线2的数目，减弱因增加备用数据线4导致阵列基板上线路增多带来的影响。
[0040]请参阅图3，当本发明的阵列基板结构发生数据线断线时，通过激光直接熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，即能够将所述断线的数据线2与对应的修复线5、及对应的备用数据线4连接在一起，实现数据线断线的修复，简化了阵列基板数据线断线修复的过程，提高了阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
[0041]请参阅图4，本发明还提供一种阵列基板的数据线断线修复方法，包括如下步骤:
[0042]步骤1、提供一阵列基板。
[0043]如图1与图2所示，所述阵列基板的结构包括:衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层M1、覆盖于所述第一金属层Ml与衬底基板1上的绝缘层G1、及设于所述绝缘层GI上的第二金属层M2。
[0044]所述第二金属层M2包括:多条相互平行并依次竖直排列的数据线2、及与所述数据线2 —一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线4，每一备用数据线4与其对应的数据线2间隔设置。
[0045]所述第一金属层Ml包括:多条相互平行并依次水平排列的扫描线3、及分别于每一数据线2及其对应的备用数据线4的两端下方设置的修复线5，所述修复线5与设于其上方的数据线2及备用数据线4的两端在空间上交叉。
[0046]具体地，所述第一金属层Ml及第二金属层M2的材料均为Mo、T1、Al、Cu、Ni中的一种或几种的堆栈组合。所述绝缘层GI的材料Si0x、SiNx、或二者的组合。
[0047]所述阵列基板结构还包括阵列排布于所述衬底基板1上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极6及与该像素电极6电性连接的TFT 7。所述TFT 7的栅极位于第一金属层Ml并电性连接于扫描线3，源极与漏极均位于第二金属层M2并分别电性连接于数据线2及像素单元6。所述像素电极6的材料为ΙΤ0。进一步地，本发明的阵列基板结构采用共用数据线型的像素单元布局，每条数据线2左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线3。对于同一行像素单元，位于每条数据线2左、右两侧的两列TFT 7共同电性连接于该条数据线2，位于该数据线2左侧的的TFT 7电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线3，位于该数据线2右侧的TFT 7电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线3。
[0048]步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线2的位置，并找到与出现断线的数据线2对应的备用数据线4及修复线5。
[0049]步骤3、如图3所示，通过激光熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，将所述断线的数据线2与对应的修复线5、及对应的备用数据线4连接在一起。
[0050]至此完成对阵列基板的数据线断线的修复。
[0051]与现有技术相比，本发明的阵列基板的数据线断线修复方法利用激光直接熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
[0052]综上所述，本发明的阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法，设置有与数据线一一对应的备用数据线，并在每一数据线及其对应的备用数据线的两端下方分别设置修复线，当数据线出现断线时，只要通过激光熔接断线的数据线与对应的修复线的交叉点、及对应的备用数据线与对应的修复线的交叉点，即可将所述断线的数据线与对应的修复线、及对应的备用数据线连接在一起，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
[0053]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(Ml)、覆盖于所述第一金属层(Ml)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2); 所述第二金属层(M2)包括:多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2) —一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置； 所述第一金属层(Ml)包括:多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉。2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT (7)； 每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3);对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT (7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线⑶。3.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(Ml)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线⑵与像素电极(6)。4.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一金属层(Ml)及第二金属层(M2)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。5.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极￠)的材料为ITO。6.一种阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一阵列基板； 所述阵列基板的结构包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(Ml)、覆盖于所述第一金属层(Ml)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2); 所述第二金属层(M2)包括:多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2) —一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置； 所述第一金属层(Ml)包括:多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉； 步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线(2)的位置，并找到与出现断线的数据线(2)对应的备用数据线⑷及修复线(5); 步骤3、通过激光熔接断线的数据线(2)与对应的修复线(5)的交叉点、及对应的备用数据线(4)与对应的修复线(5)的交叉点，将所述断线的数据线(2)与对应的修复线(5)、及对应的备用数据线(4)连接在一起。7.如权利要求6所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述步骤1中的阵列基板的结构还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT (7)； 每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3);对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT (7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线⑶。8.如权利要求7所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(Ml)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线⑵与像素电极(6)。9.如权利要求6所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述第一金属层(Ml)及第二金属层(M2)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。10.如权利要求7所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极￠)的材料为ITO。
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法，设置有与数据线(2)一一对应的备用数据线(4)，并在每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方分别设置修复线(5)，当数据线(2)出现断线时，只要通过激光熔接断线的数据线(2)与对应的修复线(5)的交叉点、及对应的备用数据线(4)与对应的修复线(5)的交叉点，即可将所述断线的数据线(2)与对应的修复线(5)、及对应的备用数据线(4)连接在一起，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
【IPC分类】G02F1/13
【公开号】CN105301809
【申请号】CN201510811006
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年11月19日