专利名称：多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于平板显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术：
平板显示器件是一种十分重要的人机交流工具，已经广泛的应用到各行各业当中。其中，利用碳纳米管作为阴极材料而制作的场致发射显示器件则是最近几年中新兴的一种平面器件，具有高清晰度、高图像质量、高分辨率以及高亮度等诸多优点，已经成为了显示技术发展的方向。在三极结构的场致发射显示器件当中，栅极结构对于碳纳米管阴极的电子发射起着十分必要的控制作用，因此，对于栅极的制作工艺、制作结构等诸多方面都有着十分严格的技术要求。
当在栅极上施加适当电压以后，在碳纳米管阴极的表面就会形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子，也就是场致发射现象。但是，在碳纳米管阴极发射电子的过程中，并不是所有的碳纳米管阴极都能够均匀稳定的发射电子的，而是位于碳纳米管阴极的边缘位置发射的电子最多，位于碳纳米管阴极的中央位置发射的电子较少一些，或者根本就不发射电子。那么，如果对碳纳米管的阴极形状进行加以改进，这样可以充分利用边缘位置发射大量电子现象，同时还能够有效地增大碳纳米管阴极的发射面积，这是急需解决的一个问题。另外，目前大多数平板显示器件都选择了栅极位于碳纳米管阴极上方的结构形式，其制作工艺比较简单，但是所形成的栅极电流比较大。那么如何对栅极结构的制作工艺进行改进，使之能够既有效地增强了控制作用，同时还能够降低器件成本，有利于进行大面积制作，这也是需要仔细思考的问题。
此外，在尽可能不影响碳纳米管阴极的场致发射能力的前提下，还需要进一步降低整体平板显示器件的制作成本；在能够进行大面积显示器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的多圆环状阴极阵列，发射结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件。在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构。
所述的多圆环状阴极阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；阻塞层上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；阻塞层上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；栅极引线层上的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成栅极导电层；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状；栅极导电层表面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同；内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分的刻蚀后的金属层形成催化剂层；可以利用催化剂层进行碳纳米管的制备。
所述的多圆环状阴极阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极能够同时控制着多个圆环状碳纳米管阴极的电子发射。栅极引线层可以为金属金、银、锡、铝、铬、钼。阴极引线层可以为金属金、银、锡、铝、钼、铬。栅极导电层的掺杂类型可以为p型，也可以为n型。外侧阴极导电层和内侧阴极导电层的掺杂类型可以为p型，也可以为n型。催化剂层可以为金属铁、钴、镍。
一种带有多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下1)阴极玻璃面板的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；
2)栅极引线层的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；3)阻塞层的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；4)阴极引线层的制作在阻塞层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；5)隔离层的制作在阻塞层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；6)栅极导电层的制作在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；7)栅极覆盖层的制作在栅极导电层的表面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；8)内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的制作在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；9)催化剂层的制作在内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分制备出一个金属镍层，刻蚀后形成催化剂层；10)多圆环状阴极阵列发射结构的表面清洁处理对多圆环状阴极阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；11)碳纳米管的制备利用催化剂层制备出碳纳米管；12)阳极玻璃面板的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；13)阳极导电层的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；14)绝缘浆料层的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；15)荧光粉层的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；16)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；17)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤6具体为在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状；所述步骤8具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同；所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度150℃，保持时间5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度580℃，保持时间10分钟)；所述步骤15具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度120℃，保持时间10分钟)；所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果首先，在所述的多圆环状阴极阵列发射结构中，在阴极玻璃面板上制作了阻塞层，这样，一则能够阻挡阴极玻璃面板中的杂质对多圆环状阴极阵列发射结构的影响，二则能够将栅极引线层和阴极引线层相互隔离开来，避免二者之间短路现象的出现，也为布线提供了方便；其次，在所述的多圆环状阴极阵列发射结构中，在栅极导电层的表面制作了栅极覆盖层，这样既可以避免其它杂质对栅极导电层的影响，也有利的将栅极保护起来，防止栅极和碳纳米管阴极二者之间短路现象的出现；第三，在所述的多圆环状阴极阵列发射结构中，当在栅极上施加适当电压以后，就会在碳纳米管的顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子。一方面，由于在多圆环状阴极阵列发射结构中，碳纳米管阴极分别处于内侧阴极增高层和外侧阴极增高层的顶部，呈现三角尖状，这就更进一步增强了碳纳米管顶端的电场强度，从而能够有效地降低器件的工作电压；另一方面，由于在多圆环状阴极阵列发射结构中，外侧阴极增高层和内侧阴极增高层顶部的碳纳米管阴极都呈现一种圆环状环绕在栅极导电层的周围，这样就既增大了碳纳米管的场致发射面积，同时还充分利用了边缘位置发射大量电子的现象，增强栅极的电子发射控制作用，改善栅极的控制效率，有利于进一步提高整体器件的显示亮度；此外，在所述的多圆环状阴极阵列发射结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作。
图1给出了多圆环状阴极阵列发射结构的纵向结构示意图；图2给出了多圆环状阴极阵列发射结构的横向结构示意图；图3给出了带有多圆环状阴极阵列发射结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。
所述的一种带有多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板1、阳极玻璃面板12和四周玻璃围框17所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层13以及制备在阳极导电层上的荧光粉层15；在阴极玻璃面板上有控制栅极6、碳纳米管11阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙16结构以及消气剂18附属元件。
所述的多圆环状阴极阵列发射结构包括阴极玻璃面板1、栅极引线层2、阻塞层3、阴极引线层4、隔离层5、栅极导电层6、栅极覆盖层7、内侧阴极导电层8、外侧阴极导电层9、催化剂层10、碳纳米管11部分。
所述的多圆环状阴极阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板1；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成栅极引线层2；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层3；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；阻塞层上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层4；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；阻塞层上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层5；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；栅极引线层上的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成栅极导电层6；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状；栅极导电层表面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层7，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层9和内侧阴极导电层8；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同；内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分的刻蚀后的金属层形成催化剂层10；利用催化剂层进行碳纳米管11的制备。
所述的多圆环状阴极阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极能够同时控制着多个圆环状碳纳米管阴极的电子发射，栅极引线层为金属金、银、锡、铝、铬、钼，阴极引线层为金属金、银、锡、铝、钼、铬，栅极导电层的掺杂类型为p型或为n型，外侧阴极导电层和内侧阴极导电层的掺杂类型为p型或为n型，催化剂层为金属铁、钴、镍。
一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下1)阴极玻璃面板1的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2)栅极引线层2的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；3)阻塞层3的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；4)阴极引线层4的制作在阻塞层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；5)隔离层5的制作在阻塞层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；6)栅极导电层6的制作在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；7)栅极覆盖层7的制作在栅极导电层的表面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；8)内侧阴极导电层8和外侧阴极导电层9的制作在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；9)催化剂层10的制作在内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分制备出一个金属镍层，刻蚀后形成催化剂层；10)多圆环状阴极阵列发射结构的表面清洁处理对多圆环状阴极阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；11)碳纳米管11的制备利用催化剂层制备出碳纳米管；12)阳极玻璃面板12的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；13)阳极导电层13的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；14)绝缘浆料层14的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；15)荧光粉层15的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；16)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构16和四周玻璃围框17装配到一起，并将消气剂18放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；17)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤6具体为在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状。
所述步骤8具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同。
所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度150℃，保持时间5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度580℃，保持时间10分钟。
所述步骤15具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度120℃，保持时间10分钟)；所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
权利要求
1.一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[12]和四周玻璃围框[17]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[13]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[15]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[16]以及消气剂附属元件[18]，其特征在于在阴极玻璃面板上有控制栅极[6]、碳纳米管[11]阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构。
2.根据权利要求1所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，其特征在于；所述的多圆环状阴极阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成栅极引线层[2]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层[3]；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；阻塞层上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[4]；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；阻塞层上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层[5]；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；栅极引线层上的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成栅极导电层[6]；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状；栅极导电层表面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层[7]，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层[9]和内侧阴极导电层[8]；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同；内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分的刻蚀后的金属层形成催化剂层[10]；利用催化剂层进行碳纳米管[11]的制备。
3.根据权利要求2所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，其特征在于所述的多圆环状阴极阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极能够同时控制着多个圆环状碳纳米管阴极的电子发射，栅极引线层为金属金、银、锡、铝、铬、钼，阴极引线层为金属金、银、锡、铝、钼、铬，栅极导电层的掺杂类型为p型或为n型，外侧阴极导电层和内侧阴极导电层的掺杂类型为p型或为n型，催化剂层为金属铁、钴、镍。
4.一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下1)阴极玻璃面板[1]的制作对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；2)栅极引线层[2]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；3)阻塞层[3]的制作在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成阻塞层；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；4)阴极引线层[4]的制作在阻塞层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；5)隔离层[5]的制作在阻塞层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成隔离层；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；6)栅极导电层[6]的制作在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；7)栅极覆盖层[7]的制作在栅极导电层的表面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；8)内侧阴极导电层[8]和外侧阴极导电层[9]的制作在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；9)催化剂层[10]的制作在内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分制备出一个金属镍层，刻蚀后形成催化剂层；10)多圆环状阴极阵列发射结构的表面清洁处理；对多圆环状阴极阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；11)碳纳米管[11]的制备；利用催化剂层制备出碳纳米管；12)阳极玻璃面板[12]的制作对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；13)阳极导电层[13]的制作在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；14)绝缘浆料层[14]的制作在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；15)荧光粉层[15]的制作在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；16)器件装配将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[16]和四周玻璃围框[17]装配到一起，并将消气剂[18]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；17)成品制作对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
5.根据权利要求4所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤6具体为在栅极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状。
6.根据权利要求4所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤8具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层和内侧阴极导电层；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同。
7.根据权利要求4所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度150℃，保持时间5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度580℃，保持时间10分钟。
8.根据权利要求4所述的多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于所述步骤15具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度120℃，保持时间10分钟。
9.根据权利要求4所述的一种带有多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，其特征在于所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。
全文摘要
本发明涉及一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构；增强栅极的电子发射控制作用，有效的增大碳纳米管阴极的发射面积，改善栅极的控制效率，进一步提高发光亮度，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
文档编号H01J1/46GK1909151SQ20061004850
公开日2007年2月7日 申请日期2006年8月2日 优先权日2006年8月2日
发明者李玉魁 申请人:中原工学院