薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板。
【背景技术】
[0002]液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步，人们对液晶显示器的显示品质，外观设计等提出了更高的要求。
[0003]液晶面板是液晶显示器最主要的组成配件，其包括真空贴合的薄膜晶体管(TFT)阵列基板、彩色滤光片(CF)基板、设置在两者之间的液晶层及配向膜。
[0004]平面控制模式(IPS)广视角技术的液晶显示让观察者任何时候都只能看到液晶分子的短轴，因此在各个角度上观看的画面都不会有太大差别，这样就比较完美地改善了液晶显示器的视角。第一代IPS技术针对TN模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，实现较好的可视角度。第二代IPS技术(S-1PS即Super-1PS)采用人字形电极，引入双畴模式，改善IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。第三代IPS技术(AS-1PSS卩Advanced Super-1PS)减小液晶分子间距离，提高开口率，获得更高亮度。
[0005]图1为常规的IPS液晶面板的像素结构示意图，包括:相对设置的第一基板I’和第二基板2’，以及夹设于所述第一基板I’和第二基板2’之间的液晶层3’。其中，所述第一基板I’为薄膜晶体管阵列基板，所述第二基板2 ’为彩色滤光片基板。如图所示，所述第二基板2 ’包括一透明基板21’，设于所述透明基板21’上的黑色矩阵22’、G色阻23’和B色阻24’。
[0006]如图1所示的，正视角观察时，左侧像素的光线经由G色阻23’出射，右侧像素的光线经由B色阻24’出射;大视角斜视观察时，左侧像素的部分光线经由B色阻24’出射，右侧像素的部分光线经由G色阻23’出射，此时观察到的颜色与正视角观察到的颜色就会发生偏差，造成色偏。
[0007]因此，需要提供一种新的薄膜晶体管阵列基板及应用该薄膜晶体管阵列基板的液晶面板，以解决上述问题。
【发明内容】
[0008]本发明的第一个目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括透明基板和相互垂直设置的数条数据线与数条栅极线，所述数条数据线与所述数条栅极线所述薄膜晶体管阵列基板分为数个像素区域，每一所述像素区域包括一薄膜晶体管;其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:一保护层，所述保护层位于所述薄膜晶体管上，并且覆盖所述透明基板;一有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述保护层上，并且覆盖所述保护层;像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极设于所述有机绝缘层上;其中，所述有机绝缘层在一所述像素区域与另一所述像素区域的交接处形成凸起结构，并且，所述有机绝缘层在所述像素区域的显示区形成沟槽。
[0009]在本发明一实施例中，所述薄膜晶体管包括:栅极电极，所述栅极电极位于所述透明基板上;栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极电极上，并且覆盖所述透明基板;半导体层，所述半导体层位于所述栅极绝缘层上，并且对应所述透明基板上的栅极电极；以及，源极/漏极电极，所述源极/漏极电极位于所述半导体层上;其中，所述保护层位于所述薄膜晶体管的所述源极/漏极电极上，并且覆盖所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘层。
[0010]在本发明一实施例中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:数个接触孔，每一所述接触孔贯穿所述保护层及有机绝缘层，暴露每一所述薄膜晶体管的漏极电极，以使所述像素电极接触所述薄膜晶体管的漏极电极。
[0011 ]在本发明一实施例中，所述保护层为氮化硅层或二氧化硅层。
[0012]在本发明一实施例中，所述半导体层为非晶硅层。
[0013]在本发明一实施例中，所述像素电极和公共电极的材料可以是ITO或常用金属。
[0014]本发明还提供上述薄膜晶体管阵列基板的制备方法，所述制备方法包括:步骤S10、提供一透明基板，在所述透明基板上设置相互垂直设置的数条数据线与数条栅极线，以使所述透明基板包括数个像素区域;步骤S20、在所述透明基板上的每一所述像素区域内形成薄膜晶体管;步骤S30、在所述薄膜晶体管上形成保护层，使所述保护层位于所述薄膜晶体管上，并且覆盖所述透明基板;步骤S40、在所述保护层上形成有机绝缘层，使所述有机绝缘层位于所述保护层上，并且覆盖所述保护层；同时，在一所述像素区域与另一所述像素区域的交接处形成凸起结构，并且，所述有机绝缘层在所述像素区域的显示区形成沟槽;步骤S50、在所述有机绝缘层上形成像素电极和公共电极。
[0015]在本发明一实施例中，所述步骤S20具体包括:步骤S201、在所述透明基板上形成栅极电极;步骤S202、在所述栅极电极上形成栅极绝缘层，使得所述栅极绝缘层位于所述栅极电极上，并且覆盖所述透明基板;步骤S203、在所述栅极绝缘层上形成半导体层，所述半导体层对应所述透明基板上的栅极电极；以及，步骤S204、在所述半导体层上形成源极/漏极电极。
[0016]在本发明一实施例中，在所述步骤S30之后还包括:步骤S31、在所述保护层上对应所述漏极电极的区域的上方形成第一接触孔，以暴露所述漏极电极;在所述步骤S40之后还包括:步骤S41、在所述有机绝缘层上对应所述第一接触孔的区域上形成第二接触孔，使所述第一接触孔与所述第二接触孔连通，以暴露所述漏极电极。
[0017]在本发明一实施例中，所述保护层为氮化硅层或二氧化硅层;所述半导体层为非晶娃层。
[0018]本发明还提供一种液晶面板，所述液晶面板包括:相对设置的第一基板、第二基板和填充于所述第一基板及第二基板之间的液晶组合物和配向膜;其中，所述第一基板为上述的薄膜晶体管阵列基板，所述第二基板为彩色滤光片基板。
[0019]本发明的薄膜晶体管阵列基板通过在像素交接处的非显示区形成有机绝缘层凸起结构，并在像素结构的显示区形成有机绝缘层的沟槽结构，使得在大视角时观看利用该薄膜晶体管阵列基板的液晶面板时，可以阻碍像素的光线经过相邻像素出射，进而防止大视角时的色偏，提升画面显示品质。
【附图说明】
[0020]图1是常规的IPS液晶面板的像素结构示意图；
[0021]图2是本发明所述薄膜晶体管阵列基板在一像素结构中的结构示意图；
[0022]图3是本发明所述薄膜晶体管阵列基板的步骤示意图；
[0023]图4A?4H是本发明所述薄膜晶体管阵列基板的工艺流程图；
[0024]图5是利用本发明所述薄膜晶体管阵列基板的IPS液晶面板的像素结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]以下结合实施例对本发明做详细的说明，实施例旨在解释而非限定本发明的技术方案。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。特别说明的是，为了说明上的方便，图4A?4H是以简化示意的方式来呈现，其中的线路数量已经过简化，并且也省略了与说明无关的细节。
[0026]本发明的优选实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板100，所述薄膜晶体管阵列基板100具有一透明基板101，并且包括常规的数据线与栅极线(图中未示)，将所述薄膜晶体管阵列基板100分为数个像素区域。以下以一像素区域作为示例对本发明的薄膜晶体管阵列基板100进行详细描述。
[0027]请参见图2，所述薄膜晶体管阵列基板100包括:薄膜晶体管120、保护层140、有机绝缘层160、像素电极181和公共电极182。所述薄膜晶体管120包括:栅极电极121、栅极绝缘层122、半导体层123、源极/漏极电极124。
[0028]以下结合图2所示的，详细说明所述薄膜晶体管阵列基板100的详细结构。
[0029]如图所示的，所述薄膜晶体管阵列基板100的具体结构依次为:透明基板101;位于所述透明基板上的栅极电极121;位于所述栅极电极121上的栅极绝缘层122，所述栅极绝缘层122覆盖整个所述透明基板101;位于所述栅极绝缘层122上的半导体层123，所述半单体层123对应所述透明基板上的栅极电极121;位于所述半导体层123上的源极/漏极电极124;位于所述源极/漏极电极124上的保护层140，所述保护层140覆盖整个栅极绝缘层122;位于所述保护层140上的有机绝缘层160，所述有机绝缘层160覆盖整个所述保护层140;设于所述有机绝缘层160上的像素电极181和公共电极182。如图所示的，所述像素电极181通过接触孔接触所述漏极电极1