一种掩膜版雾化控制方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体领域，特别是涉及一种掩膜版雾化控制方法及装置。
【背景技术】
[0002]设计与工艺制造之间的接口是版图。版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。在计算机及其超大规模集成电路(Very Large Scale INTEGRATED Circuits,VLSI)设计系统上设计完成的集成电路版图只是一些图像和数据，当将设计结果送到工艺线上实验时，还必须经过一个重要的中间环节，即制版。
[0003]制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器(Pattern Generator, PG)根据数据，将设计的版图结果分层转移到掩膜版上。制版的目的就是产生一套分层的版图掩膜，为将来进行图形转移(即光刻)做准备。
[0004]光刻掩膜版(Photo Mask)包含了整个硅片的芯片图形特征，进行1:1图形复制。这种掩膜版用于比较老的接近式光刻和扫描对准投影机中。投影掩膜版的优点是，投影掩膜版的特征尺寸较大，掩膜版制造更加容易；掩膜版上的缺陷会缩小转移到硅片上，对图形复制的危害减小；使曝光的均匀度提高。
[0005]掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。因此掩膜版必须保持“完美”。在IC制造过程中都需要经过十几乃至几十次的光刻。每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩膜版都会影响光刻质量。可见，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版。
[0006]在实际的制程过程中，掩膜版在工作时会经常接触到化学气体，其中最多的是NH3及H2SO4，这两种气体以及水蒸汽会在掩膜版上发生如下反应:
[0007]H20++H2S04+NH40H = (NH4) 2S04+H20
[0008]其中，(NH4)2SO4会被吸附在掩膜版上使掩膜版雾化,从而严重影响掩膜版的实际精度，对后续的制程造成非常大的不良影响。因此，需要定期对被雾化的掩膜版进行修复，修复的前提任务是将被雾化的掩膜版从大量的掩膜版中找出来，通常的方法是通过扫描测试确定掩膜版是否被雾化。然而，在实际的操作过程中，由于生产所使用的掩膜版数量非常庞大，一一对其进行扫描测试所耗费的时间和成本是非常高的，而且这样的做法效率低，并不利于生产。
[0009]因此，提供一种能节约时间和成本，且高效率的掩膜版雾化控制方法及装置实属必要。
【发明内容】
[0010]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种掩膜版雾化控制方法及装置，用于解决现有技术中掩膜版雾化控制耗费时间过长、成本过高，效率过低等问题。
[0011]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种掩膜版雾化控制方法，至少包括以下步骤:
[0012]I)从待扫描测试的掩膜版中选择出在预设时间内使用次数大于或等于预设次数的第一数量掩膜版；
[0013]2)依据公式R = r1*r2*r3*r4*r5计算出所述第一数量掩膜版中各掩膜版的雾化风险值R，其中，^为掩膜版的曝光总剂量风险值，r2为掩膜版的使用年限风险值，r3为掩膜版的清洗次数风险值，r4为掩膜版的存储方式风险值，r5为掩膜版的制程线宽风险值；
[0014]3)依据雾化风险值从高到低依次对全部或部分掩膜版进行扫描测试，并根据扫描测试的结果确定实际被雾化的掩膜版。
[0015]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，步骤I)中所述的预设次数为5?20次中的任意一种。
[0016]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，所述掩膜版的曝光总剂量风险值由 T1 = kjX+A, 0<x ( 500 或;T1 = k2ln (X)-B, x>500 确定，其中 A1 的范围为 0.0004 ?0.0008, A的范围为0.15?0.25，k2的范围为0.5?0.6,B的范围为3?3.5，x为掩膜版的曝光次数。
[0017]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，所述掩膜版的使用年限风险值由r2 = k3y2+k4y+C,0<y彡4或r2 = D, y>4确定，其中，k3的范围为0.1?0.18, k4的范围为0.04?0.08，C的范围为0.3?0.5，D的范围为2.5?3，y为掩膜版的使用年限。
[0018]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，所述掩膜版的清洗次数风险值由r3 = k, 5z2+k6z+E,0<z < 3或r3 = F,z>3确定，其中，k5的范围为0.25?0.3,k6的范围为0.7?1，E的范围为0.9?1，F的范围为5?7，z为掩膜版的清洗次数。
[0019]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，所述掩膜版的存储方式风险值为:当存储方式为惰性气体保护存储时，r4的范围为0.3?0.5 ;当存储方式为常规存储时，4的范围为0.8?1.2。
[0020]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，所述掩膜版的制程线宽风险值为:当所述掩膜版的线宽为35611111时，^的范围为0.6?1 ;当所述掩膜版的线宽为248nm时，r5的范围为I?1.4，当所述掩膜版的线宽为193nm时，r5的范围为4?6。
[0021]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，步骤3)中，当雾化风险值R〈1时，则判断该掩膜版为低雾化风险，可继续正常使用；当I < R〈5时，则判断该掩膜版为有雾化风险，应尽快安排雾化扫描测试；当R>5时，则判断该掩膜版为高雾化风险，应立刻停止使用并立即进行雾化扫描测试。
[0022]作为本发明的掩膜版雾化控制方法的一种优选方案，还包括步骤4)对实际被雾化的掩膜版进行修复。
[0023]本发明还提供一种掩膜版雾化控制装置，包括:
[0024]过滤模块，用于从待扫描测试的掩膜版中选择出在预设时间内使用次数大于或等于预设次数的第一数量掩膜版；
[0025]运算模块，用于依据公式R = r1*r2*r3*r4*r5计算出所述第一数量掩膜版中各掩膜版的雾化风险值R，其中，^为掩膜版的曝光总剂量风险值，^为掩膜版的使用年限风险值，^为掩膜版的清洗次数风险值，^为掩膜版的存储方式风险值，^为掩膜版的制程线宽风险值；
[0026]扫描测试模块，用于依据雾化风险值从高到低依次对全部或部分掩膜版进行扫描测试，并根据扫描测试的结果确定实际被雾化的掩膜版。
[0027]作为本发明的掩膜版雾化控制装置的一种优选方案，所述过滤模块中设定的预设次数为5?20次中的任意一种。
[0028]作为本发明的掩膜版雾化控制装置的一种优选方案，所述掩膜版的曝光总剂量风险值由 T1 = kjX+A, 0<x ( 500 或;T1 = k2ln (X)-B, x>500 确定，其中 A1 的范围为 0.0004 ?0.0008，A的范围为0.15?0.25，k2的范围为0.5?0.6，B的范围为3?3.5，x为掩膜版的曝光次数。
[0029]作为本发明的掩膜版雾化控制装置的一种优选方案，所述掩膜版的使用年限风险值由r2 = k3y2+k4y+C,0<y彡4或r2 = D, y>4确定，其中，k3的范围为0