专利名称：氟化铵腐蚀液制备装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种氟化铵腐蚀液制备装置，属于电子化学品生产设备技术领 域。
背景技术：
氟化铵腐蚀液结构式为NH4F · HF，为无色透明液体，能强烈腐蚀含硅的物质，在电 子化学品领域，主要用作硅片的腐蚀剂。氟化铵腐蚀液主要由液氨、水和氟化氢反应配置而 成，其中液氨采用工业级液氨。由于工业级液氨含有微量的非金属和金属杂质，其直接反应 制得的氟化铵腐蚀液其杂质含量高、纯度差，不能达到MOS (金属-氧化物-半导体)标准， 即金属杂质含量小于lOOppb，控制1微米粒径粒子达到SEMI C1C2标准要求，不能满足微电 子领域使用要求。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种能去除氟化铵腐蚀液中非金属和 金属杂质、能满足微电子领域使用要求的氟化铵腐蚀液制备装置。本实用新型的目的是这样实现的一种氟化铵腐蚀液制备装置，其特征在于它 包括液氨储罐、第一水洗桶、第二水洗桶、吸收桶、混合罐、过滤器、成品桶、第一氢氟酸桶、 第一纯化水桶、水浴槽、第二氢氟酸桶和第二纯化水桶；所述液氨储罐出口与第一水洗桶进口相连，所述第一水洗桶出口与第二水洗桶进 口相连，所述第二水洗桶出口与吸收桶进口相连，所述吸收桶出口与混合罐进口相连，所述 混合罐出口与过滤器进口相连，所述过滤器出口与成品桶相连；所述吸收桶置于水浴槽中，所述吸收桶上连接有第一氢氟酸桶和第一纯化水桶；所述混合罐上连接有第二氢氟酸桶和第二纯化水桶。本实用新型的有益效果是本实用新型氟化铵腐蚀液制备装置，将液氨汽化为氨气，再经二级水洗以除去金 属与非金属杂质，然后，将经过处理的氨气通入吸收桶与氢氟酸溶液反应，并经过混合罐加 入过量的氢氟酸溶液进行调配后，过滤分装制得氟化铵腐蚀液，其能达到MOS (金属-氧化 物_半导体)标准，满足微电子领域使用要求。
图1为本实用新型氟化铵腐蚀液制备装置的结构示意图。其中液氨储罐1、第一水洗桶2、第二水洗桶3、吸收桶4、混合罐5、过滤器6、成品桶7、 第一氢氟酸桶8、第一纯化水桶9、水浴槽10、第二氢氟酸桶11、第二纯化水桶12。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种氟化铵腐蚀液制备装置，主要由液氨储罐1、第 一水洗桶2、第二水洗桶3、吸收桶4、混合罐5、过滤器6、成品桶7、第一氢氟酸桶8、第一纯 化水桶9、水浴槽10、第二氢氟酸桶11和第二纯化水桶12组成；所述液氨储罐1出口与第一水洗桶2进口相连，所述第一水洗桶2出口与第二水 洗桶3进口相连，所述第二水洗桶3出口与吸收桶4进口相连，所述吸收桶4出口与混合罐 5进口相连，所述混合罐5出口与过滤器6进口相连，所述过滤器6出口与成品桶7相连；所述吸收桶4置于水浴槽10中，所述吸收桶4上连接有第一氢氟酸桶8和第一纯 化水桶9 ；所述混合罐5上连接有第二氢氟酸桶11和第二纯化水桶12。使用时，液氨汽化为氨气，再经二级水洗以除去金属与非金属杂质，然后，将经过 处理的氨气通入吸收桶与氢氟酸溶液反应，反应生成的热量通过水浴槽10中的冷却水带 走，从而保持反应过程的平稳进行；再将反应后的氟化铵溶液经过混合罐加入氢氟酸并进 一步调配其含量和酸度后，过滤分装制得氟化铵腐蚀液。
权利要求一种氟化铵腐蚀液制备装置，其特征在于它包括液氨储罐(1)、第一水洗桶(2)、第二水洗桶(3)、吸收桶(4)、混合罐(5)、过滤器(6)、成品桶(7)、第一氢氟酸桶(8)、第一纯化水桶(9)、水浴槽(10)、第二氢氟酸桶(11)和第二纯化水桶(12)；所述液氨储罐(1)出口与第一水洗桶(2)进口相连，所述第一水洗桶(2)出口与第二水洗桶(3)进口相连，所述第二水洗桶(3)出口与吸收桶(4)进口相连，所述吸收桶(4)出口与混合罐(5)进口相连，所述混合罐(5)出口与过滤器(6)进口相连，所述过滤器(6)出口与成品桶(7)相连；所述吸收桶(4)置于水浴槽(10)中，所述吸收桶(4)上连接有第一氢氟酸桶(8)和第一纯化水桶(9)；所述混合罐(5)上连接有第二氢氟酸桶(11)和第二纯化水桶(12)。
专利摘要本实用新型涉及一种氟化铵腐蚀液制备装置，其特征在于它包括液氨储罐(1)、第一水洗桶(2)、第二水洗桶(3)、吸收桶(4)、混合罐(5)、过滤器(6)、成品桶(7)、第一氢氟酸桶(8)、第一纯化水桶(9)、水浴槽(10)、第二氢氟酸桶(11)和第二纯化水桶(12)。本实用新型氟化铵腐蚀液制备装置，将液氨汽化为氨气，再经二级水洗以除去金属与非金属杂质，然后，将经过处理的氨气通入吸收桶与氢氟酸溶液反应，并经过混合罐加入过量的氢氟酸溶液进行调配后，过滤分装制得氟化铵腐蚀液，其能达到MOS(金属-氧化物-半导体)标准，满足微电子领域使用要求。
文档编号C23F1/24GK201768555SQ20102025097
公开日2011年3月23日 申请日期2010年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者戈士勇 申请人:江阴市润玛电子材料有限公司