像素电极PEa。这样,通过使用第I变形例的像素电极PE,能够使在各副像素电极PEbl、PEb2附近发生的低透射率区域B的范围变窄,减弱其影响。由此,能够提高像素PX的透射率。
[0116]除此以外,第2变形例的像素电极PE能够起到与上述实施方式同样的作用。
[0117](第2变形例)
[0118]图15是将有关第2变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第3部分PEa3侧的端部)相连这一点上不同。即,第2副像素电极PEb2和第3部分PEa3形成大致L字形状。
[0119]例如,在将图4的像素电极PE替换为第2变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图15所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0120]第2变形例的像素电极PE起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第2变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,能够缩窄在第2副像素电极PEb2附近发生的上述低透射率区域B的范围,减弱其影响。
[0121](第3变形例)
[0122]图16是将有关第3变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4中的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在主像素电极PEa是具有第I部分PEal、不具有第2部分PEa2及第3部分PEa3的笔直形状这一点上不同。进而,第I副像素电极PEbl的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal的一方的端部)相连,第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal的另一方的端部)相连。即,第I副像素电极PEbl和第I部分PEal、以及第2副像素电极PEb2和第I部分PEal分别形成大致L字形状。
[0123]例如,在将图4的像素电极PE替换为第3变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图16所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0124]第3变形例的像素电极PE虽然向错的防止效果比上述实施方式弱,但关于其他的点起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第3变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,能够缩窄在第I副像素电极PEbl及第2副像素电极PEb2附近发生的上述低透射率区域B的范围,减弱其影响。
[0125](第4变形例)
[0126]图17是将有关第4变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置到图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在第2副像素电极PEb2的Y方向上的长度db2比第I副像素电极PEbl的同方向上的长度dbl短这一点上不同。
[0127]例如,在将图4的像素电极PE替换为第4变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图17所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0128]第4变形例的像素电极PE起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第4变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,由于第2副像素电极PEb2的面积较小,所以能够缩窄在第2副像素电极PEb2附近发生的上述低透射率区域BO范围,减弱其影响。
[0129](第5变形例)
[0130]图18是将有关第5变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在主像素电极PEa是具有第I部分PEal、不具有第2部分PEa2及第3部分PEa3的笔直形状这一点、以及第2副像素电极PEb2的Y方向上的长度db2比第I副像素电极PEbl的同方向上的长度dbl短这一点上不同。进而,第I副像素电极PEbl的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal的一方的端部)相连,第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal的另一方的端部)相连。即,第I副像素电极PEbl和第I部分PEal以及第2副像素电极PEb2和第I部分PEal分别形成大致L字形状。
[0131]例如在将图4的像素电极PE替换为第5变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图18所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0132]第5变形例的像素电极PE虽然向错的防止效果比上述实施方式弱,但关于其他的点起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第5变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,能够缩窄在第I副像素电极PEbl及第2副像素电极PEb2附近发生的上述低透射率区域B的范围,减弱其影响。特别是,由于第2副像素电极PEb2的面积较小,所以能够将在第2副像素电极PEb2附近发生的上述低透射率区域B的范围大幅缩窄。
[0133](第6变形例)
[0134]图19是将有关第6变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在主像素电极PEa是具有第I部分PEal及第2部分PEa2、不具有第3部分PEa3的形状这一点上不同。
[0135]例如在将图4的像素电极PE替换为第6变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图19所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0136]即使是如第6变形例的像素电极PE那样使主像素电极PEa弯曲的情况,也与上述实施方式同样能够得到减少或防止向错的发生的效果。关于其他的点也起到与上述实施方式大致同样的作用。
[0137](第7变形例)
[0138]图20是将有关第7变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在主像素电极PEa不具有第3部分PEa3、第I副像素电极PEbl的端部与主像素电极PEa的端部(第2部分PEa2侧的端部)相连、第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal侧的端部)相连这一点上不同。即,第I副像素电极PEbl和第2部分PEa2以及第2副像素电极PEb2和第I部分PEal分别形成大致L字形状。
[0139]例如在将图4的像素电极PE替换为第7变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图20所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0140]即使是如第7变形例的像素电极PE那样使主像素电极PEa弯曲的情况,也能够与上述实施方式同样得到减少或防止向错的发生的效果。关于其他的点,也起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第7变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,能够缩窄在各副像素电极PEbl、PEb2附近发生的上述低透射率区域B的范围,减弱其影响。
[0141](第8变形例)
[0142]图21是将有关第8变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在主像素电极PEa不具有第3部分PEa3、第2副像素电极PEb2的端部与主像素电极PEa的端部(第I部分PEal侧的端部)相连这一点上不同。S卩,第2副像素电极PEb2和第I部分PEal形成大致L字形状。
[0143]例如在将图4的像素电极PE替换为第8变形例的像素电极PE的情况下,配置在第2行L2的像素PX中的像素电极PE的形状是相对于图21所示的像素电极PE关于Y方向线对称的形状。
[0144]即使是如第8变形例的像素电极PE那样使主像素电极PEa弯曲的情况,也能够与上述实施方式同样得到减少或防止向错的发生的效果。关于其他的点也起到与上述实施方式大致同样的作用。此外,在使用第8变形例的像素电极PE形成像素PX的情况下,能够缩窄在第2副像素电极PEb2附近发生的上述的低透射率区域B的范围,减弱其影响。
[0145](第9变形例)
[0146]图22是将有关第9变形例的像素电极PE从对置基板CT侧观察的平面图。该像素电极PE例如是配置在图4的第I行LI的像素PX中的像素电极。如果将该像素电极PE与图5所示的结构比较,则在第2部分PEa2的宽度越接近于第I副像素电极PEbl越扩大、第3部分PEa3的宽度越接近于第2副像素电极PEb2越扩大这一点上不同。
[0147]具体而言,图22的第2部分PEa2的右侧的边缘相对于X方向向逆时针以Θ2的角度延伸,第2部分PEa2的左侧的边缘相对于X方向向逆时针以Θ I的角度延伸。此外,图22的第3部分PEa3的左侧的边
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