一种金属纳米结构的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤：（1）制作掩模板；（2）提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；（3）将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；（4）采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；（5）将所述沉积了金属的成型模具浸泡在丙酮溶液中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。本发明的制备工艺简单，效率高；制得的金属纳米结构形状、大小、位置均可精确控制，有效地提高了金属纳米结构材料的光萃取效率和光吸收效率。
【专利说明】一种金属纳米结构的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种超微结构的制备方法，尤其是一种金属纳米结构的制备方法。
【背景技术】
[0002]金属纳米结构材料是近年来光学领域的一大研究热点，由于其表面等离子体能够被光波所激发产生非常特殊的光学性质，因而在光催化、纳米集成光子学、光学传感、生物标记、医学成像、太阳能电池，以及表面增强拉曼光谱等领域具有广泛的应用前景。
[0003]金属纳米结构材料一般要求其在三维空间任一维度上均处于I~IOOnm的尺度，其形状、尺寸、组成、结构在很大程度上决定了金属纳米材料的性能。精确控制金属纳米材料的形状、大小、位置，对于利用金属纳米结构激发表面等离子体激元，提高发光材料的光萃取效率和太阳能电池的光吸收效率具有非常重要的意义。
[0004]目前人们一般采用化学方法进行金属纳米粒子的合成，例如化学还原法、光还原法、辐照法、多元醇法、化学沉积法，这些方法可以制备金属纳米粒子，虽然可以通过控制反应物的比例和反应时间来控制金属纳米结构的大小，但由于生成物的生长方向和位置都是随机的，因而这些方法制备的金属纳米粒子形状不一，大小各异，并且排列非常混乱，影响了金属纳米结构材料的光学性质。
[0005]近年来，有研究人员提出了采用光刻技术与沉积技术相结合的方法来制备形状、大小、位置可控的金属纳米结构(例如专利200910226780.0)，这种方法先在硅片制备单层有序的二氧化硅纳米球非致密排列，再在其上蒸镀或溅射金属膜，作为蚀刻掩模，然后对硅片进行腐蚀，得到纳米结构阵列模板，最后在模板中沉积金属粒子，得到金属纳米结构。这种方法克服了传统化学方法制备金属纳米粒子形状不一，大小各异，排列混乱的缺陷，制备的金属纳米结构形状、大小、位置较相对可控。但是由于制备过程要求先沉积一层较薄的薄膜，而薄膜生长要经过吸附、成核、成岛、岛的粗化合并的过程，较薄的薄膜(厚度小于IOOnm)表面相对粗糙不平，因而它对金属纳米结构的形状与大小的控制都缺乏精确性，制备的金属纳米结构的形状与大小的均一性得不到保障，同样影响了金属纳米结构材料的光萃取效率和光吸收效率。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于对现有以光刻技术制备金属纳米结构的方法进行改进，提供一种金属纳米结构的制备方法，该制备方法工艺简单，效率高，可根据实际需要制备形状、大小、位置均可精确控制的金属纳米结构，制得的金属纳米结构形状相同、大小均一、排列有序，有效地提高了金属纳米结构材料的光萃取效率和光吸收效率。
[0007]本发明解决上述技术问题所采用的方案是:
[0008]一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤:
[0009](I)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光；[0010](2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；
[0011](3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；
[0012](4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；
[0013](5)将所述沉积了金属的成型模具浸泡在丙酮溶液中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
[0014]优选地，步骤(1)所述衬底的材质为钨钢、氧化铁或铬。
[0015]优选地，步骤(1)所述的纳米结构图形，采用复印设备、激光图形发生器或电子束图形发生器进行绘制，或采用X射线进行刻制。
[0016]优选地，步骤(2)所述的基板为玻璃基板、硅基板或氧化镓基板。
[0017]具体地，步骤(2)所述基板的清洁干燥操作为:依次用铬酸清洗液、清洗剂和去离子水清洗，然后将基板放入烘箱中，以150~200° C的温度干燥10~15分钟。
[0018]优选地，步骤(2 )所述的基板，其大小与形状与所述掩模板相同。从而保证掩模板与基板可以完全重叠，其上的图形可以精准定位到所述基板上。
[0019]其中，步骤(2)所述的正性紫外光刻胶，其涂覆厚度可以依据所述金属纳米结构的大小而定。优选地，所述正性紫外光刻胶的涂覆厚度为20~50nm。
`[0020]优选地，步骤(2)所述正性紫外光刻胶GP18系列紫外正型光刻胶，SUN-115P紫外正性光刻胶，或以共聚物聚N-(P-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺为主要材料的紫外正性光刻胶。
[0021]优选地，步骤(2)所述的前烘为将所述涂覆有紫外光刻胶的基板放入温箱中，以50~80°C烘烤I~2小时。
[0022]优选地，步骤(3)所述的显影为将经过曝光的光刻胶基板放入显影液中进行浸泡，使得基板上经紫外线曝光的光刻胶被显影液溶解。显影的目的在于在光刻胶中形成所需纳米结构图形形状的凹槽。
[0023]优选地，步骤(3)所述的去残胶为将显影后的光刻胶基板放在等离子刻蚀机中刻蚀10~15分钟。显影过程中可能会出现部分经紫外线暴光的光刻胶未被完全溶解，因此可以通过去残胶将这部分光刻胶去除，从而保证凹槽的均匀性与精确性，进而防止制备的金属纳米结构形状大小不均。
[0024]优选地，步骤(3)所述的坚膜为将所述经去残胶的光刻胶基板放入温箱中，以60~80°C烘烤I~2小时，使得基板上的光刻胶固化。经过显影的光刻胶已经软化，膨胀，胶膜与基板之间的黏附性下降，坚膜的目的是要使残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与基板表面的黏附性以及光刻胶的抗蚀能力，同时除去剩余的显影液和水。
[0025]优选地，步骤(4)所述的化学合成法为化学还原法、光还原法、辐照法或多元醇法。
[0026]其中，化学还原法为在金属盐溶液中加入还原剂，以生成金属纳米粒子；光还原法为将光刻胶基板浸泡至金属盐溶液中，用紫外光源诱导生成金属纳米粒子；辐照法为利用Y射线使水分子电离产生强还原性的水合电子，从而将金属离子还原为金属纳米粒子；多元醇法为在金属盐溶液中加入多元醇，多元醇在加热条件下先被氧化为羟基乙醛，醛基将金属离子还原为金属纳米粒子。[0027]优选地，步骤(4)所述金属为银。银纳米结构可直接用于制作太阳能电池表面减反结构。
[0028]优选地，步骤(5)所述的超声去胶，超声时间为20~40分钟。
[0029]其中，步骤(5)所述的金属纳米结构，其形状可通过步骤一所述衬底上的纳米结构图形进行控制。优选地，步骤五所述的金属纳米结构，为正方体、长方体或四棱锥体的阵列结构。
[0030]其中，步骤(5)所述的金属纳米结构，其中大小可通过步骤一所述衬底上的纳米结构图形的大小进行控制，厚度可以通过化学合成法中反应物的浓度和反应时间进行控制。优选地，步骤五所述的金属纳米结构，为边长40nm的正方体的阵列结构。
[0031]本发明先通过光刻技术将在光刻胶基板上形成所需的纳米结构图形形状的凹槽，作为金属纳米粒子的成型模具，然后在所述凹槽中化学沉积金属粒子，最后除去基板上的光刻胶，即形成了形状、大小、位置均可精确控制的金属纳米结构。金属纳米结构的形状、大小与位置可以通过调整成型模具上的凹槽的形状、大小、位置来控制。
[0032]相比于现有技术，本发明的制备工艺更加简单，效率高；无需先沉积金属薄膜，防止了金属薄膜表面相对粗糙不平对金属纳米结构带来的影响，制得的金属纳米结构形状、大小、位置均可精确控制，从而有效利用金属纳米结构激发表面等离子体激元，提高金属纳米结构材料的光萃取效率和光吸收效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本发明实施例一制备的金属纳米结构的俯视图；
[0035]图2是本发明实施例一制备的金属纳米结构的立体结构示意图；
[0036]图3是本发明实施例二制备的金属纳米结构的立体结构示意图；
【具体实施方式】
[0037]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0038]实施例一
[0039]一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤:
[0040](1)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光；
[0041]选择长12cm宽12cm厚0.5cm的钨钢衬底，清洗干净；绘制边长为40nm间距为20nm的正方形阵列图，并将其导入与电子束图形发生器相连的PC机中，通过PC控制电子束图形发生器将该正方形阵列图按1:1的比例绘制到衬底的正中间，放入烘箱中以60°C的温度干燥30分钟，使得衬底上有图形的部位对紫外线透光，形成掩模板。
[0042](2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；[0043]选择长12cm宽12cm厚0.5cm的玻璃基板，依次用铬酸清洗液、洗洁精和去离子水清洗，然后将玻璃基板放入烘箱中，以150°C的温度干燥15分钟；然后在玻璃基板上旋涂正性紫外光刻胶(本实施例为GP18系列紫外正型光刻胶)，并通过高速旋转，使玻璃基板上的光刻胶均匀地覆盖到整个玻璃板表面，控制光刻胶的厚度为40nm ;将所述涂覆有正性紫外光刻胶基板放入烘箱中，以60°C烘烤2小时，使光刻胶固化，制得带有光刻胶的基板。
[0044](3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；
[0045]将步骤(1)所制得的掩模板平整的叠在步骤(2)所制得的形成光刻胶基板上，然后放在紫外光下暴光15秒；揭下掩模板后将带有光刻胶的基板放入浓度为15%的显影液中浸泡60分钟，从而将被掩模板上的图形遮盖的经紫外线曝光的光刻胶溶解；将显影后的光刻胶基板放在等离子刻蚀机中刻蚀15分钟，除去凹槽中经紫外线暴光但的未被完全溶解光刻胶；将经去残胶的光刻胶基板放入烘箱中，以80°C烘烤I小时，从而将基板的光刻胶固化，得到带有所设计的正方形阵列图形状凹槽的成形模具，该凹槽的为正方体，边长为40nmo
[0046](4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；
[0047]采用化学还原法:将上述带有正方形阵列图形状凹槽的成型模具浸入乙二醇溶剂中，以完全浸没该光刻胶基板为宜，添加40mL浓度为0.2mol/L的AgNO3与60mL浓度为10%聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶液，并添加0.5g Na2S,控制溶液温度为45°C，搅拌反应15分钟后，沉积5分钟，即在成型模具的凹槽中形成一层边长为40nm的正方体的银纳米阵列结构。
[0048]( 5 )将所述沉积了金属的成型模具放在丙酮中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
[0049]将所述沉积了银纳米阵列结构的成型模具放在浓度为20%的丙酮中，超声振荡30分钟，除去剩余光刻胶同时去掉光刻胶上的银纳米粒子，得到边长为40nm的正方体的银纳米阵列结构(如图1、图2所示)。
[0050]本发明实施例制得的边长为40nm的正方体的银纳米阵列结构可直接用于制作太阳能电池表面减反结构，形状、大小、位置的精确控制提高了光吸收效率，使得太阳能电池的转换效率大大提高。
[0051]实施例二
[0052]一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤:
[0053](I)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光；
[0054]选择长5cm宽5cm厚0.5cm的氧化铁衬底,清洗干净后备用；绘制边长为30nm间距为30nm的正方形阵列图，并将其导入与激光图形发生器相连的PC机中，通过PC控制激光图形发生器将该正方形阵列图按1:1的比例绘制到衬底的正中间，放入烘箱中以80°C的温度干燥20分钟，制得掩模板。
[0055](2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；
[0056]选择长5cm宽5cm厚0.5cm的氧化镓基板与氧化铁衬底,依次用铬酸清洗液、洗洁精和去离子水清洗，然后将氧化镓基板放入烘箱中，以200°C的温度干燥10分钟；在清洁干燥后的氧化镓基板上旋涂正性紫外光刻胶(本实施例为SUN-115P紫外正性光刻胶)，并通过高速旋转，使氧化镓基板上的光刻胶均匀地覆盖到整个氧化镓基板表面，控制光刻胶的厚度为30nm ;将所述涂覆有正性紫外光刻胶的基板放入烘箱中，以80°C烘烤I小时，使光刻胶固化，形成光刻胶基板。
[0057](3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；
[0058]将步骤(1)所制得的掩模板平整的叠在步骤(2)所制得的形成光刻胶基板上，然后放在紫外光下暴光15秒；揭下掩模板后将带有光刻胶的基板放入浓度为20%的显影液中浸泡30分钟，从而将被掩模板上的图形遮盖的经紫外线曝光的光刻胶溶解；将显影后的光刻胶基板放在等离子刻蚀机中刻蚀15分钟，除去凹槽中经紫外线暴光但的未被完全溶解光刻胶；将经去残胶的光刻胶基板放入烘箱中，以50°C烘烤2小时，从而将氧化镓基板的光刻胶固化，得到带有所设计的正方形阵列图形状凹槽的成型模具，该凹槽的为正方体，边长为 30nm。
[0059](4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；
[0060]采用光还原法:在50mL浓度为0.05mol/L的AgNO3溶液中加入0.8g三水合柠檬酸钠，形成混合液，将上述带有所设计的正方形阵列图形状凹槽的成型模具浸入该混合液中，用365nm波长的紫外光源诱导生长截断的四棱锥体银纳米阵列结构，诱导时间为30分钟，得到的银纳米阵列结构底面边长为30nm，高为18nm。
[0061](5)将所述沉积了金属的成型模具放在丙酮中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
[0062]将所述沉积了四棱锥形银纳米阵列结构的光刻胶基板放在浓度为20%的丙酮中，超声振荡20分钟，除去剩余光 刻胶同时去掉光刻胶上的银纳米粒子，得到底面边长为30nm高为18nm的四棱锥的银纳米阵列结构(如图3所示)。
[0063]实施例三
[0064]一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤:
[0065](I)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光；
[0066]选择长2cm宽2cm厚0.3cm的铬衬底,清洗干净后备用；绘制边长为20nm间距为IOnm的正方形阵列图，并将其导入与复印设备相连的PC机中，通过PC控制复印设备将该正方形阵列图按1:2的比例复印到铬衬底的正中间，放入烘箱中以80°C的温度干燥20分钟，使得衬底上有图形的部位对紫外线透光，形成掩模板。
[0067](2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；
[0068]选择长2cm宽2cm厚0.3cm的硅基板，依次用铬酸清洗液、洗洁精和去离子水清洗，然后将硅基板放入烘箱中，以180°C的温度干燥13分钟；在清洁干燥后的硅基板上旋涂正性紫外光刻胶(本实施例为以共聚物聚N- (P-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺为主要材料的紫外正性光刻胶)，并通过高速旋转，使玻璃基板上的光刻胶均匀地覆盖到整个玻璃板表面，控制光刻胶的厚度为50nm ;将所述涂覆有正性紫外光刻胶基板放入烘箱中，以50°C烘烤2小时，使光刻胶固化，形成光刻胶基板。[0069](3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；
[0070]将步骤(1)所制得的掩模板平整的叠在步骤(2)所制得的带有光刻胶的基板，然后放在紫外光下暴光15秒；揭下掩模板后将带有光刻胶的基板放入浓度为15%的显影液中浸泡60分钟，从而将被掩模板上的图形遮盖的经紫外线曝光的光刻胶溶解；将显影后的光刻胶基板放在等离子刻蚀机中刻蚀10分钟，除去凹槽中经紫外线暴光但的未被完全溶解光刻胶；将经去残胶的光刻胶基板放入烘箱中，以50°C烘烤2小时,从而将基板的光刻胶固化，得到带有所设计的正方形阵列图形状凹槽的成型模具，该凹槽长方体，底面为边长40nm的正方形，凹陷深度为50nm。
[0071](4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；
[0072]采用辐照法:配制IOOmL浓度为0.lmol/L的Al2 (SO4) 3溶液，加入0.1g三水合柠檬酸钠，形成混合液；将上述带有所设计的正方形阵列图形状凹槽的成型模具放入烧杯中，然后倒入该混合液，加入量以完全浸没该光刻胶基板以准，用6°co Y射线辐照诱导生长截断的四棱锥体的铝纳米阵列结构，诱导时间为40分钟，得到的铝纳米粒子底面边长为40nm，高为25nm。
[0073]( 5 )将所述沉积了金属的成型模具放在丙酮中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
[0074]将所述沉积了四棱锥体的铝纳米阵列结构的光刻胶基板放在浓度为30%的丙酮中，超声振荡30分钟，除去剩余光刻胶同时去掉光刻胶上的铝纳米粒子，得到底面边长为40nm高为25nm的四棱锥体的招纳米阵列结构。
[0075]实施例四
`[0076]一种金属纳米结构的制备方法，包括以下步骤:
[0077](I)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光；
[0078]选择长Icm宽Icm厚0.3cm的氧化铁衬底，清洁干净后风干备用；用X射线在氧化铁衬底均匀穿设边长为30nm间距为IOnm的正方形透光孔，形成掩模板。
[0079](2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板；
[0080]选择长Icm宽Icm厚0.3cm的玻璃基板，依次用铬酸清洗液、洗洁精和去离子水清洗，然后将玻璃基板放入烘箱中，以150°C的温度干燥13分钟。在清洁干燥后的玻璃基板上旋涂正性紫外光刻胶(本实施例为GP18系列紫外正型光刻胶)，并通过高速旋转，使玻璃基板上的光刻胶均匀地“甩”到整个玻璃板表面，控制光刻胶的厚度为35nm ;将所述涂覆有正性紫外光刻胶基板放入烘箱中，以50°C烘烤2小时，使光刻胶固化，制得带有光刻胶的基板。
[0081](3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具；
[0082]将步骤(1)所制得的掩模板平整的叠在步骤(2)所制得的带有光刻胶的基板，然后放在紫外光下暴光12秒；揭下掩模板后将带有光刻胶的基板放入浓度为20%的显影液中浸泡30分钟，从而将被掩模板上的图形遮盖的经紫外线曝光的光刻胶溶解；将显影后的光刻胶基板放在等离子刻蚀机中刻蚀10分钟，除去凹槽中经紫外线暴光但的未被完全溶解光刻胶；将经去残胶的光刻胶基板放入烘箱中，以50°C烘烤2小时,从而将基板的光刻胶固化，得到带有所设计的长方体阵列凹槽的成型模具，该凹槽呈长方体，底面边长为30nm，凹陷深度为35nm。
[0083](4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属；
[0084]采用多元醇法:将上述带有所设计的阵列图形状凹槽的光刻胶基板浸入乙二醇溶液中，以刚好浸没该光刻胶基板为宜，添加30mL浓度为0.5mol/L的ZnSO3,搅拌并加热至60°C，反应20分钟，开始自然沉积，沉积时间为6分钟，即在凹槽中形成一层底面边长为30nm厚度为20nm的长方体锌纳米阵列结构。
[0085](5)将所述沉积了金属的成型模具放在丙酮中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
[0086]将所述沉积了锌纳米阵列结构的光刻胶基板放在浓度为10%的丙酮中，超声振荡60分钟，除去剩余光刻胶同时去掉光刻胶上的锌纳米粒子，得到底面边长为30nm厚度为20nm的长方体锌纳米阵列结构。
[0087]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保 护范围。
【权利要求】
1.一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)提供清洁的衬底，并在衬底上制作所需的纳米结构图形，形成掩模板，所述衬底上有图形的部位对紫外线透光； (2)提供清洁干燥的基板，并在基板上均匀涂覆正性紫外光刻胶，前烘，使正性紫外光刻胶固化，形成光刻胶基板； (3)将所述掩模板叠在所述光刻胶基板上，经紫外线下曝光、显影、去残胶并坚膜后得到带有所述纳米结构图形形状凹槽的成型模具； (4)采用化学合成法在所述成型模具中沉积金属； (5)将所述沉积了金属的成型模具浸泡在丙酮溶液中，超声去胶，得到所述纳米结构图形的金属纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述衬底的材质为钨钢、氧化铁或铬。
3.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的纳米结构图形，采用复印设备、激光图形发生器或电子束图形发生器进行绘制，或采用X射线进行刻制。
4.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的基板为玻璃基板、硅基板或氧化镓基板。
5.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的基板，其大小与形状与所述掩模板相同。
6.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述正性紫外光刻胶为GP18系列紫外正型光刻胶，SUN-115P紫外正性光刻胶，或以共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺为主要材料的紫外正性光刻胶。
7.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的化学合成法为化学还原法、光还原法、辐照法或多元醇法。
8.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述金属为银。
9.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述的金属纳米结构，为正方体、长方体或四棱锥体的阵列结构。
10.根据权利要求1所述的一种金属纳米结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述的金属纳米结构，为边长40nm的正方体的阵列结构。
【文档编号】C23C18/06GK103668130SQ201210360802
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月25日 优先权日:2012年9月25日
【发明者】周明杰, 王国彪, 陈贵堂 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司