专利名称：一种不导电的金属反射膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于手机贴装饰膜的技术领域，特指一种用于手机上半透明、不 导电的金属反射膜。
背景技术：
金属反射膜广泛应用于各种电子消费品如手机等的装饰领域，不导电的金属反射 膜主要应用于带射频信号收发的电子产品如手机等的外观装饰结构件如镜片等，它保留金 属色泽与质感的同时，不会对射频信号的收发形成干扰，从而简化信号收发系统的设计。在塑胶表面涂上一层有机底涂层，采用蒸镀工艺在底涂层上镀上一层金属Sn，再 在Sn镀层上涂上一层保护有机涂层，得到的也是一种不导电的金属色泽装饰膜。这种技术 存在以下不足1)镀层与塑胶基材的附着力不好，因此，必须在塑料基材上涂上一层有机涂 层才能进行镀膜；2)因为涂层原因，不能在透明材料上直接镀膜，取得半透明效果的装饰膜 层；3)镀层容易被氧化，因此，当结构件采用这种镀层时，表面必须进行有机涂层保护。因 此，这种结构的镀膜不能在透明材料如镜片材料、IML即膜内注塑材料上使用。
发明内容本新型的目的就是针对现有技术的不足之处而提供一种用于手机上半透明、不导 电的金属反射膜。为达到上述目的，本新型的技术方案是一种不导电的金属反射膜，包括有由PET 塑料或PC塑料材料或PMMA塑料材料构成的透明基膜，在所述透明基膜表面依次溅射镀有 底部SiO2粒团层、Sn或Zn或In金属粒团层和顶部SiO2粒团层构成的镀层，顶部SiO2粒团 层和底部SiO2粒团层中的SiO2粒团阻隔在Sn或Zn或In金属粒团层成岛状的各个Sn或 Zn或In金属粒团之间形成绝缘配合。所述镀层的厚度为大于等于300埃而小于等于900埃。采用上述结构后，本新型采用多层连续镀膜设备与工艺，利用岛状成膜原理及不 同原子团与基材的结合力不同、不同厚度膜层的光干涉与光反射可以控制的理论，实现金 属镀层具有金属的镜面反射效果，同时，这种镀层具有非常高的面电阻，在膜厚达到500 埃-900埃的情况下，面电阻小于10E9，这种膜层基本不会对通过它的电磁波信号造成衰 减。并且，本新型的镀膜结构可以在透明材料上使用形成半透明基膜。
图1为本新型结构原理示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种不导电的金属反射膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料或PMMA 塑料材料构成的透明基膜10，在所述透明基膜表面10依次溅射镀有底部SiO2粒团层21、Sn或Zn或In金属粒团层22和顶部SiO2粒团层构成23的镀层20，顶部SiO2粒团层23和底 部SiO2粒团层21中的SiO2粒团阻隔在Sn或Zn或In金属粒团层22成岛状的各个Sn或 Zn或In金属粒团之间形成绝缘配合。所述镀层20的厚度为大于等于300埃而小于等于900埃。这里的PET塑料学名为聚对苯二甲酸乙二醇酯属线型饱和聚酯树脂；这里的PC塑 料学名为聚碳酸脂；这里的PMMA学名为聚甲基丙烯酸甲酯；这里的Si02 二氧化硅；这里 的Sn为金属锡，Zn为金属锌，In为金属铟；长度单位埃为十分之一纳米。由于Sn或Zn或In金属粒团层22具有金属的镜面反射效果，由于顶部SiO2粒团 层23和底部SiO2粒团层21中的SiO2粒团阻隔在Sn或Zn金属粒团层22成岛状的各个Sn 或Zn或In金属粒团之间形成绝缘配合，使这种镀层20具有非常高的面电阻，在膜厚达到 500埃-900埃的情况下，面电阻小于10E9，这种膜层20基本不会对通过它的电磁波信号造 成衰减。这样，本新型具有金属反光、半透明、不导电的特点，不会对射频信号造成衰减。可 以应用于手机的前视窗镜片，镜片是半透明效果，改进了原有镀Cr的镜片，由于镀Cr层对 射频信号的干扰，设计了很复杂的发射天线，且电池的有效待机时间只有48小时，而采用 本新型金属反射膜作为视窗镜片，不但简化了发射天线结构，同型号电池有效待机时间延 长到72小时，本身的装饰效果与结构功能没有受到影响。
权利要求1.一种不导电的金属反射膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料或PMMA塑料材料构成 的透明基膜，其特征在于在所述透明基膜表面依次溅射镀有底部SiA粒团层、Sn或Si或 In金属粒团层和顶部S^2粒团层构成的镀层。
2.根据权利要求1所述的一种不导电的金属反射膜，其特征在于所述镀层的厚度为 大于等于300埃而小于等于900埃。
专利摘要本实用新型涉及用于手机贴膜的技术领域，特指一种用于手机上半透明、不导电的金属反射膜。它包括有由PET塑料或PC塑料材料或PMMA塑料材料构成的透明基膜，在所述透明基膜表面依次溅射镀有底部SiO2粒团层、Sn或Zn金属粒团层和顶部SiO2粒团层构成的镀层，顶部SiO2粒团层和底部SiO2粒团层中的SiO2粒团阻隔在Sn或Zn或In金属粒团层成岛状的各个Sn或Zn或In金属粒团之间形成绝缘配合。采用上述结构后，本新型具有金属反光、半透明、不导电的特点，不会对射频信号造成衰减。
文档编号C23C14/06GK201883140SQ20102056301
公开日2011年6月29日 申请日期2010年10月15日 优先权日2010年10月15日
发明者金烈 申请人:深圳市金凯新瑞光电有限公司