透明的物质或折射率与水的折射率相差很大的 杂质混入时，会导致投影在抗蚀剂上的光学像的变形，因此作为所使用的水，优选蒸馏水。 另外，也可以使用通过离子交换过滤器等进行过滤后的纯水。
[0129] 用作液浸液的水的电阻优选为18.3M Ω cm以上，T0C(有机物浓度)优选为20ppb以 下，优选进行脱气处理。
[0130 ]并且，通过提尚液浸液的折射率，能够提尚光刻性能。从这种观点考虑，可以将提 高折射率的添加剂加入到水中、或者代替水而使用重水(D2〇)。
[0131] 使用本发明中的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物来形成的第一膜的后退 接触角在温度23±3°C、湿度45±5%下为70°以上，经由液浸介质进行曝光时适当，优选为 75°以上，更优选为75~85°。
[0132] 若所述后退接触角过小，则经由液浸介质进行曝光时无法适当使用，且无法充分 发挥减少水残留（水印）缺陷的效果。为了实现优选的后退接触角，优选使后述的疏水性树 月旨(D)含于感活性光线性或辐射线性组合物中。或者，也可以在第一膜的上层设置由所述疏 水性树脂(D)形成的液浸液难溶性膜（以下，也称为"顶涂膜"）。作为顶涂膜所需功能为，对 抗蚀剂膜上层部的涂布适性及液浸液难溶性。顶涂膜优选不与组合物膜混合并且能够均匀 地涂布于组合物膜上层。
[0133] 顶涂膜具体可以举出烃聚合物、丙烯酸酯聚合物、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚乙 烯醚、含硅聚合物、含氟聚合物等。从杂质从顶涂膜向液浸液溶出时会污染光学透镜的观点 考虑，优选顶涂膜中所含的聚合物的残余单体成分较少。
[0134] 当剥离顶涂膜时，可以使用显影液，也可以另外使用剥离剂。作为剥离剂，优选向 膜中的渗透较小的溶剂。从剥离工序与膜的显影处理工序同时进行的观点考虑，优选用含 有有机溶剂的显影液进行剥离。
[0135] 顶涂膜与液浸液之间没有折射率之差时分辨力提高。当使用水作为液浸液时，优 选顶涂膜的折射率接近液浸液的折射率。从使折射率接近液浸液的折射率的观点考虑，优 选顶涂膜中具有氟原子。并且，从透明性、折射率的观点考虑，优选薄膜。
[0136] 顶涂膜优选不与膜混合且也不与液浸液混合。从该观点考虑，当液浸液为水时，顶 涂膜中所使用的溶剂优选为难溶于本发明的组合物中所使用的溶剂且为非水溶性介质。另 外，当液浸液为有机溶剂时，顶涂膜可以是水溶性也可以是非水溶性。
[0137] 以下，对顶涂层的形成中所使用的顶涂膜组合物进行说明。
[0138] 本发明中的顶涂膜组合物中，优选溶剂为有机溶剂。更优选为醇类溶剂。
[0139] 当溶剂为有机溶剂时，优选为不溶解抗蚀剂膜的溶剂。作为可使用的溶剂，优选使 用醇类溶剂、氟类溶剂、烃类溶剂，进一步优选使用非氟类的醇类溶剂。作为醇类溶剂，从涂 布性的观点考虑，优选一元醇，进一步优选碳原子数4~8的一元醇。作为碳原子数4~8的一 元醇，可以使用直链状、分支状、环状的醇，优选可以举出例如1-丁醇、1-己醇、1-戊醇及3_ 甲基-1-丁醇、2-乙基丁醇及全氟丁基四氢呋喃等。
[0140]并且，作为顶涂膜组合物用树脂，也可以优选使用日本特开2009-134177号公报、 日本特开2009-91798号公报等中所记载的具有酸性基的树脂。
[0141] 水溶性树脂的重均分子量并没有特别限制，优选2000至100万，进一步优选5000至 50万，尤其优选1万至10万。在此，树脂的重均分子量表示通过GPC(载体:THF或N-甲基-2-吡 咯烷酮(NMP))测定的聚苯乙烯换算分子量。
[0142] 顶涂膜组合物的pH并没有特别限制，优选0~10,进一步优选0~8,尤其优选1~7。
[0143] 顶涂膜组合物中的树脂的浓度优选0.1至10质量％，进一步优选0.2至5质量％，尤 其优选0.3至3质量％。
[0144] 顶涂膜材料中也可以含有树脂以外的成分，树脂在顶涂膜组合物的固体成分中所 占的比例优选80至100质量％，进一步优选90至100质量％，尤其优选95至100质量％。
[0145] 本发明中的顶涂膜组合物的固体成分浓度优选为0.1~10，更优选为0.2~6质 量％，进一步优选为0.3~5质量％。通过将固体成分浓度设在所述范围内，能够将顶涂膜组 合物均匀地涂布于抗蚀剂膜上。
[0146] 本发明的图案形成方法及图案掩模的形成方法中，第一膜的膜厚优选为30~ 200nm，更优选为30~150nm，尤其优选为30~120nm。具有顶涂层时，顶涂层的膜厚优选为10 ~200nm，进一步优选为20~100nm，尤其优选为40~80nm。
[0147] 顶涂层能够通过与上述第一膜相同的方法来形成。
[0148] 并且，优选在形成顶涂层之前对抗蚀剂膜进行干燥。
[0149] 在液浸曝光工序中，液浸液需要追随曝光头在晶片上高速扫描来形成曝光图案的 移动而在晶片上移动，因此液浸液相对于动态状态下的抗蚀剂膜的接触角非常重要，要求 抗蚀剂以不残留液滴的状态追随曝光头的高速扫描的性能。
[0150] 在本发明中形成膜的基板并没有特别限定，可以使用硅、SiN、Si02及SiN等的无机 基板、S0G等涂布类的无机基板等、以及IC等半导体的制造工序、液晶、热敏头等的电路基板 的制造工序及其他照相化学腐蚀制造法的光刻工序中一般使用的基板。另外，根据需要可 以在抗蚀剂膜与基板之间形成防反射膜。作为防反射膜，可以适当使用公知的有机类、无机 类的防反射膜。
[0151]在对使用本发明的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物来形成的第一膜进行 显影的工序中所使用的显影液并没有特别限定，例如可以使用碱显影液或含有有机溶剂的 显影液（以下，也称为有机类显影液）。
[0152]当本发明的图案形成方法及图案掩模的形成方法具有使用碱显影液进行显影的 工序时，可使用的碱显影液并没有特别限定，一般优选四甲基氢氧化铵2.38%质量的水溶 液。
[0153] 作为碱显影液，例如可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨 水等无机碱类、乙胺、正丙胺等伯胺类、二乙胺、二正丁胺等仲胺类、三乙胺、甲基二乙胺等 叔胺类、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺类、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧 化铵、四丁基氢氧化铵、四戊基氢氧化铵、四己基氢氧化铵、四辛基氢氧化铵、乙基三甲基氢 氧化铵、丁基三甲基氢氧化铵、甲基三戊基氢氧化铵、二丁基二戊基氢氧化铵等四烷基氢氧 化铵、三甲基苯基氢氧化铵、三甲基苄基氢氧化铵、三乙基苄基氢氧化铵等季铵盐、吡咯、哌 啶等环状胺类等的碱性水溶液。并且，也可以在碱性水溶液中添加适量醇类、表面活性剂来 进行使用。
[0154] 碱显影液的碱浓度通常是0.1~20质量％。
[0155] 碱显影液的pH通常是10.0~15.0。
[0156] 作为碱显影之后进行的冲洗处理中的冲洗液，使用纯水，也可以添加适量表面活 性剂来进行使用。
[0157]并且，也可以在显影处理或冲洗处理之后进行利用超临界流体来去除附着于图案 上的显影液或冲洗液的处理。
[0158] 当本发明的图案形成方法及图案掩模的形成方法具有使用含有有机溶剂的显影 液进行显影的工序时，作为该显影液（以下，也称为有机类显影液），可以使用酮类溶剂、酯 类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂、醚类溶剂等极性溶剂及烃类溶剂。
[0159] 上述溶剂可以混合多种，也可以与上述以外的溶剂或水混合使用。但是，为了充分 发挥本发明的效果，作为显影液整体的含水率优选小于10质量％，更优选基本上不含水分。 [0160] 即，有机溶剂相对于有机类显影液的使用量相对于显影液总量优选为90质量％以 上且1〇〇质量％以下，优选为95质量％以上且100质量％以下。
[0161] 尤其，有机类显影液优选为含有选自酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂 及醚类溶剂中的至少一种有机溶剂的显影液。
[0162] 有机类显影液的蒸汽压在20°C下优选5kPa以下，进一步优选3kPa以下，尤其优选 2kPa以下。若将有机类显影液的蒸汽压设为5kPa以下，则显影液在基板上或显影杯内的蒸 发得到抑制，晶片面内的温度均匀性提高，结果，晶片面内的尺寸均匀性优化。
[0163] 有机类显影液中根据需要可以添加适量表面活性剂。
[0164] 作为表面活性剂并没有特别限定，例如可以使用离子性或非离子性的氟类和/或 硅类表面活性剂等。作为这些氟和/或硅类表面活性剂，例如可以举出日本特开昭62-36663 号公报、日本特开昭61-226746号公报、日本特开昭61-226745号公报、日本特开昭62-170950号公报、日本特开昭63-34540号公报、日本特开平7-230165号公报、日本特开平8-62834号公报、日本特开平9-54432号公报、日本特开平9-5988号公报、美国专利第5405720 号说明书、美国专利5360692号说明书、美国专利5529881号说明书、美国专利5296330号说 明书、美国专利5436098号说明书、美国专利5576143号说明书、美国专利5294511号说明书、 美国专利5824451号说明书中所记载的表面活性剂，优选为非离子性表面活性剂。作为非离 子性表面活性剂并没有特别限定，进一步优选使用氟类表面活性剂或硅类表面活性剂。
[0165] 表面活性剂的使用量相对于显影液总量通常是0.001~5质量％，优选0.005~2质 量％，进一步优选0.01~0.5质量％。
[0166]有机类显影液可以含有碱性化合物。作为本发明中所使用的有机类显影液可含的 碱性化合物的具体例及优选例，与后述的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物可含的碱 性化合物的具体例及优选例相同。
[0167]作为显影方法，例如可以适用在装满显影液的槽中将基板浸渍一定时间的方法 (浸渍法）、通过表面张力使显影液升高至基板表面并静止一定时间来进行显影的方法(旋 覆浸没(paddle)法）、向基板表面喷雾显影液的方法(喷雾法）、以及在以一定速度旋转的基 板上一边将显影液喷出喷嘴以一定速度扫描一边持续喷出显影液的方法(动态分配法)等。 [0168]并且，在使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序之后，可以实施一边替换成 其他溶剂一边停止显影的工序。
[0169] 在本发明的图案形成方法及图案掩模的形成方法中，也可以将使用含有有机溶剂 的显影液进行显影的工序(有机溶剂显影工序)及使用碱水溶液进行显影的工序(碱显影工 序)组合使用。由此，能够形成更微细的图案。
[0170] 本发明中，通过有机溶剂显影工序，曝光强度较弱的部分被去除，通过进一步进行 碱显影工序，曝光强度较强的部分也被去除。如此，通过进行多次显影的多重显影工艺，能 够仅使中间曝光强度的区域不被溶解而进行图案形成，因此能够形成比通常更微细的图案 (与日本特开2008-292975号公报[0077]相同的机理）。
[0171]在本发明的图案形成方法中，碱显影工序及有机溶剂显影工序的顺序并没有特别 限定，更优选在有机溶剂显影工序之前进行碱显影。
[0172]优选在使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序之后包含使用冲洗液进行清 洗的工序。
[0173]作为使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序之后的冲洗工序中所使用的冲 洗液，只要不溶解抗蚀剂图案，则并没有特别限制，可以使用一般的含有机溶剂的溶液。作 为所述冲洗液，优选使用含有选自烃类溶剂、酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及 醚类溶剂中的至少一种有机溶剂的冲洗液。
[0174]作为烃类溶剂、酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及醚类溶剂的具体例， 可以举出与含有有机溶剂的显影液中说明的具体例相同的溶剂。
[0175]在使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序之后，更优选进行使用含有选自酮 类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂及酰胺类溶剂中的至少一种有机溶剂的冲洗液进行清洗的工 序，进一步优选进行使用含有醇类溶剂或酯类溶剂的冲洗液进行清洗的工序，尤其优选进 行使用含有一元醇的冲洗液进行清洗的工序，最优选进行使用含有碳原子数5以上的一元 醇的冲洗液进行清洗的工序。
[0176]在此，作为冲洗工序中所使用的一元醇，可以举出直链状、分支状、环状的一元醇， 具体可以使用1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、4-甲基-2- 戊醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、环戊醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇等， 作为尤其优选的碳原子数5以上的一元醇，可以使用1-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-戊 醇、3-甲基-1-丁醇等。
[0177] 所述各成分可以混合多种，也可以与上述以外的有机溶剂混合使用。
[0178] 冲洗液中的含水率优选10质量％以下，更优选5质量％以下，尤其优选3质量％以 下。通过将含水率设为10质量％以下，能够得到良好的显影特性。
[0179]作为在使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序之后所使用的冲洗液的蒸汽 压，在20°C下优选为0.05kPa以上且5kPa以下，进一步优选O.lkPa以上且5kPa以下，最优选 0.12kPa以上且3kPa以下。通过将冲洗液的蒸汽压设为0.05kPa以上且5kPa以下，晶片面内 的温度均匀性提高，进而由冲洗液的渗透引起的溶胀得到抑制，晶片面内的尺寸均匀性优 化。
[0180]冲洗液中也可以添加适量表面活性剂来进行使用。
[0181]在冲洗工序中，针对进行使用含有有机溶剂的显影液的显影后的晶片，使用所述 含有机溶剂的冲洗液进行清洗处理。清洗处理的方法并没有特别限定，例如可以适用持续 向以一定速度旋转的基板上喷出冲洗液的方法(旋转涂布法）、在装满冲洗液的槽中将基板 浸渍一定时间的方法(浸渍法）、向基板表面喷雾冲洗液的方法(喷雾法)等，其中，优选利用 旋转涂布方法进行清洗处理，清洗后使基板以2000rpm~4000rpm的转速旋转来从基板上去 除冲洗液。并且，还优选在冲洗工序之后包含加热工序(Post Bake)。通过烘烤，残留于图案 间及图案内部的显影液及冲洗液被去除。冲洗工序之后的加热工序通常在40~160°C下、优 选在70~95°C下，通常进行10秒~3分钟、优选进行30秒至90秒钟。
[0182] 并且，本发明还涉及包含上述本发明的图案形成方法及图案掩模的形成方法的电 子器件的制造方法及通过该制造方法来制造的电子器件。
[0183] 本发明的电子器件适合搭载于电气电子设备(家电、0A/媒体相关设备、光学用设 备及通信设备等）中。
[0184] 接着，对适合使用于本发明的图案形成方法及图案掩模形成方法中的本发明的感 活性光线性或感辐射线性树脂组合物进行详细说明。
[0185] 本发明的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物含有:包含具有通过酸的作用分 解而产生极性基团的基团的重复单元的树脂(A);及通过活性光线或辐射线的照射而产生 酸的化合物(B)。
[0186] [包含具有通过酸的作用分解而产生极性基团的基团的重复单元的树脂(A)]
[0187] 本发明的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物含有包含具有通过酸的作用分 解而产生极性基团的基团的重复单元的树脂（以下，也称为"酸分解性树脂"或"树脂
[0188]树脂(A)优选不溶或难溶于碱显影液且可溶于含有有机溶剂的显影液中。
[0189] 通过酸的作用分解而产生极性基团的基团（以下，也称为"酸分解性基团"。）优选 具有极性基团被通过酸的作用分解并离去的基团保护的结构。
[0190] 树脂(A)也是通过酸的作用而极性发生变化的树脂，具体而言，也是通过酸的作用 而使得相对于碱显影液的溶解度增大或者相对于含有有机溶剂的显影液的溶解度减小的 树脂。
[0191 ]作为极性基团，可以举出酚性羟基、羧基、氟化醇基、磺酸基、磺酰胺基、磺酰基酰 亚胺基（sulfonylimide group)、（烷基磺酰基）（烷基羰基）亚甲基、（烷基磺酰基）（烷基羰 基）酰亚胺基、双(烷基羰基）亚甲基、双(烷基羰基）酰亚胺基、双（烷基磺酰基）亚甲基、双 (烷基磺酰基)酰亚胺基、三(烷基羰基)亚甲基、三(烷基磺酰基)亚甲基等。
[0192] 作为优选的极性基团，可以举出羧基、氟化醇基(优选六氟异丙醇基）、磺酸基。
[0193] 作为酸分解性基团而优选的基团为用在酸作用下离去的基团取代这些极性基团 的氢原子而得到的基团。
[0194] 作为在酸作用下离去的基团，例如可以举出-C(R36)(R37)(R 38)、-C(R36)(R37) (0R39)、-C(R(n)(R() 2)(0R39)等。
[0195] 式中，R36~R39各自独立地表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。R 36和R37可以彼 此键合而形成环。
[0196] Rtn及RQ2各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。
[0197] 作为酸分解性基团，优选为枯基酯基、烯醇酯基、缩醛酯基、叔烷基酯基等。进一步 优选叔烷基醋基。
[0198] 作为树脂(A)可含有的具有酸分解性基团的重复单元，优选下述通式(AI)所表示 的重复单元。
[0201]通式(AI)中，
[0202] Xai表示氢原子、烷基。
[0203] T表示单键或2价连接基团。
[0204] RX1~RX3分别独立地表示烷基(直链或分支)或环烷基(单环或多环）。
[0205] RX1~RX3中的两个可以键合而形成环烷基(单环或多环）。
[0206] 作为由Xai表示的烷基，可以具有取代基，例如可以举出甲基或-CH2_Rn所表示的 基团。Rn表示卤素原子(氟原子等）、羟基或1价有机基团，例如可以举出碳原子数5以下的烷 基、碳原子数5以下的酰基，优选为碳原子数3以下的烷基，进一步优选为甲基。乂 &1在一方式 中优选为氢原子、甲基、三氟甲基或羟基甲基等。
[0207] 作为T的2价连接基团，可以举出亚烷基、-C00-Rt-基、-Ο-Rt-基等。式中，Rt表示亚 烷基或亚环烷基。
[0208] T优选单键或-C00-Rt-基。Rt优选碳原子数1~5的亚烷基，更优选-CH2-基、_ (CH2 ) 2_基、_ ( CH2 ) 3_基。
[0209] 作为RX1~RX3的烷基，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等 碳原子数1~4的烷基。
[0210] 作为rx1~rX3的环烷基，优选环戊基、环己基等单环环烷基、降冰片基、四环癸基、 四环十二烷基、金刚烷基等多环环烷基。
[0211] 作为RX1~Rx3中的两个键合而形成的环烷基，优选环戊基、环己基等单环环烷基、 降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环环烷基。尤其优选碳原子数5~6的单 环环烷基。
[0212] RX1~RX3中的两个键合而形成的所述环烷基中，例如构成环的亚甲基中的一个可 以被氧原子等杂原子或羰基等具有杂原子的基团取代。
[0213] 通式(AI)所表示的重复单元例如优选1?幻为甲基或乙基且Rx2和RX3键合而形成上 述环烷基的方式。
[0214] 上述各基团可以具有取代基，作为取代基，例如可以举出烷基(碳原子数1~4)、卤 素原子、羟基、烷氧基(碳原子数1~4)、羧基、烷氧基羰基(碳原子数2~6)等，优选碳原子数 为8以下。
[0215] 具有酸分解性基团的重复单元的合计含量相对于树脂(A)中的所有重复单元优选 为20~80mol%，更优选为25~75mol%，进一步优选为30~70mol%。
[0216] 具体而言，可以利用US2012/0135348 Al[0265]中所公开的具体例，但本发明并不 限定于此。
[0217] 树脂(A)更优选为具有例如通式（I)所表示的重复单元及通式（II)所表示的重复 单元中的至少任意一个作为通式(AI)所表示的重复单元的树脂。
[0220] 式（I)及（II)中，
[0221] 心及办各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的甲基或-CH2_Rn所表示的基团。 Rn表示1价有机基团。
[0222] R2、R4、R5&R6各自独立地表示烷基或环烷基。
[0223] R表示与办所键合的碳原子一同形成脂环结构所需的原子团。
[0224] 心及办优选表示氢原子、甲基、三氟甲基或羟基甲基。Rn中的1价有机基团的具体 例及优选例与通式(AI)的Rn中所记载的具体例及优选例相同。
[0225] R2中的烷基可以是直链型，也可以是分支型，也可以具有取代基。
[0226] 办中的环烷基可以是单环，也可以是多环，也可以具有取代基。
[0227] R2优选为烷基，更优选为碳原子数1~10的烷基，进一步优选为碳原子数1~5的烷 基，例如可以举出甲基、乙基等。
[0228] R表示与碳原子一同形成脂环结构所需的原子团。作为R与碳原子一同形成的脂环 结构，优选为单环脂环结构，其碳原子数优选3~7，更优选5或6。
[0229] R3优选为氢原子或甲基，更优选为甲基。
[0230] R4、R5、R6中的烷基可以是直链型，也可以是分支型，也可以具有取代基。作为烷基， 优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1~4的烷基。
[0231] R4、R5、R6中的环烷基可以是单环，也可以是多环，也可以具有取代基。作为环烷基， 优选环戊基、环己基等单环环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环环 烷基。
[0232] 作为上述各基团可具有的取代基，可以举出与作为所述通式(AI)中的各基团可具 有的取代基而如述的取代基相同的基团。
[0233] 酸分解性树脂更优选为具有由通式(I)表示的重复单元作为由通式(AI)表示的重 复单元的树脂，进一步优选为具有由通式（I)表示的重复单元及由通式（II)表示的重复单 元的树脂。
[0234] 并且，在其他方式中，更优选为包含由通式(I)表示的重复单元中的至少两种作为 由通式(AI)表示的重复单元的树脂。当包含两种以上通式（I)的重复单元时，优选包含R与 碳原子一同形成的脂环结构为单环脂环结构的重复单元和R与碳原子一同形成的脂环结构 为多环脂环结构的重复单元这两者。作为单环脂环结构，优选碳原子数为5~8,更优选碳原 子数为5或6,尤其优选碳原子数为5。作为多环脂环结构，优选降冰片基、四环癸基、四环十 ^烷基、金刚烷基。
[0235] 树脂(A)所含有的具有酸分解性基团的重复单元可以是一种，也可以同时使用两 种以上。同时使用时可以利用US2012/0135348 Al[0287]中所公开的具体例，但并不限定于 此。
[0236] 树脂(A)在一方式中优选含有具有环状碳酸酯结构的重复单元。该环状碳酸酯结 构为具有包含-〇-c(=〇)-〇-所表示的键作为构成环的原子组的环的结构。包含-o-c(=o)-〇-所表示的键作为构成环的原子组的环优选为5~7元环，最优选为5元环。这些环可以与其 他环进行缩合而形成稠环。
[0237] 树脂(A)优选含