。
[0166]接下来，如图5(h)所示，进行计算出的时间大小的追加蚀刻(光学膜追加蚀刻工序)。
[0167]接下来，如图5 (i)所示，去除透射性薄膜(去除透射性薄膜的工序)。
[0168]由此，完成光掩模。当然，与第I方式相同，也可以之后进一步进行成膜、图案形成，来制造构造更加复杂的光掩模。
[0169]该光掩模相对于上述目标尺寸(CD5)而言CD精度优异，相对于目标值能准确进行蚀刻终点的决定，因此CD的内表面中心值的一致性高。
[0170]应予说明，在上述的第2实施方式的制造方法中，也可以在图5(e)中进行光学膜的蚀刻之前进行图5(f)所示的抗蚀剂图案的去除。
[0171]本发明的制造方法所涉及的光掩模的用途并不被特别限制。本发明的制造方法所涉及的光掩模能够特别有利于用于作为显示装置制造用的光掩模。例如，本发明的制造方法所涉及光掩模能够有利于用于形成显示装置所使用的各层(例如，TFT阵列的源极.漏极.层、像素层、滤色器的光致间隙控制材料层等CD精度特别关键的层)。
[0172]因此，本发明为使用了通过上述的本发明的制造方法所制造的光掩模的显示装置的制造方法。具体而言，本发明所涉及的显示装置的制造方法具有:准备通过上述的本发明的第I实施方式或第2实施方式的制造方法制造出的光掩模的工序；和使用曝光装置对上述光掩模进行曝光，将上述转印用图案转印至被转印体的工序。根据本发明的显示装置的制造方法，能够使用能够控制精细的图案尺寸精度的光掩模来制造显示装置，因此即使在被制造的显示装置中，也能够控制精细的图案尺寸精度。
[0173]例如在制造显示装置的情况下，转印用图案所具有的线宽为I?100 μπι左右，在为以2?30 μm的部分(测定部)为尺寸测定的对象那样的光掩模的情况下，本发明的光掩模的制造方法的效果特别显著。
[0174]因此，作为将通过本发明的制造方法制造的光掩模所具备的转印用图案转印至被转印体时所使用的曝光装置，能够形成为作为所谓的FPD用曝光装置(或液晶用曝光装置)的等倍投影曝光装置、或者接近式曝光装置。
[0175]此时，曝光用光是在使用光掩模时被曝光装置曝光时所使用的光，在显示装置的制造中，使用包括i线、h线、g线在内的波长范围的光源。另外，在本说明书中，上述代表性波长可以为此处所包括的任一波长光，例如h线。
[0176]作为上述曝光装置的光学系统，在为投影曝光装置的情况下能够适当地使用NA (开口数)为0.08?0.10，耦合因子(σ)的值为0.5?1.0的范围的系统。其中，还产生了更高分辨率的曝光装置的需求，例如，当然还能够使用NA为0.08?0.14的系统。
[0177]本发明的光掩模制造方法能够应用于在透明基板上至少具有一层光学膜的所有种类的光掩模的制造。
[0178]本发明的光掩模制造方法例如能够优选用于将光学膜作为遮光膜来制造二元掩模时。另外，本发明当然还能够应用于以光学膜为相移膜的相移掩模(即列文森掩模、或者半色调型相移掩模)的制造方法。
[0179]另外，本发明还能够应用于在转印用图案形成包括透光部、遮光部以及使用了本发明的光学膜的半透光部的多灰度光掩模的情况。在这种情况下，作为光学膜，通过使用不使曝光用光相位反转(相移量为90度以下)而进行一部分透射(透射率例如为20?60%)的膜，而成为半透光部。所形成的转印用图案能够在被转印体上形成具有阶梯差的立体形状的抗蚀剂图案，能够实现显示装置等的制造的高效化。
[0180]本发明还能够应用于光量辅助掩模，S卩、作为光学膜，使用不使曝光用光相位反转而进行一部分透射的(透射率例如为2?50% )膜，使基于上述光学膜的半透光部邻接于透光部，由此补充精细狭缝的透射光量不足。
[0181]另外，本发明包括用于上述制造方法的形成有光学膜与反射性薄膜、或者透射性薄膜的光掩模基板，例如光掩模坯料。
[0182]在第I实施方式、第2实施方式的任一种情况下，在尺寸测定工序中成为尺寸测定的对象的部分(测定部)优选多个位置，以便能够掌握光掩模基板的主表面整体的趋势。此夕卜，该测定部优选设置于至少具有四边形的主表面的基板的四边各自的附近、以及/或者四个角各自的附近。此外，当将主表面描绘为以一定面积等分的格子时，优选将测定部配置于等分为该格子而成的区域各处。这种情况下，能够准确地掌握显影、蚀刻时产生的面内的线宽变动趋势。或者，能够对利用这些多个点得到的尺寸取得平均值等进行适当的运算，做定量的分析。
【主权项】
1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有: 准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜； 抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案； 薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述反射性薄膜，形成反射性薄膜图案； 去除所述抗蚀剂图案的工序； 尺寸测定工序，在该工序中，测定所述反射性薄膜图案的尺寸； 光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的蚀刻时间，将所述反射性薄膜图案作为掩模，进行所述光学膜的湿式蚀刻；以及 去除所述反射性薄膜的工序， 在所述尺寸测定工序中，向所述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测所述检查光的反射光来进行所述尺寸测定。2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。3.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的表面反射率Rt (% )比所述光学膜的表面反射率Ro (% )高，其差(Rt-Ro)为5(% )以上。4.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的所述表面反射率Rt为20 (%)以上。5.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，作为所述检查光，使用波长为300?100nm范围内的光。6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有: 准备通过权利要求1或2所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和 转印工序，在该工序中，使用曝光装置对所述光掩模曝光，将所述转印用图案转印至被转印体。7.—种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于， 在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的反射性薄膜， 所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小， 所述反射性薄膜相对于波长为500nm的光的表面反射率Rt为20 (% )以上，并且比所述光学膜的表面反射率Ro (% )高。8.根据权利要求7所述的光掩模基板，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述波长为500nm的光的所述表面反射率Rt (% )比所述光学膜的所述表面反射率Ro (% )高，其差(Rt-Ro)为 5(% )以上。9.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有: 准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的透射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜； 抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案； 薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述透射性薄膜，形成透射性薄膜图案； 光学膜预备蚀刻工序，在该工序中，至少将所述透射性薄膜图案作为掩模，对所述光学膜进行湿式蚀刻，形成光学膜预备图案； 尺寸测定工序，在该工序中，测定所述光学膜预备图案的尺寸； 光学膜追加蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的追加蚀刻时间，追加蚀刻所述光学膜；以及去除所述透射性薄膜的工序， 在所述尺寸测定工序中，通过向所述光学膜预备图案的测定部照射透射了所述透射性薄膜的检查光来进行所述尺寸测定。10.根据权利要求9所述的光掩模制造方法，其特征在于，所述透射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。11.根据权利要求9或10所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述透射性薄膜相对于所述检查光的透射率Tt为50 (% )以上。12.根据权利要求9或10所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述光学膜预备蚀刻工序结束时，在从所述光掩模的表面侧观察时，所述光学膜的边缘位于所述透射性薄膜图案的内侧。13.—种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于， 在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的透射性薄膜， 所述透射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小， 所述透射性薄膜相对于波长为500nm的光的透光率Tt为50 (% )以上。14.根据权利要求13所述的光掩模基板，其特征在于，所述光学膜相对于波长为500nm的光的透光率To为50 (% )以下。15.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有: 准备通过权利要求9或10所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和转印工序，在该工序中，使用曝光装置对所述光掩模曝光，将所述转印用图案转印至被转印体。
【专利摘要】本发明提供一种能够形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模的制造方法。具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠光学膜、反射性薄膜以及抗蚀剂膜；抗蚀剂图案形成工序；形成反射性薄膜图案的薄膜蚀刻工序；去除上述抗蚀剂图案的去除工序；测定上述反射性薄膜图案的尺寸的尺寸测定工序；光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于所测定的上述尺寸决定上述光学膜的蚀刻时间，基于上述光学膜的蚀刻时间，将上述反射性薄膜图案作为掩模，进行上述光学膜的湿式蚀刻；以及去除工序，在该工序中，去除上述反射性薄膜，在上述尺寸测定工序中，向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。
【IPC分类】G03F1/80, G03F1/68
【公开号】CN105093819
【申请号】CN201510184218
【发明人】梅田佳宏
【申请人】Hoya株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年4月17日