专利名称：Led倒装晶元金属膜层的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED晶元，尤其涉及一种采用倒装技术的LED晶元的金属膜层。
背景技术：
LED倒装晶元技术逐渐成为替代传统LED晶元的新技术，如中国专利 200410058989. 8所揭示，因为采用倒装技术的LED晶元，其发光面与电极焊接面为两个不同的平面，因而不需要打金线，所以制造成本低并且发光效率高。由于省略掉打金线这一道生产工艺，因此在LED晶元的金属涂层工艺上与传统的金属涂层工艺(通常采用Cr+Pt+Au 三层金属涂层的工艺)产生了较大的差别，而产生的LED晶元的金属膜层也大为不同。目前常用的PVD镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子束镀膜。其中，真空溅射镀膜是用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基板上。真空离子束镀膜是指在真空环境下(真空度为NlO-1I^ 5*^)-1! )，被引入的气体在离子束的电磁场共同作用下被离化。被离化的离子在离子束和基片之间的电场作用下被加速，并以高能粒子的形式轰击或沉积在基片上。被引入的气体根据工艺的需要，可能为Ar，N2或C^2等，从而完成离子刻蚀清洗和离子束沉积等工艺。
实用新型内容本实用新型的目的在于解决上述的技术问题，提供一种简单的LED倒装晶元的金
属膜层。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现一种LED倒装晶元金属膜层，包括依次设于所述LED晶元表面的铬涂层、镍涂层。优选的，所述用于增加晶元和镍涂层结合力的铬涂层厚度为1000~1500人。所述起到助焊作用的镍涂层厚度为800(Γ15000Α。本实用新型的有益效果主要体现在运用磁控溅射和离子束技术在倒装LED晶元上沉积金属层，其金属材料和膜层厚度配比为全新技术，替代了贵金属钼金Pt和黄金Au， 大大降低制造成本。
以下结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明
图1 本实用新型LED倒装晶元的金属膜层的示意图。
具体实施方式
有关本实用新型之前述及其它技术内容、特点与功效，在以下之一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。本实用新型优选实施例的倒装LED晶元上沉积金属层，其工艺中运用了 2中技术磁控溅射技术和阳极层离子束技术。在采用磁控溅射技术进行金属涂层之前，采用阳极层离子束技术对LED晶元进行离子轰击清洗，去除晶元表面污染物并激活其表面能量，使得接下来的金属涂层与晶元之间的结合力大大增加，产品的良率得以大幅提高。本实用新型中，金属沉积所采用两种材料Cr和Ni。如
图1所示，金属薄膜包括依次设于所述LED晶元1表面的铬涂层2、镍涂层3，具体为膜层结构为1000 1500 A的Cr 层2和8000 15000 A的Ni层3 ；第一层Cr层为中间层，其主要作用为增加晶元和上层 Ni的结合力；第二层M层为助焊层，其主要作用为实现晶元和线路板之间的焊接。其工艺过程大致如下第一，将镀膜真空室抽至l*10_5Pa以上的真空度；第二，向镀膜真空室中通入高纯氩气(5N以上的纯度)，使镀膜真空室的压力保持在 1. 3*10_1Pa 至 2. 5*10_1Pa 之间；第三，开启离子束电源，开始对待镀膜晶元的表面进行离子清洗工序；离子清洗过程中，施加在离子束上的工作电压为直流1600V 1800V，工作电流在120mA 160mA之间； 离子清洗工序的时间为10分钟；第四，结束离子清洗后，继续在真空室中通入高纯氩气并保持压力在1.5 至 2. 5Pa之间；第五，开启带有Cr靶的磁控溅射阴极，开始沉积第一层金属Cr层的沉积；沉积时施加在阴极靶上的电源为直流电源，功率的功率密度为7 9W/cm2，金属Cr沉积涂层厚度 ιοοοΑ 1500A;第六，结束第一层金属Cr层的沉积，不改变镀膜真空室内的压力环境，开始第二层金属m层的沉积；沉积时施加在阴极靶上的电源为直流电源，功率的功率密度为7 9W/cm2，金属Ni沉积涂层厚度8000A 15000A。优选的，所述离子清洗工艺过程及金属膜层沉积工艺过程中，由于采用离子束离子轰击和磁控溅射沉积薄膜，晶元上的温度可始终保持在80°c以下。本实用新型为运用磁控溅射和离子束技术在倒装LED晶元上沉积金属层，替代了贵金属，大大降低制造成本；另外由于采用离子束清洗工艺，使金属层与晶元之间的结合力大幅提高，从而使得LED发光模组的制备良率得以提高。尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。
权利要求1.一种LED倒装晶元金属膜层，其特征在于包括依次设于所述LED晶元表面的铬涂层、银涂层。
2.根据权利要求1所述的LED倒装晶元金属膜层，其特征在于所述用于增加晶元和镍涂层结合力的铬涂层厚度为1000 1500 A。
3.根据权利要求1所述的LED倒装晶元金属膜层，其特征在于所述起到助焊作用的镍涂层厚度为8000 15000 A。
专利摘要本实用新型提供了一种LED倒装晶元的金属膜层，包括依次设于所述LED晶元表面的铬涂层、镍涂层，所述用于增加晶元和镍涂层结合力的铬涂层厚度为1000～1500,所述起到助焊作用的镍涂层厚度为8000～15000。本实用新型的有益效果主要体现在运用磁控溅射和离子束技术在倒装LED晶元上沉积金属层，其金属材料和膜层厚度配比为全新技术，替代了贵金属铂金Pt和黄金Au，大大降低制造成本。
文档编号C23C14/35GK202123748SQ201120195799
公开日2012年1月25日 申请日期2011年6月13日 优先权日2011年6月13日
发明者钱涛 申请人:星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司