一种esd保护单元、阵列基板、液晶面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种ESD保护单元、阵列基板、液晶面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，液晶面板的制作工艺主要包括阵列基板制备工艺、液晶盒制备工艺以及模块组装工艺三个过程。其中，在阵列基板制备工艺中，由于需要不断传送玻璃基板和在玻璃基板上制备薄膜晶体管；因此，在传送玻璃基板和在玻璃基板上制备薄膜晶体管的过程中玻璃基板会不断地被摩擦、移动，从而持续产生静电；而且，由于玻璃基板为绝缘体，在阵列基板制备工艺中产生的静电散逸速度缓慢，所以，与液晶盒制备工艺和模块组装工艺相比，阵列基板制备工艺中更容易出现静电释放(又称为Electro-Static discharge，简称ESD)的问题；尤其是在阵列基板制备过程中，采用等离子体增强化学气相沉积法成膜和干法刻蚀时，阵列基板上的走线中更容易收集到大量电荷，从而与相邻的走线之间发生击穿，造成短路或断路，影响了阵列基板的良率，因此，需要在阵列基板走线间设置ESD保护单元，以提尚阵列基板良率。
[0003]现有的ESD保护单元一般是将接成二极管的薄膜晶体管反向连接在具有电压差的相邻走线之间，或者在具有电压差的相邻走线之间引入与避雷针原理相同的结构。经过实践证明，这些ESD保护单元在某种程度上可以起到一定的保护作用，但是由于具有电压差的相邻走线之间不能发生相互串扰，因此，即使在具有电压差的相邻走线之间设置了 ESD保护单元，ESD保护单元泄放的电流也往往比较有限，导致ESD保护效果差。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种ESD保护单元、阵列基板、液晶面板及显示装置，以解决阵列基板制备过程中ESD保护效果差的问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种ESD保护单元，包括薄膜晶体管、栅极线以及数据线，所述薄膜晶体管的栅极裸露在数据线和栅极线所形成的与像素单元对应的区域，以收集所述数据线和所述栅极线之间产生的电荷；
[0007]其中，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述栅极线相连；或
[0008]所述薄膜晶体管的源极与所述栅极线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线相连。
[0009]优选的，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
[0010]本发明还提供了一种阵列基板，包括多个上述技术方案所述ESD保护单元，各所述ESD保护单元中，所述薄膜晶体管的栅极与用于使所述薄膜晶体管保持关闭的直流负电压源相连。
[0011]优选的，所述薄膜晶体管的栅极通过半导体走线连接在的焊盘上，所述焊盘与所述直流负电压源相接。
[0012]较佳的，所述半导体走线为ITO走线。
[0013]优选的，所述直流负电压源由与所述阵列基板相连的集成电路提供。
[0014]本发明还提供了一种液晶显示面板，包括上述技术方案所述的阵列基板。
[0015]本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案所述的液晶面板。
[0016]与现有技术相比，本发明具有以下有益效果:
[0017]本发明提供的ESD保护单元中，薄膜晶体管的栅极裸露在数据线和栅极线所形成的与像素单元对应的区域，因此，当数据线和栅极线之间未产生静电释放时，薄膜晶体管处在关闭状态；当数据线和栅极线之间产生静电释放时，薄膜晶体管的栅极就能够收集静电释放产生的电荷，使原来关闭的薄膜晶体管开启，从而释放积累在相邻走线的电荷，减小压差，降低击穿机率，从而从根本上解决阵列基板制备过程中ESD保护效果差的问题。
【附图说明】
[0018]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0019]图1为本发明实施例提供的ESD保护单元的结构示意图；
[0020]图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0021]附图标记:
[0022]1-第一引线，2-第二引线，3-薄膜晶体管。
【具体实施方式】
[0023]为了进一步说明本发明实施例提供的ESD保护单元、阵列基板、液晶面板及显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0024]请参阅图1，本发明实施例提供的ESD保护单元，包括薄膜晶体管3、第一引线I和第二引线2，第一引线I和第二引线2之间具有电压差；其中，薄膜晶体管的源极与第一引线相连，薄膜晶体管的漏极与第二引线相连，薄膜晶体管的栅极表面裸露在第一引线I和第二引线2之间所形成的与像素单元对应的区域，以收集第一引线I和第二引线2之间产生的电荷。
[0025]而且，第一引线I作为数据线或栅极线均是由实际情况决定的。因此，实施例中的第一引线I为数据线，第二引线2为栅极线；或，第一引线为栅极线1，第二引线2为数据线。
[0026]为了便于说明，下面以第一引线I为数据线，第二引线2为栅极线时的ESD保护单元为例，对本实施例中的ESD保护单元的使用方法进行说明。
[0027]使用时，当数据线和栅极线之间发生静电释放，栅极吸收静电释放所产生的电荷，使薄膜晶体管3导通，从而收集静电释放所产生的电荷，以泄放的因静电释放所产生的电流。
[0028]从上述使用过程可以看出，本实施例提供的ESD保护单元中，薄膜晶体管的栅极裸露在数据线和栅极线之间所形成的与像素单元对应的区域，因此，当数据线和栅极线之间未产生静电释放时，薄膜晶体管处在关闭状态；当数据线和栅极线之间产生静