从离子注入机移除分子裂片的技术的制作方法

专利名称：从离子注入机移除分子裂片的技术的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及半导体的制程，并且尤其涉及从离子注入机 移除分子裂片的技术。
背景技术：
离子注入是一种利用高能离子直接轰击基板，而将化学物质沉积于基板
内的制程。在半导体制程中，离子注入机主要用在改变目标材质(target material)的导电类型以及水平的掺杂制程中。集成电路(IC)基板及其薄膜结 构中的精密掺杂分布(doping profile)通常对于确保正常的IC效能是相当 重要的。为了达到想要的掺杂分布，会以不同的剂量以及不同的能量来进行 一种或多种物质的注入。
图1描述了一种现有的离子注入机系统100,才艮据本发明的实施例，其 能用于低温离子注入的技术。如在大部份离子注入机系统中，系统100存在 于高真空环境内。离子注入^/L系统100包括由电源101偏置到一定电压的离 子源102。离子源102通常位于称为源外罩的真空室(未图示)内。离子注入机 系统100进一步包括离子束10所通过的光束线元件(beam-line component) 的复杂系列(compl ex series)。 光束线元^f牛的系歹l)包才舌例^口;及取电才及104、 90 °磁分析仪106、第一减速(D1)台108、 70°磁准直仪110以及第二减速(D2) 台112。就像是操控光束的光学透镜系列一样，光束线元件能够在引导离子束 10至目标晶片之前，过滤并集中离子束10。在离子注入过程中，目标晶片通 常安装在平台114上，平台114能通过被称作 "roplat"的装置在一维或多 维内移动(例如，平移、旋转以及倾斜)。随着半导体元件的小型化，对于超浅接面(ultra-shallow junction)的 需求日益增长。例如，已投注许多心力来制造更浅、更陡峭并且更具有活性 的源极/漏极延伸区(Source-Drain Extension, SDE)接面，以满足现代互补 式金属氧化物半导体(Complementary Meta卜0xide-Semiconductor, CMOS)元 件的需要。
为了能达到超浅接面，需要具有高导流系数(perveance)(即，低能量 且高束电流)的离子束。以现有的原子离子束(即，由一种原子离子构成的离 子束)而言，需要低能量来将掺质离子由晶片表面掺杂到很浅的区域，且为了 达到可接受的产量，需要高束电流。然而，由于离子束中的嗜电(like-charged) 离子相互排斥而造成离子束膨胀，使得低能离子束受到空间电荷效应(space charge effect)的影响。由于空间电荷效应，在束线中传输的束电流的强度 受到限制。
当嗜电离子是正离子时，可通过将电子引入到离子束内而将空间电荷效 应控制到某种程度。电子中的负电荷会抵消正离子之间的排斥力。由于当束 离子与离子注入机内的背景气体(background gas)碰撞时能够产生电子，故 可通过增加背景气体的压力来改良低能离子束的传输效率。然而，这样的改 良是有限的，因为一旦背景气体压力高到一定程度，束离子中有相当大的一 部份将受到电荷交换(charge-exchange)相互作用，而导致束电流的损失。
与原子离子束相比，分子离子束(即，包括带电的分子和/或其裂片的离 子束)具有低导流系数。也就是，在更高的能量和更低的束电流下，分子离子 束比原子离子束更容易传输。根据各自的原子质量，分子离子中的多个原子 (包括掺质)平分分子离子的总动能(kinetic energy)。因此，为了达到与低 能原子离子束相当的浅注入，分子离子束可以较高的能量来传输。由于每个 分子离子可能包含几个掺质的原子并且可能以单电荷物质的形式来传输，因 而，与原子离子束相比，要达到相同的掺质剂量时，分子离子束电流较小。 由于分子离子束具有可以在较高能量和较低束电流下传输的特性，其受到空间电荷效应的影响较小，故适用于形成超浅接面。
希望能够利用 一般用以进行原子离子注入的标准离子源来产生分子离
子。在美国专利申请第11/342, 183号中，有描述利用这种离子源来离子化的 分子，申请的全部内容并入本案供参考。间接加热阴极(Indirectly Heated Cathode, IHC)离子源是一类已经被用于高电流离子注入设备的离子源。图2 显示一种现有的IHC离子源200。离子源200包括具有导电室壁214的电弧室 202。在电弧室202的一端具有阴极206，其内设置有鴒丝204。鴒丝204耦 接到能够供应高电流的第一电源208。高电流能够将鴒丝204加热而引起电子 进行热发射。第二电源210将阴极206偏置到远高于钨丝204的电压，使得 发射的电子加速到阴极且因而加热阴极206。加热的阴极206随后发射电子到 电弧室202内。第三电源212以相对于阴极206而偏置室壁214，使得电子以 高能量加速到电弧室内。源磁体(未图示)在电弧室202内产生磁场B以限制 高能电子，并且可以将位于电弧室202另一端的斥拒极(repeller)216偏置到 与阴极206相同或相似电压，以排斥高能化电子。气体源218供应反应物质(例 如，碳硼烷)至电弧室202内。气体源218通常包括汽化器219,汽化器219 加热一种或多种进料材质并将反应物质以气态的形式供应到电弧室202。高能
化电子与反应物质相互作用以产生等离子20。汲取电极(未图示)随后从等离 子20中汲取离子22,以用于如图1所示的离子注入机内。
当在现有离子源(例如IHC离子源200)中产生分子离子时，进料材质的 分子与电弧室202和/或汽化器219的热壁相互作用。因此，有一些分子可能 会分裂成小的分子裂片，特别是氢分子。真空设备很难将这些小的分子裂片 抽出，并因此往往会影响电弧室202、离子源外罩(未图示)和/或束线(未图示) 内的压力水平。分子裂片还可能通过与束离子碰撞而降低束电流。
由于上述内容，希望提供能够克服上述不足和缺陷的从离子注入机移除 分子裂片的技术。

发明内容
本发明公开了从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技 术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。装置包括供应机构，其配 置为耦接到离子源室并向离子源室供应进料材质。装置还包括一种或多种氢 吸收材质，其放置于进料材质的引流路径内，以防止进料材质中的至少一部 份含氢分子裂片进入离子源室。
才艮据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质可以乂人以下物质所构成的
族群中选出镁(Mg)、钯(Pd)、钬(Ti)、铂(Pt)、铀(U)、钴(Co)、锆(Zr)、 镍基合金、镧基合金、铝基合金、基于钒-钛-铁(V-Ti-Fe)的合金以及基于钛 -铁(Ti-Fe)的合金。装置更配置成可将一种或多种氢吸收材质保持在第一温 度范围，以吸收含氬分子裂片。装置还进一步配置成可将一种或多种氢吸收 材质加热到第二温度范围，以对所吸收的分子或分子裂片进行除气，或者装 置进一步配置成在不希望吸收分子裂片时，将一种或多种氢吸收材质加热到 第二温度范围。
才艮据本发明一实施例， 一种或多种氬吸收材质包括吸收含氢分子裂片的 双键或三键碳氬化合物。
根据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质以颗粒形式放置在引流路 径中，以直接接触进料材质。
根据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质结合到基质内，以选择性 地接触进料材质，基质允许达到预定尺寸的分子与一种或多种氢吸收材质接触。
根据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质可以在供应机构中与进料 材质混合。
根据本发明一实施例，供应机构的内表面包含一种或多种氢吸收材质。 根据本发明一实施例，供应机构包括将供应机构耦接到离子源室的喷 嘴，并且其中一种或多种氢吸收材质放置于喷嘴内。喷嘴的内表面包含一或多种氬吸收材质。
根据本发明一实施例，此技术以离子源的形式实现。离子源可以包括电 弧室。离子源还包括耦接到电弧室的汽化器以便供应进料材质到电弧室。离 子源进一步包括放置于离子源内的 一个或多个位置的 一种或多种氢吸收材 质，以从进料材质移除至少一部份含氢分子裂片。
才艮据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质中的至少一个位于汽化器内。
根据本发明一实施例， 一种或多种氢吸收材质中的至少一个位于电弧室内。
根据本发明一实施例，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的 方法。此方法包括将供应机构耦接到离子源室以向离子源室供应进料材质。 此方法还包括在离子源室内基于进料材质而产生分子离子。此方法进一步包 括将包含分子离子的离子束传输成束线。此方法还包括利用位于从以下位置 所构成的族群中选择的 一个或多个位置的 一种或多种氬吸收材质吸收含氢分
子裂片供应机构、离子源室、外罩于离子源室的真空空间以及束线。
根据本发明一实施例，此技术可以是用于移除分子裂片的装置。此装置
包括将进料材质供应到离子源室的供应机构。此装置还包括将供应机构耦接
到离子源室的喷嘴，喷嘴包括选透性膜，以将分子裂片从供应到离子源室的
进料材质中被过滤出来。
根据本发明一实施例，喷嘴的侧壁由选透性膜制成。 根据本发明一实施例，选透性膜两端的压力差，使得分子裂片扩散通过
选透性膜。
根据本发明一实施例，通过喷嘴外侧的离子源外罩真空(ion source housing vacuum)产生压力差。
以下将参照附图所示的实施例更详细地描述本发明。尽管在下文中参照 实施例描述本发明，但应理解本发明并不局限于此。已经获得本申请教导的本领域技术人员应意识到落在本发明范围内且受用于本发明的其他实施方 式、修饰和实施例以及其他使用领域。


为了便于更全面地理解本发明，参照附图，其中相似元件由相似的标 号表示。这些附图不应解释为限制本发明，仅是示范性的。 图1显示了一种现有的离子注入机系统。
图2显示了一种离子注入机中的现有IHC离子源。 图3显示了根据本发明实施例从离子注入机中移除分子裂片的方法的 引流图。
图4为根据本发明的实施例的可用以移除分子裂片的离子源。 图5显示了根据本发明的实施例的移除分子裂片的汽化器组合。 图6显示了根据本发明的实施例的移除分子裂片的另 一蒸气器组合。 图7显示了根据本发明的实施例的移除分子裂片的又一蒸气器组合。
具体实施例方式
本发明的实施例通过从离子注入机中的分子离子束内移除与分子离 子产生有关的分子裂片，以改良分子离子束的使用。各种氢吸收材质可以 有计划地放置在离子注入机内的一个或多个位置，以移除至少 一部份含氢 分子裂片。氢吸收材质可为各种形式，且能以物理和/或化学方式来吸收分 子裂片。氢吸收材质更可配置成能够选择性地吸收分子裂片。
本发明所公开的技术不限于束线离子注入机，而且能适用于其他类型 的离子注入机，例如用于进行等离子掺杂(plasma doping, PLAD)或等离 子浸入离子注入(plasma immersion ion implantation, PIII)的离子注入 机。
参照图3，图3显示了根据本发明实施例从离子注入机中移除分子裂片的方法的引流图。
在步骤302中，将汽化器耦接到离子注入机中的离子源室。汽化器的 主要功能是将供应进料材质到离子源室中，以产生分子离子。若是气态进 料材质，则可使用气瓶代替汽化器。离子源室类似于图2所示的电弧室202 或者是适于产生分子离子的任何其他构造。
进料材质具有任何适当的化学成份，化学成份被离子化，以产生所想 要的分子离子。例如，十硼烷(decaborane, B,。HJ以及二硼烷(diborane， BA)可用于产生含硼的分子。其他含硼的进料材质可由通式XBY表示，其 中B代表硼，并且X和Y分别代表至少一元素。因而，含硼的分子离子可 以基于进料材质XBY而产生。在一些情况下，X和/或Y代表单一的元素(例 如，X=CWP,碳)，Y=HWP，氬))；而在其他情况下，X和/或Y代表多个 元素(例如，X=NH4、 NH3、 CH3)。在一些实施例中，进料材质可以用另一通 式XaBbYe表示，其中a>0、 b〉0且c〉0。在一实施例中，X包括碳(C),和/ 或Y包括氢(H)。进料材质较佳为具有较高的分子量，因而所形成的分子离 子也会具有较高的分子量。进料材质较佳也可为具有想要的分解温度。XBY 或XAYe的一实例是碳硼烷(carborane， C2B10H12)。
汽化器通常包括存放进料材质的容器、将进料材质(固态或液态形式) 气化的加热机构以及与离子源室相连的耦接机构。汽化器可以是附在离子 源室上的永久性设备。此外，汽化器较佳为能够自由移除或更换的模块化 单元(modular unit)。耦接机构可以是与各模块化汽化器一起提供或者是 附在离子源室上的固定接口 (interface)的一部份。
在步骤304中，基于进料材质，在离子源室内会产生分子离子。进料 材质以气流形式供应到离子源室。离子源室内的电子的热电子发射(或其他 离子化机构)使进料材质离子化，因而产生分子离子。
在步骤306中，由离子源室中汲取出分子离子，且所形成的分子离子 束可传输成束线(即，经一系列的光束线元件)。光束线元件能将分子离子束成型，并根据想要的离子注入状态来调整分子离子的能量水平。
在步骤308中，步骤308可以与步骤302至306中的任一步骤或所有 步骤同时进行，利用有计划地放置于离子注入机内的一个或多个位置的一 种或多种氢吸收材质，从离子注入机中移除分子裂片。分子裂片通常包含 氢原子且通常其尺寸小于进料材质分子，因而难以使用现有的真空技术来 将分子裂片抽出。然而，这些含氢分子裂片能够被一种或多种氢吸收材质 以物理或化学的方式移除。
氢吸收材质包括以物理方式吸收氢和/或含氢分子裂片的金属和/或 合金。例如，氢吸收材质包括一种或多种纯金属，例如镁(Mg)、钯(Pd)、 钛(Ti)、铂(Pt)、铀(U)、钴(Co)以及锆(Zr)。此外，氬吸收材质包括基于 镍(Ni)、镧(La)和/或铝(Al)的合金(例如LaNi(5—x)4.25Alx(其中x的值在0 和1之间))、基于钒-钛-铁(V-Ti-Fe)的合金以及基于钛-铁(Ti-Fe)的合 金，其中V代表钒且Fe代表铁。
氢吸收金属和/或合金以颗粒形式提供到离子注入机内，使得进料材 质和所有由离子所产生的副产物都能与其直接接触。再者，氢吸收金属和/ 或合金可结合到基于例如聚合体或玻璃的基质内。基质可以配置成具有只 允许小于特定尺寸的分子通过的孔洞。例如，基质可配置成仅允许小分子 (例如，尺寸与氢相当的分子)，而不允许会污染(poison)氢吸收基质的较 大分子通过。
通常，为了吸收分子裂片，将氢吸收材质维持在低于进料材质的温度 (例如，室温)。如果在特定的离子注入制程中，不希望或者不需要进行吸 收分子裂片时，则在步骤312中，将氬吸收材质加热到相对较高的温度， 以防止任何吸收的发生。这样，可以不用从离子注入才几中移除氩吸收材质， 就可以有效地关闭氢吸收材质的吸收能力。
金属和/或合金对含氬分子裂片的吸收是可逆过程。若是有需要，可 以经由步骤310中的除气步骤来将氬吸收金属和/或合金还原。例如，在分子离子注入制程后，将氬吸收材质加热到足以除气(即，释放)已经吸收的 分子的温度。
根据本发明的 一些实施例，氢吸收材质包括双键和/或三键碳氢化合
物的分子，碳氢化合物可以吸收氢并在超过IO(TC的温度下保持稳定。在 美国专利第5,624，598号中，描述了适当的氩吸收碳氬化合物的实例，此 专利的全部内容并入本案供参考。 一种或多种氢吸收碳氢化合物物质可以 与触媒混合并保持在基质中，此基质具有想要的特性，例如可展性以及对 有毒气体(poisoning gas)的不透性。氢吸收碳氢化合物对含氢分子裂片的 吸收一般为不可逆过程。
氢吸收材质是有计划地位于离子注入机的各部件内，上述的部件是指 进料材质和/或相关副产品可能存在的部件，例如汽化器内、离子源室(或 电弧室)内、离子源外罩内或束线内的其他位置或者端站(end station)处。 较佳位置在进料材质的引流路径内或者在氬吸收材质能够与进料材质和相 关副产品充分接触的地方。图4为根据本发明的实施例的可用以移除分子 裂片的离子源400。离子源400实质上与图2所示的离子源200相同。图 中显示有许多位置可选用来放置氢吸收材质。
根据一实施例，上述氢吸收材质可位于离子源室内，例如位于IHC-型电弧室402内。例如， 一种或多种氬吸收材质可沿电弧室402的内壁406 放置。内壁406可涂附氢吸收材质或由氩吸收材质所制成，氢吸收材质较 佳是能够除气(outgas)的材料。备选地，内壁406装衬有以基质形式制备 的氢吸收材质。
氢吸收材质还可以放置在离子汲取狭缝403上或离子汲取狭缝4 03附 近，以减少输出电弧室402的分子裂片数量。当产生分子离子时，电弧室 的温度足够低(-800。C),使得氢吸收材质吸收小分子裂片。当运行其他物 质时，电弧室加热到较高温度(例如，-100(TC)以对氢吸收材质进行除气。 在分子离子注入制程之前，可针对离子源而选择特定物质以及操作机制，以进行除气。
根据另一实施例，氢吸收材质放置于源外罩(图4中未图示)内。氢吸收材质保持冷却(在一些情况下，大致处于室温下)以在分子离子的产生过程中吸收分子裂片。在进行分子注入后，可对材质进行加热以对分子进行除气。换句话说，氢吸收材质可用来作为吸收泵浦，例如钛升华泵浦
(titanium sublimation pump)。除气过禾呈在离子注入才几闲置时进4亍。在离子注入机运行其他离子物质时，氬吸收材质保持加热状态，使得氢吸收能力不会被破坏。
根据另一实施例，氬吸收材质放置于汽化器419内。例如，氢吸收材质42直接与进料材质40混合。较佳利用进料材质40和氢吸收材质42的混合物预先填充汽化器419(例如，抛弃式容器)，因而在汽化器419的运输或储存过程中所产生的所有氢或含氢物质能被迅速吸收。此外，氢或含氢物质在容器内的聚集会有安全上的疑虑。备选地，汽化器419的内表面401装衬或涂覆一种或多种氢吸收材质或者由一种或多种氢吸收材质制成。更较佳地，如下文结合图5所描述的，耦接机构404 (例如，喷嘴)在进料材质40供应至电弧室402的引流路径内或引流路径附近包含氢吸收材质。
上述氢吸收碳氢化合物最适于用在汽化器中，但是也可以用在离子源外罩、离子源室(例如，电弧室)或者束线内。氢吸收碳氢化合物可在汽化器内与进料材质混合，例如是以粉末或小球形式。备选地，氢吸收碳氢化合物在汽化器可以为独立放置，例如放在具有可透过性的容器内，或者作为汽化器壁的涂层。如果进料材质引入独立式坩锅(crucible)内部的汽化器内，坩锅可以涂覆或其他方式来包含氢吸收碳氢化合物。
图5显示了根据本发明的实施例的移除分子裂片的汽化器组合500。汽化器组合500包括汽化器502 (或气瓶)以及喷嘴504。汽化器502可包含进料材质50，进料材质50通过加热机构(未图示)汽化并经由喷嘴504供应到离子源室以产生分子离子。喷嘴504可以是固定的或者是可从汽化器502移除。喷嘴504可包含氬吸收材质52，氩吸收材质52在进料材质50进入离子源室的路径上放置，也就是在进料材质50的引流路径501内或附近。如上文所提到的，氢吸收材质52也可以与进料材质50—起封装，为了便于运输和储存，可以混合物形式存在或者是与进料材质50分离。
根据本发明的实施例，为了从供应到离子源室的气态进料材质中选择性地移除小分子裂片，膜过滤器可用于汽化器组合。图6和图7显示了根据本发明实施例的具有膜过滤器的两种汽化器组合。
如图6所示，汽化器组合600可包括汽化器602和喷嘴604。汽化器602包含进料材质60，进料材质60被气化并经喷嘴604供应到离子源室以产生分子离子。喷嘴604可以是固定的或者是可从汽化器602移除。在汽化的进料材质的引流路径附近(即，在其到达离子源室的路上)，膜62设置在喷嘴604内。膜62是具有选择性透过的膜，也就是只有达到特定尺寸的分子裂片才可以扩散而通过膜62。膜62的另一侧的真空空间可以利用差动泵浦进行差动式抽吸以驱动较小的分子裂片进行选择性透过。因此，不想要的分子裂片会被滤出且仅允许大分子进入离子源室。
图7显示了膜过滤器的更佳的实施方式，实施方式与图6所示的汽化器组合600相比不需要差动泵浦。汽化器组合700可包括汽化器702以及喷嘴704。汽化器702包含进料材质70，进料材质70被气化并供应到离子源室。喷嘴704的侧壁由选透性膜制成，选透性膜允许小分子和/或分子裂片扩散通过。喷嘴704外侧的离子源外罩真空有助于驱动小分子或分子裂片扩散至喷嘴704的侧壁。因而，与图6所示的实施例不同，此处不需要为喷嘴704设置独立的差动泵浦。
本发明的范围不限于本申请所描述的特定实施例。实际上除了本申请所描述的那些实施例，通过上述描述以及附图，本发明的其他各种实施例以及修饰对本领域技术人员是显然的。因而，这些实施例和修饰意图落在本发明的范围内。此外，尽管已经在出于特定目的的特定环境内以特定的背景描述了本发明，但本领域技术人员应意识到其有用性并不局限于此并且本发明能够出于许多目的在许多环境下实施。因此，本文所阐述的权利要求应考虑本申请的整个范围和精神进行解释。
权利要求
1、一种从离子注入机移除分子裂片的装置，所述装置包括供应机构，配置为耦接到离子源室，并供应进料材质至所述离子源室；以及一种或多种氢吸收材质，放置在所述进料材质的引流路径内，以防止所述进料材质的至少一部份含氢分子裂片进入所述离子源室。
2、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述一种或多种氢吸收材质从以下物质所构成的族群中选出镁、钇、钛、 铂、铀、钴、锆、镍基合金、镧基合金、铝基合金、基于钒-钛-铁的合金 以及基于钛-铁的合金。
3、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述一种或多种氢吸收材质包括吸收含氢分子裂片的双键或三键碳氢化合物 分子。
4、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述一种或多种氬吸收材质以颗粒形式放置在所述引流路径内，以与所述进 料材质直接接触。
5、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述一种或多种氢吸收材质结合到基质内，以选择性接触所述进料材质，所 述基质允许达到预定尺寸的分子接触所述一种或多种氬吸收材质。
6、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述一种或多种氢吸收材质在所述供应机构内与所述进料材质混合。
7、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述供应机构包括容器，所述容器预先以所述进料材质和所述一种或多种氢 吸收材质的混合物填充。
8、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述供应机构的内表面包含所述一种或多种氬吸收材质。
9、 根据权利要求1所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中所 述供应机构包括喷嘴，所述喷嘴将所述供应机构耦接到所述离子源室，并 且其中所述一种或多种氢吸收材质放置在所述喷嘴内。
10、 根据权利要求9所述的从离子注入机移除分子裂片的装置，其中 所述喷嘴的内表面包含所述一种或多种氢吸收材质。
11、 一种离子源，包括 离子源室；供应机构，耦接至电弧室，以供应进料材质至所述电弧室；以及 一种或多种氬吸收材质，放置在所述离子源的一个或多个位置，以从 所述进料材质移除至少一部份含氢分子裂片。
12、 根据权利要求11所述的离子源，其中所述一种或多种氢吸收材质 中的至少 一种位于所述供应机构内。
13、 根据权利要求11所述的离子源，其中所述一种或多种氬吸收材质 中的至少一种位于所述离子源室内。
14、 根据权利要求11所述的离子源，其中所述一种或多种氬吸收材质 中的至少一种位于外罩于所述离子源室的真空空间内。
15、 根据权利要求11所述的离子源，其中所述一种或多种氬吸收材质 维持在第一温度范围内，以吸收所述含氢分子裂片。
16、 根据权利要求11所述的离子源，其中将所述一种或多种氬吸收材 质加热到第二温度范围，以对吸收的分子或分子裂片进行除气。
17、 根据权利要求11所述的离子源，其中当不希望吸收分子裂片时， 将所述一种或多种氢吸收材质加热到第二温度范围。
18、 根据权利要求11所述的离子源，其中所述供应机构包括容器，所 述容器预先以所述进料材质和所述一种或多种氬吸收材质的混合物填充。
19、 一种从离子注入机移除分子裂片的方法，所述方法包括以下步骤 将供应机构耦接到离子源室，以供应进料材质至所述离子源室；在所述离子源室内，产生基于所述进料材质的分子离子；将包括所述分子离子的离子束传输成束线；以及利用一种或多种氢吸收材质吸收含氢分子裂片，所述一种或多种氢吸 收材质位于从以下位置所构成的族群中选择的一个或多个位置所述供应 机构、所述离子源室、外罩于所述离子源室的真空空间、所述束线以及端 站。
20、 根据权利要求19所述的从离子注入机移除分子裂片的方法，其中 进一步包括将所述一种或多种氢吸收材质维持在第一温度范围，以吸收所 述含氬分子裂片。
21、 根据权利要求19所述的从离子注入机移除分子裂片的方法，其中 进一步包括将所述一种或多种氢吸收材质加热至第二温度范围，以对所吸 收的分子或分子裂片进行除气。
22、 根据权利要求19所述的从离子注入机移除分子裂片的方法，其中 进一步包括当不希望吸收分子裂片时，将所述一种或多种氢吸收材质加热 到第二温度范围。
23、 一种移除分子裂片的装置，所述装置包括 供应机构，供应进料材质至离子源室；以及喷嘴，将所述供应机构耦接到所述离子源室，所述喷嘴包括选透性膜， 可由供应到所述离子源室的所述进料材质中过滤出分子裂片。
24、 根据权利要求23所述的移除分子裂片的装置，其中所述喷嘴的侧 壁由所述选透性膜制成。
25、 根据权利要求23所述的移除分子裂片的装置，其中所述选透性膜 两端的压力差使得所述分子裂片扩散通过所述选透性膜。
26、 根据权利要求25所述的移除分子裂片的装置，其中所述压力差由 所述喷嘴外的离子源外罩真空产生。
全文摘要
一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。
文档编号H01J27/02GK101578680SQ200780049272
公开日2009年11月11日 申请日期2007年11月8日 优先权日2006年11月8日
发明者乔纳森·吉罗德·英格兰, 克里斯多夫·R·汉特曼, 拉塞尔·J·罗, 摩根·D·艾文斯, 杰·汤玛斯·舒尔 申请人:瓦里安半导体设备公司