的图形或者源漏极的图形；
[0039]S2:采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，所述掩膜板上设置有第一曝光区和第二曝光区，其中，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码；
[0040]S3:进行显影和刻蚀工艺，从而在所述衬底基板上对应所述第一曝光区的位置上形成所述阵列基板中的一种结构图形，在所述衬底基板对应所述第二曝光区的位置上形成所述阵列基板的标识码。
[0041]优选地，本发明的阵列基板母板的制作方法可以采用上述图1中的掩膜板，即掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每一个所述第一曝光区的周边位置均设有与自身一一对应的第二曝光区，每一个第二曝光区上设置有多个点状的透光区，且所述多个点状的透光区均呈阵列排布，其中，所述对所述光刻胶层进行曝光包括:
[0042]对于每一个第二曝光区对应的光刻胶区域，对所述第二曝光区中的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩余部分的透光区对应的光刻胶不曝光。
[0043]具体地，参见图3，首先在衬底基板200上依次形成不透明薄膜210和光刻胶层220，并采用上述的掩膜板100及曝光装置300对光刻胶层220进行曝光，其中，所述曝光装置300包括与所述掩膜板100上第二曝光区120——对应的曝光探头310，每一个曝光探头310包括与对应的第二曝光区中透光区——对应的点光源，当所述曝光探头位于其对应的第二曝光区上方时，通过控制其中每一个点光源的开启或关闭从而使对应的第二曝光区中一部分数量的透光区对光刻胶进行曝光，而剩余部分的透光区不对光刻胶进行曝光；
[0044]具体地，在上述的曝光装置300中，每个探头对应一个第二曝光区，用于形成阵列基板母板上一个阵列基板的标识码，每个探头的位置可以根据不同的设计尺寸和坐标位置进行设置，光源通过光纤320导入到该曝光装置中，通过控制每一个点光源的开关从而控制对应的透光区的曝光，在每个探头到达掩膜板上对应的第二曝光区的正上方后，根据程序设计可以在其正上方进行相应的阵列点照射，从而对相应的位置进行准确曝光，形成相应的曝光图案；
[0045]其中，在采用上述掩膜板对上述的光刻胶层220进行曝光时，可以对掩膜板上的第一曝光区和第二曝光区同时进行曝光，例如，可以如图4所示，采用曝光扫描装置400对第一曝光区进行曝光，采用曝光装置300对第二曝光区进行曝光，两者可以同步运动，也可以在不同的控制下分别进行运动，例如，曝光装置300可以在曝光扫描装置400前面同步进行运动，这样可以先于曝光扫描装置400到达掩膜板的第二曝光区的正上方，根据程序设计控制每个点光源的开关，从而能够构成所需的曝光图案，以得到对应形状的标识码；
[0046]通过上述方式，从而在光刻胶层220上形成相应的曝光点来组成不同的字符，并使曝光扫描装置400同步运行，以完成第一曝光区的曝光工艺，而后进行显影工序，再对不透明薄膜210进行刻蚀并将剩余的光刻胶剥离，从而如图5所示在衬底基板210对应所述第一曝光区的位置上形成阵列基板中的一种结构图形211，在衬底基板对应第二曝光区的位置上形成阵列基板的标识码212，具体地，参见图6，图6是图5中一个标识码212的放大示意图；
[0047]采用本发明中的掩膜板，通过一步操作就能实现阵列基板的TFT图形曝光和产品标识码曝光，进而能够同时得到阵列基板的结构图形和标识码，相比现有技术，能够大大减少广品制作时间，提尚广品生广效率。
[0048]此外，本发明实施方式还提供了一种阵列基板母板，其采用上述的阵列基板母板的制作方法形成。
[0049]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种掩膜板，其上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，其特征在于，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，每一个所述第二曝光区上设置有多个呈点状的透光区，且所述多个呈点状的透光区呈矩阵排布。4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边位置。5.根据权利要求1?4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述第一曝光区用于制作所述阵列基板的栅极的图形或者源漏极的图形。6.一种阵列基板母板的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上依次形成不透明薄膜和光刻胶层； 采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，所述掩膜板上设置有第一曝光区和第二曝光区，其中，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码； 进行显影和刻蚀工艺，从而在所述衬底基板上对应所述第一曝光区的位置上形成所述阵列基板中的一种结构图形，在所述衬底基板对应所述第二曝光区的位置上形成所述阵列基板的标识码。7.根据权利要求6所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板上设置有呈矩阵排布的多个所述第一曝光区，每一个所述第一曝光区均设有与自身一一对应的第二曝光区，每一个第二曝光区上设置有多个点状的透光区，且所述多个点状的透光区均呈阵列排布，所述对所述光刻胶层进行曝光包括: 对于每一个第二曝光区对应的光刻胶区域，对所述第二曝光区中的一部分数量的透光区对应的光刻胶曝光，而所述第二曝光区中的剩余部分的透光区对应的光刻胶不曝光。8.根据权利要求7所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，采用曝光装置对所述光刻胶层进行曝光，所述曝光装置包括与所述掩膜板上第二曝光区一一对应的曝光探头，每一个曝光探头包括与对应的第二曝光区中透光区一一对应的点光源，当所述曝光探头位于其对应的第二曝光区上方时，通过控制其中每一个点光源的开启或关闭从而使对应的第二曝光区中一部分数量的透光区对光刻胶曝光，而剩余部分的透光区不对光刻胶曝光。9.根据权利要求7所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，每一个所述第二曝光区设置在对应的第一曝光区的周边位置。10.根据权利要求7所述的阵列基板母板的制作方法，其特征在于，所述结构图形为栅极的图形或者源漏极的图形。11.一种阵列基板母板，其特征在于，采用如权利要求6?10任一所述的阵列基板母板的制作方法形成。
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板母板及其制作方法、掩膜板，该掩膜板，其上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。本发明提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码的第二曝光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列基板的制作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时间，提高生产效率。
【IPC分类】G02F1/13, G03F1/38
【公开号】CN105093812
【申请号】CN201510491131
【发明人】王守坤, 郭会斌, 冯玉春, 李梁梁, 张治超, 刘正, 王静, 郭总杰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月11日