湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置的制作方法

文档序号:6848642阅读:225来源:国知局
专利名称:湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造过程中用的晶片夹具,特别涉及湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置。
背景技术
当前的半导体器件制造工艺中,在湿腐蚀工艺步骤中,晶片直接放在晶舟上,没有固定装置,因而,在湿式化学腐蚀过程中在化学反应时,晶片容易位移,造成相邻的两个晶片粘连到一起。相邻晶片之间的粘连使粘连晶片不能继续进行化学腐蚀,达不到化学腐蚀效果,影响产品质量。此外,在湿式化学腐蚀过程中晶片直接放在晶舟上,没有固定装置,有可能造成晶片移出化学腐蚀槽,造成晶片损坏,造成废品率高。
为了防止出现上述的湿式化学腐蚀过程中晶片位移使相邻晶片粘连和晶片移出化学腐蚀槽等缺点,提出本发明。

发明内容
本发明的目的是,提供一种湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置。
本发明的一个技术方案,湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,设置于腐蚀槽上;该固定装置包括腐蚀槽顶盖,活动连接于腐蚀槽,腐蚀槽顶盖枢轴转动,至少两个固定杆,连接固定在腐蚀槽顶盖件上,沿着腐蚀槽顶盖的长度方向相互平行设置;至少两个横梁,固定于固定杆下端;腐蚀槽顶盖盖到腐蚀槽上时,横梁与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片接触,横梁与其接触的晶片的圆周边缘上的接触点形成面接触。
进一步,所述的两个横梁与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片接触的接触面为弧形,两个弧形的顶点A之间的距离L1是要进行化学腐蚀的晶片的直径D的1/3~2/3。
所述的横梁弧形接触面是半圆形。
又,本发明的另一技术方案,腐蚀槽顶盖由结构和形状相同的两个部件构成,每个腐蚀槽盖部件活动连接于腐蚀槽上,该两个固定杆分别固定在两个腐蚀槽盖部件上,两个固定杆在腐蚀槽盖部件上的位置可以按腐蚀槽盖部件的宽度方向调节,以调节两个固定杆上的横梁弧形的顶点A与晶片边缘接触的相对位置,适应不同直径的晶片腐蚀需求。
所述的两个固定杆在腐蚀槽顶盖件上上下活动可调。
腐蚀槽顶盖绞链连接于腐蚀槽上。
所述的两个横梁与晶片的圆周边缘接触的接触点B之间的距离L2是晶片的直径D的1/3~4/5。
所述的两个横梁弧形的顶点A与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片底端之间的距离L3=2/3D-4/5D+(0.1~0.9)cm。
按本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,用防止化学腐蚀的材料构成,例如含氟塑料。
本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,在晶片化学腐蚀过程中,晶片可以在腐蚀槽中在晶舟中上下移动,但是不会跳出晶舟上设置的挡板,从而防止相邻放置的晶片之间粘连;当化学腐蚀过程中晶片跳动的高度超过晶舟上的挡板高度时,会受到横梁的阻挡,因而晶片不会跳出晶舟,不会造成晶片损坏。


图1是本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置的结构示意图;图2是本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置安装在腐蚀槽上但腐蚀槽盖没有关闭前的结构示意图;图3是本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置的立体图。
具体实施例方式
以下结合附图详细说明按本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置。
实施例1
按本实施例的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置包括腐蚀槽顶盖1、两个固定杆2、两个横梁4;腐蚀槽顶盖1以绞链结构8连接于腐蚀槽7上,腐蚀槽顶盖1可以枢轴转动,两个固定杆2固定在腐蚀槽顶盖件1上,并由螺母3固定,沿着腐蚀槽顶盖1的长度方向相互平行设置;两个横梁4,固定于固定杆2下端;腐蚀槽顶盖1盖到腐蚀槽6上时,横梁4与放在腐蚀槽7内的晶舟6上的晶片5接触,横梁4与其接触的晶片5的圆周边缘上的接触点形成面接触。
按本发明的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,用防止化学腐蚀的材料构成,例如含氟塑料。
实施例2按本实施例的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置与实施例1中的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置结构基本相同,只是腐蚀槽顶盖1由结构和形状相同的两个部件1a和1b构成,每个腐蚀槽盖部件1a和1b以绞链结构8固定在腐蚀槽7上,每个腐蚀槽盖部件1a和1b可以在枢轴上转动。两个半圆形的固定杆2分别固定在两个腐蚀槽盖部件1a和1b上,两个固定杆2在腐蚀槽盖部件1a和1b上的位置可以按腐蚀槽盖部件的宽度方向调节,以调节两个固定杆上的横梁弧形的顶点A与晶片边缘接触的相对位置,适应不同直径的晶片腐蚀需求。
实施例3按本实施例的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置与实施例1中的湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置结构基本相同,只是腐蚀槽顶盖1上可以设置多对固定杆2,每对固定杆2对应一个晶舟6上放置的多个晶片5,每对固定杆2上的横梁4半圆顶点A对应晶片圆周边缘上的接触点B。
以上详细描述了按本发明湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置。但是本发明不限于本文中的详细描述。本行业的技术人员应了解,本发明能以其他的形式实施,例如,固定杆的形状可以是根据需要而选择的任何形状。因此,按本发明的全部技术方案,所列举的实施方式只是用于说明本发明而不是限制本发明,并且,本发明不局限于本文中描述的细节。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书界定。
权利要求
1.湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,设置于腐蚀槽上;其特征是,该固定装置包括腐蚀槽顶盖,活动连接于腐蚀槽,腐蚀槽顶盖枢轴转动,至少两个固定杆,连接固定在腐蚀槽顶盖件上,沿着腐蚀槽顶盖的长度方向相互平行设置;至少两个横梁,固定于固定杆下端;腐蚀槽顶盖盖到腐蚀槽上时,横梁与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片接触,横梁与其接触的晶片的圆周边缘上的接触点形成面接触。
2.如权利要求1所述的固定装置,其特征是,所述的两个横梁与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片接触的接触面为弧形,两个弧形的顶点A之间的距离L1是要进行化学腐蚀的晶片的直径D的1/3~2/3。
3.如权利要求2所述的固定装置,其特征是,所述的横梁弧形接触面是半圆形。
4.如权利要求1所述的固定装置,其特征是,腐蚀槽顶盖由结构和形状相同的两个部件构成,每个腐蚀槽盖部件活动连接于腐蚀槽上,该两个固定杆分别固定在两个腐蚀槽盖部件上,两个固定杆在腐蚀槽盖部件上的位置可以按腐蚀槽盖部件的宽度方向调节,以调节两个固定杆上的横梁弧形的顶点与晶片边缘接触的相对位置,适应不同直径的晶片腐蚀需求。
5.如权利要求1或4所述的固定装置,其特征是,所述的两个固定杆在腐蚀槽顶盖件上上下活动可调。
6.如权利要求1或4所述的固定装置,其特征是,腐蚀槽顶盖绞链连接于腐蚀槽上。
7.如权利要求1所述的固定装置,其特征是,所述的两个横梁与晶片的圆周边缘接触的接触点之间的距离L2是晶片的直径D的1/3~4/5。
8.如权利要求2所述的固定装置,其特征是,所述的两个横梁弧形的顶点与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片底端之间的距离L3=2/3D-4/5D+(0.1~0.9)cm。
9.如前面的任何一个权利要求所述的固定装置,其特征是,固定装置用防止化学腐蚀的材料构成。
10.如前面的任何一个权利要求所述的固定装置,其特征是,固定装置用含氟塑料构成。
全文摘要
本发明公开了一种湿腐蚀过程中防止晶片移位的固定装置,其设置于腐蚀槽上;该固定装置包括腐蚀槽顶盖,活动连接于腐蚀槽,腐蚀槽顶盖枢轴转动,至少两个固定杆,连接固定在腐蚀槽顶盖件上,沿着腐蚀槽顶盖的长度方向相互平行设置;至少两个横梁,固定于固定杆下端;腐蚀槽顶盖盖到腐蚀槽上时,横梁与放在腐蚀槽内的晶舟上的晶片接触,横梁与其接触的晶片的圆周边缘上的接触点形成面接触。本发明在湿腐蚀过程中防止晶片移位。
文档编号H01L21/67GK1949471SQ200510030380
公开日2007年4月18日 申请日期2005年10月11日 优先权日2005年10月11日
发明者许峰嘉 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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