在光学正面的公共电极和相反的背面的电接触部分之间形成导电连接的制作方法
【专利说明】在光学正面的公共电极和相反的背面的电接触部分之间形成导电连接
[0001]一些显示装置包括层压到光学介质部件上的控制部件，并且包括处于光学介质部件的公共电极和控制部件的电路之间的电接触。
[0002]所述控制部件通常包括控制光学介质部件的相应部分的电子开关器件的阵列。所述电子开关器件的阵列通常包括形成于所述电子开关器件之上的一个或多个绝缘材料的毯式盖层(blanket layer)，以及一种用于获得所述控制部件和所述光学介质部件之间的所述导电连接的常规技术涉及有意地避免在电路的用于与光学介质部件上的公共电极的导电连接的部分(接触部分)上淀积绝缘材料。
[0003]发明人已经认识到了开发用于在控制部件和光学介质部件之间建立导电连接的改进技术的挑战。
[0004]在此提供了一种在控制部件的接触元件和光学介质部件的公共电极之间建立导电连接的方法，其包括压缩在控制部件和光学介质部件之间的可压缩导电部件；其中，所述方法还包括在所述压缩之前在所述接触元件和所述可压缩部件之间插入一个或多个具有低弹性模量的层。
[0005]根据一个实施例，所述一个或多个具有低弹性模量的层包括一个或多个绝缘层，并且所述方法还包括提供贯穿所述接触元件和所述可压缩导电部件之间的所述一个或多个有机层的导电连接。
[0006]根据一个实施例，所述可压缩导电部件是包括嵌入有导电结构的导电粘合剂的垫。
[0007]根据一个实施例，所述可压缩导电部件包括导电糊剂。
[0008]根据一个实施例，所述控制部件包括像素电极的阵列和用于控制所述像素电极阵列处的电位的电子开关器件的阵列；并且所述一个或多个有机层还起着使所述像素电极与一个或多个下层导电元件绝缘的作用。
[0009]根据一个实施例，所述方法还包括贯穿一个或多个绝缘层既形成用于电子开关器件和像素电极阵列的相应的像素电极之间的导电连接的通孔(a)，又形成用于所述接触元件和所述光学介质部件的所述公共电极之间的导电连接的一个或多个通孔(b)。
[0010]根据一个实施例，所述方法还包括:在所述一个或多个绝缘层的所述上表面上形成分别经由所述通孔(a)和所述一个或多个通孔(b)电连接至所述电子开关器件的阵列和所述接触元件的上导电层；以及对所述上导电层进行图案化，从而既定义所述像素电极的阵列，又定义导电连接至所述接触元件并与所述像素电极阵列电隔离的导电元件。根据一个实施例，所述一个或多个具有低弹性模量的层具有低于大约5GPa的杨氏模量。
[0011]在此还提供了一种用于层压至光学介质部件的控制部件的制造方法，所述控制部件包括像素电极的阵列和用于控制所述像素电极阵列处的电位的电子开关器件阵列，以及用于对所述光学介质部件的公共电极的导电连接的接触元件；所述方法包括:在所述电子开关器件阵列和所述接触元件之上淀积一个或多个绝缘层；以及穿过所述一个或多个绝缘层既形成用于所述电子开关器件和所述像素电极阵列的相应的像素电极之间的导电连接的通孔(a)，又形成用于所述接触元件和所述光学介质部件的所述公共电极之间的导电连接的一个或多个通孔(b)。
[0012]根据一个实施例，所述方法包括:在所述一个或多个绝缘层的所述上表面上形成分别经由所述通孔(a)和所述一个或多个通孔(b)电连接至所述电子开关器件的阵列和所述接触元件的上导电层；以及对所述上导电层进行图案化，从而既定义所述像素电极的阵列，又定义导电连接至所述接触元件并与所述像素电极阵列电隔离的导电元件。
[0013]还提供了一种光学装置制造方法，其包括:将光学介质部件层压到如上文所述制造的控制部件上，其中，所述层压包括在所述导电元件和所述光学介质部件的公共电极之间插入导电垫和/或导电粘合剂。
[0014]还提供了一种光学装置制造方法，其包括:在如上文所述制造的控制部件的绝缘层的上表面上形成通过所述一个或多个通孔(b)电连接至所述接触元件的导电粘合剂层；以及将光学介质部件层压至所述控制部件，其中，所述层压包括在所述导电粘合剂层和所述光学介质部件的公共电极之间插入导电垫，或者使所述导电粘合剂层与所述光学介质部件的所述公共电极直接接触。
[0015]在此还提供了一种用于层压至光学介质部件的控制部件，其中，所述控制部件包括像素电极的阵列和用于控制所述像素电极阵列处的电位的电子开关器件阵列，以及用于对所述光学介质部件的公共电极的导电连接的接触元件；其中，所述控制部件还包括在所述电子开关器件阵列和所述接触元件两者之上形成的一个或多个绝缘层；以及穿过所述一个或多个绝缘层的既提供电子开关器件和像素电极阵列的相应的像素电极之间的导电互连(a)，又提供所述接触元件和所述光学介质部件的所述公共电极之间的一个或多个导电互连(b)的导电连接。
[0016]根据一个实施例，所述控制部件包括:处于所述一个或多个绝缘层之上的图案化的导电材料的上层，其中，所述导电材料的上层提供:所述像素电极阵列；所述导电互连(a);所述一个或多个导电互连(b);以及与所述像素电极阵列共平面但是与所述像素电极阵列电隔离的导电元件。
[0017]在此还提供了一种显示装置，其包括如上文所述的控制部件和层压至所述控制部件的光学介质部件；以及插入到所述导电元件和所述光学介质部件的公共电极之间的导电垫和/或导电粘合剂。
[0018]根据一个实施例，所述控制部件包括处于所述一个或多个绝缘层之上的导电粘合剂材料的上层，其中，所述导电粘合剂材料的上层提供:所述一个或多个导电互连(b);以及与所述像素电极阵列共平面但是与所述像素电极阵列电隔离的导电元件。
[0019]在此还提供了一种显示装置，其包括如上文所述的控制部件和层压至所述控制部件的光学介质部件；以及插入到所述导电元件和所述光学介质部件的公共电极之间的导电垫。
[0020]在下文中将参考附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，在附图中:
[0021]图1和图2示出了根据本发明的实施例的技术；以及
[0022]参考图1和2，根据本发明的实施例涉及包括控制背面34和光学介质正面32的显示装置的制造。控制背面34包括用于控制相应的像素电极16处的电位的TFT的阵列。所述光学介质部件包括(例如)光学有源层18，可以通过切换像素电极16处的电位使所述光学有源层18的光学特性在至少两个状态之间切换。例如，所述光学有源层可以是液晶层或者电子墨水层。为简单起见，图1仅示出了处于一个维度内的三个TFT和像素电极，但是显示装置通常包括数百万的TFT和像素电极，以提供高分辨率显示。
[0023]所述制造过程涉及在衬底2上淀积诸如金的导体材料层，并通过(例如)光刻或激光烧蚀来图案化所述导体材料层，以形成:交错的源电极和漏电极4、6的对；连接相应行的TFT的源电极的寻址线(未示出)；以及与光学介质正面32的公共电极20进行电接触(ECON)的接触部分24，如下文所讨论的。之后，在图案化的导电层之上淀积半导体沟道材料层，并通过例如激光烧蚀对其进行图案化，以形成半导体材料岛8，从而为每一源/漏电极对提供半导体沟道。之后，在整个导电层(包括接触部分24)和半导体岛8之上淀积一种或多种有机聚合物介电材料的层10，所述材料具有优选低于大约5GPa(更优选不大于大约3.2GPa)的低杨氏模量。在介电层10之上淀积诸如金的第二导电材料层，并对其进行图案化以形成栅极线12，所述栅极线中的每个形成相应列的TFT的栅电极。之后，在介电层10和栅极线12之上淀积有机聚合物绝缘材料36的上层，所述材料36也具有优选低于大约5GPa的低杨氏模量。材料的杨氏模量被定义为在胡克定律适用的范围内沿某一轴的应力与沿该轴的应变的比值。其可以由在对材料样本实施的拉伸测试中建立的应变一应力曲线的斜率实验确定。
[0024]接下来，通过例如激光烧蚀对有机介电层10和有机绝缘层36的组合进行图案化，以形成:(a)通孔38的阵列，每一通孔均向下延伸至相应TFT的漏电极6 ;以及(b)多个相异的通孔40，其向下延伸至电接触。之后，在图案化的有机绝缘层36之上淀积导体材料，以填充通孔38和40 (由此形成导电互连14、26)两者，并形成在有机绝缘层36上延伸的另外的连续的导体层。之后通过(例如)激光烧蚀对该另外的导体层进行图案化，从而(i)定义像素电极16的阵列，每个像素电极导电连接至相应TFT的漏电极6，以及(ii)使接触部分24与像素电极16电隔尚。
[0025]而后，将光学介质正面32层压到控制背面34。光学介质正面32包括经由公