阵列基板母板及其制作方法、掩膜板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板母板及其制作方法、掩膜板。
【背景技术】
[0002]TFT-1XD(薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无福射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
[0003]TFT-1XD主要由阵列基板、彩膜基板以及两基板之间的液晶层构成，其中，阵列基板作为TFT-1XD的重要组成部分，其性能好坏能够直接影响到TFT-1XD的显示效果，目前，在设计TFT-LCD各类产品的过程中，需要对阵列基板母板上的每个阵列基板进行打码标识，以便后续追溯产品状态，现有产线的打码工艺是在阵列基板母板上的TFT图形制作完成后进行的，具体地，首先需要将阵列基板母板运送到打码设备上，而后对其上的每个阵列基板逐次进行激光打码，然而，当阵列基板母板上的阵列基板数量较多时，若采用上述的打码工艺，则必然会导致生产时间的增加，从而降低生产效率。
【发明内容】
[0004](一 )要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是:如何解决现有的阵列基板母板制作工艺中由于打码工艺造成生产效率不高的问题。
[0006]( 二)技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种掩膜板，其上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。
[0008]优选地，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区。
[0009]优选地，每一个所述第二曝光区上设置有多个呈点状的透光区，且所述多个呈点状的透光区呈矩阵排布。
[0010]优选地，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边位置。
[0011]优选地，所述第一曝光区用于制作所述阵列基板的栅极的图形或者源漏极的图形。
[0012]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板母板的制作方法，包括:
[0013]在衬底基板上依次形成不透明薄膜和光刻胶层；
[0014]采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，所述掩膜板上设置有第一曝光区和第二曝光区，其中，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码；
[0015]进行显影和刻蚀工艺，从而在所述衬底基板上对应所述第一曝光区的位置上形成所述阵列基板中的一种结构图形，在所述衬底基板对应所述第二曝光区的位置上形成所述阵列基板的标识码。
[0016]优选地，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区，每一个第二曝光区上设置有多个点状的透光区，且所述多个点状的透光区均呈阵列排布，所述对所述光刻胶层进行曝光包括:
[0017]对于每一个第二曝光区对应的光刻胶区域，对所述第二曝光区中的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩余部分的透光区对应的光刻胶不曝光。
[0018]优选地，采用曝光装置对所述光刻胶层进行曝光，所述曝光装置包括与所述掩膜板上第二曝光区一一对应的曝光探头，每一个曝光探头包括与对应的第二曝光区中透光区一一对应的点光源，当所述曝光探头位于其对应的第二曝光区上方时，通过控制其中每一个点光源的开启或关闭从而使对应的第二曝光区中一部分数量的透光区对光刻胶曝光，而剩余部分的透光区不对光刻胶曝光。
[0019]优选地，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边位置。
[0020]优选地，所述结构图形为栅极的图形或者源漏极的图形。
[0021]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板母板，采用上述的阵列基板母板的制作方法形成。
[0022](三)有益效果
[0023]本发明提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码的第二曝光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列基板的制作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时间，提高生产效率。
【附图说明】
[0024]图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图；
[0025]图2是图1中的掩膜板上一个第二曝光区的示意图；
[0026]图3是本发明实施方式提供的一种制作标识码的示意图；
[0027]图4采用本发明提供的掩膜板进行曝光的示意图；
[0028]图5采用本发明提供的掩膜板得到的阵列基板母板的示意图；
[0029]图6图5中的阵列基板母板上一个标识码的放大示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0031]本发明实施方式提供了一种掩膜板，其上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。
[0032]本发明实施方式提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码的第二曝光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列基板的制作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时间，提高生产效率。
[0033]参见图1，图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图，该掩膜板100上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区110，每一个第一曝光区110用于形成阵列基板母板上一个阵列基板的一种结构图形，在每一个所述第一曝光区110的周边位置还设有与自身对应的第二曝光区120 ；
[0034]其中，掩膜板上的第一曝光区可以用于制作阵列基板中不透明的结构图形，例如，该结构图形可以为由铜材料形成的栅极的图形或者源漏极的图形，也可以为其他非透明的膜层图形，通过在掩膜板上增设第二曝光区，在采用该掩膜板制作阵列基板母板时，不仅能够在衬底基板上与第一曝光区对应的位置上形成每一个阵列基板的结构图形，还可以同时在第二曝光区对应的位置上制作每一个阵列基板的标识码；
[0035]具体地，可以通过在掩膜板上每一个第二曝光区中设置透光区，通过该透光区，能够在上述阵列基板的结构图形制作完成后同时保留衬底基板对应位置处的不透明薄膜，从而形成与透光区相同形状的图案，因此，可以通过在掩膜板上第二曝光区中设置预设形状的透光区，从而可以形成对应形状的图案作为标识码；
[0036]优选地，为了能够形成不同形状的标识码，如图2所示，每一个所述第二曝光区120上设置有不透光区121以及多个呈点状的透光区122，且所述多个呈点状的透光区122呈矩阵排布，在制作标识码的过程中，对于每一个第二曝光区对应的所述光刻胶区域，对所述第二曝光区中的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩余部分的透光区对应的光刻胶不曝光，因此，可以选择一部分数量的透光区进行曝光，而剩余部分的透光区不曝光，通过选择曝光的透光区以构成所需的形状，从而可以制作对应形状的标识码，例如，通过一个第二曝光区能够实现一个字符的打码。
[0037]本发明实施方式还提供了一种阵列基板母板的制作方法，该方法包括:
[0038]S1:在衬底基板上依次形成不透明薄膜和光刻胶层；其中，该不透明薄膜用于形成阵列基板中不透明的结构图形，例如，该结构图形可以为由铜材料形成的栅极