一种化学机械研磨方法、模块及装置制造方法
【专利摘要】本申请公开了一种化学机械研磨方法、模块和装置，每个化学机械研磨装置中具有若干不同类型的化学机械研磨模块，每一类型的化学机械研磨模块中包含一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块，该方法按照晶片待进行的化学机械研磨工序，将晶片依次放入每道工序对应的化学机械研磨模块中进行处理，从而能够灵活方便地执行化学机械研磨工艺流程，提高化学机械研磨效率。
【专利说明】一种化学机械研磨方法、模块及装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种化学机械研磨方法、模块及装置。
【背景技术】
[0002]当前的半导体制造工艺中很多情况下会用到化学机械研磨(CMP)工艺，比如浅沟槽隔离(STI)氧化娃抛光、局部互联(LI)氧化娃抛光、LI鹤抛光、层间介质(ILD)氧化娃抛光以及双大马式革铜抛光等。
[0003]现有技术中化学机械研磨装置的结构示意图。如图1所示，该化学机械研磨装置共包括三套研磨子装置和三套研磨后清洗子装置，即研磨子装置1、子装置2和子装置3，以及研磨后清洗子装置1、子装置2和子装置3。在实际应用中，假设某一晶片共需要进行三次研磨，那么该晶片将按照子装置1、子装置2和子装置3的顺序依次进行研磨，根据每个子装置所负责研磨的材料的相同或不同，各子装置可采用相同或不同的研磨浆(slurry )及研磨垫。同样，根据研磨后晶片表面的情况采用的研磨后清洗子装置也有差异。
[0004]随着半导体制造技术的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，与之相对应的CMP工艺的精度要求也不断提高，因此业界提出了一系列不同的研磨子装置以及研磨后清洗子装置。例如，不同研磨子装置对应不同的研磨工序，业界普遍采用的研磨子装置的种类包括:旋转式研磨装置(Rotary Slurry CMP),固定磨料研磨装置(Fixed Abrasive CMP)和电化学机械研磨装置(E-CMP)等；研磨后清洗子装置的种类包括:声波清洗装置(Mega SonicTank):在不直接接触晶片的情况下，利用高频的声波在清洗液体中的传播来达到将微粒(particle)从晶片表面分离并带走的过程；滚筒刷清洗装置(Brusher):通过毛刷与晶片之间的相对运动，利用毛刷在晶片上的摩擦力将微粒从晶片上带走过程；去离子水/氮化化学清洗DIW/Chemicals Rinse Nitrogen Purging,旋转甩干装置(Spin Dryer):高速旋转晶片，利用旋转时产生的离心力将晶片表面附着的微粒去除；以及异丙醇气体清洗装置(IPADryer):将异丙醇与氮气按一定比例混合，然后将混合气体吹到正在离开水面的晶片表面。由于晶片表面和水面的水层厚度不同，异丙醇在晶片表面和水面之间形成了浓度梯度以及表面张力梯度，从而使得水在表面张力的作用下离开晶片表面，达到干燥的目的。在使用了异丙醇气体干燥法后，化学机械研磨清洗后的晶片缺陷比传统方法得到了显著的改善。
[0005]在实际应用中，由于图1所示同一个CMP装置中会用到多个不同种类的研磨子装置和研磨后清洗子装置(包括一个或多个研磨子装置，以及一个或多个研磨后清洗子装置)，不仅结构复杂，对于化学机械研磨工艺流程中不同化学机械研磨工序的组合来说，由于每个CMP装置内的研磨清洗子装置是固定不变的，所以当不需要进行某些研磨清洗工序时，该CMP装置内对应的研磨清洗子装置就会闲置，无法最有效率地利用CMP装置，降低了化学机械研磨效率。另一方面，如果针对每批晶片的待进行化学机械研磨工艺流程的工序，对CMP装置中的研磨清洗子装置进行相应改造，不仅费用高昂，实现起来也很不方便。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明解决的技术问题是:现有的化学机械研磨装置，无法灵活方便地执行化学机械研磨工艺流程，降低了化学机械研磨效率，且根据化学机械研磨工艺流程的工序改造化学机械研磨模块的费用高昂。
[0007]本发明的技术方案是这样实现的:
[0008]一种化学机械研磨方法，提供晶片和若干化学机械研磨模块，每个所述化学机械研磨模块包括一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，确定由若干道化学机械研磨工序组成的晶片待处理化学机械研磨工艺流程，建立所述化学机械研磨工序与所述化学机械研磨模块的对应关系，该方法还包括:
[0009]按照所述晶片待处理化学机械研磨工艺流程和所述对应关系，将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内；
[0010]所述对应的化学机械研磨模块接收所述晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置进行化学机械研磨或者清洗处理，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部；
[0011]直到完成所述晶片待处理化学机械研磨工艺流程。
[0012]所述化学机械研磨模块的获取范围是指，所述化学机械研磨模块的顶部上方或者所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
[0013]所述化学机械研磨模块接收所述晶片是指，采用带有真空吸盘的第一机械臂，从所述化学机械研磨模块顶部上方或者侧壁外侧承载晶片。
[0014]所述将处理后的晶片传递到所述化学机械研磨模块外部是指，采用带有真空吸盘的第二机械臂从所述研磨清洗子装置中承载所述处理后的晶片，通过位于所述化学机械研磨模块，将所述处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块的顶部上方或者将晶片传送到所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
[0015]一种化学机械研磨模块，该模块包括:一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块；
[0016]所述清洗研磨清洗子装置，用于对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；在所述化学机械研磨或者清洗处理后，向所述控制子模块发送发送晶片指令；
[0017]所述控制子模块，用于根据接收的接收晶片指令，控制所述晶片输入子模块在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；用于接收所述晶片输入子模块发送的所述处理晶片指令，根据接收的所述处理晶片指令，控制所述研磨清洗子装置对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；用于接收所述研磨清洗子装置发送的所述发送晶片指令，根据接收的所述发送晶片指令，控制所述晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部；
[0018]所述晶片输入子模块，用于在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；所述晶片放入所述研磨清洗子装置之后，向所述控制子模块发送处理晶片指令；
[0019]所述晶片输出子模块，用于将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部。
[0020]所述晶片输入子模块，包括晶片输入口和带有真空吸盘的第一机械臂；
[0021]所述晶片输入口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁；
[0022]所述带有真空吸盘定位第一机械臂，用于通过所述晶片输入口从所述化学机械研磨模块外部承载晶片，将所述晶片放置于所述研磨清洗子装置中。[0023]所述晶片输出子模块，包括晶片输出口和带有真空吸盘的第二机械臂；
[0024]所述晶片输出口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁；
[0025]所述带有真空吸盘定位第二机械臂，用于从所述研磨清洗子装置中承载晶片，将所述晶片通过所述晶片输出口传递到所述化学机械研磨模块外部。
[0026]一种化学机械研磨装置，该装置包括:控制模块、若干化学机械研磨模块和晶片传输模块；
[0027]所述控制模块，用于根据接收的化学机械研磨指令，控制所述晶片传输模块，按照确定的晶片待进行化学机械研磨工序和建立的化学机械研磨工序与所述化学机械研磨模块的对应关系，将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内；在将所述晶片传送到当前工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内之后，向所述对应的化学机械研磨模块发送接收晶片指令；
[0028]每个所述化学机械研磨模块，包括一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，用于根据从所述控制模块接收的所述接收晶片指令，接收所述晶片后，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置进行与当前工序对应的化学机械研磨或者清洗处理；当前工序完成后，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部；
[0029]所述传输模块，用于将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内。
[0030]所述化学机械研磨模块的获取范围是指，所述化学机械研磨模块的顶部上方或者所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
[0031]每个所述化学机械研磨模块还包括控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块；
[0032]所述清洗研磨清洗子装置，还用于在所述化学机械研磨或者清洗处理后，向所述控制子模块发送发送晶片指令；
[0033]所述控制子模块，用于根据接收的接收晶片指令，控制所述晶片输入子模块在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；用于接收所述晶片输入子模块发送的所述处理晶片指令，根据接收的所述处理晶片指令，控制所述研磨清洗子装置对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；用于接收所述研磨清洗子装置发送的所述发送晶片指令，根据接收的所述发送晶片指令，控制所述晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部；
[0034]所述晶片输入子模块，用于在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；所述晶片放入所述研磨清洗子装置之后，向所述控制子模块发送处理晶片指令；
[0035]所述晶片输出子模块，用于将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部。
[0036]所述晶片输入子模块，包括晶片输入口和带有真空吸盘的第一机械臂；
[0037]所述晶片输入口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁；
[0038]所述带有真空吸盘的第一机械臂，用于通过所述晶片输入口从所述化学机械研磨模块外部承载晶片，将所述晶片放置于所述研磨清洗子装置中。
[0039]所述晶片输出子模块，包括晶片输出口和带有真空吸盘的第二机械臂；
[0040]所述晶片输出口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁；[0041]所述带有真空吸盘定位第二机械臂，用于从所述研磨清洗子装置中承载晶片，将所述晶片通过所述晶片输出口传递到所述化学机械研磨模块外部。
[0042]从上述方案可以看出，本发明提出一种化学机械研磨方法、模块和装置，每个化学机械研磨装置中具有若干不同类型的化学机械研磨模块，每一类型的化学机械研磨模块中包含一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块，该方法按照晶片待进行的化学机械研磨工序，将晶片依次放入每道工序对应的化学机械研磨模块中进行处理，从而能够灵活方便地执行化学机械研磨工艺流程，提高化学机械研磨效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0043]图1为现有技术CMP装置的结构示意图；
[0044]图2本发明实施例CMP模块的结构示意图；
[0045]图3为本发明实施例CMP模块的外观图；
[0046]图4为本发明实施例一的CMP模块排列不意图。
【具体实施方式】
[0047]为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明作进一步详细说明。
[0048]具体实施例一
[0049]本实施例中，对每个批次的晶片进行化学机械研磨的方法如下:
[0050]提供一批待进行CMP的晶片，首先，根据该晶片的半导体制作工艺流程确定该批晶片的待处理CMP工序，本实施例中，以高介电系数金属栅极(HKMG)抛光为例，说明该批晶片将要进行的待处理CMP工序。也就是说在该批晶片生长器件的晶片器件面上已经制作完成了作为HKMG的金属层，下一步需要用采用CMP的方法对金属层表面进行抛光，使金属层平坦化。现有技术中，对HKMG的金属层表面进行抛光的CMP工艺流程包括三道研磨工序和三道研磨后清洗工序，其依次为:第一工序:第一 Rotary Slurry CMP，第二工序:Fixed Abrasive CMP,第三工序:第二 Rotary Slurry CMP,分别作为第四和第五工序的两次Brusher，以及最后的第六工序:IPA Dryer。也就是说，以上六道晶片待处理CMP工序组成了该批晶片的待处理CMP工艺流程。
[0051]本发明的具体实施例一以与上述六道工序对应的六个CMP模块为例进行说明，每个CMP装置中具有六个独立的CMP模块，分别为第一 CMP模块、第二 CMP模块、第三CMP模块、第四CMP模块、第五CMP模块和第六CMP模块。如图2所示，每个CMP模块，包括一个或多个类型相同的研磨清洗子装置(图2中以一个研磨清洗子装置为例)，晶片输入子模块，晶片输出子模块，以及控制子模块:
[0052]其中，控制子模块，用于根据接收的接收晶片指令，控制所述晶片输入子模块接收所述化学机械研磨模块的获取范围内的晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；用于接收所述晶片输入子模块发送的所述处理晶片指令，根据接收的所述处理晶片指令，控制所述研磨清洗子装置对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；用于接收所述研磨清洗子装置发送的所述发送晶片指令，根据接收的所述发送晶片指令，控制所述晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部；
[0053]清洗研磨清洗子装置，用于对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；在所述化学机械研磨或者清洗处理后，向所述控制子模块发送发送晶片指令；
[0054]晶片输入子模块，用于在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；所述晶片放入所述研磨清洗子装置之后，向所述控制子模块发送处理晶片指令；
[0055]晶片输出子模块，用于将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部。
[0056]CMP模块的晶片输入子模块还包括晶片输入口和带有真空吸盘的第一机械臂，本实施例中，如图3所示，每个CMP模块分别具有位于其顶部的一对晶片输入、输出口以及分别位于相对侧壁的另一对晶片输入、输出口。这里，将位于化学机械研磨模块顶部的晶片输入口称为第一晶片输入口(图中第一晶片输入口位于化学机械研磨模块顶部的左侧)，将位于化学机械研磨模块侧壁的晶片输入口称为第二晶片输入口(图中第二晶片输入口位于化学机械研磨模块的左侧侧壁)，与现有技术中采用的晶片输入口类似，第一和第二晶片输入口的开口长度大于晶片直径，所述带有真空吸盘的第一机械臂，用于通过所述第一或第二晶片输入口从所述化学机械研磨模块外部承载晶片，将所述晶片放置于所述研磨清洗子装置中；与晶片输入子模块的结构对应，晶片输出子模块也包括晶片输出口和带有真空吸盘的第二机械臂，将位于化学机械研磨模块顶部的晶片输出口称为第一晶片输出口(图中第一晶片输出口位于化学机械研磨模块顶部的右侧)，将位于化学机械研磨模块侧壁的晶片输出口称为第一晶片输出口(图中第二晶片输出口位于化学机械研磨模块的右侧侧壁)，与现有技术中采用的晶片输出口类似，第一和第二晶片输出口的开口长度大于晶片直径，所述带有真空吸盘定位第二机械臂，用于从所述研磨清洗子装置中承载晶片，将所述晶片通过所述第一或第二晶片输出口传递到所述化学机械研磨模块外部。本实施例中，CMP模块第二晶片输出口和第二晶片输入口分别位于相对的侧壁且水平高度相同。
[0057]本实施中以需要说明的是，上述六个CMP模块大体上分为进行研磨工序的CMP模块和进行研磨后清洗工序的CMP模块，各个种类的CMP模块之间的区别在于:具有不同的研磨清洗子装置。本实施例中，第一 CMP模块401中具有旋转式研磨(Rotary Slurry CMP)子装置，第二 CMP模块402中具有固定磨料研磨(Fixed Abrasive CMP)子装置，第三CMP模块403与第一 CMP模块401相同，也具有旋转式研磨子装置，显而易见，第一 CMP模块401、第二 CMP模块402和第三CMP模块403具有的研磨清洗子装置用于进行研磨工序；第四、第五和第六CMP模块中具有的研磨清洗子装置则用于进行研磨后清洗工序，例如，第四CMP模块404和第五CMP模块405中具有滚筒刷(Brusher)清洗子装置，第六CMP模块406具有异丙醇气体洗子装置(IPA Dryer)，上述六个CMP模块按照具体实施例一的该批晶片的待处理CMP工艺流程，也就是上述六道晶片待处理CMP工序的顺序依次排列，如图4所示。除了本实施例中列举的上述不同类型的研磨清洗子装置外，针对不同的CMP工序，CMP模块中的研磨清洗子装置还可以是电化学机械研磨(E-CMP)子装置、去离子水/氮化化学清洗DIff/Chemicals Rinse Nitrogen Purging,旋转甩干装置(Spin Dryer)或者声波清洗装置(Mega Sonic Tank)。
[0058]本发明的具体实施例一，还提供了一种化学机械研磨装置，除了上述六个的化学机械研磨模块CMP模块之外，该装置还包括:控制模块和晶片传输模块；[0059]所述控制模块，用于根据接收的化学机械研磨指令，控制所述晶片传输模块，按照确定的晶片待进行化学机械研磨工序和建立的化学机械研磨工序与所述化学机械研磨模块的对应关系，将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内；在将所述晶片传送到当前工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内之后，向所述对应的化学机械研磨模块发送接收晶片指令；
[0060]所述传输模块，用于将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内。
[0061]需要注意的是，对每道化学机械研磨工序，都要建立其与能够执行该化学机械研磨工序的CMP模块所处位置之间对应关系，每个种类的CMP模块能够执行唯一种类的化学机械研磨工序。但同一种类的CMP模块的CMP模块数量可能大于I，也就是说有多个CMP模块都能进行下一道待处理化学机械研磨工序。因此还要进一步获取CMP模块当前正在执行CMP工序的CMP模块与能够执行下一道待处理化学机械研磨工序的CMP模块之间的CMP模块相对位置，对获取的相对位置进行排序，根据排序选择相对位置较近的CMP模块作为执行下一道待处理化学机械研磨工序的CMP模块，在两者之间建立对应关系。与现有技术的CMP装置CMP模块相同，本发明CMP装置中的每个CMP模块的位置也是相对固定的，因此建立两者对应关系并控制晶片传输模块按照所述对应关系将晶片依次传送到没到工序对应的CMP模块的获取范围内的具体步骤，与现有技术中向化学机械研磨模块CMP模块分配和传输晶片的步骤相同，不再赘述。
[0062]当该批次的晶片执行化学机械研磨工艺流程时，如以上所述，确定的第一工序是第一 Rotary Slurry CMP,第一步,根据第一工序的类型找到能够执行第一 Rotary SlurryCMP的CMP模块，也就是具有旋转式研磨子装置的第一 CMP模块和第三CMP模块所在的CMP模块；由于有两个CMP模块能够执行第一工序，所以还要进一步分别根据第一 CMP模块和第三CMP模块与晶片之间的相对位置，选择距离较近的CMP模块建立两者的对应关系，在本实施例中，选择具有第一 CMP模块作为执行第一工序的CMP模块，从而建立第一工序与第一CMP模块之间的对应关系。
[0063]接着，控制模块根据处理晶片指令，按照上述对应关系控制传输模块，将晶片传送至IJ第一 CMP模块的获取范围内，并向第一 CMP模块发送接收晶片指令，第一 CMP模块根据从所述控制模块接收的所述接收晶片指令，接收所述晶片后，将晶片放入第一 CMP模块的旋转式研磨子装置之后，由晶片输入子模块向控制子模块发送处理晶片指令；控制子模块根据进行与第一工序对应的第一 Rotary Slurry CMP ;在第一工序完成后，第一 CMP模块的旋转式研磨子装置向控制子模块发送发送晶片指令；控制子模块根据发送晶片指令，控制晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到第一 CMP模块外部。
[0064]当晶片由第一 CMP模块的晶片输出口传送到第一 CMP模块的外部时，控制子模块向控制子模块发送处理完毕指令；控制子模块根据从晶片输出子模块接收的处理完毕指令，向控制模块发送进入下一道工序指令；控制模块根据接收的进入下一道工序指令，触发第二工序的执行。执行第二工序的方法与上述执行第一工序的方法相同，以此类推，依次执行第二到第六工序，具体过程不再赘述。
[0065]本实施例中，晶片传输模块的结构和传送晶片的方法均与现有技术相同，其具体结构包括位于各个CMP模块上方的传送带和沿传送带移动的晶片钳，所述晶片钳夹住晶片边缘，带动晶片沿传送带移动。以执行第一工序为例，传输模块将晶片传送到位于第一化学机械研磨模块顶部的第一晶片输入口的正上方，当然，也可以选择将所述晶片传送到第一化学机械研磨模块的侧壁外侧，且将晶片停止在第二晶片输入口相同的水平高度上。
[0066]需要注意的是，本实施例中所有CMP模块的第二晶片输入口和第二晶片输入口分别位于相对的侧壁且水平高度相同。并且，相邻CMP模块之间的距离还满足如下条件:当晶片通过前一 CMP模块的第二晶片输入口传送到其外部时,该晶片同时位于相邻的后一 CMP模块的获取范围内。那么，在上述的条件下，如果执行前后两道工序的CMP模块的位置相邻，则也可以不通过传输模块的传送，由控制模块控制相邻的两台CMP模块完成晶片在CMP模块之间的传输。具体步骤为:在执行完毕前一道工序后，通过第二晶片输出口，由带有真空吸盘的第二机械臂将处理后晶片传输到CMP模块的侧壁外侧。其中，真空吸盘吸附处理后晶片非器件面的背面，通过第二机械臂的伸缩和转动来移动晶片；在将处理后晶片传送到CMP模块外部时，该晶片也同时处在将要执行后一道工序的CMP模块的获取范围内。接着，通过第二晶片输入口，由执行后一道工序CMP模块的CMP模块的带有真空吸盘的第一机械臂，从CMP模块外部承载晶片，并将晶片放置于其内部的研磨清洗子装置中。上述具体实现方法为现有技术，不再赘述。
[0067]上述具体实施例一可见，本发明提出一种化学机械研磨方法、模块和装置，每个化学机械研磨装置中具有若干不同类型的化学机械研磨模块，每一类型的化学机械研磨模块中包含一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块，该方法按照晶片待进行的化学机械研磨工序，将晶片依次放入每道工序对应的化学机械研磨模块中进行处理，从而能够灵活方便地执行化学机械研磨工艺流程，提高化学机械研磨效率。
[0068]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种化学机械研磨方法，提供晶片和若干化学机械研磨模块，每个所述化学机械研磨模块包括一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，确定由若干道化学机械研磨工序组成的晶片待处理化学机械研磨工艺流程，建立所述化学机械研磨工序与所述化学机械研磨模块的对应关系，该方法还包括: 按照所述晶片待处理化学机械研磨工艺流程和所述对应关系，将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内； 所述对应的化学机械研磨模块接收所述晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置进行化学机械研磨或者清洗处理，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部； 直到完成所述晶片待处理化学机械研磨工艺流程。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨模块的获取范围是指，所述化学机械研磨模块的顶部上方或者所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨模块接收所述晶片是指，采用带有真空吸盘的第一机械臂，从所述化学机械研磨模块顶部上方或者侧壁外侧承载晶片。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将处理后的晶片传递到所述化学机械研磨模块外部是指，采用带有真空吸盘的第二机械臂从所述研磨清洗子装置中承载所述处理后的晶片，通过位于所述化学机械研磨模块，将所述处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块的顶部上方或者将晶片传送到所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
5.一种化学机械研磨模块，该模块包括:一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块； 所述清洗研磨清洗子装置，用于对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；在所述化学机械研磨或者清洗处理后，向所述控制子模块发送发送晶片指令； 所述控制子模块，用于根据接收的接收晶片指令，控制所述晶片输入子模块在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；用于接收所述晶片输入子模块发送的所述处理晶片指令，根据接收的所述处理晶片指令，控制所述研磨清洗子装置对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；用于接收所述研磨清洗子装置发送的所述发送晶片指令，根据接收的所述发送晶片指令，控制所述晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部； 所述晶片输入子模块，用于在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；所述晶片放入所述研磨清洗子装置之后，向所述控制子模块发送处理晶片指令； 所述晶片输出子模块，用于将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部。
6.如权利要求5所述的模块，其特征在于，所述晶片输入子模块，包括晶片输入口和带有真空吸盘的第一机械臂； 所述晶片输入口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁； 所述带有真空吸盘定位第一机械臂，用于通过所述晶片输入口从所述化学机械研磨模块外部承载晶片，将所述晶片放置于所述研磨清洗子装置中； 所述晶片输出子模块，包括晶片输出口和带有真空吸盘的第二机械臂； 所述晶片输出口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁；所述带有真空吸盘定位第二机械臂，用于从所述研磨清洗子装置中承载晶片，将所述晶片通过所述晶片输出口传递到所述化学机械研磨模块外部。
7.一种化学机械研磨装置，该装置包括:控制模块、若干化学机械研磨模块和晶片传输模块； 所述控制模块，用于根据接收的化学机械研磨指令，控制所述晶片传输模块，按照确定的晶片待进行化学机械研磨工序和建立的化学机械研磨工序与所述化学机械研磨模块的对应关系，将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内；在将所述晶片传送到当前工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内之后，向所述对应的化学机械研磨模块发送接收晶片指令； 每个所述化学机械研磨模块，包括一个或多个类型相同的研磨清洗子装置，用于根据从所述控制模块接收的所述接收晶片指令，接收所述晶片后，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置进行与当前工序对应的化学机械研磨或者清洗处理；当前工序完成后，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部； 所述传输模块，用于将所述晶片依次传送到每道工序对应的化学机械研磨模块的获取范围内。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述化学机械研磨模块的获取范围是指，所述化学机械研磨模块的顶部上方或者所述化学机械研磨模块的侧壁外侧。
9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，每个所述化学机械研磨模块还包括控制子模块，晶片输入子模块，以及晶片输出子模块； 所述清洗研磨清洗子装置，还用于在所述化学机械研磨或者清洗处理后，向所述控制子模块发送发送晶片指令； 所述控制子模块，用于根据接收的接收晶片指令，控制所述晶片输入子模块在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；用于接收所述晶片输入子模块发送的所述处理晶片指令，根据接收的所述处理晶片指令，控制所述研磨清洗子装置对晶片进行化学机械研磨或者清洗处理；用于接收所述研磨清洗子装置发送的所述发送晶片指令，根据接收的所述发送晶片指令，控制所述晶片输出子模块，将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部； 所述晶片输入子模块，用于在所述化学机械研磨模块的获取范围内承载晶片，将所述晶片放入所述研磨清洗子装置；所述晶片放入所述研磨清洗子装置之后，向所述控制子模块发送处理晶片指令； 所述晶片输出子模块，用于将处理后的晶片传送到所述化学机械研磨模块外部。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述晶片输入子模块，包括晶片输入口和带有真空吸盘的第一机械臂； 所述晶片输入口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁； 所述带有真空吸盘的第一机械臂，用于通过所述晶片输入口从所述化学机械研磨模块外部承载晶片，将所述晶片放置于所述研磨清洗子装置中； 所述晶片输出子模块，包括晶片输出口和带有真空吸盘的第二机械臂； 所述晶片输出口，位于所述化学机械研磨模块顶部或侧壁； 所述带有真空吸盘定位第二机械臂，用于从所述研磨清洗子装置中承载晶片，将所述晶片通过所述晶片输出口传递到 所述化学机械研磨模块外部。
【文档编号】B24B37/00GK103659569SQ201210361846
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月25日 优先权日:2012年9月25日
【发明者】陈枫 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司